JPS6012733A - 位置合わせ装置 - Google Patents

位置合わせ装置

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JPS6012733A
JPS6012733A JP58120192A JP12019283A JPS6012733A JP S6012733 A JPS6012733 A JP S6012733A JP 58120192 A JP58120192 A JP 58120192A JP 12019283 A JP12019283 A JP 12019283A JP S6012733 A JPS6012733 A JP S6012733A
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JP
Japan
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signal
memory
data
wafer
output
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JP58120192A
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English (en)
Inventor
Naoki Ayada
綾田 直樹
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Canon Inc
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Publication date
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Priority to GB08416983A priority patent/GB2143637B/en
Publication of JPS6012733A publication Critical patent/JPS6012733A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7069Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は2つの物体の位置合わせ装置に関し、特にマス
クあるいはレチクル上の半導体集積回路パターンをウェ
ハー上の所定の位置に位置合わせ(以下アライメントと
いう)するに先立って、マスクあるいはレチクル上のア
ライメントマークの位置とウェハー上のアライメントマ
ークの位置を検出する位置検知回路に関する。
半導体製造工程には幾つかのパターンをウェハー上に順
次転写し、半導体集積回路を形成する工程が含まれてい
る。その場合、既に前工程のパターンが転写されたウェ
ハー上に更に別のパターンを正確に位置合わせするため
に、パターンを具えたマスクとウェハーを高精度でアラ
イメントする必要がある。そしてこのアライメントは、
まずマスクとウェハー上にそれぞれ書込まれたアライメ
ントマークな光電検知することによりそれらのマークの
相対的位置関係を知り、その後この位置関係に基づいた
所定量の移動によって達成される。
ところで、アライメントマークの検知は、その検知信号
のピークレベルが所定の基準レベル以上であることを識
別す−ることにより行われる。しかし、従来、この基準
レベルは固定的なものであり、アライメントマークの基
板であるウエノ1−やマスクの種類によっては高すぎた
り、あるいは低すぎたり検知に失敗することがあった。
また失敗したときには手動により改めて基準レベルを調
整するものもあった。
本発明は上記の欠点(=鑑み提案されたものであり、基
準レベルの調整を自動的(二行い、マスクとウェハーの
アライメントマークの位置を確実(二検知する位置検知
回路を有する位置合わせ装置の提供を目的とする。
以下、図面(=従って本発明の詳細な説明するが、第1
図は本発明の実施例に係る位置検知回路を有するパター
ン焼付装置の外観を示している。
1は集積回路パターンを具えたマスクで、マスクアライ
メントマークやマスク・ウェハ−アライメントマークを
具えるものとする。2はマスク・ステージで、マスク1
を保持してマスク1を平面内並びに回転方向に移動させ
る。3は縮小投影レンズ、4は感光層を具えるウェハー
で、マスク・ウェハーアライメントマークとウェハーア
ライメントマークを具えるものとする。5はウェハ−・
ステージである。ウェハー・ステージ5はウェハー4を
保持してそれを平面内並びに回転方向に移動させるもの
であり、またウェハー焼付位置(投影野内)とテレビ・
クエハーアライメント位置間を移動する。6は、テレビ
ウェハーアライメント用検知装置の対物レンズ、7は撮
像管又は固体撮像素子、8は映像観察用のテレビ受像器
である。9は双眼ユニットで、投影レンズ3を介してウ
ェハー4の表面を観察するために役立つ。10は、光源
10aを発したマスク照明光を収束させるための照明光
