JPS6012786A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6012786A JPS6012786A JP58118313A JP11831383A JPS6012786A JP S6012786 A JPS6012786 A JP S6012786A JP 58118313 A JP58118313 A JP 58118313A JP 11831383 A JP11831383 A JP 11831383A JP S6012786 A JPS6012786 A JP S6012786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- light emitting
- submount
- fixed
- laser chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は発光装置の製造方法、特に半導体レーザ装置の
製造に適用して有効な技術に関する。
製造に適用して有効な技術に関する。
光学式ビデオディスクの光ピツクアップ用発光装置とし
て１日経メカ二カ／Ｉ／（１９８２年７月５日号）の６
８〜７７頁にも記載されているように、矩形板状のステ
ムの主面中央に設けたヒートシンクにシリコンサブマウ
ントを介してレーザチップ（半導体レーザ素子）を固定
し、かっステムの主面側を透光窓を有するキャップで被
い、前記レーザチップ等を気密封止した栴造の半導体レ
ーザ装置が知られている。また、レーザチップはサブマ
ウントに固定され、サブマウントをヒートシンクに固定
した時点でチップのヒートシンクへの搭載が終了する。
て１日経メカ二カ／Ｉ／（１９８２年７月５日号）の６
８〜７７頁にも記載されているように、矩形板状のステ
ムの主面中央に設けたヒートシンクにシリコンサブマウ
ントを介してレーザチップ（半導体レーザ素子）を固定
し、かっステムの主面側を透光窓を有するキャップで被
い、前記レーザチップ等を気密封止した栴造の半導体レ
ーザ装置が知られている。また、レーザチップはサブマ
ウントに固定され、サブマウントをヒートシンクに固定
した時点でチップのヒートシンクへの搭載が終了する。
ところで、このような半導体レーザ装置はディジタル・
オーディオ・ディスクＣＤＡＤ ）用プレーヤのピック
アップ等に組み込む場合、ピックアップ等の光学系に高
精度で光軸を合せる必要がある。このため、レーザチッ
プの取（＝１精度は、たとえば日経エレクトロニクス（
１９８１年９月１４日号）の１３８貫にも記載され【い
るように、±５０μｍ以内（光軸方向±１０μｍ以内、
光軸角度士２度以内）等と茜い精度が要求される。
オーディオ・ディスクＣＤＡＤ ）用プレーヤのピック
アップ等に組み込む場合、ピックアップ等の光学系に高
精度で光軸を合せる必要がある。このため、レーザチッ
プの取（＝１精度は、たとえば日経エレクトロニクス（
１９８１年９月１４日号）の１３８貫にも記載され【い
るように、±５０μｍ以内（光軸方向±１０μｍ以内、
光軸角度士２度以内）等と茜い精度が要求される。
本出願人は、チップを固定したサブマウントをヒートシ
ンクに固定する場合、チップの位置確認による位置決め
を行なった後にサブマウントをソルダによってヒートシ
ンクに固定し１組立後にし−ザ発振を行なってレーザ光
発振位置の検査を行ない、検査結果に基いて等級選別を
する技術を開発した。
ンクに固定する場合、チップの位置確認による位置決め
を行なった後にサブマウントをソルダによってヒートシ
ンクに固定し１組立後にし−ザ発振を行なってレーザ光
発振位置の検査を行ない、検査結果に基いて等級選別を
する技術を開発した。
しかし、このような技術は、サブマウントの固定時、レ
ーザ光が発振される位置を確認し【サブマウントを固定
する方法ではなく、チップ全体の位置確認によるサブマ
ウント固定であるため、チップ固定精度が低く、組立歩
留が悪いという問題が生じるということが本発明者によ
ってあきらかとされた。
ーザ光が発振される位置を確認し【サブマウントを固定
する方法ではなく、チップ全体の位置確認によるサブマ
ウント固定であるため、チップ固定精度が低く、組立歩
留が悪いという問題が生じるということが本発明者によ
ってあきらかとされた。
本発明は発光位置精度が高い発光装置の製造方法を提供
することにより発光位置精度の高い発光装置を提供する
ことにある。
することにより発光位置精度の高い発光装置を提供する
ことにある。
本発明の他の目的は発光位置精度が高い発光装置を高歩
留で製造することにより、生産コストの低減化を図るこ
とにある。
留で製造することにより、生産コストの低減化を図るこ
とにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明はレーザチップを固定したサブマウン
トをソルダによってヒートシンクに固定する際、レーザ
チップに電圧を印加して発光させ。
トをソルダによってヒートシンクに固定する際、レーザ
チップに電圧を印加して発光させ。
この発光部を検出しながらレーザチップ位置を修正して
サブマウントをヒートシンクに固定することにより、高
