JPS5998523A - Electron beam exposing apparatus - Google Patents
Electron beam exposing apparatusInfo
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- JPS5998523A JPS5998523A JP57207832A JP20783282A JPS5998523A JP S5998523 A JPS5998523 A JP S5998523A JP 57207832 A JP57207832 A JP 57207832A JP 20783282 A JP20783282 A JP 20783282A JP S5998523 A JPS5998523 A JP S5998523A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は集積回路などの製造において、電子ビーム鏡筒
からの電子ビームをステージに設置された被露光試料に
照射して所定の回路パタンなどを露光する電子ビーム露
光装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention is used in the manufacture of integrated circuits, etc. to form a predetermined circuit pattern by irradiating an exposed sample set on a stage with an electron beam from an electron beam column. The present invention relates to an electron beam exposure device that performs exposure.
従来、この種の装置は第１図の如ぐ構成されていた。 Conventionally, this type of device has been constructed as shown in FIG.
第１図において、１は制御用計算機、２は制御用計算機
１から転送されたデータに従って電子ビームを偏向させ
る偏向制御回路、３は反射電子検出器７で得られた反射
電子信号を処理する信号処理回路、４は電子ビーム鏡筒
、５は電子ビーム、６は偏向器、７は反射電子検出器、
８はステージ９の上面に固定された基準マークであシ、
基準マーク自身と基板で構成されている。９はステージ
、１０はミラー、１ノはレーザー測長器、１２はステー
ジ制量回路、１３は偏向データである。In FIG. 1, 1 is a control computer, 2 is a deflection control circuit that deflects an electron beam according to data transferred from the control computer 1, and 3 is a signal that processes a backscattered electron signal obtained by a backscattered electron detector 7. 4 is an electron beam column; 5 is an electron beam; 6 is a deflector; 7 is a backscattered electron detector;
8 is a reference mark fixed on the top surface of stage 9;
It consists of the fiducial mark itself and a substrate. 9 is a stage, 10 is a mirror, 1 is a laser length measuring device, 12 is a stage control circuit, and 13 is deflection data.
第１図の装置において、電子ビーム位置の経時変化（以
下ドリフトと称す）の検出と補正は以下のステップで実
行していた。In the apparatus shown in FIG. 1, detection and correction of changes in the electron beam position over time (hereinafter referred to as drift) were performed in the following steps.
■ ある任意の時刻ｔ、に偏向領域内の任意の位置（通
常はビーム軸直下近傍）にステージ制量回路１２、ステ
ージ９を用いて基準マーク８を移動し停止させる。(2) At a certain arbitrary time t, the reference mark 8 is moved to an arbitrary position within the deflection region (usually near just below the beam axis) using the stage control circuit 12 and the stage 9, and is stopped.
■ レーザー測長器１１によシステージ９の精確な位置
を検出し、この検出データＤｓ（ｔｌ）をステージ制量
回路１２を経由して制御用計算機１に送る。(2) The precise position of the stage 9 is detected by the laser length measuring device 11, and this detection data Ds(tl) is sent to the control computer 1 via the stage control circuit 12.
■ 制御用計算機１から偏向制御回路２に転送された偏
向データに従って基準マーク８の表面を走査し、マーク
８からの反射電子信号を反射！１子検出器７で捕獲する
。■ The surface of the reference mark 8 is scanned according to the deflection data transferred from the control computer 1 to the deflection control circuit 2, and the reflected electron signal from the mark 8 is reflected! The single child detector 7 captures it.
■ 信号処理回路３において、反射電子検出器７からの
反射電子信号と偏向制御回路２からの偏向データ１３を
用い、偏向データと反射電子信号とを対比させ、マーク
８の位置を偏向データと対応させ、この対応させた偏向
データＤｄ（ｔ＋）をマーク８の位置として制御用計算
機１に転送する。■ In the signal processing circuit 3, using the backscattered electron signal from the backscattered electron detector 7 and the deflection data 13 from the deflection control circuit 2, the deflection data and the backscattered electron signal are compared, and the position of the mark 8 is made to correspond to the deflection data. The corresponding deflection data Dd(t+) is transferred to the control computer 1 as the position of the mark 8.
