JPS5975676A - 歪センサ - Google Patents
歪センサInfo
- Publication number
- JPS5975676A JPS5975676A JP18585582A JP18585582A JPS5975676A JP S5975676 A JPS5975676 A JP S5975676A JP 18585582 A JP18585582 A JP 18585582A JP 18585582 A JP18585582 A JP 18585582A JP S5975676 A JPS5975676 A JP S5975676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pattern
- film
- resistive
- insulating resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910006091 NiCrSi Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 abstract 3
- 229910019819 Cr—Si Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K iron(iii) fluoride Chemical compound F[Fe](F)F SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- IZQZNLBFNMTRMF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;phosphoric acid Chemical compound CC(O)=O.OP(O)(O)=O IZQZNLBFNMTRMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical group Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、たとえば電子秤に用いられる歪センサに関す
る。
る。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕従来の薄膜抵抗
体によυ形成された歪センサにおいては、ストレンゲー
ジ抵抗体としてＮｉＣｒやＮｉＣｒサーメットが用いら
れ、ストレンゲージ・ビーム体間の絶縁層にはＳｊＯ＋
やＴａ ２０５などの無機酸化物層が用いられている。
体によυ形成された歪センサにおいては、ストレンゲー
ジ抵抗体としてＮｉＣｒやＮｉＣｒサーメットが用いら
れ、ストレンゲージ・ビーム体間の絶縁層にはＳｊＯ＋
やＴａ ２０５などの無機酸化物層が用いられている。
この場合、ストレンゲージ抵抗体はゼロ点の温度ドリフ
トラ少くするために抵抗の温度係数を極力小さくしなけ
ればならないが、ＮｉＣｒやＮｉＣｒサーメットは膜形
成時の真空度依存性が太きいため、温度係数のバラツキ
を小さくすることは容易でない。また、絶縁層として上
述した無機酸化物を用いた場合ビーム体表面の傷やビン
ポールの彫物を受けやすく絶縁不良が生じ易い。そして
、歪センサとして使用するとき、ビーム体の伸縮によｆ
） Ｔａ２Ｏ！ｉなどは柔軟性に乏しいため、大きな衝
撃がビーム体に加わったときなどクラック等が発生し易
い。さらに、導体層としてＡｕが用いられているが高価
となる。
トラ少くするために抵抗の温度係数を極力小さくしなけ
ればならないが、ＮｉＣｒやＮｉＣｒサーメットは膜形
成時の真空度依存性が太きいため、温度係数のバラツキ
を小さくすることは容易でない。また、絶縁層として上
述した無機酸化物を用いた場合ビーム体表面の傷やビン
ポールの彫物を受けやすく絶縁不良が生じ易い。そして
、歪センサとして使用するとき、ビーム体の伸縮によｆ
） Ｔａ２Ｏ！ｉなどは柔軟性に乏しいため、大きな衝
撃がビーム体に加わったときなどクラック等が発生し易
い。さらに、導体層としてＡｕが用いられているが高価
となる。
〔発明の目的」
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、高精度
で信頼性が高く安価な歪センサを得ることを目的とする