精度固定および高歩留生産を図り、生産コストの軽減を
達成するものである。
サブマウントをヒートシンクに固定することにより、高
精度固定および高歩留生産を図り、生産コストの軽減を
達成するものである。
第１図は本発明によって製造された半導体レーザ装置の
要部斜視図、第２図は同じくサブマウントの固定方法を
示す概念図である。
要部斜視図、第２図は同じくサブマウントの固定方法を
示す概念図である。
第１図に示すように、半導体レーザ装置は、銅製のステ
ム１の主面中央部に支持体としての銅製のヒートシンク
２を鑞材で固定した構造となっている。ヒートシンク２
の一側面にはサブマウント３を介して発光素子としての
半導体レーザ素子（し−ザチップ）４が固着されている
。このレーザチップ４はその上端および下端からそれぞ
れレーザ光５を発光する。前記ステムｌの主面には下方
に向かって発光されるレーザ光５の光強度（光出力）を
検出する受光素子６が固定されている。また、ステム１
には３本のリード７が取り付けられている。３本のリー
ド７のうち、１本は直接ステム１に接続され、他の２本
は絶縁体８を介して貫通固定されている。また、リード
７とレーザチップ４および受光素子６の電極はワイヤ９
によって電気的に接続されている。
ム１の主面中央部に支持体としての銅製のヒートシンク
２を鑞材で固定した構造となっている。ヒートシンク２
の一側面にはサブマウント３を介して発光素子としての
半導体レーザ素子（し−ザチップ）４が固着されている
。このレーザチップ４はその上端および下端からそれぞ
れレーザ光５を発光する。前記ステムｌの主面には下方
に向かって発光されるレーザ光５の光強度（光出力）を
検出する受光素子６が固定されている。また、ステム１
には３本のリード７が取り付けられている。３本のリー
ド７のうち、１本は直接ステム１に接続され、他の２本
は絶縁体８を介して貫通固定されている。また、リード
７とレーザチップ４および受光素子６の電極はワイヤ９
によって電気的に接続されている。
一方、ステム１の主面側には金属製のキャップ１０が気
密的に固定され、レーザテップ４等を気密封止している
。キャップ１０はその天井部が開口され、この開口部に
は透明なガラス板１１が気密的に取り付けられ、レーザ
光５を透過させる透光窓１２を形成している。また、前
記受光素子６はステム１の傾斜部１３に取り付けられて
傾斜している。この結果、受光素子面で反射したレーザ
光は前記透光窓１２に達することもないので、透光窓１
２から発光されるレーザ光５の遠視野像は乱されること
はない。さらに、キャップ１０から外れるステム１の両
端部分には実装時に利用される取付孔１４が設けられて
いる。
密的に固定され、レーザテップ４等を気密封止している
。キャップ１０はその天井部が開口され、この開口部に
は透明なガラス板１１が気密的に取り付けられ、レーザ
光５を透過させる透光窓１２を形成している。また、前
記受光素子６はステム１の傾斜部１３に取り付けられて
傾斜している。この結果、受光素子面で反射したレーザ
光は前記透光窓１２に達することもないので、透光窓１
２から発光されるレーザ光５の遠視野像は乱されること
はない。さらに、キャップ１０から外れるステム１の両
端部分には実装時に利用される取付孔１４が設けられて
いる。
つぎに、このような半導体レーザ装置におけるレーザチ
ップ４の固定方法について第２図を参照しながら説明す
る。レーザチップ４は縦、横、高さがたとえば０．４１
１１１．０．３闘＊ ０．１ｍｍと極めて小さくて取り
扱い難いことから、数朋角のサブマウント３にあらかじ
めソルダによって固定され、サブマウント３をヒートシ
ンク２に固定することによって支持体であるヒートシン
ク２に固定される。また、レーザチップ４はレーザ光５
がサブマウント３によってケラレることを嫌って、サブ
マウント３の端面にレーザチップ４のミラー面（臂開命
）が位置するように固定されている。
ップ４の固定方法について第２図を参照しながら説明す
る。レーザチップ４は縦、横、高さがたとえば０．４１
１１１．０．３闘＊ ０．１ｍｍと極めて小さくて取り
扱い難いことから、数朋角のサブマウント３にあらかじ
めソルダによって固定され、サブマウント３をヒートシ
ンク２に固定することによって支持体であるヒートシン
ク２に固定される。また、レーザチップ４はレーザ光５
がサブマウント３によってケラレることを嫌って、サブ
マウント３の端面にレーザチップ４のミラー面（臂開命
）が位置するように固定されている。
一方、ヒートシンク２のレーザチップ取付面にはあらか
じめＰｂ、ａｎからなるソルダ１５を付着させておく。
じめＰｂ、ａｎからなるソルダ１５を付着させておく。
そして、サブマウント３の搭載時には、ステム１に固定
されたヒートシンク２をヒ−夕内蔵のテーブル１６上に
位置決めして取り付けた後、真壁吸着工具（コレット）
１７の四角錐窪みからなる吸着部にサブマウント３を真
空吸着して前記ソルダ１５上にサブマウント３を置く。
されたヒートシンク２をヒ−夕内蔵のテーブル１６上に
位置決めして取り付けた後、真壁吸着工具（コレット）
１７の四角錐窪みからなる吸着部にサブマウント３を真
