JPS60131973A - 有機金属の気化方法 - Google Patents
有機金属の気化方法Info
- Publication number
- JPS60131973A JPS60131973A JP23923883A JP23923883A JPS60131973A JP S60131973 A JPS60131973 A JP S60131973A JP 23923883 A JP23923883 A JP 23923883A JP 23923883 A JP23923883 A JP 23923883A JP S60131973 A JPS60131973 A JP S60131973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- guide
- holes
- organic metal
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
- B01J4/002—Nozzle-type elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、有機金属を用いて効率よく制御よく化合物半
導体の良好な成長層が得ることの出来る有機金属の気化
方法に関するものである。
導体の良好な成長層が得ることの出来る有機金属の気化
方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
百機金属を用いた気相エビタキシャμ法であるＭ Ｏ０
Ｖ Ｄ （Ｍｅｔａｔｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａ
７ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｆｉｏｎ ）法が化合物半
導体の結晶成長法として、従来の液相成長法に比べ、量
産性及び薄膜極微構造をもつ新機能デバイスの作製の高
精度制御の占で優れておｐ 、 Ｇａ（−エムｔエムＢ
／ ＧａムＳ系の半導体レーザの開発等に大いに用い
られている。
Ｖ Ｄ （Ｍｅｔａｔｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａ
７ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｆｉｏｎ ）法が化合物半
導体の結晶成長法として、従来の液相成長法に比べ、量
産性及び薄膜極微構造をもつ新機能デバイスの作製の高
精度制御の占で優れておｐ 、 Ｇａ（−エムｔエムＢ
／ ＧａムＳ系の半導体レーザの開発等に大いに用い
られている。
このＭＯＣＶＤ法において、例えばｍ−ｖ化合物半導体
層を成長する場合、一般には■族元素としては有機金属
を、Ｖ族元素としては水素化物を用いる。この４１機金
属の成長反応炉への供給方法としては、液化した有機金
属中にキャリアガスを導入し、バブリングすることによ
シ設定された温度での飽和蒸気圧にほぼ相当する分子が
気体として前記成長反応炉へ送シこまれる。
層を成長する場合、一般には■族元素としては有機金属
を、Ｖ族元素としては水素化物を用いる。この４１機金
属の成長反応炉への供給方法としては、液化した有機金
属中にキャリアガスを導入し、バブリングすることによ
シ設定された温度での飽和蒸気圧にほぼ相当する分子が
気体として前記成長反応炉へ送シこまれる。
第１図にＭＯＣｖＤ成長において、現在用いられている
有機金属のバグリングボンベの構造を示す。ステンレス
製ボンベ容器１内に液化した有機金属（例えばトリエチ
ルインジウム）２を入れ、入口３よシキャリアガヌ（例
えばＨ２）を導入する。導入されたキャリアガスはガイ
ド４を介してこのガイド４の下端噴出部４ａから気泡５
が出てボンベ１内の有機金属２中を上昇し、液面６に到
達して前記気泡６が破れ、ボンベ１内の液面上部空胴部
７中にある設定温度における飽和蒸気圧に相当する気体
分子の有機金属が前記気泡６の体積分だけ押しのけられ
、スト！Ｊ−トＴ治具８を介して出口９に押し出され成
長炉へと送られる。尚、パルプ１０はキャリアガスの流
れの０Ｎ−ＯＦＦ用である。めくらねじ１１はこのボン
ベ１内に有機金属を入れるだめの導入穴のふ産月である
。
有機金属のバグリングボンベの構造を示す。ステンレス
製ボンベ容器１内に液化した有機金属（例えばトリエチ
ルインジウム）２を入れ、入口３よシキャリアガヌ（例
えばＨ２）を導入する。導入されたキャリアガスはガイ
ド４を介してこのガイド４の下端噴出部４ａから気泡５
が出てボンベ１内の有機金属２中を上昇し、液面６に到
達して前記気泡６が破れ、ボンベ１内の液面上部空胴部
７中にある設定温度における飽和蒸気圧に相当する気体
分子の有機金属が前記気泡６の体積分だけ押しのけられ
、スト！Ｊ−トＴ治具８を介して出口９に押し出され成
長炉へと送られる。尚、パルプ１０はキャリアガスの流
れの０Ｎ−ＯＦＦ用である。めくらねじ１１はこのボン
ベ１内に有機金属を入れるだめの導入穴のふ産月である
。
この方法においては、有機金属２がボンベ１内に十分溝
たされている時は空胴部７が狭いため、ガイド４の先端
から出てくる大きめの気泡６の破裂による液面６の激し
い揺れ等から有機金属の出口への飛び出しがかなりあシ
、出口９以後の供給管等にたまシ、バブリングする気体
の流量による成長層の構成元素の供給量の制御は全くで
きなくなる。使用ｍが増し、液面６が下ってもやはシそ
の危険は高い。
たされている時は空胴部７が狭いため、ガイド４の先端
から出てくる大きめの気泡６の破裂による液面６の激し
い揺れ等から有機金属の出口への飛び出しがかなりあシ