５−
■ 上記ステップ■で制御用計算機１に送られたステー
ジ９の位置データと上記ステップ■で制御用計算機１に
送られた偏向データを制御用計算機１に保持する。5-(2) The position data of the stage 9 sent to the control computer 1 in step (2) and the deflection data sent to the control computer 1 in step (2) are held in the control computer 1.
■ 上記ステップ■〜ステッグ■を行なった時刻から、
ある時間経過した時刻ｔ２に、上記ステップ■〜ステ、
ｆ■を行ない、Ｄｓ（ｔｚ） ＩＤｄ（ｔｚ ）を求め
制御用計算機１に転送する。■ From the time when the above steps ■ ~ Steg ■ are performed,
At time t2 after a certain period of time has elapsed, the above steps
f■ is performed to obtain Ds(tz) IDd(tz) and transfer them to the control computer 1.
■ 制御用計算機１において、Ｄｓ（ｔり ＩＤｄ（ｔ
ｚ ） （］）＋（ｔ、 ） ＋ Ｄｄ（ｔ＋ ）
） ＝δ（ｔｚ）を算出する。■ In the control computer 1, Ds(tri) IDd(t
z) (])+(t, )+Dd(t+)
)=δ(tz) is calculated.
■ δ（ｔｚ）を時刻ｔ１から時刻ｔ、４でに発生した
ドリフトとする。(2) Let δ(tz) be the drift that occurs from time t1 to time t, 4.
■ 回路・々タン々どの露光動作を行なう場合には、偏
向データにδ（ｔｚ）を加算して、ドリフトを偏向系（
偏向制御回路２および偏向器６）で補正する。■ When performing exposure operations on circuits, etc., add δ(tz) to the deflection data to calculate the drift in the deflection system (
This is corrected by the deflection control circuit 2 and deflector 6).
以上の動作によシトリフトが補正される。The above operation corrects the seat lift.
しかし、上記の方式によるドリフトの検出では、ステー
ジの移動を伴なうため、検出に要す６−
る時間が長いと言う欠点を有していた。However, the detection of drift using the above method involves the movement of the stage, so it has the disadvantage that the time required for detection is long.
本発明は、電子ビーム鏡筒とステージの被露光試料設置
面との間にマークを設けた導電材料片を設置し、このマ
ークを電子ビームで走査することを特徴とし、その目的
は、マークと電子ビームの相対位置関係の経時変化を短
時間で検出し、さらに、この相対位置の変化で被露光試
料への電子ビーム照射位置を制御することにある。The present invention is characterized in that a piece of conductive material with a mark is installed between the electron beam column and the surface of the stage on which the sample to be exposed is placed, and the mark is scanned with the electron beam. The objective is to detect changes over time in the relative positional relationship of electron beams in a short period of time, and further to control the irradiation position of the electron beam onto a sample to be exposed using the changes in the relative positions.
第２図は本発明の一実施例であって、１は制量用計算機
、２は計算機１から転送されたデータに従って電子ビー
ムを偏向させると共に、測定用偏向器１６、焦点用コイ
ル１２を駆動する偏向制御回路、３は反射電子検出器７
で得られた信号を処理する信号処理回路、４は電子ビー
ム鏡筒、６は偏向器、７は反射電子検出器、８は導電材
料片１５に設置された基準マークであシ、基準マーク自
身と基板で構成されている。FIG. 2 shows an embodiment of the present invention, in which 1 is a control calculator, and 2 is a controller that deflects an electron beam according to data transferred from the computer 1, and also drives a measuring deflector 16 and a focusing coil 12. 3 is a backscattered electron detector 7
4 is an electron beam column, 6 is a deflector, 7 is a backscattered electron detector, 8 is a reference mark installed on a piece of conductive material 15, and the reference mark itself It consists of a board and a board.