空吸着して前記ソルダ１５上にサブマウント３を置く。
ソルダ１５はテーブル１６によって加熱されていること
から溶解し、サブマウント３０載置によってサブマウン
ト３に濡れる。サブマウント３０表面はソルダとの濡れ
性を良くするために１図示はしてないがＡｎ等の被膜が
形成されている。
から溶解し、サブマウント３０載置によってサブマウン
ト３に濡れる。サブマウント３０表面はソルダとの濡れ
性を良くするために１図示はしてないがＡｎ等の被膜が
形成されている。
なお、前記コレット１７はサブマウント３の吸着保持時
にレーザチップ４が吸着部に接触しないようにスリット
１８が設けられている。また、コレット１７には２本の
電極針１９．２０が取り付けられ、吸着部に保持された
レーザチップ４の上面電極およびサブマウント３に弾力
的に接触するようになっている。
にレーザチップ４が吸着部に接触しないようにスリット
１８が設けられている。また、コレット１７には２本の
電極針１９．２０が取り付けられ、吸着部に保持された
レーザチップ４の上面電極およびサブマウント３に弾力
的に接触するようになっている。
そこで、この組立方法にあっては、サブマウント３をコ
レット１７に吸着保持し、かつサブマウント３をヒート
シンク２上のソルダ１５に濡らした状態に至ると、前記
１対の電極針１９．２０に所定の電圧（レーザ発振が起
−きない閾値電流以下でも外部から発光部が明るく観察
できるので閾値電流以下の電圧でよい。）を印加する。
レット１７に吸着保持し、かつサブマウント３をヒート
シンク２上のソルダ１５に濡らした状態に至ると、前記
１対の電極針１９．２０に所定の電圧（レーザ発振が起
−きない閾値電流以下でも外部から発光部が明るく観察
できるので閾値電流以下の電圧でよい。）を印加する。
そして。
発光による光２１をレンズ２２を介してテレビカメラ２
３で撮映し、２台のモニタテレビ２４．２５に発光部２
６を映し出す。一方のモニタテレビ２４はテレビカメラ
２３で捕えた発光部２６の光強度（Ｐ）２７を映し出し
、他方のモニタテレビ２５は発光部２６をＸＹの座標軸
に映し出す。
３で撮映し、２台のモニタテレビ２４．２５に発光部２
６を映し出す。一方のモニタテレビ２４はテレビカメラ
２３で捕えた発光部２６の光強度（Ｐ）２７を映し出し
、他方のモニタテレビ２５は発光部２６をＸＹの座標軸
に映し出す。
そこで、光強歳が最大となるように、コレット１７を光
軸に涜うＺ方向に治って移動させる。また、他方のモニ
タテレビ２５における発光部２６の位置がＸＹ座標軸の
設定位置、たとえばＸＹ座標軸の原点（０）に位置する
ように、コレット１７をＸＹ方向に移動調整する。この
際、ヒートシンク２の取付面にＧ５Ｘ方向の移動は特に
大きな支障はないが、レーザチップ４がヒートシンク２
に対して接近離反する方向に漬うＹ方向の移動はヒート
シンク２とサブマウント３間にソルダ１５が介在してい
るため、コレット１７をヒートシンク２から離れるよう
に上昇させすぎると、ソルダによる接着性が悪くなって
接合不良を生じ、逆にコレット１７を降下させすぎると
、ヒートシンク２とサブマウント３間のソルダ１５が押
し潰されてサブマウント３の周囲に外み出し盛り上がっ
たり。
軸に涜うＺ方向に治って移動させる。また、他方のモニ
タテレビ２５における発光部２６の位置がＸＹ座標軸の
設定位置、たとえばＸＹ座標軸の原点（０）に位置する
ように、コレット１７をＸＹ方向に移動調整する。この
際、ヒートシンク２の取付面にＧ５Ｘ方向の移動は特に
大きな支障はないが、レーザチップ４がヒートシンク２
に対して接近離反する方向に漬うＹ方向の移動はヒート
シンク２とサブマウント３間にソルダ１５が介在してい
るため、コレット１７をヒートシンク２から離れるよう
に上昇させすぎると、ソルダによる接着性が悪くなって
接合不良を生じ、逆にコレット１７を降下させすぎると
、ヒートシンク２とサブマウント３間のソルダ１５が押
し潰されてサブマウント３の周囲に外み出し盛り上がっ
たり。
さらにはヒートシンク２によってコレット１７の下降が
阻止されることから、Ｙ方向の修正寸法は極く小さくか
つ限度がある。また１発光部２６の位置調整はコレット
１７の回転方向の調整によっても修正される。
阻止されることから、Ｙ方向の修正寸法は極く小さくか
つ限度がある。また１発光部２６の位置調整はコレット
１７の回転方向の調整によっても修正される。
このようなサブマウント３の搭載方法によって、レーザ
チップ４はヒートシンク２に高精度な取付精度で固定さ
れる。
チップ４はヒートシンク２に高精度な取付精度で固定さ
れる。
（１）、本発明によれば、サブマウントに固定されたレ
ーザチップをサブマウントを支持体（ヒートシンク）に
固定することによって固定する際、レーザチップを発光
状態におき１発光位置を検出し。
ーザチップをサブマウントを支持体（ヒートシンク）に
固定することによって固定する際、レーザチップを発光
状態におき１発光位置を検出し。
この検出情報に基いてサブマウントの固定を行なうため
、レーザチップの支持体に対する固定精度（位置精度）
は、従来のレーザチップ固定方法に比較してより高精度
となる。
、レーザチップの支持体に対する固定精度（位置精度）