。
で信頼性が高く安価な歪センサを得ることを目的とする
。
本発明は、ビーム体上に絶縁樹脂層、ＮｉＣｒＳｉ ｋ
主成分とする第一抵抗層、Ｔ１を主成分とする第二抵抗
層およびＣｕ’に主成分とする導体層を順次積層形成し
、フォトエツチングにより所定のパターンを形成するこ
とによジ、これらの組合せの特°性面から歪センサに好
適となシ、パターン形成も容易となるように柚成したも
のである。
主成分とする第一抵抗層、Ｔ１を主成分とする第二抵抗
層およびＣｕ’に主成分とする導体層を順次積層形成し
、フォトエツチングにより所定のパターンを形成するこ
とによジ、これらの組合せの特°性面から歪センサに好
適となシ、パターン形成も容易となるように柚成したも
のである。
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
まず、第１図は歪センサの軌路を示ずもので、ジュラル
ミンや５Ｏ８６３０などを機械加工してなるビーム体（
１）には溝（２）によυ連結されつつ薄肉変形部（３）
（４）を形成する穴（５）（６’ｌが形成されている。
ミンや５Ｏ８６３０などを機械加工してなるビーム体（
１）には溝（２）によυ連結されつつ薄肉変形部（３）
（４）を形成する穴（５）（６’ｌが形成されている。
そして、ビーム体（１）の上面には歪センサ回路（７）
がパターン形成されてお９、ストレンゲージ抵抗体（８
ｃＬ）（８／’）（８０）（８ｄ）は薄肉変形部（３）
（４）上に設けられている。
がパターン形成されてお９、ストレンゲージ抵抗体（８
ｃＬ）（８／’）（８０）（８ｄ）は薄肉変形部（３）
（４）上に設けられている。
また、（９）は温度センサでありビーム体（１）の変形
量の温度による変化を補償する抵抗体である。これらノ
ストレンゲージ抵抗体（８ａ）（８Ａ）（８Ｇ）（８ｄ
）や温度センサ（９）はリードパターン←Ｏ）により互
いに連結され、第２図に示すような歪センサ回路が形成
されている。
量の温度による変化を補償する抵抗体である。これらノ
ストレンゲージ抵抗体（８ａ）（８Ａ）（８Ｇ）（８ｄ
）や温度センサ（９）はリードパターン←Ｏ）により互
いに連結され、第２図に示すような歪センサ回路が形成
されている。
また、ビーム体（１）にはベースαＪに対する取付用の
孔Ｑｚが形成され、先端側には荷重が印加される金具が
接続される孔α３が形成されている。＠３図に、荷重が
印加されたときの変形の様子を示すもので、今荷重Ｗが
印加されるとビーム体（１）は変形し、ストレンゲージ
抵抗体（８ｃＬ）（８４）は引張υ歪を受け、ストレン
ゲージ抵抗体（８Ｌ−）（８ｄ）は圧縮歪を受け、それ
ぞれの抵抗値が変化し、歪センサ回路に出力電圧が発生
するというものである。
孔Ｑｚが形成され、先端側には荷重が印加される金具が
接続される孔α３が形成されている。＠３図に、荷重が
印加されたときの変形の様子を示すもので、今荷重Ｗが
印加されるとビーム体（１）は変形し、ストレンゲージ
抵抗体（８ｃＬ）（８４）は引張υ歪を受け、ストレン
ゲージ抵抗体（８Ｌ−）（８ｄ）は圧縮歪を受け、それ
ぞれの抵抗値が変化し、歪センサ回路に出力電圧が発生
するというものである。
しかして、歪センサ回路の形成について第４図ないし第
６図により説明する。まず、ビーム体（１）のパターン
形成面を平坦に研磨し清浄に洗浄した後、１０００ｃｐ
の粘度をもつワニス状のポリイミド樹脂を滴下し、ビー
ム体（１）をスピンナにより約１６０Ｏｒｐｍの回転速
度で回転させてポリイミドａｔ 脂ｔパターン形成面に
均一に塗布する。その後、１００℃で１時間乾燥後、２
００℃で１時間加熱硬化することによ少厚さ４μのポリ
イミド樹脂からなる絶縁樹脂層０冶を形成する。ついで
、スパッタリングにより、この絶縁樹脂層ｑ→上に厚さ
１ｏｏｏ人のＮｉ Ｃｒ Ｓ ｉ層（Ｎｉ；７０．Ｃｒ
：２０．Ｓｉ’ＩＯ）を形成して第一抵抗層α９とする
。さらに、第二抵抗層（ｔｅとして厚さ１μのＴｉ膜層
を形成し、その表面に導体層α７）として厚さ２μのＣ
ｕ膜層を形成する。第４図はこのようにして得られた積
層体を示す。ここで、スパッタリング糸付は、初期到達
真空度６ ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ、アルゴン分圧Ｐｈｒ