学系並びにマスク・ウェハーアライメント用の検知装置
を収容する上部ユニットである。ウェハー・ステージ5
は、図示しないウェハー搬送手段により搬送されたウェ
ハーを所定の位置で保持し、まずテレビ・ウェハーアラ
イメント用対物しレズ6の視野内にウェーハー上のアラ
イメントマークが入る位置まで移動する。この時の位置
精度は機械的なアライメント精度によるものであり、対
物レンズ6の視野はおよそ直径1+nm〜2mm程度で
ある。この視野内のアライメント・マークは撮像管7で
検知され、テレビ・ウェハーアライメント用の光学系内
に設けられたテレビ・ウェハーアライメント用基準マー
ク(後述)を基準として、そこからのウェハーのアライ
メント・マークの座標位置が検出される。一方、投影光
学系のオートアライメント用検知位置と前述のテレビ・
ウェハ−アライメント用基準マークの位置はあらかじめ
設定されているので、この2点の位置とテレビ・ウェハ
ーアライメントマークの座標位置からオートアライメン
ト位置へのウェハー・ステージ5の送り込み量が決めら
れる。
テレビ・ウェハーアライメントの位置検出精度は±5μ
以下であり、テレビ・ウェハーアライメント位置からマ
スク・ウェハーアライメント位置までのウェハーステー
ジの移動で発生する誤差を考慮に入れても、±10μ程
度である。従ってファインアライメントは約±10μの
範囲で行えばよく、これは従来のアライメントの視野範
囲の17100以下の範囲であり、アライメントが従来
より高速で行えることになる。
第2図は本発明の実施例に係るパターン焼付装置の光学
系を示す図であり、位置検知回路にマスクおよびウェハ
ー上のアライメントマーク検知信号を送出する状態を示
している。図中、マスク1、縮小投影レンズ3、ウェハ
ー4、ウェハーステージ5は第1図の通りである。投影
レンズ3は便宜上模式的に描いている。11と11′は
マスクアライメントマークで、レンズ鏡筒あるいは装置
の一部といった不動の箇所に刻まれている。
他方、マスク1上の20.20’で示した位置には第3
(A)図で付番75.76で示す如き、走査線60に対
し45°傾むいて配設された線もしくはスリット状のア
ラ”イメント・マー・りが設けられている。又、ウェハ
ー4上の21.21’で示した位置には第3図(A)付
番71,72,73,74で示す如き走査線60に対し
て45°傾いて配設された線もしくはスリット状のアラ
イメントマークが設けられている。そして通常は左右両
観察系の信号によって位置合わせが行われる。
なお、マスク1上のアライメントマークとウェハー上の
アライメントマークは、等倍投影系以外の系を介在させ
た時には投影もしくは逆投影しても両方のアライメント
マークの寸法が変わらない様に、アライメントマークの
寸法を変えておくものとし、ここではマスクのアライメ
ントマークの寸法でウェハーのアライメントマークの寸
法を除すると縮小倍率になる様に設定する。
第2図へ戻って、22はレーザー光源、23は音響光学
素子等の光偏向器である。光偏向器23は外部からの切
換信号に応じて光の射出方向を上方、水平、下方に切換
える。24と25はそれぞれ収束性のシリンドリカルレ
ンズで、その母線が直交する様に配置され、レーザービ
ームの断面形状を線状に変換する機能を持つ。26と2
7は台形プリズムで、光偏向器23で上方と下方に偏向
された光を逆方向へ屈折させる機能を持つ。28は回転
軸29を中心として回転する回転多面鏡(ポリゴン)で
ある。
レーザ光源22から射出したレーザ光線30は光偏向器
23の状態により、シリンドリカル・レンズ24とプリ
ズム26を経由するスリット状光線30a、シリンドリ
カル・レンズ25とプリズム27を経由するスリット状
光線30b、或は直進するスポット状光130cのいず
れかの光路をとるが、どの場合にも回転多面鏡28上の
面の一点31へ収束する。
32.33.34は中間レンズ、35は光路分割ミラー
、36は目視観察系37.38を形成するノ・−フ・ミ
ラー、37はレンズ、38は接眼レンズでウェハー面の
像を結像する。39は目視観察系用照明系40.41を
形成するハーフ・ミラー、40はコンデンサ・レンズ、
41はランプである。42は光電検出系43,44゜4
5.46を形成するハーフミラ−で、43はミラー、4
4はレンズ、45は空間フィルタであり、46はコンデ
ンサ・レンズ、47はアライメントバタン信号検出のた
めの光検出器、57はレンズ、58は同期信号検出のた
めの光検知器である。また48,49゜50.51は全
反射ミラー、52はプリズム、53はf−θ対物レンズ
である。54はマスク1上に設けられたマスクアライメ
ントパターンの位置である。
第2図かられかる様に信号検出系は全く対称な左右の系
から成っており、オペレータ側を紙面の手前側とすると
ダッシュで示した系は右、ダッシュなしの系は左の信号
検出系と呼ぶことにする。
中間レンズ32,33.34は回転多面鏡28からの振
れ原点を対物レンズ53の絞り位置55の中の瞳56に
形成する。従ってレーザービームは回転多面鏡28の回