は、従来のレーザチップ固定方法に比較してより高精度
となる。
（２）、上記（１）にも記載したように、レーザチップ
を高精度に支持体に固定できることから、半導体レーザ
装置製造におけるレーザチップの取付位置不良の発生が
少な（なり、歩留向上によって半導体レーザ装行のコス
ト低減が図れる。
を高精度に支持体に固定できることから、半導体レーザ
装置製造におけるレーザチップの取付位置不良の発生が
少な（なり、歩留向上によって半導体レーザ装行のコス
ト低減が図れる。
（３）、本発明による半導体レーザ装置はステム等の支
持部（パッケージ）に対するレーザチップの位置精度が
高いことから、前記ステム等を目安として半導体レーザ
装置を組み込む場合、より高精度にかつ容易に各種機器
の光学系との光軸合せが可能となる効果もある。
持部（パッケージ）に対するレーザチップの位置精度が
高いことから、前記ステム等を目安として半導体レーザ
装置を組み込む場合、より高精度にかつ容易に各種機器
の光学系との光軸合せが可能となる効果もある。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが１本発明は上記礎施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが１本発明は上記礎施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、レーザチップ発光用の電極端子の一つとして
、ヒートシンクを載置するテーブルな利用しても、効果
的にレーザチップを発光させることができる。また、本
発明は半導体レーザ装置のパッケージ形態が異なっても
同様な効果が得られる。
、ヒートシンクを載置するテーブルな利用しても、効果
的にレーザチップを発光させることができる。また、本
発明は半導体レーザ装置のパッケージ形態が異なっても
同様な効果が得られる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体レーザ装置製
造技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば１発光ダイオード装置の
製造技術に適用しても同様な効果を得ることができる。
をその背景となった利用分野である半導体レーザ装置製
造技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば１発光ダイオード装置の
製造技術に適用しても同様な効果を得ることができる。
第１図は本発明の方法によって製造された半導体レーザ
装置の要部の斜視図、 第２図は本発明の一実施例によるサブマウントの固定方
法を示す概念図である。 １・・・ステム、２・・・支持体（ヒートシンク）、３
・・・サブマウント、４・・・半導体レーザ素子（レー
ザチップ）、５・・・レーザ光、６・・・受光素子、７
・・・リード、８・・・絶縁体、９・・・ワイヤ、１０
・・・キャップ１１・・・ガラス板、１２・・・透光窓
、１３・・・傾斜部、・１４・・・取付孔、１５・・・
ソルダ、１６・・・テーブル。 １７・・・ｉ空設着工具、１８・・・スリブ）、 １９
．２０・・・電極針、２１・−・光、２２・・・レンズ
、２３・・・テレビカメラ、２４．２５・・・モータテ
レビ、２６・・・発光部、２７・・・光強度。
装置の要部の斜視図、 第２図は本発明の一実施例によるサブマウントの固定方
法を示す概念図である。 １・・・ステム、２・・・支持体（ヒートシンク）、３
・・・サブマウント、４・・・半導体レーザ素子（レー
ザチップ）、５・・・レーザ光、６・・・受光素子、７
・・・リード、８・・・絶縁体、９・・・ワイヤ、１０
・・・キャップ１１・・・ガラス板、１２・・・透光窓
、１３・・・傾斜部、・１４・・・取付孔、１５・・・
ソルダ、１６・・・テーブル。 １７・・・ｉ空設着工具、１８・・・スリブ）、 １９
．２０・・・電極針、２１・−・光、２２・・・レンズ
、２３・・・テレビカメラ、２４．２５・・・モータテ
レビ、２６・・・発光部、２７・・・光強度。
Claims (1)
- １、発光素子を固定したサブマウントを支持体に固定す
る発光装置の製造方法であって、前記サブマウントに固
定された発光素子を発光させ、発光位置を検出し、この
検出位置に基いてサブマウントの支持体に対する相対的
な位置決めを行ない、この状態でサブマウントを支持体
に固定することを特徴とする発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118313A JPS6012786A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118313A JPS6012786A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6012786A true JPS6012786A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14733581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118313A Pending JPS6012786A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012786A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6259626A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6367793A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザのボンデイング方法およびその装置 |