９はステージ、１３は偏向データ、１５は電子ぎ−ム鏡
筒４に固定された基準マーク固定用導電材料片、１６は
電子ビームを電子ビーム軸１８から偏向時の電子ビーム
軌道１８′に偏向するための測定用偏向器、１７は電子
ビームの焦点を基準マーク８の表面に一致させるための
焦点用コイル、１８は偏向していない時の電子ビーム軸
、１８′は、基準マーク８の近傍に偏向した時の電子ビ
ーム軌道、１９は被露光試料である。9 is a stage, 13 is deflection data, 15 is a conductive material piece for fixing a reference mark fixed to the electron beam lens barrel 4, and 16 is a device that deflects the electron beam from the electron beam axis 18 to the electron beam trajectory 18' during deflection. 17 is a focusing coil for aligning the focus of the electron beam with the surface of the reference mark 8; 18 is the axis of the electron beam when it is not deflected; 18' is the area near the reference mark 8; 19 is the sample to be exposed.
第３図は、マーク８の構成ならびにマーク８の表面にお
ける電子ビームの走査の具体例である。FIG. 3 shows a specific example of the structure of the mark 8 and the scanning of the electron beam on the surface of the mark 8.
８−１はマーク自身であり、基板８−２とは電子ビーム
の反射率が異なる材料で形成されている（例えば金）。Reference numeral 8-1 is the mark itself, which is made of a material (for example, gold) that has a different electron beam reflectance from that of the substrate 8-2.
８−２はマーク自身８−１のだめの基板であり、例えば
、アルミニウムで形成されている。マーク自身８−１、
基板８−２とも導電性材料でなくてはならない。８−３
は、測定用偏向器１６により偏向された時の電子ビーム
の偏向位置、８−４ｘおよび８−４Ｙは、マーク上を偏
向器６により偏向走査される時のＸおよびＹ方向の電子
ビームの軌跡である。Reference numeral 8-2 is a base board for the mark itself 8-1, and is made of aluminum, for example. Mark himself 8-1;
Both substrates 8-2 must be made of conductive material. 8-3
is the deflection position of the electron beam when it is deflected by the measurement deflector 16, and 8-4x and 8-4Y are the trajectories of the electron beam in the X and Y directions when the mark is deflected and scanned by the deflector 6. It is.
なお、マーク自身８−１と基板８−２の材料が同一であ
っても、凹状あるいは凸状によってマーク自身８−１の
如き形状が形成されたものをマークとして用いることも
できる。更に、マーク自身８−１、基板８−２が導電性
材料でない場合においても、マーク自身８−１、基板８
−２の表面が導電性材料でおおわれていればよい。Note that even if the mark itself 8-1 and the substrate 8-2 are made of the same material, a mark having a concave or convex shape like the mark itself 8-1 can be used. Furthermore, even if the mark itself 8-1 and the substrate 8-2 are not conductive materials, the mark itself 8-1 and the substrate 8-2
It is sufficient that the surface of -2 is covered with a conductive material.
本実施例の動作を以下説明する。The operation of this embodiment will be explained below.
ステラｆ １． 電子ビームと基準マークの相対位置
検出
■ 時刻ｔ、において偏向制御回路２からの信号により
測定用偏向器１６によって電子ビームは軌道１８′に偏
向され８−３に位置し、さらに、焦点用コイル１７によ
り電子ビームは基準マーク８の表面に焦点が合わせられ
る。Stella f1. Relative Position Detection of Electron Beam and Reference Mark■ At time t, the electron beam is deflected by the measurement deflector 16 to the trajectory 18' according to a signal from the deflection control circuit 2, and is positioned at 8-3. The electron beam is focused on the surface of the reference mark 8.