＝ ４ ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒとし、スパッタリング
出力にはＩ）Ｏ’ＦＮ、源を使用する。
６図により説明する。まず、ビーム体（１）のパターン
形成面を平坦に研磨し清浄に洗浄した後、１０００ｃｐ
の粘度をもつワニス状のポリイミド樹脂を滴下し、ビー
ム体（１）をスピンナにより約１６０Ｏｒｐｍの回転速
度で回転させてポリイミドａｔ 脂ｔパターン形成面に
均一に塗布する。その後、１００℃で１時間乾燥後、２
００℃で１時間加熱硬化することによ少厚さ４μのポリ
イミド樹脂からなる絶縁樹脂層０冶を形成する。ついで
、スパッタリングにより、この絶縁樹脂層ｑ→上に厚さ
１ｏｏｏ人のＮｉ Ｃｒ Ｓ ｉ層（Ｎｉ；７０．Ｃｒ
：２０．Ｓｉ’ＩＯ）を形成して第一抵抗層α９とする
。さらに、第二抵抗層（ｔｅとして厚さ１μのＴｉ膜層
を形成し、その表面に導体層α７）として厚さ２μのＣ
ｕ膜層を形成する。第４図はこのようにして得られた積
層体を示す。ここで、スパッタリング糸付は、初期到達
真空度６ ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ、アルゴン分圧Ｐｈｒ
＝ ４ ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒとし、スパッタリング
出力にはＩ）Ｏ’ＦＮ、源を使用する。
このようにして形成された積層体につき、フォトエツチ
ングによシ所定のパターンを得る。寸ず、ｉｔｓ ５
ｒｖ ｔａ＋に示ずよりにフォトレジストで所定のパタ
ーンを形成後、このパターン部以外の領域のｃｕ。
ングによシ所定のパターンを得る。寸ず、ｉｔｓ ５
ｒｖ ｔａ＋に示ずよりにフォトレジストで所定のパタ
ーンを形成後、このパターン部以外の領域のｃｕ。
Ｔｉ、ＮｉＣｒＳｉ ｆぞれぞれのエッチャントを用い
てエツチングし、図示のようなパターンを得る。ここで
、パターン部以外の領域はポリイミド樹脂層、１なわち
絶＃′咬樹脂層α→が露出する。ここに、最後のＮｉＣ
ｒＳｉ層のエツチングにおいてフッ化水酸塩化第二鉄系
のエッチャントを用いるものであり、ポリイミド樹脂は
このエッチャントには侵さ−れることなく最適である。
てエツチングし、図示のようなパターンを得る。ここで
、パターン部以外の領域はポリイミド樹脂層、１なわち
絶＃′咬樹脂層α→が露出する。ここに、最後のＮｉＣ
ｒＳｉ層のエツチングにおいてフッ化水酸塩化第二鉄系
のエッチャントを用いるものであり、ポリイミド樹脂は
このエッチャントには侵さ−れることなく最適である。
ちなみに、公知の絶縁層である５ｉＯｚ層の場合にＣは
フッ化水酸塩化第二鉄系の侵蝕が倣しく使用できない。
フッ化水酸塩化第二鉄系の侵蝕が倣しく使用できない。
つづいて、第５図（痢に示すように、ストレンゲージ抵
抗体（８ａ）（８４）（８ｃ）（８ｉｉ）Ｓ温度センサ
（９）上層の６１層をＣｕのエッチャントを用いてエツ
チングし、図示のようなパターンを得る。これにより、
パターン上の必要箇所にはＴｉ膜が露出することになる
。この場合、ｃｕのエッチャントは塩化第二鉄系のもの
であシ、このエッチャントによυＴｉ膜を侵蝕すること
がないため、上述のような選択エツチングが可能であシ
、この膜構成は好都合である。このプロセスにょｐ温度
センサ（１９が完成する。さらに、ｔｏ５図ｆＧｌに示
すように、ストレンゲージ抵抗体（８ｃＬ）（８句（ｓ
ｃ）（ｓｄ）に積層されているＴｉ層をＴｉのエッチャ
ントでエツチングすることにより 、ＮｉＣｒＳｉによ
る第一抵抗層ｏＦ９が露出し、歪センサ回路が完成され
る。ここで、Ｔｉ膜のエツチングはフッ化水素酸の７Ｈ
釈液を用いるが、このエッチャントによりＮｉＣｒＳｉ
膜が侵蝕されることがなく、上述した選択エツチングが
可能となる。第６図は第５図（、）のＸ−又断面図を示
す。
抗体（８ａ）（８４）（８ｃ）（８ｉｉ）Ｓ温度センサ
（９）上層の６１層をＣｕのエッチャントを用いてエツ
チングし、図示のようなパターンを得る。これにより、
パターン上の必要箇所にはＴｉ膜が露出することになる
。この場合、ｃｕのエッチャントは塩化第二鉄系のもの
であシ、このエッチャントによυＴｉ膜を侵蝕すること
がないため、上述のような選択エツチングが可能であシ
