JPS60131839A - ガラス板に貫通孔を作る方法と装置 - Google Patents
ガラス板に貫通孔を作る方法と装置Info
- Publication number
- JPS60131839A JPS60131839A JP59253917A JP25391784A JPS60131839A JP S60131839 A JPS60131839 A JP S60131839A JP 59253917 A JP59253917 A JP 59253917A JP 25391784 A JP25391784 A JP 25391784A JP S60131839 A JPS60131839 A JP S60131839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- glass plate
- holes
- ammonium difluoride
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
- H01J17/38—Cold-cathode tubes
- H01J17/48—Cold-cathode tubes with more than one cathode or anode, e.g. sequence-discharge tube, counting tube, dekatron
- H01J17/49—Display panels, e.g. with crossed electrodes, e.g. making use of direct current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野」
この発明は、ガラス板に多数の貫通孔をエツチングによ
って作る方法および装置に関する。このガラス板は例え
ばプラズマ陰極ディスプレイの孔路子板として微細構造
を構成する貫通孔を備えるものである。
って作る方法および装置に関する。このガラス板は例え
ばプラズマ陰極ディスプレイの孔路子板として微細構造
を構成する貫通孔を備えるものである。
***国特許出願公開＄２４１２８６９号公報には放電ル
ミネッセンス表示装置が記載されている。この種のプラ
ズマ陰極ディスプレイには発）しスクリーン上で電子制
御のため二種類の制ｉａｔ＋装竺が必要である。これは
原理的には貫通孔を備えるガラス板の両面に導体路が設
けられているものである。これらの導体路は電子が通り
抜ける孔を完全に囲んでいるかその傍らを通過する。制
御板と呼ばれているガラス板には行尋体と列２９体が設
けられ、画素の選出を行なう。ナトロード／ペントート
板では更にコントラストと耐電圧を上昇させ又貫通孔を
通り抜けた電子なＸ方向とＸ方向に偏向するための制御
ユニットが追加される。二つの制御ユニットの間の間隔
を一様（コし又機械的安定性を高めるため金属層を備え
る板の間に孔ガラス板が置かれる。
ミネッセンス表示装置が記載されている。この種のプラ
ズマ陰極ディスプレイには発）しスクリーン上で電子制
御のため二種類の制ｉａｔ＋装竺が必要である。これは
原理的には貫通孔を備えるガラス板の両面に導体路が設
けられているものである。これらの導体路は電子が通り
抜ける孔を完全に囲んでいるかその傍らを通過する。制
御板と呼ばれているガラス板には行尋体と列２９体が設
けられ、画素の選出を行なう。ナトロード／ペントート
板では更にコントラストと耐電圧を上昇させ又貫通孔を
通り抜けた電子なＸ方向とＸ方向に偏向するための制御
ユニットが追加される。二つの制御ユニットの間の間隔
を一様（コし又機械的安定性を高めるため金属層を備え
る板の間に孔ガラス板が置かれる。
ディスプレイ上に欠陥のない画像を作るためには、それ
を構成する総ての板がその全面に亘って一様にエッチさ
れていなければならない。金属層を備える板ではエツチ
ングによる張り出しを極めて小さくしなければならない
。これによって始めて鮮鋭な輪郭を持つ画素発光が達１
Ｊ望される。ガラス板のエツチング過程で感光樹脂が変
１４することなく、感光樹脂の除去は別の方法によって
行なわれるように「ることも技術上の問題である。制御
ユニットの品質に関してはガラスエツチング剤が多数の
ガラス板のエツチングに使用可能であることが必要であ
る。
を構成する総ての板がその全面に亘って一様にエッチさ
れていなければならない。金属層を備える板ではエツチ
ングによる張り出しを極めて小さくしなければならない
。これによって始めて鮮鋭な輪郭を持つ画素発光が達１
Ｊ望される。ガラス板のエツチング過程で感光樹脂が変
１４することなく、感光樹脂の除去は別の方法によって
