JPS5970026A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
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- JPS5970026A JPS5970026A JP57178403A JP17840382A JPS5970026A JP S5970026 A JPS5970026 A JP S5970026A JP 57178403 A JP57178403 A JP 57178403A JP 17840382 A JP17840382 A JP 17840382A JP S5970026 A JPS5970026 A JP S5970026A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
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- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
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- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
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- H03B2201/033—Varying beside the frequency also another parameter of the oscillator in dependence on the frequency the parameter being the amount of feedback
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スーパーバント、ハイパーバントを1バンド
で受信するテレビジ嘗ンチェーナの発振回路忙関する。
で受信するテレビジ嘗ンチェーナの発振回路忙関する。
最近、CATV放送の普及はめざましり、Cに■をモ受
信できるテレビジョンチェーナの要求が高まっている。
信できるテレビジョンチェーナの要求が高まっている。
受信チャネルもスーパーバント、ハイパーバンドを受信
できるものが望まれている。
できるものが望まれている。
第1図により、スーパーバンド、ハイパーバンドを1バ
ンドで受信するチューナの局部発振回路の問題点につき
説明する。第1図にはチューナで一般的に用いられるク
ラップ発振回路である。1は発振用トランジスタ、2は
トランジスタ1を駆動する電源電圧供給端子である。3
゜4はトランジスタ10ベース電圧を決める抵抗であり
、5はエミッタ抵抗である。6はコレクタを接地する大
容量コンデンサ、7はエミッタコンデンサ、8はエミッ
タ・ベース帰還コンデンサ、壕だ、9はトランジスタと
タンク回路の結合コンデンサである。そして、10はタ
ンク回路の同調ダイオード、11は発振周波数変化範囲
補正用のコンデンサ、12は同調コイルである。
ンドで受信するチューナの局部発振回路の問題点につき
説明する。第1図にはチューナで一般的に用いられるク
ラップ発振回路である。1は発振用トランジスタ、2は
トランジスタ1を駆動する電源電圧供給端子である。3
゜4はトランジスタ10ベース電圧を決める抵抗であり
、5はエミッタ抵抗である。6はコレクタを接地する大
容量コンデンサ、7はエミッタコンデンサ、8はエミッ
タ・ベース帰還コンデンサ、壕だ、9はトランジスタと
タンク回路の結合コンデンサである。そして、10はタ
ンク回路の同調ダイオード、11は発振周波数変化範囲
補正用のコンデンサ、12は同調コイルである。
端子15には同調電圧が印加され、抵抗14を介して同
調ダイオード10に加わり、同調容量を変えて発振周波
数を変化させる。発振電力は0.5−1PFの小容量の
結合コンデンサ15を通り端子16より出力する。第1
図に示した発振回路において、結合コンデンサ9を大き
く選んだ場合には同調電圧が0■〜3DVにわたり発振
するが、コンデンサ7.8、あるいはトランジスタ1の
入力容量などの影響が大きくなり、260〜480MH
zにわたるスーパー、ハイパーバンドの発振周波数変化
を得ることが困雛となる。そこで、同調ダイオードとし
ては、端子13に加える同調電圧の2〜25Vに対して
25〜5PFの容量変化を持つもノヲ使用し、結合コン
デンサ9の容量値を小さく選ぶ。この様にすることによ
り、コンデンサ9、同調ダイオード10、コンデンサ1
1およびコイル12から成るタンク回路の負荷Qが1%
に同調電圧が低く、同調ダイオードの容量の大きくなる
発振周波数範囲の低域において増大し、発振回路の損失
が大きくなって、発振条件な満〔発明の目的〕 本発明の目的は、スーパー、ノ)イバーバンドにおいて
も良好な発振特性が得られるクラップ発振回路を提供す
ることにある。
調ダイオード10に加わり、同調容量を変えて発振周波
数を変化させる。発振電力は0.5−1PFの小容量の
結合コンデンサ15を通り端子16より出力する。第1
図に示した発振回路において、結合コンデンサ9を大き
く選んだ場合には同調電圧が0■〜3DVにわたり発振
するが、コンデンサ7.8、あるいはトランジスタ1の
入力容量などの影響が大きくなり、260〜480MH
zにわたるスーパー、ハイパーバンドの発振周波数変化
を得ることが困雛となる。そこで、同調ダイオードとし
ては、端子13に加える同調電圧の2〜25Vに対して