、この膜構成は好都合である。このプロセスにょｐ温度
センサ（１９が完成する。さらに、ｔｏ５図ｆＧｌに示
すように、ストレンゲージ抵抗体（８ｃＬ）（８句（ｓ
ｃ）（ｓｄ）に積層されているＴｉ層をＴｉのエッチャ
ントでエツチングすることにより 、ＮｉＣｒＳｉによ
る第一抵抗層ｏＦ９が露出し、歪センサ回路が完成され
る。ここで、Ｔｉ膜のエツチングはフッ化水素酸の７Ｈ
釈液を用いるが、このエッチャントによりＮｉＣｒＳｉ
膜が侵蝕されることがなく、上述した選択エツチングが
可能となる。第６図は第５図（、）のＸ−又断面図を示
す。
この第６図に示すように、リードノくターン００層はＮ
ｉＣｒＳｉ ／ Ｔｉ ／Ｃｕの積層体であり、温度セ
ンサ（９）はＮｉＣｒＳｉ ／ Ｔｉ Ｏ，） ｒＲＩ
Ｈ体であり、ストレンゲージ抵抗体（８ｔＬ）（８’＋
４）（８ｃ）（８ｄ）はＮｉＣｒＳｉ層のみにより構成
されることになる。
ｉＣｒＳｉ ／ Ｔｉ ／Ｃｕの積層体であり、温度セ
ンサ（９）はＮｉＣｒＳｉ ／ Ｔｉ Ｏ，） ｒＲＩ
Ｈ体であり、ストレンゲージ抵抗体（８ｔＬ）（８’＋
４）（８ｃ）（８ｄ）はＮｉＣｒＳｉ層のみにより構成
されることになる。
したがって、本実施例によれば、ＮｉＣｒＳｉ層からな
る第一抵抗層０９は約２００μΩαと比抵抗が大きく、
かつ、抵抗温度係数が数ｐｐｍ／１？：と小さいため、
ストレンゲージ抵抗体（８ｅＬ） （８４）（８ｃ ）
’ （８ｄ）として好適である。さらに、スパッタリン
グ形成時、真空度、アルゴン分圧、スパッタリング速度
等の形成条件の依肴性が少ないため製造が容易である。
る第一抵抗層０９は約２００μΩαと比抵抗が大きく、
かつ、抵抗温度係数が数ｐｐｍ／１？：と小さいため、
ストレンゲージ抵抗体（８ｅＬ） （８４）（８ｃ ）
’ （８ｄ）として好適である。さらに、スパッタリン
グ形成時、真空度、アルゴン分圧、スパッタリング速度
等の形成条件の依肴性が少ないため製造が容易である。
また、Ｔ１膜は抵抗温度係数が膜厚１μのとき３０００
ｐｐｍ／℃と大きいため、温度センサ（９）として好適
である。
ｐｐｍ／℃と大きいため、温度センサ（９）として好適
である。
しかも、Ｃｕは比抵抗が小さく （２〜３ ｘ ｔｏ−
’Ωｃｒｎ）、パターン形成後もリード線半田付けが可
能であって安価でリードパターンα１として適している
。結局、ポリイミド樹脂層／ＮｉＣｒ５ｉ層ＺＴｉ層Ｚ
Ｃｕ層の膜構成によれば、それらの特性面から歪センサ
として好適であり、かつ、選択エツチングによるパター
ン形成で容易であるため、この面からも歪センサとして
好適である。
’Ωｃｒｎ）、パターン形成後もリード線半田付けが可
能であって安価でリードパターンα１として適している
。結局、ポリイミド樹脂層／ＮｉＣｒ５ｉ層ＺＴｉ層Ｚ
Ｃｕ層の膜構成によれば、それらの特性面から歪センサ
として好適であり、かつ、選択エツチングによるパター
ン形成で容易であるため、この面からも歪センサとして
好適である。
なお、本実施例では絶縁樹脂層Ｑ噌としてポリイミド樹
脂を用いたが、環化系ポリブタジェンゴムを用いてもよ
い。まず、ビーム体（１）のパターン形成面を平滑に研
磨し清浄に洗浄した後、粘度３００ｅｐに調整されたフ
ェス状の環化系ポリブタジェンゴムを滴下し、ビーム体
（１）ヲスピンナにより約１６０Ｏｒｐｍの回転速度で
回転させて環化系ポリブタジェンゴムをパターン形成面
に均一に塗布する。
脂を用いたが、環化系ポリブタジェンゴムを用いてもよ
い。まず、ビーム体（１）のパターン形成面を平滑に研
磨し清浄に洗浄した後、粘度３００ｅｐに調整されたフ
ェス状の環化系ポリブタジェンゴムを滴下し、ビーム体
（１）ヲスピンナにより約１６０Ｏｒｐｍの回転速度で
回転させて環化系ポリブタジェンゴムをパターン形成面
に均一に塗布する。
そして、８０℃で３０分溶剤を蒸発させた後、１８０℃
で１時間加熱硬化させ茗ことによｐ厚さ４μの環化系ポ
リブタジェンゴム膜を形成する。ついで、ポリイミド樹
脂の場合と同様に、スパッタリングにより第一、二抵抗
層α→ａ０、導体層αηを形成した後、フォトエツチン
グにより所定のパターンが形成される。この場合にもエ
ツチングに際し、環化系ポリブタジェンゴム膜がエッチ
ャントにより侵蝕されることはない。
で１時間加熱硬化させ茗ことによｐ厚さ４μの環化系ポ