転によりマスク及びウェハー上を走紅る。
また対物レンズ系において、対物レンズ53、絞り55
、ミラー51及びプリズム52はxY方向に図示しない
移動手段により移動可能であり、マスク1及びウェハー
4の観察及び測定位置は任意に変えることができる。、
例えば、X方向の移動はミラー51が図中矢印Aで示し
た方向に移動すると対物レンズ53及び絞り55も同時
にA方向に移動すると共に光路長を常に一定に保つため
プリズム52も入方向にミラー51の移動量の1/2の
量移動する。
一方、Y方向の移動は観察・位置検出用の光学系全体が
Y方向(紙面に垂直な方向)に移動する。
シリンドリカルレンズ24を経由する光路30aの走査
ビーム61は走査軸60に対し角度θ−45°をなし、
第3図+A)においてほぼマーク?1,72.75と平
行をなす。この状態で走査した時に光検出器47.47
’には第3図CB+に示すようなS70.S76.S7
2の信号が得られる。S7□l S75 + S72は
位置合わせマーク71゜75.72にそれぞれ対応した
信号である。また、走査面上に微小なゴミがあってもス
ポット状ビームの場合とは異なり、平均化され出力とし
て実用上検知されない。
一方、シリンドリカルレンズ25を通過する光路30b
の走査ビーム62は走査軸60に対してθニー45゜傾
斜しマーク73,74.76と平行しているので検出信
号は第3図(b)のS73.S76、S74とrfる。
従って検出信号S7□r S75 + s7□+ s7
3+ S76 r S74の間隔を計測すればマスクと
ウェハーのズレ量が検出でき、両者が整合した場合には
検出信号の間隔が等しくなる。
なお、本出願人は特開昭53−90872号あるいは特
開昭53−91754号等でオート・アライメントにつ
いて提案している。
以上、第2図と第3図を用いて、マスク1上のアライメ
ントマーク20とクエハー面上のアライメントマーク2
1の整合即ちマスク・ウェハーアライメントの概略につ
いて説明を行った。
次に本発明の実施例に係るパターン焼付装置のアライメ
ントマークの位置検知回路の構成について説明する。第
4図は本発明の実施例に係る位置検知回路のブロック図
である。47.47’は既に説明したアライメントマー
クの光信号を電気信号に変換する光検知器であり、58
.58’はマスクおよびウェハー上を走査するレーザー
光を電気信号に変換して走査タイミングを検出する光検
知器である。
100は光検知器58.58’の出力信号を二値化・波
形整形して、第3図(c)に示すような同期信号101
やコントロール信号103を出力する同期検出回路であ
る。102はアナログスイッチであり、コントロール信
号103によりスイッチング動作を行い、光検出器47
.47’からの出力信号を合成する(第3図(B)は光
検出器47の出力信号を示している)。104はAD変
換器であり、アナログスイッチ102のアナログ信号レ
ベルを一定のタイミングにより8ビツト長のデジタル信
号に変換する。105はAD変換器104のデジタル信
号を一時記憶するラッチである。AD変換器104およ
びラッチ105を制御するタイミング信号(不図示)は
後述のコントロール・タイミング発生回路114から出
力される。
107はデータ・セレクタであり、コントロール・タイ
ミング発生回路114より出力されるセレクト信号10
8によりバッファ112の出力またはラッ、チ105の
出力のいずれか一つを選択して出力する。
ここでバッファ112は不図示のマイクロプロセッサの
データ・パス122に接続している。109は8ビツト
構成24バイトのランダム・アクセス・メモリであり、
データ・セレクタ110の出力するリード・ライト信号
(以下R/W信号という)およびアドレス信号(以下A
DH信号という)により制御され、データセレクタ10
7の出力データを所定の番地に書き込んだり、あるいは
書き込まれた所定の番地内のデータが読み出される。こ
こでデータ・セレクタ110の出力信号(R/W信号、
ADR信号)は、コントロール・タイミング発生回路1
14の出力信号(R/W信号、ADR信号)か、または
アドレスおよび制御パス123を介して出力されるマイ
クロプロセッサの出力信号(R/W信号、ADR信号)
のいずれかであり、その選択はコントロール・タイミン
グ発生回路114の出力するセレクト信号111によっ
て制御される。
106は、ラッチ105の出力データとメモリ109の
読み出しデータの大小関係を比較し、その結果をコント
ロール・タイミング発生回路114に出力するデジタル
祷コンパレータである。コントロール・タイミング発生
回路114は、デジタル・コンパレータ106の出力信
号116、同期検出口igto。
の同期信号101およびデータバス121を介して与え
られるマイクロコンピュータの出力データ信号に基づい
て既述のデータセレクタ107,110および後述のデ
ータ・セレクタ117、計数回路119をコントロール
する。計数回路119は16ビツトカウンタであり、コ
ントロール・タイミング発生回路114から信号線12
