JPS60101541A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60101541A JPS60101541A JP20911583A JP20911583A JPS60101541A JP S60101541 A JPS60101541 A JP S60101541A JP 20911583 A JP20911583 A JP 20911583A JP 20911583 A JP20911583 A JP 20911583A JP S60101541 A JPS60101541 A JP S60101541A
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- JP
- Japan
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- layer
- crystalline
- crystallization
- crystallization prevention
- selenium
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔イ６明の技術力！１１ｊ〕
この発明Ｑよ、長波長に感度を有する電子写真感光体に
関する。
関する。
従来、電子写真１１＆光体に適用する光導電体としては
、アモルファスセレンや、アモルファスセレン−テルル
合金Ａ、（、＋（が用いられている。
、アモルファスセレンや、アモルファスセレン−テルル
合金Ａ、（、＋（が用いられている。
ところが、つ′七〕１ファスセレンは、第１図において
曲線ａで示すように、短波長にしか感度がなく、ｉｉＪ
祝光露光露光用ては使用しにくい欠点があり、−：ｌた
、アモルファスセレン−テルル合金ハ、第１図において
曲ＢＡ ＩＪに示す如く、長波長に感度し、１、あるが
、結晶化の進行等の経時変化があり、不安定で耐久性が
ない欠点がある。
曲線ａで示すように、短波長にしか感度がなく、ｉｉＪ
祝光露光露光用ては使用しにくい欠点があり、−：ｌた
、アモルファスセレン−テルル合金ハ、第１図において
曲ＢＡ ＩＪに示す如く、長波長に感度し、１、あるが
、結晶化の進行等の経時変化があり、不安定で耐久性が
ない欠点がある。
寸だ、長波長に感度のある光導電体としては、／ｌかに
、結晶セレン（その特性は第１図の曲線すと同じ）があ
るが、結晶セレンは均一な光導電層として使用した場合
ｉＪ１、抵抗が低すぎて、電荷の保持ができず、丑だ、
これをアモルファスセレンと混在させると、結晶セレ／
が核となり、層全体が結晶化してし捷うので、現実には
、真空蒸着等でこのようなアモルファスセレンと結晶セ
レンを混在させた光導電層を形成することは困難である
。
、結晶セレン（その特性は第１図の曲線すと同じ）があ
るが、結晶セレンは均一な光導電層として使用した場合
ｉＪ１、抵抗が低すぎて、電荷の保持ができず、丑だ、
これをアモルファスセレンと混在させると、結晶セレ／
が核となり、層全体が結晶化してし捷うので、現実には
、真空蒸着等でこのようなアモルファスセレンと結晶セ
レンを混在させた光導電層を形成することは困難である
。
そのため、結晶セレンは長波長に感度があるにも拘らず
、結果的には余り利用されていない。
、結果的には余り利用されていない。
本発明は、長波長に感度があり、安定した長寿命の電子
写真感光体を提供することを目的とするものである。
写真感光体を提供することを目的とするものである。
本発明は、アモルファスセレン層に、砒素金含有したア
モルファスセレンからなる結晶化防止層を介して、結晶
セ・・層を彫版して、光導電層を構成し、長波長帯域に
感度をもたせ、アモルファスセレン層の結晶化の進行を
阻止して、安定した特性で長寿命化するものである。
モルファスセレンからなる結晶化防止層を介して、結晶
セ・・層を彫版して、光導電層を構成し、長波長帯域に
感度をもたせ、アモルファスセレン層の結晶化の進行を
阻止して、安定した特性で長寿命化するものである。
以下本発明の実施例について説明する。
第２図は、本発明の一実施例の概略断面図である。図に
おいて、１は導電層で、Ａｚ、Ａｌｌ、Ａｇ５Ｎｉ、Ｏ
ｕ、ステンレス、その他の金属、及びＩｎ２０３１Ｓｎ
０２や、それらの混合物などで形成される。
おいて、１は導電層で、Ａｚ、Ａｌｌ、Ａｇ５Ｎｉ、Ｏ
ｕ、ステンレス、その他の金属、及びＩｎ２０３１Ｓｎ
０２や、それらの混合物などで形成される。