、出口９以後の供給管等にたまシ、バブリングする気体
の流量による成長層の構成元素の供給量の制御は全くで
きなくなる。使用ｍが増し、液面６が下ってもやはシそ
の危険は高い。
出口以後の供給管は通常室温におかれることも多く、室
温で蒸気圧の低い有機金属では、特に長期間にわたって
たまったままである。これはとシもなおさず気泡５が大
きいためである。又′これを緩和するためにガイド４の
下端部に複数の孔を設けたものも考えられるが、ガイド
４がストレート形状のだめ下端部に設けられた孔の最上
部に近い孔からのみ気泡が発生し、効率が悪い。
温で蒸気圧の低い有機金属では、特に長期間にわたって
たまったままである。これはとシもなおさず気泡５が大
きいためである。又′これを緩和するためにガイド４の
下端部に複数の孔を設けたものも考えられるが、ガイド
４がストレート形状のだめ下端部に設けられた孔の最上
部に近い孔からのみ気泡が発生し、効率が悪い。
ＭＯＣＶＤ成長はＩ族元素の供給律速で決り、有機金属
はＩｖ族元素に多いことから、成長速度制御あるいは混
晶半導体の組成制御の点で従来のボンベを用いた有機金
属の気化方法では問題が多い。
はＩｖ族元素に多いことから、成長速度制御あるいは混
晶半導体の組成制御の点で従来のボンベを用いた有機金
属の気化方法では問題が多い。
発明の目的
本発明は、有機金属のバブリングにおいて、そのキャリ
アガスの気泡を小さくし、かつ制御よく有機金属を成長
反応炉系へ提供できる有機金属の気化方法を提供するこ
とを目的とする。
アガスの気泡を小さくし、かつ制御よく有機金属を成長
反応炉系へ提供できる有機金属の気化方法を提供するこ
とを目的とする。
発明の構成
本発明は液化した有機金属を気体を用いてバグリングし
、前記液化金属を気体化する際に、前記気体を液面下に
導入するガイドの後に複数個の噴出孔を有する形状の気
泡形成治具を設け、これを用いて有機金属を気化するも
のである。すなわち本発明は上記点をかんがみ、気泡形
成治具はたとえばらっは形状をし、ガイド中心よシ遠ざ
かるにつれて、小孔の径が同じか少し大きくなる形状を
しているもの、あるいは小孔のあいた制御板を用いて気
泡を小さくし、ボンベ内で小さな気泡が均一に形成され
、結果として制御よく有機金属を成長反応系へ提供する
ものである。
、前記液化金属を気体化する際に、前記気体を液面下に
導入するガイドの後に複数個の噴出孔を有する形状の気
泡形成治具を設け、これを用いて有機金属を気化するも
のである。すなわち本発明は上記点をかんがみ、気泡形
成治具はたとえばらっは形状をし、ガイド中心よシ遠ざ
かるにつれて、小孔の径が同じか少し大きくなる形状を
しているもの、あるいは小孔のあいた制御板を用いて気
泡を小さくし、ボンベ内で小さな気泡が均一に形成され
、結果として制御よく有機金属を成長反応系へ提供する
ものである。
実施例の説明
第２図に本発明の一実施例の気泡発生部の先端部を示す
。記号は第１図と同一物は同一記号で示す。ガイド４の
先端噴出部４ａのすぐ後部にある気泡形成治具１２はら
っは形状を有し、そこには複数個の気体噴出孔１３が設
けである。この孔１３はガイド４から送られてきたガス
を細かい気泡１４とするだめのもので、全体的な気泡１
４の量の均一性を保つだめに中心から遠ざかるにつれ孔
の径は大きめかあるいは孔の密度を大きくするのがよい
。もちろん適当な大きさの孔が設けられているだけでも
よい。送られてくるガスの量が多い場合は気泡形成治具
１２の底部１５よシ漏れることもあるので、この底部１
６は閉じているほうがよい。
。記号は第１図と同一物は同一記号で示す。ガイド４の
先端噴出部４ａのすぐ後部にある気泡形成治具１２はら
っは形状を有し、そこには複数個の気体噴出孔１３が設
けである。この孔１３はガイド４から送られてきたガス
を細かい気泡１４とするだめのもので、全体的な気泡１
４の量の均一性を保つだめに中心から遠ざかるにつれ孔
の径は大きめかあるいは孔の密度を大きくするのがよい
。もちろん適当な大きさの孔が設けられているだけでも
よい。送られてくるガスの量が多い場合は気泡形成治具
１２の底部１５よシ漏れることもあるので、この底部１
６は閉じているほうがよい。
このような構造でガスを流した場合も気泡１４は細かく
均一に形成され、液面６での気泡１４の割れによる液化
有機金属の飛びはねは少なく、よって安定かつ均一な気
化した有機金属が次の成長系へと送りこむことができる
。
均一に形成され、液面６での気泡１４の割れによる液化
有機金属の飛びはねは少なく、よって安定かつ均一な気
化した有機金属が次の成長系へと送りこむことができる
。
第３図に本発明の他の実施例を示す。この場合気体は従
来と同じガイド４より送りこまれ、ガイドの先端噴出部
４ａからは大きい気泡６が生じる。
来と同じガイド４より送りこまれ、ガイドの先端噴出部
４ａからは大きい気泡６が生じる。
この上部に気泡制御板１６を設置、そこに設けられた無
数の小さな孔１７を介して小さな気泡１４が均一よく形
成される。このことによシ先程の実施例と同じ様な効果
がうまれる。制御板１６のボンベ１のすき間はそのすき
間から大きなあわが生じてはよくないのでなるべく小さ
くする必要がある。又この制御板１６は小さな気泡１４
の形成上複数枚設けてもよい。
数の小さな孔１７を介して小さな気泡１４が均一よく形
成される。このことによシ先程の実施例と同じ様な効果
がうまれる。制御板１６のボンベ１のすき間はそのすき
間から大きなあわが生じてはよくないのでなるべく小さ
くする必要がある。又この制御板１６は小さな気泡１４
の形成上複数枚設けてもよい。
第４図にさらに他の実施例を示す。これはガイドの先端
噴出部４１Ｌのすぐ後に載置された気泡形成治具１２は