0を介して与えられるクリア信号およびカウントイネー
ブル信号によりカウント動作が制御される。121は1
6ビツト×24ワードのランダム・アクセス・メモリで
あり、データ・セレクタ117の出力信号(R/W信号
、ADR信号)により制御され、計数回路119の計数
値を所定の番地に書き込んだり、あるいは書き込まれた
所定の番地内のデータが読み出される。ここでデータ・
セレクタ117の出力信号(R/W信号、ADH信号)
はコントロール・タイミング発生回路114の出力信号
(R/W信号、ADH信号)か、またはアドレスおよび
制御バス123を介して出力されるマイクロプロセッサ
の出力信号(R/W信号、ADH信号)のいずれかであ
り、その選択はコントロール・タイミング発生回路11
4の出力するセレクト信号118によって制御される。
また、メモリ109および121の出力はそれぞれバッ
ファ113およrgl15を介してデータノシス122
に出力され、マイクロプロセッサがメモリのデータを読
み出しうるように構成されている。
次に図を参照しながら本発明の実施例に係る位置検知回
路の動作について説明する。第5図(A)は第4図の位
置検知回路を制御するマイクロプロセッサの制御シーケ
ンスを示すフローチャート図である。また第5図(B)
は、第5図(3)で示す第1計測の実行状態を更に詳し
く説明するためのフローチャート図であり、この実行は
マイクロプロセッサの制御下になく、ハード的に行われ
る。同様に第5図(C)は、第5図(A)で示す第2計
測の実行状態を更に詳しく説明するためのフローチャー
ト図であり、この実行もマイクロプロセッサの制御下に
なく、ハード的に行われるものであ“る。ここで、第1
計測とはアライメントマークの検知信号のピーク値を検
出する計測をいい、第2計測とは第1計測によって得ら
れたピーク値からめた基準スライスレベルによりアライ
メントマークの検知信号のパルス間隔の計測をいう。以
下、詳細に説明する。
まずメモリ109をクリアする(ステップ501)。
すなわちマイクロプロセッサは、コントロール・タイミ
ング発生回路がセレクト信号111をデータ・セレクタ
110に、およびセレクト信号108をデータ・セレク
タ111に出力するように制御する。
これによりデータ・セレクタ110は7〜12口プロセ
ッサのアドレスおよび制御バス123を、またデータ・
セレクタ107はバッファを介してマイクロプロセッサ
のデータバス122を選択する。メモリ109はマイク
ロプロセッサに直接アクセスされ、メモリ109の全記
憶領域にゼロが書き込まれてクリアされる。
次に第1の計測モードを設定する(ステップ5o2)。
この設定はマイクロプロセッサと接続されたメモリ10
9をマイクロプロセッサの制御下から切り離し、コント
ロール・タイミング発生回路114の制御下で動作する
ようにするものである。即ち、マイクロプロセッサは、
データ・セレクタ107がラッチ105の出力を選択す
るように、またデータ・セレクタ110がコントロール
・タイミング発生回路114の出力するR/W信号およ
びADH信号を選択するようにコントロール・タイミン
グ発生回路114を制御する。
設定が終了するとマイクロプロセッサはコントロール・
タイミング発生回路114に第1計測命令を指令し計測
が開始される(ステップ5o3)。計測はすべてマイク
ロプロセッサが介在せず、コントロール・タイミング発
生回路114の下でハード的に動作し、計測が終了する
とコントロール・タイミング発生回路114が自動的に
マイクロプロセッサに終了を知らせる。
コントロール・タイミング発生回路114の制御下に行
われる第1計測の動作を第5図(B)を用いて説明する
まず、第1計測開始指令が出ると、コントロール・タイ
ミング発生回路114内のメモリ109用アドレスカウ
ンタ(不図示)がクリアされ、カウンタはゼロ番地に設
定される(ステップ521)。次に同期信号101(第
3図(C))の出力を待ち(ステップ522)、同期信
号の立上りが検知されたrzらはコントロール・タイミ
ング発生回路114はデジタルコンパレータ106の出
力信号116の監視を開始する。ラッチ105の出力デ
ータ(以下Aという)がメモリ109内の所定アドレス
の読出しデータ(以下Bという)より大きいとき、すな
わちA)Bのトキその結果を示すデジタルコンパレータ
106ノ出力信号116により、コントロール・タイミ
ング発生回路114は回路内のメモリ109用アドレス
カウンタを1つインクリメントする。同時にこのアドレ
ス番号のADH信号とR/W信号(書込み信号)とをメ
モリ109に出力し、ラッチ105の出力データをメモ
リ109に書込む(ステップ524)。この大小比較(
ステップ523)およびメモリライト(ステップ524
)は、ラッチ105からデータが出力される毎に同期信
号101が終了するまで行われる(ステップ525)。
従ってスタート時にゼロであったメモリ109の内容は
、メモリ内のデータより大きい値のデータが検出される
毎にその値が書き込まれることになる。メモリ109用