25〜5PFの容量変化を持つもノヲ使用し、結合コン
デンサ9の容量値を小さく選ぶ。この様にすることによ
り、コンデンサ9、同調ダイオード10、コンデンサ1
1およびコイル12から成るタンク回路の負荷Qが1%
に同調電圧が低く、同調ダイオードの容量の大きくなる
発振周波数範囲の低域において増大し、発振回路の損失
が大きくなって、発振条件な満〔発明の目的〕 本発明の目的は、スーパー、ノ)イバーバンドにおいて
も良好な発振特性が得られるクラップ発振回路を提供す
ることにある。
クラップ発振回路のトランジスタのエミッタと同調ダイ
オードの低電位点をコンデンサで接続し、同調ダイオー
ドの容量値が大きい発振周波数帯の低域でエミッタにお
ける帰還電圧を高めて発振を可能にする。
オードの低電位点をコンデンサで接続し、同調ダイオー
ドの容量値が大きい発振周波数帯の低域でエミッタにお
ける帰還電圧を高めて発振を可能にする。
以下、本発明の実施例を第2図により説明する。第2図
において第1図と同一の機能のものは同一番号を付す。
において第1図と同一の機能のものは同一番号を付す。
第1図と異なるのはトランジスタ1のエミッタとダイオ
ード10およびコンデンサ11の接続点との間にコンデ
ンサ17を設けたことである。
ード10およびコンデンサ11の接続点との間にコンデ
ンサ17を設けたことである。
コンデンサ17はコンデンサ8および9によるトランジ
スタ10ベースからエミッタへの帰還でエミッタに現わ
れる発振電圧の補正、つまり帰還量の補正を行なうもの
である。発振周波数範囲におげろ高域では同調ダイオー
ドの容量が31F、コンデンサ11の容量が56pF8
度なので、同調ダイオード10とコンデンサ11の接続
点の発振電圧は十分に低く、したがって、この電圧をコ
ンデンサ7を介してトランジスタ1のエミッタに供給し
ても何ら影響がない。
スタ10ベースからエミッタへの帰還でエミッタに現わ
れる発振電圧の補正、つまり帰還量の補正を行なうもの
である。発振周波数範囲におげろ高域では同調ダイオー
ドの容量が31F、コンデンサ11の容量が56pF8
度なので、同調ダイオード10とコンデンサ11の接続
点の発振電圧は十分に低く、したがって、この電圧をコ
ンデンサ7を介してトランジスタ1のエミッタに供給し
ても何ら影響がない。
ところが、低域周波数帯では同調ダイオード10の容量
値が25 pF程度になるためにコンデンサ11と同調
ダイオード10の接続点に現われる発振電圧はコンデン
サ17を介してトランジスタ1のエミッタに供給され、
コンデンサ9を小さく選び、同調ダイオード10の容量
値を大きくしたことによるタンク回路の負荷Qの増大に
伴なうエミッタにおける発振電圧の低下を補ぎない、発
振を可能にする。
値が25 pF程度になるためにコンデンサ11と同調
ダイオード10の接続点に現われる発振電圧はコンデン
サ17を介してトランジスタ1のエミッタに供給され、
コンデンサ9を小さく選び、同調ダイオード10の容量
値を大きくしたことによるタンク回路の負荷Qの増大に
伴なうエミッタにおける発振電圧の低下を補ぎない、発
振を可能にする。
第3図に端子16において測定した発振電力の対同調電
圧特性を示す。横軸は同調電圧、縦軸は発振電力である
。同図において、破線は第1図での特性、実線は第2図
における本発明による発振回路の特性である。ここでは
結合コンデンサ9として4PF’、コンデンサ17とし
て18PF’。
圧特性を示す。横軸は同調電圧、縦軸は発振電力である
。同図において、破線は第1図での特性、実線は第2図
における本発明による発振回路の特性である。ここでは
結合コンデンサ9として4PF’、コンデンサ17とし
て18PF’。
コンデンサ7,8.11としてそれぞれ6pF、9Pp
、’ 56PPを用いた。第1図の回路では同調電圧
が10V以下で発振が停止しているが、第2図の本発明
の発振回路ではスーパー、ハイパーバンドの同調電圧2
V〜25Vにわたりほぼ良好な発振電力が得られている
。
、’ 56PPを用いた。第1図の回路では同調電圧
が10V以下で発振が停止しているが、第2図の本発明
の発振回路ではスーパー、ハイパーバンドの同調電圧2
V〜25Vにわたりほぼ良好な発振電力が得られている
。
本発明によれば、発振用トランジスタのエミッタと同調
ダイオードおよびその直列接続コンデンサの接続点をコ
ンデンサを介して接続することにより、広い発振周波数
範囲を必要とする発振回路の発振条件を最適にして良好
な発振特性が得られる。
ダイオードおよびその直列接続コンデンサの接続点をコ
ンデンサを介して接続することにより、広い発振周波数
範囲を必要とする発振回路の発振条件を最適にして良好
な発振特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の発振回路の回路図、第2図は本発明に
よる発振回路の回路図、第3図は、第1図および第2図
の発振回路の発振特性を示す特性図である。 1・・・トランジスタ 10・・・同調ダイオード1
7・・・本発明によるコンデンサ 9・・・結合コンデンサ 第1図 オこ囚 第3口 同言閏電JL (T)
よる発振回路の回路図、第3図は、第1図および第2図
の発振回路の発振特性を示す特性図である。 1・・・トランジスタ 10・・・同調ダイオード1
7・・・本発明によるコンデンサ 9・・・結合コンデンサ 第1図 オこ囚 第3口 同言閏電JL (T)
Claims (1)
- トランジスタのコレクタが第1のコンデンサで高周波的
に接地され、エミッタが第2のコンデンサを介して接地
され、エミッタ・ベース間が第3のコンデンサで接地さ