多孔質製のもので形成されている。
噴出部４１Ｌのすぐ後に載置された気泡形成治具１２は
多孔質製のもので形成されている。
これを用いることによシ無数の小孔１８よシ無数の小さ
な気泡１４が形成され、液面ｅの大きな揺れもなく、従
って効率よくスムーズに気化された有機金属をボンベ外
部に送シ出すことができる。
な気泡１４が形成され、液面ｅの大きな揺れもなく、従
って効率よくスムーズに気化された有機金属をボンベ外
部に送シ出すことができる。
これらの実施例において、ガイド４と気泡形成治具１２
や制御板１６は別物として説明したが、ガイド４と治具
は一体化で形成されたものでももちろんよい。一体化の
場合の例としてガイド４と同径のものに複数個の孔を設
け、ガイド４の下端噴出部４ａで５字接続したものつま
シガイド４を長めにし、下端噴出近傍に複数個の孔を設
け、下端噴出部４ａを閉じ、５字に曲げたものでも同機
の効果を得ることができる。
や制御板１６は別物として説明したが、ガイド４と治具
は一体化で形成されたものでももちろんよい。一体化の
場合の例としてガイド４と同径のものに複数個の孔を設
け、ガイド４の下端噴出部４ａで５字接続したものつま
シガイド４を長めにし、下端噴出近傍に複数個の孔を設
け、下端噴出部４ａを閉じ、５字に曲げたものでも同機
の効果を得ることができる。
以上の実施例から明らかなように、液化した有機金属を
気体をバブリングして気化した有機金属を得る際に、そ
のバブリングの気泡を小さく、均一にして液化有機金属
の液面のゆれを抑え、そのバグリングする気体の流量に
比例した量の気化した有機金属が得られ、又従来のよう
な液の飛び出しもなくなり、極めて制御性がよくなる。
気体をバブリングして気化した有機金属を得る際に、そ
のバブリングの気泡を小さく、均一にして液化有機金属
の液面のゆれを抑え、そのバグリングする気体の流量に
比例した量の気化した有機金属が得られ、又従来のよう
な液の飛び出しもなくなり、極めて制御性がよくなる。
通常、ＭＯＣＶＤ成長に用いる有機金属の流量としては
約１ｄ−５モ１Ｖ７ｍｉｙｒ程度であるが、本発明を用
いることによシ、このオーダーの制御が比較的簡単に行
なえる。実施例の気泡形成治具のらっは形状や制御板の
形状や孔の形状６．大きさは問わないし、又ボンベの形
状も問わないが、ボンベに充てんする液化有機金属の充
てん率が７〜８割程度とし、ボンベ内の液面上部空胴部
を十分にとることによシ、更に本発明の効果は大なるも
のとなる。
約１ｄ−５モ１Ｖ７ｍｉｙｒ程度であるが、本発明を用
いることによシ、このオーダーの制御が比較的簡単に行
なえる。実施例の気泡形成治具のらっは形状や制御板の
形状や孔の形状６．大きさは問わないし、又ボンベの形
状も問わないが、ボンベに充てんする液化有機金属の充
てん率が７〜８割程度とし、ボンベ内の液面上部空胴部
を十分にとることによシ、更に本発明の効果は大なるも
のとなる。
発明の効果
以上のように１本発明は液化有機金属のバグリングによ
る気泡の径を小さく、その密度を均一にすることで制御
よく外部に気化した有機金属を供給することができ、従
ってこれを用いたＭＯＣＶＤ成長で混晶化合物半導体（
Ｉｎ１−ｘＧ町−８ｙＰ１−ｙ。
る気泡の径を小さく、その密度を均一にすることで制御
よく外部に気化した有機金属を供給することができ、従
ってこれを用いたＭＯＣＶＤ成長で混晶化合物半導体（
Ｉｎ１−ｘＧ町−８ｙＰ１−ｙ。
（ムｔ、Ｇ＆１−Ｊｃ）ｙＩｎ、−ｙＰ 等）の■族組
成比を比較的容易に制御できる。
成比を比較的容易に制御できる。
本発明を用いた結晶成長法であるＭｏＣＶＤ法は化合物
半導体の量産化の大きな可能性を秘めた成長方法であり
、又本発明は有機金属を不純物ドーピング制御にも使用
でき、半導体デバイス製造分野での工業的価値は極めて
高いものである。
半導体の量産化の大きな可能性を秘めた成長方法であり
、又本発明は有機金属を不純物ドーピング制御にも使用
でき、半導体デバイス製造分野での工業的価値は極めて
高いものである。
諏１図は従来の有機金属の気化方法の概略構造図、第２
図、第３図、第４図は本発明の実施例の気化方法に用い
る気泡発生部の構造図である。 ４・・・・・・気体のガイド、４１Ｌ・・・・・・下端
噴出部、６・・・・・・液面、７・・・・・・空胴部、
１２・・・・・・気泡形成治具、１３．１７．ｊ９・・
・・・・噴出孔、１６・・・・・・制御板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ｆｏ 第２図 Ｎ 第３図 第４図・
図、第３図、第４図は本発明の実施例の気化方法に用い
る気泡発生部の構造図である。 ４・・・・・・気体のガイド、４１Ｌ・・・・・・下端
噴出部、６・・・・・・液面、７・・・・・・空胴部、
１２・・・・・・気泡形成治具、１３．１７．ｊ９・・
・・・・噴出孔、１６・・・・・・制御板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ｆｏ 第２図 Ｎ 第３図 第４図・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）液化合尭有機金属を気体を用いてバブリング−し
、前記液化有機金属を気体化するに際し、前記気体を液
面下に導くガイドの前記気体噴出部の先に複数個の前記
気体噴出孔を有する気泡形成治具設け、前記噴出孔よシ
前記気体を噴出させることを特徴とする有機金属の気化
方法。 （２）治具が気体を導入するガイドの噴出部の上部に複
数個の孔を有する制御板よシなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の有機金属の気化方法。 （３）治具が、らっは状に開いた形状でガイドの中心か