２は前記導電層１上に形成されるバリア層で、パラキシ
リレンやＡｚ 、、ＯＪなどで構成されるが、これは必
須のものではなく、電荷の保持性を強めたい萌など、必
要に応じ形成されるものである。３は１５〜５０μの厚
さに形成されたアモルファスセレン層て、電荷輸送層と
して機能するものである。
リレンやＡｚ 、、ＯＪなどで構成されるが、これは必
須のものではなく、電荷の保持性を強めたい萌など、必
要に応じ形成されるものである。３は１５〜５０μの厚
さに形成されたアモルファスセレン層て、電荷輸送層と
して機能するものである。
４は、該アモルファスセレン層３上に形成された結晶化
防止層で、０５〜２μの厚さを有し、０．２〜５０％の
砒素を含イＪするアモルファスセレンで形成さ７１１．
ている。砒素の３有率が０２〜５０％に設定されている
のは次の理由による。すなわち、０．２％以−１だと、
該アモルファスセレン層の結晶化防止作用が弱く、５０
％以にだと、応答が悪くなるので好まし７くないからで
ある。
防止層で、０５〜２μの厚さを有し、０．２〜５０％の
砒素を含イＪするアモルファスセレンで形成さ７１１．
ている。砒素の３有率が０２〜５０％に設定されている
のは次の理由による。すなわち、０．２％以−１だと、
該アモルファスセレン層の結晶化防止作用が弱く、５０
％以にだと、応答が悪くなるので好まし７くないからで
ある。
５１Ｊ、’前記結晶化防由層４上に形成された結晶セレ
ン層で、０１〜３ｚｔの厚さを有し、電荷発生層として
機能するものである。６は該結晶セレン層５上に設けた
、５〜５０μの厚さの透明絶縁層で、フッ素、アクリル
、ウレタン、ポリエステル、アルキッド、エポキシ樹脂
、あるいはポリエチレンテレフタレート等のフィルムを
接着剤でｌ１ｌＩＩり伺けたり、あるいは、バラキンリ
レンの気相蒸メ°１１などにより形成されるものである
。
ン層で、０１〜３ｚｔの厚さを有し、電荷発生層として
機能するものである。６は該結晶セレン層５上に設けた
、５〜５０μの厚さの透明絶縁層で、フッ素、アクリル
、ウレタン、ポリエステル、アルキッド、エポキシ樹脂
、あるいはポリエチレンテレフタレート等のフィルムを
接着剤でｌ１ｌＩＩり伺けたり、あるいは、バラキンリ
レンの気相蒸メ°１１などにより形成されるものである
。
次に、かかる構成の電子写真感光体の製作例を示す。ま
ず、導′亀性基板としてアルミニウノ・基板を用意し、
該基板上に、基板温度をＣ５０Ｃに保持して、１０ Ｌ
ｏｒｒの真空条件下で、ボート加熱による真空蒸着によ
って、５０μ厚さのアモルファスセレン層を形成する。
ず、導′亀性基板としてアルミニウノ・基板を用意し、
該基板上に、基板温度をＣ５０Ｃに保持して、１０ Ｌ
ｏｒｒの真空条件下で、ボート加熱による真空蒸着によ
って、５０μ厚さのアモルファスセレン層を形成する。
次いで、このアモルファスセレン層上に砒素を０．４％
含有するアモルファスセレン層を１μの厚さで形成し、
引続いて、真空ペルジャー外で、予め１００Ｃで約２時
間熱処理し、六方晶系とした結晶セレンを、１μの厚さ
に真空蒸着して、光導電層を構成した。この光導電層の
表面を、ペルジャー内に配設されている４００Ｗのハロ
ゲンランプで、数分間露光して熱処理した後、真空ペル
ジャーから取り出し、３０μ厚の透ＩＪＪポリエステル
膜を取付けて絶縁層とし、本発明に係る電子写真感光体
をイＪ） ｌこ。。
含有するアモルファスセレン層を１μの厚さで形成し、
引続いて、真空ペルジャー外で、予め１００Ｃで約２時
間熱処理し、六方晶系とした結晶セレンを、１μの厚さ
に真空蒸着して、光導電層を構成した。この光導電層の
表面を、ペルジャー内に配設されている４００Ｗのハロ
ゲンランプで、数分間露光して熱処理した後、真空ペル
ジャーから取り出し、３０μ厚の透ＩＪＪポリエステル
膜を取付けて絶縁層とし、本発明に係る電子写真感光体
をイＪ） ｌこ。。
この」、うにして製作された電子写真感光体に、−次イ
ＩＹ電とじ−こ＋７Ｊ（Ｖの直流コロナを印加しながら
、同時に赤領域の発光スペクトルも含む螢光う７７’
−（：’ 、光１牙を露ｊ’（： Ｌ、次いで一６Ｋｖ
の逆極性直ｖ１シ帯電を行４い、最後に全面露光を加え
たところ、暗部ｒｌｉ位−５００Ｖ、明Ｆｉｔ（ｒ、４
位＋５ｏ■で、高コントラスＩ−屯位５５０■の静電潜
像を得た。
ＩＹ電とじ−こ＋７Ｊ（Ｖの直流コロナを印加しながら
、同時に赤領域の発光スペクトルも含む螢光う７７’
−（：’ 、光１牙を露ｊ’（： Ｌ、次いで一６Ｋｖ
