JPS60128421A - Diaphragm control device - Google Patents
Diaphragm control deviceInfo
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B9/00—Exposure-making shutters; Diaphragms
- G03B9/02—Diaphragms
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絞り制御装置に関し、詳しくは圧電セラミ’７
り素子等の電歪素子に電圧を印加した時に生じる歪を駆
動力源として絞り羽根を駆動する機構において、絞り羽
根の移動方向や移動量にかかわりなく、適切な実効口径
を得ることができる絞り制御装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an aperture control device, and more specifically to a piezoelectric ceramic '7
In a mechanism that drives aperture blades using the strain generated when a voltage is applied to an electrostrictive element such as an electrostrictive element as a driving force source, an aperture that can obtain an appropriate effective aperture regardless of the direction or amount of movement of the aperture blades. Regarding a control device.
従来より圧電セラミック素子等の電歪素子に電圧を印加
した時に上記電歪素子に生じる歪を駆動力源として絞り
羽根を駆動する機構が知られており、この種の絞り機構
では機構部材を駆動するのに充分な電歪素子の変位量を
得るために電歪素子をバイモルフ構造あるいは積層構造
に構成するとともに、電歪素子の一端を片持ち梁に支持
し、電歪素子に印加する電圧の変動によりその自由端に
生じる変位量の変動によって絞り駆動用の機構部材を作
動させている。Conventionally, a mechanism has been known that drives an aperture blade using the strain generated in an electrostrictive element such as a piezoelectric ceramic element as a driving force source when a voltage is applied to the electrostrictive element. In order to obtain sufficient displacement of the electrostrictive element to The mechanism member for driving the diaphragm is actuated by the variation in the amount of displacement generated at the free end due to the variation.
第１図はバイモルフ構造の電歪素子１の動作原理を示し
たものであり、バイモルフ構造の電歪素子１は薄い金属
片１Ｃの両面に圧電効果を有するセラミック層１ａ・１
ｂを積層した構造であり、セラミックＮ１ａ・１ｂに各
々逆電圧を印加することにより一点鎖線で示すように変
位し、且つ、通電を絶たれた後も電荷を保持するために
その変位状態を維持する。しかして、電歪素子１に対す
る印加電圧を変動させた時に生じる変位を機械的な伝達
機構を介して絞り羽根に伝達すれば、上記電歪素子１を
絞り羽根の駆動力の発生源として使用することができる
。FIG. 1 shows the operating principle of an electrostrictive element 1 having a bimorph structure.
It has a structure in which ceramics N1a and N1b are laminated, and when a reverse voltage is applied to each ceramic N1a and N1b, it is displaced as shown by the dashed line, and even after the current is cut off, the displaced state is maintained to retain the charge. do. Therefore, if the displacement that occurs when the voltage applied to the electrostrictive element 1 is varied is transmitted to the aperture blades via a mechanical transmission mechanism, the electrostrictive element 1 can be used as a source of driving force for the aperture blades. be able to.
ところで、電歪素子１に対する印加電圧■と変位量りと
の間には第２図に示す様なヒステリシス現象が生じるこ
とが知られており、印加電圧を上昇させた時と下降させ
た時とでは異なる変位特性を示すことになる。従って、
絞りリングの操作に関連して電歪素子に対する印加電圧
を増減させると、絞りリングの設定値が同一であっても
、絞りリングの回転方向や回転量によって最終的に得ら
れる実効口径は異なったものとなってしまう。By the way, it is known that a hysteresis phenomenon as shown in Fig. 2 occurs between the applied voltage (■) to the electrostrictive element 1 and the displacement meter, and the hysteresis phenomenon occurs when the applied voltage is increased and when it is decreased. They will exhibit different displacement characteristics. Therefore,
If the voltage applied to the electrostrictive element is increased or decreased in conjunction with the operation of the aperture ring, the final effective aperture will differ depending on the direction and amount of rotation of the aperture ring, even if the setting value of the aperture ring is the same. It becomes a thing.