■ 偏向制御回路２からの偏向データで偏向＝９−
器６によりマーク８のマーク自身８−１上を電子ビーム
が軌跡８−４Ｘあるいは８−４Ｙの如く走査され、同時
に、マーク自身８−１、基板８−２から反射される反射
電子が反射電子検出器７により捕獲され反射電子信号と
して信号処理回路３に送られる。ここで、電子ビームの
反。■ Deflection = 9- according to the deflection data from the deflection control circuit 2. The electron beam is scanned by the device 6 over the mark itself 8-1 of the mark 8 as shown in the trajectory 8-4X or 8-4Y, and at the same time, the mark itself 8-1 The backscattered electrons reflected from the substrate 8-2 are captured by the backscattered electron detector 7 and sent to the signal processing circuit 3 as a backscattered electron signal. Here, the anti-electron beam.
射率が、マーク自身８−１の方が基板８−２よシも高い
とすると、電子ビームがマーク自身８−１を走査してい
る時の反射電子信号レベルは基板８−２を走査している
時の反射電子信号レベルより高くなる。また、マーク自
身８−１が凹あるいは凸状のマークの場合には、電子ビ
ームがマーク自身８−１と基板８−２の境界付近を走査
する時と他の部分を走査する時とで、反射電子の反射方
向が異なるので、反射電子信号レベルに変化を生じる。Assuming that the emissivity of the mark itself 8-1 is higher than that of the substrate 8-2, the reflected electron signal level when the electron beam is scanning the mark itself 8-1 is the same as that of the substrate 8-2. The level of the backscattered electron signal is higher than that when In addition, when the mark itself 8-1 is a concave or convex mark, when the electron beam scans the vicinity of the boundary between the mark itself 8-1 and the substrate 8-2, and when it scans other parts, Since the reflected electrons are reflected in different directions, the level of the reflected electron signal changes.
■ 信号処理回路３において、偏向データノ３と反射電
子検出器７から入力された反射電子信号を対比させるこ
とにより、マーク自身８−１の位置を偏向時の電子ビー
ム位置８−３を１０−
基点とした偏向データに対応させることができる。■ In the signal processing circuit 3, by comparing the deflection data 3 and the backscattered electron signal input from the backscattered electron detector 7, the position of the mark itself 8-1 is determined from the electron beam position 8-3 at the time of deflection to the 10- base point. It can be made to correspond to the deflection data.
■ 対応したマーク位置偏向データを（Ｘ￥。■ Corresponding mark position deflection data (X￥.
Ｙ〒）として計算機ｌに転送し保持しておく。さらに、
測定用偏向器１６、焦点用コイル１７に入力されていた
信号をオフし、電子ビームの軌道を１８′から１８にも
どす。Transfer it to computer l as Y〒) and hold it. moreover,
The signals input to the measuring deflector 16 and the focusing coil 17 are turned off, and the electron beam trajectory is returned from 18' to 18.
■ 時刻ｔｌ＋１において、上記■〜■を実行し、上記
■においてマーク位置偏向データを（ＸＹ＋、。(2) At time tl+1, execute the above (1) to (2), and at (2) above, mark position deflection data (XY+,.
”ｉ’＋１ ）とし、計算機１に保持する。``i'+1 ) and held in computer 1.
ステ、７’２．Ｎ、子ビームと基準マークの相対位置変
化の算出
■ ステラｆ１において得た、（Ｘ￥、Ｙ￥）。Ste, 7'2. N, Calculation of relative position change between child beam and reference mark ■ Obtained in Stella f1, (X\, Y\).
（ＸＴ−Ｈ＋ Ｙ］ｒ＋１ ） （！： カＣ）、ΔＸ
＝ ＸＹ＋ｔ ｘ７１ΔＹ＝””＋１−Ｙｉを計算機
１において算出する。(XT-H+Y]r+1) (!: KaC), ΔX
= XY+t x71ΔY=””+1−Yi is calculated by the computer 1.
さらに計算機１において、Ｘで＋、をＸ〒とじ、”ｉ’
＋ １をＹ￥とじて保持しておく。Furthermore, in the calculator 1, + with X is combined with
+1 and keep it as Y¥.