れ、さらに、ベースは第4のコンデンサを介してコイル
で接地され、第4のコンデンサと該コイルの接続点と接
地間に同調ダイオードと第5のコンデンサの直列接続回
路が接続されてなるクラップ発振回路において、該トラ
ンジスタのエミッタと該同調ダイオードと第5のコンデ
ンサの接続点に第6の容量が接続されていることを特徴
とする軸振回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57178403A JPS5970026A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 発振回路 |
CA000438879A CA1215145A (en) | 1982-10-13 | 1983-10-12 | Tv tuner oscillator with feedback for more low frequency power |
US06/541,440 US4564822A (en) | 1982-10-13 | 1983-10-13 | TV Tuner oscillator with feedback for more low frequency power |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57178403A JPS5970026A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 発振回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5970026A true JPS5970026A (ja) | 1984-04-20 |
JPS6357964B2 JPS6357964B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=16047885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57178403A Granted JPS5970026A (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 発振回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4564822A (ja) |
JP (1) | JPS5970026A (ja) |
CA (1) | CA1215145A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4625183A (en) * | 1985-06-21 | 1986-11-25 | Capetronic (Bsr) Ltd. | Low-cost VCO using lumped elements in microwave band |
US4743866A (en) * | 1986-11-26 | 1988-05-10 | Rca Corporation | Wide range oscillator |
US6489853B1 (en) | 2002-03-19 | 2002-12-03 | Z-Communications, Inc. | Low phase noise oscillator |
JP6038493B2 (ja) * | 2012-06-04 | 2016-12-07 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 同調回路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3103637A (en) * | 1958-11-19 | 1963-09-10 | Rca Corp | Wide band electric tuning utilizing diodes |
GB1121439A (en) * | 1965-08-03 | 1968-07-24 | Int Standard Electric Corp | Electronic tunable oscillator circuit |
FR2080065A5 (ja) * | 1970-02-23 | 1971-11-12 | Philips Nv | |
JPS4955209A (ja) * | 1972-09-29 | 1974-05-29 | ||
JPS5528677A (en) * | 1978-08-22 | 1980-02-29 | Nec Corp | Frequency conversion circuit |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57178403A patent/JPS5970026A/ja active Granted
-
1983
- 1983-10-12 CA CA000438879A patent/CA1215145A/en not_active Expired
- 1983-10-13 US US06/541,440 patent/US4564822A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6357964B2 (ja) | 1988-11-14 |
CA1215145A (en) | 1986-12-09 |
US4564822A (en) | 1986-01-14 |
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