第３図は設定絞り値及びこれと連動する印加電圧の変動
により生じる実効口径の変動を示しており、横軸に設定
絞り値Ｆと印加電圧■をとり、縦軸に実効口径Ｆ°をと
る。印加電圧■は絞りリングに連動しており、例えば絞
りリングをＦ５．６に設定した時は電歪素子１に対して
■１の電圧が印加され、実効口径はこの印加電圧により
生じる電歪素子１の変位量により定まる。Figure 3 shows the variation in effective aperture caused by the set aperture value and the associated variation in applied voltage.The horizontal axis shows the set aperture value F and the applied voltage ■, and the vertical axis shows the effective aperture F°. . The applied voltage ■ is linked to the aperture ring. For example, when the aperture ring is set to F5.6, a voltage of ■1 is applied to the electrostrictive element 1, and the effective aperture is determined by the electrostrictive element generated by this applied voltage. It is determined by the amount of displacement of 1.
ところが、印加電圧■と電歪素子１の変位量との間には
上記のようなヒステリシス現象が生じるために、例えば
、絞りリングをＦ２に設定した位置から絞りリングをＦ
５．６に絞り込んで印加電圧をＶＯＩまで低下せしめた
場合は現実にはＡ点までしか絞り込まれず＋δＡＶｏ＋
の誤差が生じ、絞りリングをＦ４に設定した位置から絞
りリングをＦ５．６に絞り込んで印加電圧をＶ。、まで
低下せしめた場合は現実にはＢ点までしか絞り込まれず
＋δＡ Ｖ ０２の誤差が生じ、絞りリングをＦｉｌに
設定した位置から絞りリングなＦ５．６まで開けて印加
電圧をＶ。、まで上昇せしめた場合は現実には０点まで
しか絞りが開かず一δＡ Ｖ Ｏ３の誤差が生じること
になる。However, since the above-mentioned hysteresis phenomenon occurs between the applied voltage ■ and the amount of displacement of the electrostrictive element 1, for example, when the aperture ring is set at F2, the aperture ring is moved to F2.
If you narrow it down to 5.6 and lower the applied voltage to VOI, in reality you can only narrow it down to point A +δAVo+
error occurred, and the aperture ring was stopped down from the position where it was set to F4 to F5.6 and the applied voltage was changed to V. If the aperture ring is set to F5.6, the aperture ring is opened from the Fil position to F5.6, and the applied voltage is set to V. If the aperture is increased to , in reality, the aperture will only open to the 0 point, resulting in an error of 1 δA V O3.
そしてこの誤差は、絞りリングの回転量が多い程大きな
ものとなり、絞りリングの回転量が多い場合社は有効露
光域が比較的広いといわれている中庸感度以上のネガフ
ィルムを使用した場合でも最終的なプリントに影響を与
えるのに充分なものとなり、特にコピーフィルムやりバ
ーサルカラーフィルムのように有効露光域の狭いフィル
ムの場合には適正露光を与えることがおよそ不可能な程
大きなものとなってしまう。This error becomes larger as the amount of rotation of the aperture ring increases, and if the amount of rotation of the aperture ring is large, the final In particular, in the case of films with narrow effective exposure ranges such as copy films and versatile color films, it becomes so large that it is almost impossible to give proper exposure. Put it away.
本発明はこのような現状に鑑みてなされたちのであり、
上記ヒステリシス現象の影響を最少限のものにおさえ、
絞りリングの回転方向や回転量にかかわりなく安定した
実効口径を得ることができる絞り制御装置を提供するこ
とを目的とする。The present invention was made in view of the current situation,
By minimizing the influence of the above hysteresis phenomenon,
It is an object of the present invention to provide an aperture control device that can obtain a stable effective aperture regardless of the rotational direction or amount of rotation of an aperture ring.