の逆極性直ｖ１シ帯電を行４い、最後に全面露光を加え
たところ、暗部ｒｌｉ位−５００Ｖ、明Ｆｉｔ（ｒ、４
位＋５ｏ■で、高コントラスＩ−屯位５５０■の静電潜
像を得た。
−二ｔだ、この電子写真感光体を繰り返し使用したとこ
ろ、経時的な変化がなく、１０万枚程度の寿命を示した
。
ろ、経時的な変化がなく、１０万枚程度の寿命を示した
。
以上のように、本発明の砒素を含有するアモルファスセ
レンからなる結晶化防止層４は、結晶セレノ層５が核と
なり、下層のアモルファスセレン層：ｔの結晶化が′１
ｌｎ１」するのを防止する機能を、十分果しているもの
であり、更にこの砒素−セレン層・１ｔ」、耐熱性を備
えているので、結晶セレン層５の形成時における耐熱材
としても、大きな役割を果しているものである。
レンからなる結晶化防止層４は、結晶セレノ層５が核と
なり、下層のアモルファスセレン層：ｔの結晶化が′１
ｌｎ１」するのを防止する機能を、十分果しているもの
であり、更にこの砒素−セレン層・１ｔ」、耐熱性を備
えているので、結晶セレン層５の形成時における耐熱材
としても、大きな役割を果しているものである。
この結晶化防止層４における砒素の含有率は、上記理由
によシ、０．２〜５０％が適当であるが、その含有率が
犬になると、易動度が若干低下してくる（７）ｆ、ハＤ
ゲン（Ｑｚ、■、１３ｒ 、 ト’ ）を０〜２゜ｐｐ
Ｈｌドープし、これを補償してやることもできる。
によシ、０．２〜５０％が適当であるが、その含有率が
犬になると、易動度が若干低下してくる（７）ｆ、ハＤ
ゲン（Ｑｚ、■、１３ｒ 、 ト’ ）を０〜２゜ｐｐ
Ｈｌドープし、これを補償してやることもできる。
上記製作例においては、結晶セレン層を、熱処理して六
方晶系とした結晶セレンを蒸着し、・・ロゲンランプで
更に熱処理して形成したものを示したが、その他の結晶
セレン層の形成法としてｄｌ、（１）、セレン蒸着材料
自体を６０〜１００Ｃで予め熱処理し、六方晶系とした
ものをそのま１結晶セレン層として用いる方法、（２）
、アモルファスセレンを蒸着し、その後、ハロゲンラン
プによる熱処理、熱ローラーとの接触、電子線によるス
キャン、レーザー光線によるスキャン等の手段で、結晶
セレンに変化させる方法、あるいは、（３）、（１）と
（２）の方法を組合わせて結晶セレン層を形成する方法
（上記製作例はこの方法によるものである）がある。
方晶系とした結晶セレンを蒸着し、・・ロゲンランプで
更に熱処理して形成したものを示したが、その他の結晶
セレン層の形成法としてｄｌ、（１）、セレン蒸着材料
自体を６０〜１００Ｃで予め熱処理し、六方晶系とした
ものをそのま１結晶セレン層として用いる方法、（２）
、アモルファスセレンを蒸着し、その後、ハロゲンラン
プによる熱処理、熱ローラーとの接触、電子線によるス
キャン、レーザー光線によるスキャン等の手段で、結晶
セレンに変化させる方法、あるいは、（３）、（１）と
（２）の方法を組合わせて結晶セレン層を形成する方法
（上記製作例はこの方法によるものである）がある。
この中、（２）の電子線スキャンによる具体例を示すと
次のとおりである。すなわち、蒸着により表面に結晶化
防止層を介してアモルファスセレン層を形成した光導出
、体イＬ・、真空度１０ ｔｏｒｒ のチャンバーに入
れ、この）ｌＩ′□５カ電体と、１０μφ の電子ビー
ノ、（ヒーム電圧数白〜数１（ｖｌ ビーム電流０．０
１〜ｌμＡ）とを相対的に７１′６動させて、表面のア
モルファス士し７層を電子ビームでスキャンし結晶化さ
せ、結晶セレン層を得ることができる。
次のとおりである。すなわち、蒸着により表面に結晶化
防止層を介してアモルファスセレン層を形成した光導出
、体イＬ・、真空度１０ ｔｏｒｒ のチャンバーに入
れ、この）ｌＩ′□５カ電体と、１０μφ の電子ビー
ノ、（ヒーム電圧数白〜数１（ｖｌ ビーム電流０．０
１〜ｌμＡ）とを相対的に７１′６動させて、表面のア
モルファス士し７層を電子ビームでスキャンし結晶化さ
せ、結晶セレン層を得ることができる。
寸だ、上記のように構成した電子写真感光体への作像プ
ロセスとしては、直流コロナ帯電同時光像露）°Ｌ１逆
極性直ｉ’ｌ：ｉ’、 １７電、全面露光の各工程から
なる方式を示し７ｋが、作像プロセスとしては、この他
に、（１１、電流コロナ帯電、逆極性直流又は交流コロ
ナ帯電同時光１象露光、全面露光、（２）、直流コ「Ｊ
す帯電同時光１３コ露光、逆極性直流帯電、全面ｉ′行
光、の各工程からなる電子写真法を適用することができ