| US4752109A (en) * | 1986-09-02 | 1988-06-21 | Amp Incorporated | Optoelectronics package for a semiconductor laser |
| US4762386A (en) * | 1986-09-02 | 1988-08-09 | Amp Incorporated | Optical fiber assembly including means utilizing a column load to compensate for thermal effects |
| US4762395A (en) * | 1986-09-02 | 1988-08-09 | Amp Incorporated | Lens assembly for optical coupling with a semiconductor laser |
| JPH05243619A (ja) * | 1992-02-29 | 1993-09-21 | Nec Corp | 光半導体装置の製造方法 |
| US6981721B2 (en) | 2001-06-04 | 2006-01-03 | Karasawa Fine, Ltd | Joint for high pressure fluid |
| EP2807905B1 (de) | 2013-02-28 | 2015-11-18 | A.B. Mikroelektronik Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bestückungsverfahren für schaltungsträger |
| US10634325B2 (en) | 2014-08-04 | 2020-04-28 | Fuji Corporation | Mounting device |
| US11389895B2 (en) * | 2019-03-14 | 2022-07-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser device and laser processing machine |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP58118313A patent/JPS6012786A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6259626A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6325012B2 (ja) * | 1985-09-10 | 1988-05-24 | Shinetsu Chem Ind Co | |
| US4752109A (en) * | 1986-09-02 | 1988-06-21 | Amp Incorporated | Optoelectronics package for a semiconductor laser |
| US4762386A (en) * | 1986-09-02 | 1988-08-09 | Amp Incorporated | Optical fiber assembly including means utilizing a column load to compensate for thermal effects |
| US4762395A (en) * | 1986-09-02 | 1988-08-09 | Amp Incorporated | Lens assembly for optical coupling with a semiconductor laser |
| JPS6367793A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザのボンデイング方法およびその装置 |
| JPH05243619A (ja) * | 1992-02-29 | 1993-09-21 | Nec Corp | 光半導体装置の製造方法 |
| US6981721B2 (en) | 2001-06-04 | 2006-01-03 | Karasawa Fine, Ltd | Joint for high pressure fluid |