要約すれば、本発明の絞り制御装置は電歪素子を変位さ
せるための直流電圧に、その重畳により前記電歪素子に
生じる振動の振幅が露出に影響を及ぼさない程度の振幅
の高周波を上記直流電圧に重畳することにより、上記直
流電圧を変動した場合に電歪素子に対する総合印加電圧
が高周波による微少な増減を伴いながら変動するように
し、ヒステリシスの影響を最少限度のものに抑えるよう
になされている。In summary, the diaphragm control device of the present invention applies a high frequency wave having an amplitude such that the amplitude of vibration generated in the electrostrictive element due to the superimposition of the DC voltage for displacing the electrostrictive element does not affect the exposure. By superimposing it on the voltage, when the DC voltage is varied, the total applied voltage to the electrostrictive element varies with slight increases and decreases due to high frequency, and the influence of hysteresis is suppressed to a minimum. There is.
以下図面を参照し本発明の１実施例を詳細に説明する。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第４図は電圧を印加し°た時に電歪素子１に発生する歪
を２枚羽根の絞り羽根に伝達する駆動力伝達機構の１例
を示したものであり、その動作原理を概説すれば、基板
２に穿孔されたアパーチュア２ａを絞り羽根３が開閉し
、その開口量により実効口径Ｆ′が定まる。Figure 4 shows an example of a driving force transmission mechanism that transmits the strain generated in the electrostrictive element 1 when a voltage is applied to the two-blade aperture blade. The aperture blades 3 open and close an aperture 2a formed in the substrate 2, and the effective aperture F' is determined by the opening amount.
第４図において、電歪素子１の変位を絞り羽根３に伝達
するための伝達機構の構造・作用に関して詳述すれば、
先ずスロッｌ−３１を穿孔された絞り羽根３は基板２に
固定された軸４ａに枢支されており、軸４ａを中心とし
て揺動可能な構造をとる。In FIG. 4, the structure and operation of the transmission mechanism for transmitting the displacement of the electrostrictive element 1 to the aperture blades 3 will be described in detail.
First, the aperture blade 3 having a slot l-31 bored therein is pivotally supported on a shaft 4a fixed to the substrate 2, and has a structure capable of swinging around the shaft 4a.
一方、軸５に枢支されたレバー６の原動端には電歪素子
１の先端に設けられた伝動子７を挟むための溝６ａが設
けられ、レバー６の従動端に設けられた突起６ｂは基板
２に穿孔されたスロット２ｂ及び絞り羽根３に穿孔され
たスロッ）３ａを貫通して基板２の裏面に突出している
。On the other hand, a groove 6a for sandwiching the transmitter 7 provided at the tip of the electrostrictive element 1 is provided at the driving end of the lever 6 which is pivotally supported by the shaft 5, and a protrusion 6b provided at the driven end of the lever 6. protrudes from the back surface of the substrate 2 through a slot 2b bored in the substrate 2 and a slot 3a bored in the aperture blade 3.
従って、支持部材８によって基板２に片持ち梁に支持さ
れた電歪素子１に電圧を印加して電歪素子１の先端に設
けられた伝動子７を図面において左右に変位させれば、
レバー６は軸５を中心に揺動してレバー６の先端に設け
られた突起６ｂは絞り羽根３を軸４ａを中心に揺動させ
るので、絞り羽根３はアパーチュア２ａを開閉する。Therefore, if a voltage is applied to the electrostrictive element 1 supported by the support member 8 in a cantilevered manner on the substrate 2, and the transmitter 7 provided at the tip of the electrostrictive element 1 is displaced from side to side in the drawing,
The lever 6 swings around the shaft 5, and the protrusion 6b provided at the tip of the lever 6 swings the aperture blade 3 around the shaft 4a, so the aperture blade 3 opens and closes the aperture 2a.
尚、軸４ｂには絞り羽根３と対称の絞り羽根が枢支され
るが、図面では省略している。Note that aperture blades symmetrical to the aperture blades 3 are pivotally supported on the shaft 4b, but are omitted in the drawings.