、同等の効果が得られる。
ロセスとしては、直流コロナ帯電同時光像露）°Ｌ１逆
極性直ｉ’ｌ：ｉ’、 １７電、全面露光の各工程から
なる方式を示し７ｋが、作像プロセスとしては、この他
に、（１１、電流コロナ帯電、逆極性直流又は交流コロ
ナ帯電同時光１象露光、全面露光、（２）、直流コ「Ｊ
す帯電同時光１３コ露光、逆極性直流帯電、全面ｉ′行
光、の各工程からなる電子写真法を適用することができ
、同等の効果が得られる。
本発明は、電子写真感光体の光導電層を、アモルファス
セレン層ト（１，ｌＬ素ヲ含有スるアモルファスセレン
からなる結晶化防止層と、結晶セレン層とを順次積層し
たもので形成し、最上層を結晶セレン層としたので、長
波長にも感度があり、露光用光州として長波長成分をも
つランプや、レーザーを用いることができる。
セレン層ト（１，ｌＬ素ヲ含有スるアモルファスセレン
からなる結晶化防止層と、結晶セレン層とを順次積層し
たもので形成し、最上層を結晶セレン層としたので、長
波長にも感度があり、露光用光州として長波長成分をも
つランプや、レーザーを用いることができる。
寸だ、光導電層の表面層は結晶セレン層で形成され、結
晶化されており、しかも、結晶化防止層に」：り下層の
アモルファスセレン層が結晶化するという変化も阻止し
ているので、安定した長）、ｒ命の電子写真感光体が得
られる。
晶化されており、しかも、結晶化防止層に」：り下層の
アモルファスセレン層が結晶化するという変化も阻止し
ているので、安定した長）、ｒ命の電子写真感光体が得
られる。
第１図は、アモルファスセレン及びアモルファスセレン
−テルル合金の光波長に対する感！特性を示す図、第２
図は、本発明に係る電子：ｌＪ：真感）１０体の一実施
例の概略断面図である。 図において、■は導電層、２はバリア層、：３１：Ｊ−
電荷輸送層、４は結晶化防止層、５に″ｌＬ１．萌発生
層、６は絶縁層を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社簡１ 図 □５反長 筒２図
−テルル合金の光波長に対する感！特性を示す図、第２
図は、本発明に係る電子：ｌＪ：真感）１０体の一実施
例の概略断面図である。 図において、■は導電層、２はバリア層、：３１：Ｊ−
電荷輸送層、４は結晶化防止層、５に″ｌＬ１．萌発生
層、６は絶縁層を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社簡１ 図 □５反長 筒２図
Claims (3)
- （１） 導電層上に、必要に応じてバリヤ層を介し／Ｃ
セレンからなる電荷発生層と、透明絶縁層とを順次積層
して構成したことを特徴とする′１シ子写真感光体。 - （２）前記結晶化防止層は、０２〜５０％の砒素る一含
有するアモルファスセレンで構成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （３）前記結晶化防止層は、０，２〜５０％の砒素と、
０〜２０１）ｐ Ｉｌｌのハロゲンを含有するアモルフ
ァスセレンで構成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20911583A JPS60101541A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20911583A JPS60101541A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60101541A true JPS60101541A (ja) | 1985-06-05 |
Family
ID=16567532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20911583A Pending JPS60101541A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60101541A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4797338A (en) * | 1986-09-16 | 1989-01-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US4801515A (en) * | 1986-07-08 | 1989-01-31 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| US4882256A (en) * | 1986-10-14 | 1989-11-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer comprising amorphous carbon |