■ 計算機１よりΔＸ、ΔＹを偏向制御回路２に転送し
、偏向制御回路２に保持する。(2) Transfer ΔX and ΔY from the computer 1 to the deflection control circuit 2 and hold them in the deflection control circuit 2.
ステラ７’３．［子ビームと基準マークの相対位置変化
の補正
露光・やタンデータを基に偏向制御回路２によって作成
された偏向データにΔＸ、ΔＹを加算する。Stella 7'3. [Add ΔX and ΔY to the deflection data created by the deflection control circuit 2 based on the correction exposure/tan data for the relative position change between the child beam and the reference mark.
上記のステップ１．ステップ２の動作を適宜実行し、Δ
Ｘ、ΔＹを更新することにより、電子ビーム位置の電子
ビーム鏡筒に対する経時変化（ドリフト）を補正する。Step 1 above. Execute the operation in step 2 as appropriate, and Δ
By updating X and ΔY, changes over time (drift) in the electron beam position relative to the electron beam column are corrected.
また、時刻Ｊから時刻ｔｔ＋１４でに生じたΔＸ、ΔＹ
あるいは、更に多数の測定結果とからΔＸ、ΔＹと時間
との関係を算出し、すなわちΔ）ｌｅｔ） 、ΔＹ（ｔ
）として、（ｔは時間）表わし、ΔＸ（ｔ）。Also, ΔX, ΔY that occurred from time J to time tt+14
Alternatively, the relationship between ΔX, ΔY and time is calculated from a larger number of measurement results, that is, Δ) let), ΔY(t
), where t is time, and ΔX(t).
ΔＹ（ｔ）を用いてドリフトを補正することも可能であ
る。It is also possible to correct the drift using ΔY(t).
以上のように、電子ビームとマークとの位置関係の経時
変化を電子ビーム鏡筒の電子ビーム偏向系にフィードバ
ックすることによシ、被露光試料への電子ビームの照射
位置を制御することができる・
なお、電子ビームとマークとの位置関係の経時変化を被
露光試料が設置されるステージの制卸系にフィードバッ
クするようにしても、被露光試料への電子ビーム照射位
置を制量することができる。As described above, by feeding back changes over time in the positional relationship between the electron beam and the mark to the electron beam deflection system of the electron beam column, it is possible to control the irradiation position of the electron beam on the exposed sample. - Note that even if changes over time in the positional relationship between the electron beam and the mark are fed back to the control system of the stage on which the sample to be exposed is placed, the position of the electron beam irradiation on the sample to be exposed cannot be controlled. can.
マーク８の他の実施例として、第４図に示す構成のマー
クを使用することもできる。As another example of the mark 8, a mark having the structure shown in FIG. 4 can also be used.
第４図（ａ）はＢ −Ｂ’部分断面図、（ｂ）はＡ −
Ａ’断面図である。８−６は導電性材料で作られたホル
ダーであり、アースと接続されている。８−７（黒く塗
りつぶされた部分）は、ホルダー８−６と導電性細線８
−９Ｘ、８−９Ｙを絶縁し、かつ固定するための接着固
定部、８−８は、ホルダー８−６と導通している導電性
カバー、８−９Ｘと８−９Ｙは、第３図のマーク自身８
−１に相当し、導電性細線であり互いに交差点で導通し
ており、８−９Ｘの点Ｃで演算増幅器８−１０に接続さ
れている。８−１１は８−１０の出力端子、Ｒｆは帰還
抵抗器である。Figure 4 (a) is a partial sectional view of B-B', and (b) is A-
It is an A' sectional view. 8-6 is a holder made of conductive material and is connected to ground. 8-7 (blacked out part) is the holder 8-6 and the conductive thin wire 8
-9 mark himself 8
-1, which are conductive thin wires that are electrically connected to each other at the intersection, and are connected to the operational amplifier 8-10 at point C of 8-9X. 8-11 is the output terminal of 8-10, and Rf is a feedback resistor.