本発明では基本的には絞りリングの設定位置に応じて電
歪素子１に印加する直流電圧を変動させることにより電
歪素子１の変位量を制御するとともに、上記直流電圧に
高周波を重畳して電歪素子１に対する総合印加電圧を常
に微少範囲内で増減し、ヒステリシスの影響を最小限の
ものとしている。In the present invention, basically, the amount of displacement of the electrostrictive element 1 is controlled by varying the DC voltage applied to the electrostrictive element 1 according to the set position of the aperture ring, and a high frequency is superimposed on the DC voltage. The total applied voltage to the electrostrictive element 1 is always increased or decreased within a very small range to minimize the influence of hysteresis.
第５図は本発明の１実施例となる駆動回路例を示したも
ので、図中１０は直流電圧源を示し、可変抵抗１０ａは
図示せぬ絞りリングと連動してその分圧比が定まる。又
、１１はバイアス用の電圧を発生する高周波発生器を示
す。更に、１２ａ・１２ｂは各々バッファアンプを示し
、この内ノ＜・ソファアンプ１２ａは直流電源１０から
加えられる直流電圧を印加するためのものであり、バ・
ソファアンプ１２ｂは高周波発生器１１から加えられる
高周波を重畳するためのものである。FIG. 5 shows an example of a drive circuit according to an embodiment of the present invention, in which reference numeral 10 indicates a DC voltage source, and a variable resistor 10a works in conjunction with an aperture ring (not shown) to determine its voltage division ratio. Further, numeral 11 indicates a high frequency generator that generates a bias voltage. Further, reference numerals 12a and 12b each indicate a buffer amplifier, among which the sofa amplifier 12a is for applying the DC voltage applied from the DC power supply 10;
The sofa amplifier 12b is for superimposing the high frequency applied from the high frequency generator 11.
次に上記事項及び第６図を参照して本実施例の動作を説
明しよう。Next, the operation of this embodiment will be explained with reference to the above matters and FIG. 6.
尚、第６図は、その横軸に絞りリングによって設定され
る設定絞り値Ｆ及びこの設定絞り値Ｆに対応してバッフ
ァアンプ１２ａから電歪素子１に印加される直流電圧■
を示し、その縦軸に印加電圧Ｖにより電歪素子１に生じ
る変位量に対応して定まる実効口径Ｆ゛を示している。In addition, in FIG. 6, the horizontal axis shows the set aperture value F set by the aperture ring and the DC voltage applied from the buffer amplifier 12a to the electrostrictive element 1 corresponding to the set aperture value F.
, and the effective aperture F' is shown on the vertical axis, which is determined corresponding to the amount of displacement caused in the electrostrictive element 1 by the applied voltage V.
今、設定絞りがＦ２であるとすると、この設定Ｆ値に対
応した電圧が直流電源１０からノ＜・ソファアンプ１２
ａに加えられ、バ・ソファアンプ１２ａはこれを増幅し
てＶａの電圧を電歪素子１に印加する。Now, assuming that the set aperture is F2, the voltage corresponding to this set F value is from the DC power supply 10 to the sofa amplifier 12.
a, and the Va sofa amplifier 12a amplifies this and applies a voltage of Va to the electrostrictive element 1.
一方、電歪素子１には高周波発振器１１によって発生さ
れた高周波がバッファアンプ１２ｂにより増幅して加え
られ、バッファアンプ１２ｂにより加えられる高周波の
振幅を２ｄｖとすると、電歪素子１に対する総合印加電
圧は■ａｔｈｄｖになる。On the other hand, a high frequency wave generated by a high frequency oscillator 11 is amplified and applied to the electrostrictive element 1 by a buffer amplifier 12b, and if the amplitude of the high frequency wave applied by the buffer amplifier 12b is 2 dv, the total applied voltage to the electrostrictive element 1 is ■Become an athdv.
このように、本実施例ではＦ２という設定絞り値に対応
してＶａという電圧をバッファアンプ１２ａから電歪素
子ｌに印加した場合、電歪素子１に対する総合印加電圧
はＶａを中心として±ｄｖという微少範囲内で常に増減
することになり、電歪素子１はヒステリシス状の振動を
伴うことになる。そして実効口径Ｆ′は電歪素子１の変
位量により定まるのであるから、この場合であればＦ２
を中心に微少振動をすることになる。As described above, in this embodiment, when a voltage Va is applied from the buffer amplifier 12a to the electrostrictive element 1 in response to a set aperture value of F2, the total applied voltage to the electrostrictive element 1 is ±dv with Va as the center. It constantly increases and decreases within a minute range, and the electrostrictive element 1 is accompanied by hysteresis-like vibrations. Since the effective aperture F' is determined by the amount of displacement of the electrostrictive element 1, in this case F2
There will be slight vibrations centered around.