アドレスカウンタ23進のカウンタであり、アドレスカ
ウンタが指示しているメモリのデータより大きい値は次
々と書き換えられ、走査終了時にはメモリ109内に最
大値を含む、値の大きいデータ24個がストアされるこ
とになる。
ステップ525で同期信号が終了(アライメントマーク
の走査が終了)すると、コントロール・タイミング発生
回路114はマイクロプロセッサに対し終了信号を発生
し、第1計測を終了する(ステップ526)。
再び第5図(8)に戻る。第1計測の終了信号によりマ
イクロプロセッサは次のステップ505に進む。
すなわちマイクロプロセッサはコントロール・タイミン
グ発生回路114をアクセスし、メモリ109をマイク
ロプロセッサの制御下におく。マイクロプロセッサは、
メモリ109から24個のピークデータを読取って、そ
の平均値をめ、平均値からスライスレベルを計算する(
ステップ505,506. )。
一般にスライスレベルはピークデータの平均値20%〜
50%が好ましい請求めたスライスレベルはメモリ10
9内の所定アドレスに書込まれる(ステップ507)。
次に第2計測モードの設定が行われる(ステップ508
)。これは前述の第1計測モードの設定と同様、メモリ
109をマイクロプロセッサの制御下から切離し、コン
トロール・タイミング発生回路114の制御下で動作す
るようにするものである。
すなわち設定が終了するとマイクロプロセッサはコント
ロール・タイミング発生回路114に第2計測命令を指
令し、これにより計測が開始される(ステップ509)
。また、この指令によりコントロール・タイミング発生
回路114内のメモリ121用のアドレスカウンタ(不
図示)がクリアされる(ステップ530)。
第2計測の動作を第5図(c)を用いて説明する。
計測スタート指令がステップ509にて出ると、コント
ロール・タイミング発生回路114はステップ531に
て同期信号の立上り検出にはいり、検出すると実際の計
測にはいる。
第2計測は、メモリ109に設定されたスライスレベル
とアライメントマークの検出信号のデータを比較し、ス
ライスレベルを通過したタイミングを計測するものであ
る。
ここでスライスレベルの通過とは、ラッチ105の出力
データ(以下Cという)とメモリ109から読゛出され
たスライスレベルのデータ(以下りという)とをデジタ
ルコンパレータ106で比較の結果、C≦D→C)Dに
変化した時、およびC)D4C≦Dに変化した時をいう
。これはハード的には、比較結果信号の立上りおよび立
下りのエッヂを検出することである。
また、スライス・レベルの通過タイミングは、コントロ
ール・タイミング発生回路114内で発生するタイミン
グクロックをカウントすることで計測できる。これは、
同期信号101の立上りをスタート点とし、計数回路1
19にてタイミングクロックを計数することである。従
ってステップ532にて、C)Dの変化を検知したなら
ば、コントロール・タイミング発生回路114はステッ
プ533にてメモリ121に対しライト信号を発生する
。この時メモリ121に書き込まれる値は計数回路11
9の出力であり、前述した様に同期信号開始時点からの
時間に相当するものである。これは第3図(e)にて説
明すると、図中771で示した時間間隔データである。
このように本発明の実施例によれば、スライスレベルは
実際のアライメントマーク信号のピーク値に対応して自
動的に決定されるので、アライメントマーク信号の見落
しが防止されるとともに、手動によりスライスレベルを
設定し直すという手間も省けるという効果がある。
尚、第5図(B)(C)に示した第1及び第2の計測モ
ードは、前述した様に、マイクロコンピュータを介在さ
せずコントロール・タイミング発生回路114で行って
いるが、その主な理由はコンパレート動作、メモリのラ
イト動作等を高速で行う必要があるからである。しかし
ながら本発明はハード回路に限定されることはす<、例
えば高速のバイポーラプロセッサを用いることも可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る位置検知回路を有するパ
ターン焼付装置の斜視図、第2図は本発明の実施例に係
るパターン焼付装置の光学系を示す図、第3図(5)は
マスクまたはウェハー上のアライメントマークの模式図
、第3図(B)は第3図(5)のアライメントマークに
対応する検知信号を示す図、第3図(C)は同期検出回
路100の出力信号である同期信号、第4図は本発明の
実施例に係る位置検知回路のブロック図、第5図(5)
は第4図の位置検知回路を制御するマイクロプロセッサ
の制御シーケンスを示すフローチャート図、第5図(B
)は第5図(8)で示す第1計測の実行状態を更に詳し
く説明するためのフローチャート図、第5図(C)は第
5図(Nで示す第2計測の実行状態を更に詳しく説明す
るためのフローチャート図である。 47.47’、58.58’・・・光検知器100・・
・同期検出回路 102・・・アナログスイッチ 104・・・AD変換器 105・・・ラッチ 106・・・デジタルコンパレータ 107.110,117・・・データ・セレクタ109