第３図の実施例のかわシに第４図の実施例を用いた場合
の動作を以下に述べる。The operation when the embodiment shown in FIG. 4 is used in place of the embodiment shown in FIG. 3 will be described below.
１３−
前記実施例の動作の説明のステラｆ１■と同様に、導電
性細線８−９Ｘ、８−９Ｙをマーク（前記実施例では８
−１）と考え、電子ビームは細ｆｇｇ−９ｘ、５−９Ｙ
の交差点近傍を軌跡８−４Ｘ、８−４Ｙと同様に走査す
る。出力端子８−１１に現われる電子ビーム電流値を基
に作られた電圧を検出信号とすると、電子ビームが細線
８−９Ｘ、８−９Ｙに当たらない場合は、検出信号の信
号レベルは低く、細線１４−９ Ｘ ＋８−９Ｙに当た
ると検出信号の信号レベルは高くなる。この現象は前記
実施例の説明における反射電子信号の信号レベルの変化
と同じである。13- Similarly to Stella f1■ in the explanation of the operation of the above embodiment, mark the conductive thin wires 8-9X and 8-9Y (in the above embodiment, mark 8-9Y).
-1), the electron beam is narrow fgg-9x, 5-9Y
The vicinity of the intersection is scanned in the same manner as the trajectories 8-4X and 8-4Y. If the detection signal is a voltage created based on the electron beam current value appearing at the output terminal 8-11, if the electron beam does not hit the thin wires 8-9X and 8-9Y, the signal level of the detection signal is low and the thin wire When it hits 14-9X +8-9Y, the signal level of the detection signal becomes high. This phenomenon is the same as the change in the signal level of the reflected electron signal in the description of the previous embodiment.
この場合においても、反射電子検出器７から出力される
反射電子信号レベルも前記検出信号のレベル変化と類似
した変化をする。In this case as well, the level of the backscattered electron signal output from the backscattered electron detector 7 also changes similar to the level change of the detection signal.
よって、信号処理回路３に送る信号としては、上記検出
信号、上記反射電子信号のいずれか、あるいは両方であ
る。Therefore, the signal sent to the signal processing circuit 3 is either the detection signal, the reflected electron signal, or both.
信号処理回路３に入力された信号と偏向データ１３の取
り扱いなどは、前記実施例の動作と１４−
同じである。The handling of the signal input to the signal processing circuit 3 and the deflection data 13 is the same as in the previous embodiment.
捷た、第４図の実施例において、ホルダー８−６と了−
ス間に抵抗器Ｒを挿入し、かつ、点Ｃをアースに接続す
る構成とし、マークとしての導電性細線＆−９Ｘ、８−
９Ｙ以外に照射された電子をホル／−８−６で捕獲検出
し、このホルダーで検出された電子に対応した抵抗器Ｒ
の両端に現われる出力信号を上記検出信号として用いる
ことも可能である。In the embodiment shown in FIG. 4, the holder 8-6 and
A resistor R is inserted between the terminals and the point C is connected to the ground, and conductive thin wires &-9X, 8-
The electrons irradiated to areas other than 9Y are captured and detected by holder/-8-6, and the resistor R corresponding to the electrons detected by this holder is
It is also possible to use the output signals appearing at both ends of the signal as the detection signal.
以上説明したように、電子ビームと電子ビーム鏡筒との
相対位置検出を偏向動作および焦点の変更により実行で
きるから、上記相対位置の経時変化を短時間で検出でき
る利点がある。従って、被露光試料への電子ビーム照射
位置を良好に制御することができる。As described above, since the relative position between the electron beam and the electron beam column can be detected by deflecting the electron beam and changing the focus, there is an advantage that the change in the relative position over time can be detected in a short time. Therefore, the position of electron beam irradiation on the sample to be exposed can be well controlled.