この状態で絞りリングをＦ５．６に設定すると、バッフ
ァアンプ１２ａから電歪素子ｌに印加される電圧はｖｂ
まで立ち下がるが、電歪素子１に対する総合印加電圧は
直線的には立ち下がらず高周波の重畳による微少な増減
を繰り返しながら徐々に立ち下がり、最終的にはＶｂ＋
ｄｖになる。When the aperture ring is set to F5.6 in this state, the voltage applied from the buffer amplifier 12a to the electrostrictive element l is vb
However, the total applied voltage to the electrostrictive element 1 does not fall linearly, but gradually falls while repeating minute increases and decreases due to the superposition of high frequencies, and finally reaches Vb+.
Become a DV.
又、絞りリングがＦｉｌに設定されている場合、バッフ
ァアンプ１２ａから電歪素子１に印加される電圧はＶｃ
であり、高周波の重畳分を加えた総合印加電圧はＶｃ：
！：ｄｖとなる。Further, when the aperture ring is set to Fil, the voltage applied from the buffer amplifier 12a to the electrostrictive element 1 is Vc.
The total applied voltage including the superimposed high frequency component is Vc:
! : dv.
この状態で絞りリングをＦ５．６に設定すると、バッフ
ァアンプ１２ａから電歪素子１に印加される電圧はｖｂ
まで立ち上がるが、電歪素子１に対する総合印加電圧は
直線的には立ち上がらず高周波の重畳による微少な増減
を繰り返しながら徐々に立ち上がり、最終的にはＶｂ＋
ｄｖになる。When the aperture ring is set to F5.6 in this state, the voltage applied from the buffer amplifier 12a to the electrostrictive element 1 is vb
However, the total applied voltage to the electrostrictive element 1 does not rise linearly, but gradually rises while repeating minute increases and decreases due to the superposition of high frequencies, and finally reaches Vb+.
Become a DV.
このように本発明では絞りリングを操作することによっ
て電歪素子１に対するバッファアンプ１２ａからの印加
電圧を増加・減少させた場合、電歪素子１に対する総合
印加電圧は一気には増加・減少せず、高周波の重畳によ
る微少な連続的増減を繰り返しながら増加・減少するの
で、電歪素子ｌも総合印加電圧の微盃な増減に起因した
微少なヒステリシス状の振動を伴いながら変位していく
ことになる。従って、絞りリングをどの位置からどの方
向に回転しても、実効絞り値Ｆ°は高周波を印加したこ
とにより生じるヒステリシス状の振動の振幅内に収まる
ことになる。In this way, in the present invention, when the voltage applied from the buffer amplifier 12a to the electrostrictive element 1 is increased or decreased by operating the aperture ring, the total applied voltage to the electrostrictive element 1 does not increase or decrease all at once. Since the electrostrictive element 1 increases and decreases while repeating minute continuous increases and decreases due to the superposition of high frequencies, the electrostrictive element l also displaces with slight hysteresis-like vibrations caused by minute increases and decreases in the total applied voltage. . Therefore, no matter where the aperture ring is rotated from any position and in any direction, the effective aperture value F° will fall within the amplitude of the hysteresis-like vibration caused by the application of high frequency.