行なわれるように「ることも技術上の問題である。制御
ユニットの品質に関してはガラスエツチング剤が多数の
ガラス板のエツチングに使用可能であることが必要であ
る。
従来制御ユニットの貫通孔は４０％のフッ１ヒ水素酸俗
液あるいは７０％ソツ化水素酸ガスによるエツチングで
作られた。フッ化水素酸溶液でエッチする場合には原則
として極めて粗大な孔路子しか作ることができない。エ
ツチングによる張り出し、即ち金属導体層の周り込みエ
ツチングが大き過ぎる。従って画素の鮮鋭度とガラス板
への導体路の接着強度が影響を受ける。ガス相エツチン
グの場合はソツ化水素の極めて強い毒性のため多量生産
と大形ディスプレイの生産には技術的に問ｉ＆がある。
液あるいは７０％ソツ化水素酸ガスによるエツチングで
作られた。フッ化水素酸溶液でエッチする場合には原則
として極めて粗大な孔路子しか作ることができない。エ
ツチングによる張り出し、即ち金属導体層の周り込みエ
ツチングが大き過ぎる。従って画素の鮮鋭度とガラス板
への導体路の接着強度が影響を受ける。ガス相エツチン
グの場合はソツ化水素の極めて強い毒性のため多量生産
と大形ディスプレイの生産には技術的に問ｉ＆がある。
この発明の目的は、孔ガラス板特に孔数密度の高い孔ガ
ラス板を有利なエツチング係数をもって製作することが
できる方法とそれを実施する装置を提供することである
。このエツチング係数は深さ方向と横方向のエツチング
比を指す。
ラス板を有利なエツチング係数をもって製作することが
できる方法とそれを実施する装置を提供することである
。このエツチング係数は深さ方向と横方向のエツチング
比を指す。
この目的はこの発明により、加熱したニフツ化アンモニ
ウム濃厚溶液に浸漬してエラｌ／−Ｌ、その際エッチし
ない表面部分はニフツ化アンモニウムに侵されない被覆
層で覆っておくことによって達成される。
ウム濃厚溶液に浸漬してエラｌ／−Ｌ、その際エッチし
ない表面部分はニフツ化アンモニウムに侵されない被覆
層で覆っておくことによって達成される。
（効果〕
この方法の利点は、フッ化水素酸水溶液を使用する浸漬
エツチング又は噴射エツチングの場合に比べてエツチン
グ係数が著しく改善されることで−ある。
エツチング又は噴射エツチングの場合に比べてエツチン
グ係数が著しく改善されることで−ある。
この発明の方法においては、金属化層と感光樹脂層がい
ずれもエツチング剤（＝よって侵されない。
ずれもエツチング剤（＝よって侵されない。
エツチング過程において食刻孔内にはニフッｒヒアンモ
ニウムに不溶性のエツチング生成物が多ｆｉｌに残り、
深さ方向対構方向のエツチング比を改善する。これに対
してフッ化水素酸水溶液によるエツチングでは孔をふさ
ぐ不溶性のエツチング生成物が発生せず、横方向エツチ
ングも妨害されることなく進行する。孔に残ったエツチ
ング生成物はキッチング工程の終了後加熱した希釈硫酸
によって除去することができる。
ニウムに不溶性のエツチング生成物が多ｆｉｌに残り、
深さ方向対構方向のエツチング比を改善する。これに対
してフッ化水素酸水溶液によるエツチングでは孔をふさ
ぐ不溶性のエツチング生成物が発生せず、横方向エツチ
ングも妨害されることなく進行する。孔に残ったエツチ
ング生成物はキッチング工程の終了後加熱した希釈硫酸
によって除去することができる。
ニフツｆヒアンモニウムを使用して石英をエッチし、又
ガラス表面をエッチすることは広く行なわれているが、
貫通孔を作ることは発表されていない。
ガラス表面をエッチすることは広く行なわれているが、
貫通孔を作ることは発表されていない。
浸漬又は噴射による公知方法に比べて横方向エツチング
に対する深さ方向エツチングの比は少くとも係数１．５
をもって有利である。例えば公知方法により寸法約０．
２ ＋ｍ Ｘ ！Ｊ、 ５ ｍの孔の０３２−又、は０
．６４ ｍｓ＋間隔の孔格子を持つ厚さＱ、 Ｊ ａｍ
のガラス板から成る制御板を作ることができるのに対し
、この発明の方法によれば同じ寸法の孔と孔格子を厚さ
約０．】５關のガラス板に作ることができる。この発明
−によるエツチング工程に続いて制御板をディスプレ・
ｒにとりつけるために必要な間隔用の孔板も簡単に作る
ことができる。
に対する深さ方向エツチングの比は少くとも係数１．５
をもって有利である。例えば公知方法により寸法約０．
２ ＋ｍ Ｘ ！Ｊ、 ５ ｍの孔の０３２−又、は０
．６４ ｍｓ＋間隔の孔格子を持つ厚さＱ、 Ｊ ａｍ
のガラス板から成る制御板を作ることができるのに対し
、この発明の方法によれば同じ寸法の孔と孔格子を厚さ
約０．】５關のガラス板に作ることができる。この発明
−によるエツチング工程に続いて制御板をディスプレ・
