JPS60122360U - スパツタリング装置 - Google Patents

スパツタリング装置

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Publication number
JPS60122360U
JPS60122360U JP1012884U JP1012884U JPS60122360U JP S60122360 U JPS60122360 U JP S60122360U JP 1012884 U JP1012884 U JP 1012884U JP 1012884 U JP1012884 U JP 1012884U JP S60122360 U JPS60122360 U JP S60122360U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum chamber
gas
sputtering apparatus
partial pressure
pressure gauge
Prior art date
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Pending
Application number
JP1012884U
Other languages
English (en)
Inventor
加藤　重和
行正　亨
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立製作所 filed Critical 株式会社日立製作所
Priority to JP1012884U priority Critical patent/JPS60122360U/ja
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Pending legal-status Critical Current

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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、従来のスパッタリング装置の構
成ブロック図、第３図は、本考案によるスパッタリング
装置の一実施例を示す構成ブロック図である。 １・・・・・・真空室、３′・・・・・・主排気系、３
０・・・・・・可変コンデンクタンス弁、３２・・・・
・・高真空ポンプ、４・・・・・・ガス導入系、４０・
・・・・・ガス流量制御装置、５・・・・・・ガス分圧
計。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空室に連結される主排気系をコンダクタンス可変のバ
    ルブと高真空ポンプとで構成し前記真空室にガス分圧計
    を設けると共に、該ガス分圧計を前記真空室に連結され
    るガス導入系を構成するガス流量制御装置と前記バルブ
    とにそれぞれ接続したことを特徴とするスパッタリング
    装置。
JP1012884U 1984-01-30 1984-01-30 スパツタリング装置 Pending JPS60122360U (ja)

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JP1012884U JPS60122360U (ja) 1984-01-30 1984-01-30 スパツタリング装置

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JPS60122360U true JPS60122360U (ja) 1985-08-17

Family

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Family Applications (1)

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JP (1) JPS60122360U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62274065A (ja) * 1986-05-23 1987-11-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成装置
JPS63248465A (ja) * 1987-04-02 1988-10-14 Toshiba Corp 低圧プラズマ溶射用容器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62274065A (ja) * 1986-05-23 1987-11-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成装置
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