尚、高周波の振幅はそのカメラに要求される撮影条件に
よって異なるものであるが、通常の撮影条件を想定した
場合であれば、露光量の微調整は１／３絞り単位あるい
は１／２絞り単位程度で行われるものであるから、高周
波の重畳による総合印加電圧の増減に起因して生じるヒ
ステリシス状の振動の振幅が１／６ＥＶ程度になるよう
な高周波を重畳すれば実用上充分な精度が得られること
になる。Note that the amplitude of the high frequency varies depending on the shooting conditions required for the camera, but assuming normal shooting conditions, fine adjustment of the exposure amount can be made in 1/3 or 1/2 aperture increments. Therefore, sufficient accuracy can be obtained for practical use by superimposing a high frequency such that the amplitude of the hysteresis-like oscillation caused by the increase/decrease in the total applied voltage due to the superimposition of the high frequency is about 1/6 EV. It will be done.
尚、上記においては絞りリングの操作により可変抵抗１
０ａの抵抗値を変動するものとして説明したが、可変抵
抗１０ａの抵抗値を被写界輝度に対応して定まるように
すれば、本発明をシャッタ速度優先の自動露出制御やプ
ログラムオートによる自動露出制御に適用することがで
きる。In the above case, the variable resistance 1 can be adjusted by operating the aperture ring.
Although the resistance value of variable resistor 10a has been described as being variable, if the resistance value of variable resistor 10a is determined according to the brightness of the field, the present invention can be applied to automatic exposure control that prioritizes shutter speed or automatic exposure using program auto. Can be applied to control.
又、上記においては本発明を２枚羽根の絞り機構に適用
した例を示したが、本発明はこれ以外の絞り機構、例え
ば、ティア・ドロップ絞りや虹彩絞り等の駆動用にもそ
のまま適用できる。Further, although the above example shows an example in which the present invention is applied to a two-blade diaphragm mechanism, the present invention can also be applied as is to drive other diaphragm mechanisms such as teardrop diaphragms and iris diaphragms. .
又、第７図は本発明を一眼レフカメラの自動絞り機構に
適用した例を原理的に示している。スイッチ１３は通常
直流電源１４を選択しており、コンデンサ１５は充電さ
れ、バッファアンプ１２ａの非反転入力は開放絞りに対
応するレベルまで引き上げられている。そしてスイッチ
１３はシャツタレリーズスイッチ及び絞り込みスイッチ
に連動してグランド１６を選択する。Further, FIG. 7 shows the principle of an example in which the present invention is applied to an automatic aperture mechanism of a single-lens reflex camera. The switch 13 normally selects the DC power supply 14, the capacitor 15 is charged, and the non-inverting input of the buffer amplifier 12a is raised to a level corresponding to the open aperture. The switch 13 selects the ground 16 in conjunction with the shirt release switch and the aperture switch.
従って、通常はバッファアンプ１２ａから電歪素子１に
は開放絞りに対応した電圧が印加されるので、絞りリン
グの設定値にかかわりな（開放状態になり、シャッタが
レリーズされるとコンデンサ１５はスイソチェ３及び抵
抗１７を介して放電されるので、バッファアンプ１２ａ
がら電歪素子１には設定絞り値に対応した電圧が印加さ
れ、実効口径もこれに追従する。Therefore, normally, a voltage corresponding to the open aperture is applied from the buffer amplifier 12a to the electrostrictive element 1, so that regardless of the setting value of the aperture ring (when the aperture ring is in the open state and the shutter is released, the capacitor 15 is 3 and the resistor 17, the buffer amplifier 12a
A voltage corresponding to the set aperture value is applied to the electrostrictive element 1, and the effective aperture follows this.
又、被写界深度を確認するため、あるいは絞り込み測光
をするために絞り込みスイッチを押した場合もコンデン
サ１５は放電されるので、バッファアンプ１２ａから電
歪素子１には設定絞り値に対応した電圧が印加される。Also, when the aperture switch is pressed to check the depth of field or perform aperture metering, the capacitor 15 is discharged, so a voltage corresponding to the set aperture value is applied from the buffer amplifier 12a to the electrostrictive element 1. is applied.
そしてこの状態で絞りリング等の操作により設定絞り値
を変動した場合、電歪素子１には高周波が重畳されてい
るので第５図の例と同様に実効口径は設定絞りの変動に
正確に追従する。In this state, if the set aperture value is changed by operating the aperture ring, etc., the effective aperture will accurately follow the change in the set aperture, as in the example shown in Figure 5, because the high frequency is superimposed on the electrostrictive element 1. do.