| EP2807905B1 (de) | 2013-02-28 | 2015-11-18 | A.B. Mikroelektronik Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bestückungsverfahren für schaltungsträger |
| US10217675B2 (en) | 2013-02-28 | 2019-02-26 | A.B. Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Placement method for circuit carrier and circuit carrier |
| US10672672B2 (en) | 2013-02-28 | 2020-06-02 | Ab Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Placement method for circuit carrier and circuit carrier |
| US10991632B2 (en) | 2013-02-28 | 2021-04-27 | Ab Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Assembly process for circuit carrier and circuit carrier |
| US10634325B2 (en) | 2014-08-04 | 2020-04-28 | Fuji Corporation | Mounting device |
| US11389895B2 (en) * | 2019-03-14 | 2022-07-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser device and laser processing machine |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4817849A (en) | Method for bonding semiconductor laser element and apparatus therefor | |
| US4834490A (en) | Transmitting receiving device with a diode mounted on a support | |
| JPS6012786A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| US4793688A (en) | Photo electro device, method for manufacture of same, and lens support frame for use in such photo electro device | |
| US5404368A (en) | Semiconductor optical apparatus having an improved precision for the optical beam position | |
| JPH05175614A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS63136684A (ja) | 光電子装置およびその製造方法ならびにその方法に用いるリ−ドフレ−ム | |
| JPH09251663A (ja) | 光学素子ユニットおよびその製造方法 | |
| JPS62276515A (ja) | 光電子装置およびサブキヤリア | |
| JP3410193B2 (ja) | 気密封止型光半導体装置 | |
| JP3723249B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製法 | |
| JPS59168409A (ja) | 光軸合せ方法 | |
| JPS62252179A (ja) | 光電子装置組立装置 | |
| JP2005064483A (ja) | 発光モジュール | |
| JPS59226568A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2538904B2 (ja) | ハイブリツド光集積回路組立て装置 | |
| JPS62219673A (ja) | 光電子装置 | |
| JPH06237048A (ja) | オプトエレクトロニク半導体装置の製造方法 | |
| JPH01111392A (ja) | 発光素子モジュール | |
| JPS61136275A (ja) | 光素子パツケ−ジ | |
| JPS6245136A (ja) | 支持治具およびこの支持治具を組み込んだワイヤボンデイング装置 | |
| JPS6076709A (ja) | 光結合装置 | |
| JPS61138219A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2003255197A (ja) | 光モジュール | |
| JPH0816730B2 (ja) | 光半導体アセンブリ製造用治具 |