ｒにとりつけるために必要な間隔用の孔板も簡単に作る
ことができる。
孔ガラス板のエツチングに例えば銅のような金属をエッ
チ・レジストとして使用する場合には、チタンの接着層
をガラス板の銅層の間に置くと回り込みエツチングの点
で著しく有利である。
チ・レジストとして使用する場合には、チタンの接着層
をガラス板の銅層の間に置くと回り込みエツチングの点
で著しく有利である。
ガラス板に孔をエッチする際横方向の回り込みエツチン
グが起るとチタンとニフッ化アンモニウムの間の反応に
よって水素が発生し、ニフッ化アンモニウム溶液を押し
のけて横方向皿ツ≠ンダを低減させる。浸漬法又は噴射
法の場合は反応生成物が迅速に取り去られるためフッ化
水素酸の侵食も阻止する障壁が形成されることなく横エ
ツチング低減作用は発生しない。
グが起るとチタンとニフッ化アンモニウムの間の反応に
よって水素が発生し、ニフッ化アンモニウム溶液を押し
のけて横方向皿ツ≠ンダを低減させる。浸漬法又は噴射
法の場合は反応生成物が迅速に取り去られるためフッ化
水素酸の侵食も阻止する障壁が形成されることなく横エ
ツチング低減作用は発生しない。
この発鳴による方法の場合、エッチしない部分り＝侵食
される危検を一生じない。又大面積の板もこの発明の方
法により均等にエッチすることができる。
される危検を一生じない。又大面積の板もこの発明の方
法により均等にエッチすることができる。
この発明の展開によれば、ガラス板とレジスト層の間の
エツチング阻止のためにチタン、クロム、Ａｌ２Ｏ，又
はＮｉＣｒの接着層が設けられる。
エツチング阻止のためにチタン、クロム、Ａｌ２Ｏ，又
はＮｉＣｒの接着層が設けられる。
エツチングの調節を容易にするためエツチング抵抗被覆
を備えていないテスト標識をガラス板上に設けることが
できる。
を備えていないテスト標識をガラス板上に設けることが
できる。
この発明の別の実施態様においては、ガラス板をエッチ
した後反応生成物を洗い落ず際加熱した希釈硫酸溶液に
入れて超音波を作用させる。この清浄化法により例えば
５０μ搗角の微細孔をもきれいにｒることができる。
した後反応生成物を洗い落ず際加熱した希釈硫酸溶液に
入れて超音波を作用させる。この清浄化法により例えば
５０μ搗角の微細孔をもきれいにｒることができる。
この発明による方法を実施する装置としては１００℃ま
での温度に耐える合成樹脂容器に入れた二フッ化アンモ
ニクム溶液を直接加熱し撹拌することができるようにな
ったものが使用される。
での温度に耐える合成樹脂容器に入れた二フッ化アンモ
ニクム溶液を直接加熱し撹拌することができるようにな
ったものが使用される。
直接加熱することにより溶液は急速かつ均等に加熱され
、熱伝達媒質のエツチング剤による汚損等の問題を避け
ることができる。
、熱伝達媒質のエツチング剤による汚損等の問題を避け
ることができる。
この発明の別の実施態様においては、合成樹脂容器が二
重壁となり両壁間に絶縁層が置かれる。
重壁となり両壁間に絶縁層が置かれる。
この構造の利点はニフツ化アンモニウム溶液が急激に冷
却されることなくニフツ化アンモニウムの結晶化が起ら
ないことである。
却されることなくニフツ化アンモニウムの結晶化が起ら
ないことである。
エツチング剤容器内部に縁端吸入装置を組込むこともこ
の発明の枠内にある。これによつ゛Ｃフッ化水素酸蒸気
の発生による危険を避けることができる。
の発明の枠内にある。これによつ゛Ｃフッ化水素酸蒸気
の発生による危険を避けることができる。
この発明による方法は孔路子板の作成に限定されるもの
ではなく、その他の構造例えば梁形構造のエツチングに
も応用可能である。
ではなく、その他の構造例えば梁形構造のエツチングに
も応用可能である。
両面がそれぞれ厚さ３０１ｍのチタン層と３００ｎｍの
銅層で金属化されている厚さ約（Ｌ１５ａｍのガラス板
に制御板が必要とする導体路構造の陰画を感光樹脂で作
る。感光樹脂で被覆されていない面部分は例えば銅とニ
ッケルあるいはニッケルだけを電解析出させて補強する
。続いてガラス板の孔をあける個所の感光樹脂を除去し
、その下の銅層をエツチングにより除去する。ガラス板
にあける孔の大きさは約０．１ ｍＸＯ，４５Ｍであり
、孔格子寸法は０．５７ｗＸ ０．７０ｍｍである。ガ
ラス板は乾燥状態でひとまとめにして二フフ化アンモニ
ウム溶液に浸漬し、所望のエツチング深さに応じて１０
分程度エッチする。
銅層で金属化されている厚さ約（Ｌ１５ａｍのガラス板
に制御板が必要とする導体路構造の陰画を感光樹脂で作
る。感光樹脂で被覆されていない面部分は例えば銅とニ
ッケルあるいはニッケルだけを電解析出させて補強する
。続いてガラス板の孔をあける個所の感光樹脂を除去し