.121・・・メモリ 112.113,115・・・バッファ114・・・コ
ントロール・タイミング発生回路119・・・計数回路 122・・・マイクロプロセッサのデータバス123・
・・マイクロプロセッサのアドレスバス、制御バス 101・・・同期信号 103・・・アナログスイッチ制御用信号108.11
1,118,120・・・コントロール・タイミング発
生回路の出力する制御信号 116・・・デジタルコンパレータ出力信号第5図(A
) 電2tt;則 第5図(C) 手 続 補 正 書(方式) 昭和58年11月2日 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和58年 特許願 第120111
12号2、発明の名称 位置合わせ装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (100)キャノン株式会社 4、代 理 人 住所 東京都港区赤坂1丁目9番20号5、補正命令の
日付 発送日:昭和58年10月25日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 第1の物体上の第1の識別マークと第2の物体上の第2
    の識別マークとの間隔を測定し、この間隔に基づいてこ
    れら物体同士の適正な位置合わせを行う位置合わせ装置
    において、 前記識別マークの反射光を検知する光電変換手段と、 前記光電変換手段の出力信号レベルを逐次デジ、タル化
    するデジタル変換手段と、 前記デジタル変換手段によりデジタル化されたデータに
    基づき所定のスライスレベルを設定する手段と、 前記スライスレベルのデータと前記識別マークに対応す
    るデジタルデータの大小関係を逐次比較する手段とによ
    って構成され、前記比較手段の信号出力のタイミングに
    より前記識別マークの間隔を測定する位置検知回路を有
    することを特徴とする位置検知回路。
JP58120192A 1983-07-04 1983-07-04 位置合わせ装置 Pending JPS6012733A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58120192A JPS6012733A (ja) 1983-07-04 1983-07-04 位置合わせ装置
US06/623,088 US4713784A (en) 1983-07-04 1984-06-21 Alignment apparatus
DE3424453A DE3424453C2 (de) 1983-07-04 1984-07-03 Gerät mit einer Abtasteinrichtung zum Abtasten eines eine Ausrichtmarkierung tragenden Objekts und seine Verwendung
GB08416983A GB2143637B (en) 1983-07-04 1984-07-04 An alignment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

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JP58120192A JPS6012733A (ja) 1983-07-04 1983-07-04 位置合わせ装置

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ID=14780184

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JP58120192A Pending JPS6012733A (ja) 1983-07-04 1983-07-04 位置合わせ装置

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JP (1) JPS6012733A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6133817A (ja) * 1984-07-13 1986-02-17 フルト・フエルヴアルツングス‐ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 歯車状の工作物を製作又は加工するための装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6133817A (ja) * 1984-07-13 1986-02-17 フルト・フエルヴアルツングス‐ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 歯車状の工作物を製作又は加工するための装置

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