リブタジェンゴム膜を形成する。ついで、ポリイミド樹
脂の場合と同様に、スパッタリングにより第一、二抵抗
層α→ａ０、導体層αηを形成した後、フォトエツチン
グにより所定のパターンが形成される。この場合にもエ
ツチングに際し、環化系ポリブタジェンゴム膜がエッチ
ャントにより侵蝕されることはない。
ところで、リードパターンαＱの抵抗値を小さくするに
は、パターン幅を大きくするか、膜厚を厚くすることが
考えられる。この場合、小型歪センーリなどのようにパ
ターン面積が限定されるときには、リードパターン叫の
膜厚を厚くすることが必要となる。ところが、たとえば
導体層助としてのＣｕ層を３μから５μの膜厚にすると
、膜形成時の企が蓄積されて剥離等の現象がしばしば発
生する。一方、歪の少ない導体層材料としてＡｕやＡＩ
！が公知であるが、Ａｕは高価であＩ）、Ａｌでは半田
付けでないものである。このような場合、導体層（１７
）としてはＡＩ！−Ｃｕ層を用い１＋、ばよい。たとえ
ば、絶縁樹脂層Ｈ−４μ、 ＮｉＣｒＳｉ層＝０．１４
．Ｔｉ層＝ｉｐ、Ａｔ層＝５μ、Ｃｕ層＝１μに積層形
成した後、前述したプロセスによる選択エツチングで所
定のパターンが得られたものでおる。ずなわら、歪のな
い厚膜化がＡＪ層により達成さｉｔ、半田付けはＣｕ層
の存在により確保される。この場合、 ＡＩ！のエッチ
ャントはリン酸−酢酸系のエッチャントが用いられ、こ
れによればＴｉ膜を侵蝕することなく選択エツチングが
可能となる。なおこのような４層の積層構造ＮｉＣｒＳ
ｉ ／ ＴＩ ／Ａｊ？／Ｃｕは、すべて同一真空槽内
で真空を破らずに連続して積層される場合は相互の膜間
の督着性は良好であるが、Ｎｉ（：ｒｓｉ ／ Ｔｉ／
Ａｌ！を同一真空槽内で連続して積層した後真空槽から
取出し、ＡＩ！層上にＣ１１層を積層した場合にはＡｌ
膜とＣｕ膜との間に密着不良を生じ易いことがわかった
ものである。一方、Ｃｕ膜を積層すＺ）前にＮｉあるい
はＴｉ膜を数１００人程度に形成し、Ｃｕ膜を積層した
場合には密着性が良好となったものである。したがって
、すべて同一真空槽内で積層形成しない場合には、Ｎｉ
ＣｒＳｉ ／’ｌ’ｉ／Ａｅ ／Ｎｉ ／ｃｕあるいは
ＮｉＣｒＳｉ／Ｔｉ／Ａ／’／Ｔｉ／Ｃｕの層構成が望
ましい。
は、パターン幅を大きくするか、膜厚を厚くすることが
考えられる。この場合、小型歪センーリなどのようにパ
ターン面積が限定されるときには、リードパターン叫の
膜厚を厚くすることが必要となる。ところが、たとえば
導体層助としてのＣｕ層を３μから５μの膜厚にすると
、膜形成時の企が蓄積されて剥離等の現象がしばしば発
生する。一方、歪の少ない導体層材料としてＡｕやＡＩ
！が公知であるが、Ａｕは高価であＩ）、Ａｌでは半田
付けでないものである。このような場合、導体層（１７
）としてはＡＩ！−Ｃｕ層を用い１＋、ばよい。たとえ
ば、絶縁樹脂層Ｈ−４μ、 ＮｉＣｒＳｉ層＝０．１４
．Ｔｉ層＝ｉｐ、Ａｔ層＝５μ、Ｃｕ層＝１μに積層形
成した後、前述したプロセスによる選択エツチングで所
定のパターンが得られたものでおる。ずなわら、歪のな
い厚膜化がＡＪ層により達成さｉｔ、半田付けはＣｕ層
の存在により確保される。この場合、 ＡＩ！のエッチ
ャントはリン酸−酢酸系のエッチャントが用いられ、こ
れによればＴｉ膜を侵蝕することなく選択エツチングが
可能となる。なおこのような４層の積層構造ＮｉＣｒＳ
ｉ ／ ＴＩ ／Ａｊ？／Ｃｕは、すべて同一真空槽内
で真空を破らずに連続して積層される場合は相互の膜間
の督着性は良好であるが、Ｎｉ（：ｒｓｉ ／ Ｔｉ／
Ａｌ！を同一真空槽内で連続して積層した後真空槽から
取出し、ＡＩ！層上にＣ１１層を積層した場合にはＡｌ
膜とＣｕ膜との間に密着不良を生じ易いことがわかった
ものである。一方、Ｃｕ膜を積層すＺ）前にＮｉあるい
はＴｉ膜を数１００人程度に形成し、Ｃｕ膜を積層した
場合には密着性が良好となったものである。したがって
、すべて同一真空槽内で積層形成しない場合には、Ｎｉ
ＣｒＳｉ ／’ｌ’ｉ／Ａｅ ／Ｎｉ ／ｃｕあるいは
ＮｉＣｒＳｉ／Ｔｉ／Ａ／’／Ｔｉ／Ｃｕの層構成が望
ましい。
本発明は、上述したようにビーム体上に絶縁樹脂層、Ｎ
ｉ（：ｒＳｉを主成分とする第一抵抗層、Ｔｉを主成分
とする第二抵抗層およびＣｕを主成分とする導体層を・
順次積層形成し、フォトエツチングによυ所定のパター
