JPS5978643U - 光検出器 - Google Patents
光検出器Info
- Publication number
- JPS5978643U JPS5978643U JP17458382U JP17458382U JPS5978643U JP S5978643 U JPS5978643 U JP S5978643U JP 17458382 U JP17458382 U JP 17458382U JP 17458382 U JP17458382 U JP 17458382U JP S5978643 U JPS5978643 U JP S5978643U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- photodetector
- photodetection region
- main surface
- region formed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
図は本考案の一実施例のフォトダイオードの断面図であ
る。図において ゛１−ｎ−ＩｎＰ基板、２ ・・・ｎ ＊ＩｎＰノ（ツ
７ア一層、３−−−Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰｌ−ｙ層
、４−３ｉｎ２膜、５−Ｐ＋層、６・・・光検出領域、
７・・・ｐ電極、８・・・ｎ電極、９・・・凸レンズ、
１０・・・入射光、１１・・・無反射コーティング、で
ある。
る。図において ゛１−ｎ−ＩｎＰ基板、２ ・・・ｎ ＊ＩｎＰノ（ツ
７ア一層、３−−−Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰｌ−ｙ層
、４−３ｉｎ２膜、５−Ｐ＋層、６・・・光検出領域、
７・・・ｐ電極、８・・・ｎ電極、９・・・凸レンズ、
１０・・・入射光、１１・・・無反射コーティング、で
ある。
Claims (1)
- 半導体基板と、この半導体基板の主面に形成されこの半
導体基板に比して小さな禁制帯幅を有する光検出領域と
、この光検出領域の下に位置して前記主面に対向する面
に形成された凸状レンズとを備えることを特徴とする光
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17458382U JPS5978643U (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17458382U JPS5978643U (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 光検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978643U true JPS5978643U (ja) | 1984-05-28 |
Family
ID=30380034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17458382U Pending JPS5978643U (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 光検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978643U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152599A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128081A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP17458382U patent/JPS5978643U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128081A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152599A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
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