、その下の銅層をエツチングにより除去する。ガラス板
にあける孔の大きさは約０．１ ｍＸＯ，４５Ｍであり
、孔格子寸法は０．５７ｗＸ ０．７０ｍｍである。ガ
ラス板は乾燥状態でひとまとめにして二フフ化アンモニ
ウム溶液に浸漬し、所望のエツチング深さに応じて１０
分程度エッチする。
エツチング処理が終ったガラス板は短時間洗滌し、テス
ト標識を見てエツチング過程をコントロールする。エッ
チされた孔に残っている反応生成物例えばフッ化カルシ
ウム、アルカリ六フッ化ケイ酸塩等は、湿潤剤を使用し
て水で洗い流すが加熱した希釈硫酸溶液に浸し超音波の
作用で除去する。続いて残っている感光樹脂を除去し、
電解補強された導体路の間に残っている金属（チタンと
銅）をエッチ除去して環体路間に絶縁間隔を作る″。金
属心棒路にはなお充分な接着面が残されている。
ト標識を見てエツチング過程をコントロールする。エッ
チされた孔に残っている反応生成物例えばフッ化カルシ
ウム、アルカリ六フッ化ケイ酸塩等は、湿潤剤を使用し
て水で洗い流すが加熱した希釈硫酸溶液に浸し超音波の
作用で除去する。続いて残っている感光樹脂を除去し、
電解補強された導体路の間に残っている金属（チタンと
銅）をエッチ除去して環体路間に絶縁間隔を作る″。金
属心棒路にはなお充分な接着面が残されている。
エツチング剤の一例は７ ｋｇ Ｎ１（４ＨＦ２・２
Ｎ２ Ｑ ＋５１１１、Ｏ（８０℃）である。
Ｎ２ Ｑ ＋５１１１、Ｏ（８０℃）である。
図にはこの発明の方法によって作られる孔格子板の断面
を示す。１は孔ガラス板であり、その両面にはチタン層
２、銅層３およびニッケル層・１が設けられている。５
はエツチングによって作られた貫通孔である。
を示す。１は孔ガラス板であり、その両面にはチタン層
２、銅層３およびニッケル層・１が設けられている。５
はエツチングによって作られた貫通孔である。
図面はこの発明の方法によって作られる孔格子板の断面
を示す。 １・・・ ガラス板、２・・・チタン層、３・・・銅層
、４・・・ニッケル層、５・・・ｙｔ通几。 第１頁の続き ０発 明 者 カスパール、ワインガ ドイント ツ連ノ
を示す。 １・・・ ガラス板、２・・・チタン層、３・・・銅層
、４・・・ニッケル層、５・・・ｙｔ通几。 第１頁の続き ０発 明 者 カスパール、ワインガ ドイント ツ連ノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 】）エッチしない面部分なニフッ化アンモニウムに侵さ
れない被覆層で覆い、加熱したニフッ化アンモニウム濃
厚溶液による浸漬エツチングによって貫通孔をあけるこ
とを特徴とする微細構造を構成する貫通孔をガラス板に
作、 る方法。 ２） ガラス板と耐食層の間にチタン、クロｌＮ、Ａｌ
２Ｏ３又はＮ’ｉ Ｃｒの接着層を設けることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３） エツチング工程に続いて、加熱した希釈硫酸溶液
中の超音波洗滌によってガラス板から反応生成物を除去
することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の方法。 ４）エラｔしない面部分をニフッ化アンモニウムに侵さ
れない被覆層で覆い、加熱したニフッ化アンモニウム濃
厚溶液による浸漬エツチングによって微細構造を構成す
る貫通孔をガラス板に作るため、ニフッ化アンモニウム
溶液を直接加熱および攪拌するための１００℃までの温
度に耐える合成樹脂容器が設けられることを特徴どする
ガラス板に貫通孔を作る装置。 ５）合成樹脂容器が二重壁であり、両壁の間に絶縁域が
置かれていることを特徴とする特許請求の範囲第４項記
載の装置。 ６）容器内部に縁端吸引装置が組み込まれていることを
特徴とする特許請求の範囲第４項又は第５項記載の装置
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833343704 DE3343704A1 (de) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | Verfahren und vorrichtung zum aetzen von lochrasterplatten, insbesondere fuer plasma-kathoden-display |