ら遠ざかるにつれ噴出孔の径が同じが大きいことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の有機金属の気化方
法。 （萄 気泡形成治具に設けた噴出孔の密度が、中心から
遠ざかるにつれ大きくなることを特徴とする特許請求の
範囲第３項に記載の有機金属の気化方法。 （６）気泡形成治具の材質が多孔質製のものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の有機金属の
気化方法。 （６〕 ガイドと気泡形成治具が一体となっていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の有機金属の
気化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23923883A JPS60131973A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 有機金属の気化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23923883A JPS60131973A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 有機金属の気化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131973A true JPS60131973A (ja) | 1985-07-13 |
| JPH0379436B2 JPH0379436B2 (ja) | 1991-12-18 |
Family
ID=17041794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23923883A Granted JPS60131973A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 有機金属の気化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131973A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6283400A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-16 | Toyo Sutoufuaa Chem:Kk | 有機金属気相成長用シリンダ−の改良法 |
| US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| WO2001042539A1 (en) * | 1999-12-11 | 2001-06-14 | Epichem Limited | Method and apparatus for delivering precursors to a plurality of epitaxial reactor sites |
| EP1329540A2 (en) * | 2000-07-03 | 2003-07-23 | Epichem Limited | An apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to epitaxial reactor sites |
| WO2007121202A1 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for chemical vapor deposition |
| JP2015007286A (ja) * | 2009-03-11 | 2015-01-15 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 安定した先駆物質供給のための泡供給システム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519146U (ja) * | 1978-07-21 | 1980-02-06 |
-
1983
- 1983-12-19 JP JP23923883A patent/JPS60131973A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519146U (ja) * | 1978-07-21 | 1980-02-06 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6283400A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-16 | Toyo Sutoufuaa Chem:Kk | 有機金属気相成長用シリンダ−の改良法 |
| US5476547A (en) * | 1989-09-26 | 1995-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas feeding device for controlled vaporization of an organometallic compound used in deposition film formation |
| WO2001042539A1 (en) * | 1999-12-11 | 2001-06-14 | Epichem Limited | Method and apparatus for delivering precursors to a plurality of epitaxial reactor sites |