ンを形成したので、これらの層組合せに基づく特性面の
利点から歪センサに好適となυ、パターン形成も容易で
あシ、よって、高精度で信頼性の高い安価なものを提供
できるものであ、る。
ｉ（：ｒＳｉを主成分とする第一抵抗層、Ｔｉを主成分
とする第二抵抗層およびＣｕを主成分とする導体層を・
順次積層形成し、フォトエツチングによυ所定のパター
ンを形成したので、これらの層組合せに基づく特性面の
利点から歪センサに好適となυ、パターン形成も容易で
あシ、よって、高精度で信頼性の高い安価なものを提供
できるものであ、る。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は斜視図
、第２図は回路図、第３図は動作状態の側面図、第４図
は要旨を示す縦断側面図、第５図（ａ１〜（−１はフォ
トエツチングプロセスを示す平面図、第６図は第５図（
Ｃ１のｘ−ｘ’線断面図である。 １・・・ビーム体、 １４・・・絶縁樹脂層、１５・・
・第一抵抗層、１６・・・第二抵抗層、１７・・・導体
層］、、３鳥 ノもＬＬい イも５昆 ｏＢＯは ５１υ
、第２図は回路図、第３図は動作状態の側面図、第４図
は要旨を示す縦断側面図、第５図（ａ１〜（−１はフォ
トエツチングプロセスを示す平面図、第６図は第５図（
Ｃ１のｘ−ｘ’線断面図である。 １・・・ビーム体、 １４・・・絶縁樹脂層、１５・・
・第一抵抗層、１６・・・第二抵抗層、１７・・・導体
層］、、３鳥 ノもＬＬい イも５昆 ｏＢＯは ５１υ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ビーム体上に絶縁樹脂層、ＮｉＣｒＳｉを主成分と
する第一抵抗層、Ｔｉを主成分とする第二抵抗層および
Ｃｕを主成分とする導体層を順次積層形成し、フォトエ
ツチングにより所定のパターンを形成したことを特徴と
する歪センサ。 ２ 絶縁４ｍｌ脂層がポリイミド樹脂により形成される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の歪センサ
。 ３ 絶縁樹脂層が環化系ポリブタジェンゴムにより形成
されることを特徴とする特許請求の１ｉｉ４囲第１項第
１の歪センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18585582A JPS5975676A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 歪センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18585582A JPS5975676A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 歪センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975676A true JPS5975676A (ja) | 1984-04-28 |
| JPH0259634B2 JPH0259634B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=16178053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18585582A Granted JPS5975676A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 歪センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975676A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6440042U (ja) * | 1987-09-07 | 1989-03-09 | ||
| JPS6467985A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-14 | Nec Corp | Electrostrictive effect element |
| US5640178A (en) * | 1994-09-16 | 1997-06-17 | Fujitsu Limited | Pointing device |