| US4886724A (en) * | 1987-03-09 | 1989-12-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer and process for manufacturing the same |
| US4891291A (en) * | 1987-03-09 | 1990-01-02 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an amorphous carbon overcoat layer |
| US4994337A (en) * | 1987-06-17 | 1991-02-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
| US7649177B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-01-19 | Fujifilm Corporation | Radiation image detector |
| US8143587B2 (en) * | 2007-05-01 | 2012-03-27 | Fujifilm Corporation | Radiation image detector having a doped intermediate layer |
-
1983
- 1983-11-09 JP JP20911583A patent/JPS60101541A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4801515A (en) * | 1986-07-08 | 1989-01-31 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| US4797338A (en) * | 1986-09-16 | 1989-01-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| US4882256A (en) * | 1986-10-14 | 1989-11-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer comprising amorphous carbon |
| US4886724A (en) * | 1987-03-09 | 1989-12-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer and process for manufacturing the same |
| US4891291A (en) * | 1987-03-09 | 1990-01-02 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an amorphous carbon overcoat layer |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
| US4994337A (en) * | 1987-06-17 | 1991-02-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| US7649177B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-01-19 | Fujifilm Corporation | Radiation image detector |
| US8143587B2 (en) * | 2007-05-01 | 2012-03-27 | Fujifilm Corporation | Radiation image detector having a doped intermediate layer |
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