| US6698728B1 (en) | 1999-12-11 | 2004-03-02 | Epichem Limited | Method and apparatus for delivering precursors to a plurality of epitaxial reactor sites |
| EP1329540A2 (en) * | 2000-07-03 | 2003-07-23 | Epichem Limited | An apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to epitaxial reactor sites |
| EP1329540A3 (en) * | 2000-07-03 | 2003-11-05 | Epichem Limited | An apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to epitaxial reactor sites |
| WO2007121202A1 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for chemical vapor deposition |
| JP2009533556A (ja) * | 2006-04-11 | 2009-09-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学気相堆積のための装置及び方法 |
| US7967911B2 (en) | 2006-04-11 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for chemical vapor deposition |
| US8313804B2 (en) | 2006-04-11 | 2012-11-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for chemical vapor deposition |
| JP2013040410A (ja) * | 2006-04-11 | 2013-02-28 | Applied Materials Inc | 化学気相堆積のための装置及び方法 |
| JP2015007286A (ja) * | 2009-03-11 | 2015-01-15 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 安定した先駆物質供給のための泡供給システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0379436B2 (ja) | 1991-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4789126B2 (ja) | 気化した有機金属化合物を化学蒸着系に提供する装置 | |
| US5901271A (en) | Process of evaporating a liquid in a cyclone evaporator | |
| CN101426953B (zh) | 用于化学气相沉积的装置和方法 | |
| KR100272848B1 (ko) | 화학증착장치 | |
| US6444038B1 (en) | Dual fritted bubbler | |
| EP0283007A2 (en) | Chemical vapour deposition apparatus having a perforated head | |
| JP2015007286A (ja) | 安定した先駆物質供給のための泡供給システム | |
| JP2867306B2 (ja) | 半導体級多結晶シリコンの製造方法とその装置 | |
| JPS60131973A (ja) | 有機金属の気化方法 | |
| JP2001115263A (ja) | ２つのフリットを有するバブラー | |
| JPH01168331A (ja) | 有機金属化合物の飽和方法 | |
| US20050249873A1 (en) | Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices | |
| JPH038330A (ja) | 液状半導体形成材料気化供給装置 | |
| JPH03126872A (ja) | 液状半導体形成材料気化供給装置 | |
| KR101949030B1 (ko) | 투룸형 기화기 | |
| CN218404394U (zh) | 一种前驱体源瓶 | |
| JP2002012975A (ja) | 液体原料供給装置及びこれを用いた銅層形成方法 | |
| JPH05335243A (ja) | 液体バブリング装置 | |
| CN221268053U (zh) | 一种多通道硅烷流化床装置 | |
| TW201807241A (zh) | ＨｆＮ膜的製造方法及ＨｆＮ膜 | |
| JP2006274290A (ja) | マイクロプラズマデポジション方法及び装置 | |
| JPH0712475U (ja) | 気相成長のための液体原料蒸発装置 | |
| JP2878462B2 (ja) | 有機金属化合物気化供給装置用のシリンダ容器 | |
| JPH0714770A (ja) | 液体ソース供給装置 | |
| JP2004296614A (ja) | 液体材料気化供給装置 |