以上説明したように、本発明によれば、電歪素子に対す
る印加電圧と電歪素子の変位量の間に発生するヒステリ
シスの影響を最小限に抑えることができるので、絞りの
移動方向や移動量にかがわりなく実効口径を設定絞り値
の変動に実用上充分な正確さをもって追従させることが
できる。As explained above, according to the present invention, the influence of hysteresis that occurs between the voltage applied to the electrostrictive element and the amount of displacement of the electrostrictive element can be minimized. Regardless, the effective aperture can be made to follow changes in the set aperture value with sufficient accuracy for practical use.
第１図は電歪素子の動作原理図、第２図は電歪素子に対
する印加電圧を変動させた時に生じる変位量の特性図、
第３図は電歪素子を利用した従来の絞り機構において電
歪素子に対する印加電圧を変動させた時の実効り径の変
、化を示す特性図、第４図は印加電圧の変動により電歪
素子に生じる変位を絞り羽根に伝達するための機構図、
第５図は本発明の制御系を原理的に示す回路図、第６図
は第５図の回路により電歪素子に対する印加電圧を変動
させた時の実効口径の変化を示す特性図、第７図は第５
図の回路の変形例を示す回路図。
１・・・電歪素子 ３・・・絞り羽根
１０・・・直流電源 １１・・・高周波発生器１２ａ
・１２ｂ・・・バンファアンプ第１図
＋６ ＩＩ ｔｌ ５．ｆｉ ４１．ｌｊ １１．４
＋−第４図
第５図
第６図
Ｆ′
１６ １１ ８ ５．６ ４ ２４３ ２ １．４Ｆ第
７図
ＢFigure 1 is a diagram of the operating principle of the electrostrictive element, Figure 2 is a characteristic diagram of the amount of displacement that occurs when the voltage applied to the electrostrictive element is varied,
Figure 3 is a characteristic diagram showing the change in effective diameter when the voltage applied to the electrostrictive element is varied in a conventional aperture mechanism using an electrostrictive element. Mechanism diagram for transmitting the displacement generated in the element to the aperture blades,
FIG. 5 is a circuit diagram showing the principle of the control system of the present invention, FIG. 6 is a characteristic diagram showing the change in effective aperture when the voltage applied to the electrostrictive element is varied by the circuit of FIG. 5, and FIG. The figure is number 5
FIG. 3 is a circuit diagram showing a modification of the circuit shown in the figure. 1... Electrostrictive element 3... Aperture blade 10... DC power supply 11... High frequency generator 12a
・12b... Banfa amplifier Figure 1 +6 II tl 5. fi 41. lj 11.4
+-Figure 4Figure 5Figure 6F' 16 11 8 5.6 4 243 2 1.4FFigure 7B
Claims (1)
して絞り羽根を駆動する絞り制御装置において、その重
畳により前記電歪素子に生じる振動の振幅が露出に影響
を及ぼさない程度の振幅の高周波を上記直流電圧に重畳
させたことを特徴とする絞り制御装置。In an aperture control device that drives an aperture blade using the strain produced in an electrostrictive element by the application of a DC voltage as a driving force source, the amplitude of the vibration produced in the electrostrictive element due to the superposition of the vibrations is high-frequency with an amplitude that does not affect exposure. is superimposed on the DC voltage.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236907A JPS60128421A (en) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | Diaphragm control device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236907A JPS60128421A (en) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | Diaphragm control device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128421A true JPS60128421A (en) | 1985-07-09 |
Family
ID=17007517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58236907A Pending JPS60128421A (en) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | Diaphragm control device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128421A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5429876A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Hitachi Ltd | Centrifugal countercurrent contact apparatus |
| JPS55105479A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-13 | Sony Corp | Automatic diaphragm device |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP58236907A patent/JPS60128421A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5429876A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Hitachi Ltd | Centrifugal countercurrent contact apparatus |
| JPS55105479A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-13 | Sony Corp | Automatic diaphragm device |
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