| DE3343704.1 | 1983-12-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131839A true JPS60131839A (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=6215922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59253917A Pending JPS60131839A (ja) | 1983-12-02 | 1984-11-30 | ガラス板に貫通孔を作る方法と装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0144858B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60131839A (ja) |
| DE (2) | DE3343704A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4422996C2 (de) * | 1994-06-30 | 1996-11-07 | Buck Chem Tech Werke | Verfahren zum Plasmaätzen von Kunststoffmaterial |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL302987A (ja) * | 1963-01-12 | |||
| US3607480A (en) * | 1968-12-30 | 1971-09-21 | Texas Instruments Inc | Process for etching composite layered structures including a layer of fluoride-etchable silicon nitride and a layer of silicon dioxide |
| NL157662B (nl) * | 1969-05-22 | 1978-08-15 | Philips Nv | Werkwijze voor het etsen van een oppervlak onder toepassing van een etsmasker, alsmede voorwerpen, verkregen door toepassing van deze werkwijze. |
| JPS535637B1 (ja) * | 1971-05-19 | 1978-03-01 | ||
| DE2160313C3 (de) * | 1971-12-04 | 1980-05-08 | Achthal-Maschinenbau-Gmbh, 8221 Neukirchen | Verfahren zum Reinigen abgesaugter Dämpfe aus einer Schwefelsäure und FIuBsäure enthaltenden Polieranlage für Glasgegenstände |
| NL7412384A (nl) * | 1974-09-19 | 1976-03-23 | Philips Nv | Werkwijze voor het etsen van een patroon in glas. |
| US4055458A (en) * | 1975-08-07 | 1977-10-25 | Bayer Aktiengesellschaft | Etching glass with HF and fluorine-containing surfactant |
| US4053351A (en) * | 1975-11-21 | 1977-10-11 | Rockwell International Corporation | Chemical machining of silica and glass |
| DE2802976C2 (de) * | 1978-01-24 | 1980-02-07 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Durchbrüchen (Löchern) in Glasplatten, vorzugsweise mit feinsten Strukturen |
| DE3120806A1 (de) * | 1979-12-07 | 1982-12-09 | Erich Dr. 8000 München Sälzle | Verfahren zum polieren von glasgegenstaenden |
| DE3122544A1 (de) * | 1981-06-05 | 1982-12-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum aetzen von durchbruechen in glasplatten |