| JP2019132790A (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP18585582A patent/JPS5975676A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6440042U (ja) * | 1987-09-07 | 1989-03-09 | ||
| JPS6467985A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-14 | Nec Corp | Electrostrictive effect element |
| US5640178A (en) * | 1994-09-16 | 1997-06-17 | Fujitsu Limited | Pointing device |
| JP2019132790A (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| WO2019151345A1 (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ |
| US11326967B2 (en) | 2018-02-02 | 2022-05-10 | Minebea Mitsumi Inc. | Strain gauge with improved temperature effect detection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0259634B2 (ja) | 1990-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4019168A (en) | Bilayer thin film resistor and method for manufacture | |
| JPH07201529A (ja) | 抵抗器 | |
| JPS62226029A (ja) | ロ−ドセルの温度補正方法 | |
| CN103325507B (zh) | 一种高稳定性的薄膜电阻器及其制造方法 | |
| JP3473485B2 (ja) | 薄膜抵抗体およびその製造方法 | |
| JP4232871B2 (ja) | 埋込抵抗体を形成するエッチング溶液 | |
| JPS5975676A (ja) | 歪センサ | |
| US4374159A (en) | Fabrication of film circuits having a thick film crossunder and a thin film capacitor | |
| JPS5975104A (ja) | 歪センサ | |
| JP2000146511A (ja) | 歪ゲージ | |
| Bethe et al. | Thin-film strain-gage transducers | |
| JP3229460B2 (ja) | 歪みゲージ | |
| JPS6334414B2 (ja) | ||
| GB1586857A (en) | Resistive films | |
| JPH07131155A (ja) | 多層配線基板の製造方法及び多層配線基板 | |
| JPS6225977B2 (ja) | ||
| JPH0258304A (ja) | 薄膜白金温度センサ | |
| JPH01208808A (ja) | 薄膜白金温度センサ | |
| JPH0327857B2 (ja) | ||
| SU804718A1 (ru) | Способ формировани тензорезисто-POB | |
| JPH08148795A (ja) | 薄膜回路基板 | |
| JPH0129249B2 (ja) | ||
| WO1998009298A1 (fr) | Resistance pastille et son procede de fabrication | |
| JPH0268901A (ja) | 薄膜抵抗の製造方法 | |
| JPH0240232B2 (ja) |