第１図は従来の電子ビーム露光装置の構成説明図、第２
図は本発明の一実施例を示す構成説明図、第３図は第２
図の実施例におけるマークおよび電子ビームの位置の具
体例を示す説明図、第４図は本発明に係る基準マークの
他の例を示す構成説明図である。
１・・・制御用計算機、２・・・偏向制量回路、３・・
・信号処理回路、４・・・電子ビーム鏡筒、５・・・電
子ビーム、６・・・偏向器、７・・・反射電子検出器、
８・・・基準マーク、９・・・ステージ、ＪＯ・・・ミ
ラー、１１・・・レーザー測長器、１２・・・ステージ
制闘回路、１３・・・偏向データ、１５・・・基準マー
ク固定用導電材料片、１６・・・測定用偏向器、１７・
・・焦点用コイル、１８・・・電子ビーム軸、１８′・
・・偏向時の電子ビーム軌道、１９・・・被露光試料、
８−１・・・マーク自身、８−２・・・基板、８−３・
・・偏向時の電子ビーム位置、８−４Ｘ、８−４Ｙ・・
・偏向走査時の電子ビーム軌跡、８−６・・・ホルダー
、８−７・・・接着固定部、８−８・・・導電性カバー
、８−９ Ｘ ＊ ８−９ Ｙ・・・導電性細線、８−
１０・・・演算増幅器、８−１１・・・８−１０の出力
端子、Ｒｆ・・・帰還抵抗器。Fig. 1 is an explanatory diagram of the configuration of a conventional electron beam exposure apparatus;
The figure is a configuration explanatory diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a specific example of the positions of the mark and the electron beam in the embodiment shown in the figure, and FIG. 4 is a configuration explanatory diagram showing another example of the reference mark according to the present invention. 1... Control computer, 2... Deflection control circuit, 3...
- Signal processing circuit, 4... Electron beam column, 5... Electron beam, 6... Deflector, 7... Backscattered electron detector,
8... Reference mark, 9... Stage, JO... Mirror, 11... Laser length measuring device, 12... Stage control circuit, 13... Deflection data, 15... Reference mark Fixing conductive material piece, 16... Measuring deflector, 17.
... Focusing coil, 18... Electron beam axis, 18'
...Electron beam trajectory during deflection, 19...Exposed sample,
8-1... Mark himself, 8-2... Board, 8-3...
...Electron beam position during deflection, 8-4X, 8-4Y...
- Electron beam trajectory during deflection scanning, 8-6... Holder, 8-7... Adhesive fixing part, 8-8... Conductive cover, 8-9 X * 8-9 Y... Conductive Sexual fine lines, 8-
10... Operational amplifier, 8-11... Output terminal of 8-10, Rf... Feedback resistor.
Claims (1)
置された被露光試料に照射して所定のパタンを露光する
電子ビーム露光装置において、マークを設けた導電材料
片を電子ビーム鏡筒とステージの被露光試料設置面との
間に設置し、該マー・りに向けて電子ビームを偏向しか
つ該マーク近傍に電子ビームの焦点を合わせ、該マーク
を含む領域を電子ビームで走査することにより、任意の
時間間隔で電子ビームと前記マークとの位置関係をもと
め、該位置関係の経時変化で被露光試料への電子ビーム
照射位置を制御することを特徴とする電子ビーム露光装
置。 （２） マークを設けた導電材料片を電子ビーム鏡筒
に固定することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電子ビーム露光装置。 （３）を子ビームとマークとの位置関係をもとめる手段
として、マークを含む領域を電子ビームで走査する際に
該領域から反射した反射電子を捕獲する検出器を設け、
該検出器から出力される反射電子信号と電子ビームを走
査するだめの偏向信号により電子ビームと該マークとの
位置関係を算出することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電子ビーム露光装置。 （４）電子ビームとマークとの位置関係をもとめる手段
として、マークを含む領域を電子ビームで走査する際に
、該マークから出力される電子ビーム電流呟を基に作ら
れた信号と電子ビームを走査するための偏向信号によシ
ミ子ビームと該マークとの位置関係を算出することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光装
置。 （５）電子ビームとマークとの位置関係をもとめる手段
として、マークを含む領域を電子ビームで走査する際に
該マーク以外に照射された電子を捕獲する検出手段を有
し、該検出手段からの出力信号と電子ビームを走査する
だめの偏向信号によシミ子ビームと該マークとの位置関
係を算出することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子ビーム露光装置。 （６）電子ビームとマークとの位置関係の経時変化で被
露光試料への電子ビームの照射位置を制御する手段とし
て、電子ビームとマークとの位置関係の経時変化を電子
ビーム鏡筒の電子ビーム偏向系にフィードバックするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム
露光装置。 （７）電子ビームとマークとの位置関係の経時変化で被
露光試料への電子ビーム照射位置を制御する手段として
、電子ビームとマークとの位置関係の経時変化を被露光
試料が設置されるステージの制御系にフィードバックす
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビ
ーム露光装置。[Scope of Claims] m In an electron beam exposure apparatus that exposes a predetermined pattern by irradiating an electron beam from an electron beam column onto a sample to be exposed placed on a stage, a piece of conductive material provided with a mark is exposed to the electron beam. It is installed between the lens barrel and the exposed sample surface of the stage, deflects the electron beam toward the mark, focuses the electron beam near the mark, and targets the area including the mark with the electron beam. An electron beam exposure apparatus characterized in that the positional relationship between the electron beam and the mark is determined at arbitrary time intervals by scanning, and the electron beam irradiation position on the exposed sample is controlled based on the temporal change in the positional relationship. . (2) An electron beam exposure apparatus according to claim 1, characterized in that a piece of conductive material provided with a mark is fixed to an electron beam column. (3) As a means for determining the positional relationship between the child beam and the mark, a detector is provided to capture backscattered electrons reflected from the area when the area including the mark is scanned by the electron beam;