-
1983
- 1983-12-02 DE DE19833343704 patent/DE3343704A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-11-20 EP EP84114052A patent/EP0144858B1/de not_active Expired
- 1984-11-20 DE DE8484114052T patent/DE3477187D1/de not_active Expired
- 1984-11-30 JP JP59253917A patent/JPS60131839A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0144858A2 (de) | 1985-06-19 |
| DE3477187D1 (en) | 1989-04-20 |
| EP0144858A3 (en) | 1986-04-23 |
| EP0144858B1 (de) | 1989-03-15 |
| DE3343704A1 (de) | 1985-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20160026089A1 (en) | Mask plate and manufacturing method thereof | |
| US5387361A (en) | Etching liquid for aluminium, method of etching aluminium and etched aluminium product | |
| WO2004065660A1 (ja) | 金属フォトエッチング製品及びその製造方法 | |
| US4293376A (en) | Method of producing perforated glass plate | |
| EP0668712B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Strukturierungen | |
| CN103866230A (zh) | 一种oled显示面板生产用新型荫罩板的制作方法 | |
| DE3785322T2 (de) | Mehrschichtstruktur und Herstellungsverfahren. | |
| JPS6031915B2 (ja) | アルミニウム支持層上に可剥離銅を製造する方法 | |
| JP6963023B2 (ja) | 技術的マスクの製造方法 | |
| JPS60131839A (ja) | ガラス板に貫通孔を作る方法と装置 | |
| US5374338A (en) | Selective electroetch of copper and other metals | |
| US3531340A (en) | Method for mounting thin beryllium windows | |
| TWI644356B (zh) | 蝕刻用於電路及薄膜熱結構的碳奈米管片材之方法 | |
| JPH03202500A (ja) | 銅箔の粗面化方法 | |
| JP2006518808A (ja) | ステンシル製造方法 | |
| RU2030136C1 (ru) | Способ изготовления диэлектрических подложек с отверстиями | |
| SU570659A1 (ru) | Способ изготовлени сетчатых металлических трафаретов | |
| SU375820A1 (ja) | ||
| DE3122544A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum aetzen von durchbruechen in glasplatten | |
| JPH0429236B2 (ja) | ||
| DE2213036C3 (de) | Verfahren zum Gasätzen einer Siliciumnitridschicht | |
| JPH0466676A (ja) | 金属板の微細加工方法 | |
| JPH04125968A (ja) | 半導体装置の支持板加工方法 | |
| JPS58193372A (ja) | スズ−ニツケル合金のエツチング液 | |
| CN107177879A (zh) | 一种穿孔箔的制作方法 |