Electron beam exposure according to claim 1, characterized in that the positional relationship between the electron beam and the mark is calculated based on a reflected electron signal output from the detector and a deflection signal for scanning the electron beam. Device. (4) As a means of determining the positional relationship between the electron beam and the mark, when scanning an area including the mark with the electron beam, the electron beam and a signal created based on the electron beam current output from the mark are used. 2. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, wherein the positional relationship between the smear beam and the mark is calculated based on a deflection signal for scanning. (5) As a means for determining the positional relationship between the electron beam and the mark, there is a detection means that captures electrons irradiated to areas other than the mark when scanning an area including the mark with the electron beam, and 2. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, wherein the positional relationship between the smear beam and the mark is calculated based on an output signal and a deflection signal for scanning the electron beam. (6) As a means of controlling the irradiation position of the electron beam on the sample to be exposed using the change in the positional relationship between the electron beam and the mark over time, the change in the positional relationship between the electron beam and the mark over time can be used to 2. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, wherein the electron beam exposure apparatus provides feedback to a deflection system. (7) As a means of controlling the position of electron beam irradiation on the exposed sample based on the temporal change in the positional relationship between the electron beam and the mark, the stage on which the exposed sample is placed can be used to control the temporal change in the positional relationship between the electron beam and the mark. 2. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, wherein the electron beam exposure apparatus provides feedback to a control system.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207832A JPS5998523A (en) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | Electron beam exposing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207832A JPS5998523A (en) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | Electron beam exposing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998523A true JPS5998523A (en) | 1984-06-06 |
Family
ID=16546252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57207832A Pending JPS5998523A (en) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | Electron beam exposing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998523A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260256A (en) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | Charged particle beam aligner |
| JP2019079858A (en) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Charged particle beam lithography device and charged particle beam lithography method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5398781A (en) * | 1976-11-25 | 1978-08-29 | Jeol Ltd | Electron ray exposure unit |
-
1982
- 1982-11-27 JP JP57207832A patent/JPS5998523A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5398781A (en) * | 1976-11-25 | 1978-08-29 | Jeol Ltd | Electron ray exposure unit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260256A (en) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | Charged particle beam aligner |
| JP2019079858A (en) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Charged particle beam lithography device and charged particle beam lithography method |
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