JPS5961116A - Method of producing chip type solid electrolytic condenser - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明はチップ型固体電解コンデンサの製造方法、特（
こ陽極用リード端子を必要としないで構成されたコンデ
ンサの量産的方法ｌこ関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Technical field of the invention The present invention relates to a method for manufacturing a chip-type solid electrolytic capacitor, particularly (
This invention relates to a method for mass-producing a capacitor that does not require an anode lead terminal.

（ｂン　技術の背景 混成集！ｌ！回路基板やプリント板Ｃこ搭載されるチッ
プ型固体電解コン，デンサは、弁作用を有する陽極体ｌ
こ接続さ九たリード端子（リード線）を有する構造のも
のが一般的であった。(b) A collection of technical backgrounds! The chip-type solid electrolytic capacitors and capacitors mounted on circuit boards and printed boards have an anode body with valve action.
A structure having nine lead terminals (lead wires) for connection was common.

しかし、かかるコンデンサは陰極とリード端子とをはん
だ付は等の手段ｌこて所定の回路パターンｌこ接続する
ための手段、例えばリード端子に適当な曲げ加工を施し
て該リード端子の接続部が陰極面と一致するように１．
たり、前記基板等のコンデンサ搭載面ζこ直状リード端
子が接続されるパッドを予め形成する等の手段を必要と
した。のみならず、陽極体ｔこタンタルを用いたコンデ
ンサはその製造工程で必要となるタンタル細を介しては
んだ付は可能なリード端子を陽極体に縦ぐ必要があり、
アルミニウムを陽極体としたコンデンサ６旧オんだ付け
ＨＪ能なリード端子を陽極体に直接接続できる反面、＃
接続した部分をテフロン等で保護したのち陽極体の波面
等を施す必要があった。従って、これらのコンデンサに
対し所定面へ搭載する、及び作成する際の前記欠点を改
善したいという要望力、ユーザ及びメーカの双方にあっ
た。However, such a capacitor requires a method such as soldering the cathode and the lead terminal to a predetermined circuit pattern. 1. to match the cathode surface.
In addition, it is necessary to form in advance a pad to which a straight lead terminal is connected to the capacitor mounting surface ζ of the substrate or the like. In addition, for capacitors using tantalum as an anode body, it is necessary to extend lead terminals that can be soldered to the anode body through tantalum thin strips required in the manufacturing process.
Capacitors with aluminum anode body
It was necessary to protect the connected part with Teflon, etc., and then apply the wave surface of the anode body. Therefore, both users and manufacturers have a strong desire to improve the above-mentioned drawbacks when mounting and manufacturing these capacitors on a predetermined surface.

そこで、本出願人は陽極と陰極とをほぼ同一面ｌこ形成
し、前記リード端子が不要となる構造のチップ型固体電
解コンデンサを昭和５７年５月２８日に出願（出願番号
；特願昭ｆｉ７−０９０６９３）した。Therefore, the present applicant filed an application on May 28, 1981 (application number: patent application number: fi7-090693).

第１図は前記出願したチップ型固体電解コンデンサの代
表的構造例を示す断面図であり、コンデンサｌは弁作用
金属ζこてなる柱状陽極体２の中間部ｌこ鉢巻き環状テ
フロン３を固着し、テフロン３で仕切られた一方の陽極
体表面に誘電体層４を設け、その表面に半導体層５を設
け、その表面ζこグラファイト層６と銀層７とはんだ層
８とでなる導体層（陰極層）９が設けられている。そし
て、テフロン３で仕切られた他方の陽極体表面には半導
体層５′を設け、その表面ζこグラファイト層６′と銀
層７′とはんだ層８′にてなる導体層（陽極層）９′が
設けらｎている。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a typical structural example of the chip-type solid electrolytic capacitor filed above, in which the capacitor l has a headband-shaped ring-shaped Teflon 3 fixed to the middle part of a columnar anode body 2 made of a valve metal ζ. , a dielectric layer 4 is provided on the surface of one anode body partitioned by Teflon 3, a semiconductor layer 5 is provided on the surface, and a conductor layer (ζ) consisting of a graphite layer 6, a silver layer 7 and a solder layer 8 A cathode layer) 9 is provided. A semiconductor layer 5' is provided on the surface of the other anode body partitioned by Teflon 3, and a conductor layer (anode layer) 9 consisting of a graphite layer 6', a silver layer 7', and a solder layer 8' is provided on the surface of the semiconductor layer 5'. ' is provided.

（ｅＪ　　発明の目的 本発明の目的は、第１図に示す如（＋１−ド端子を具備
しない構造のチップ型固体電解コンデンサを、高卵率に
生産する方法を提供することである。(eJ) OBJECTS OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for producing a chip-type solid electrolytic capacitor having a structure without a +1- terminal as shown in FIG. 1 at a high production rate.

（１）発明の構成 上記目的は、弁作用を有する金属板の不要部分を除去し
て複数の櫛歯体がそれぞれ一端で連結された櫛形状に形
成し、該櫛歯体の各中間部に電気的絶縁性樹脂の鉢巻き
環状体を被着して櫛歯体先端部と櫛歯体根本部に仕切り
、少なくとも該先端部表面には銹箱；体層と半導体層と
−ｊ７体層とを積層形成し、該根本部の連結部で切断し
たことを特徴とするチップ型固体電解コンデンサの製造
方法により達成さｎ、る。(1) Structure of the Invention The above object is to remove unnecessary portions of a metal plate having a valve action and form a comb shape in which a plurality of comb teeth bodies are connected at one end, and to form a comb shape in which a plurality of comb teeth bodies are connected at one end. A headband annular body made of electrically insulating resin is applied to partition the tip of the comb tooth body and the base of the comb tooth body, and at least the surface of the tip portion is provided with a rust box; a body layer, a semiconductor layer, and a −j7 body layer. This is achieved by a method for manufacturing a chip-type solid electrolytic capacitor, which is characterized in that the capacitor is laminated and cut at the connecting portion of the base portion.

（ｅ）　　発明の実施列 以下、図面を用いて本発明方法を説明する。(e) Implementation sequence of the invention The method of the present invention will be explained below using the drawings.

第２図は第１図に示したコンデンサとともに本発明方法
の対称ζなるコンデンサの構成例を示す側断面図であり
、第１図と共通部分には同一符号を記入したものである
。FIG. 2 is a side sectional view showing an example of the configuration of a symmetrical capacitor ζ according to the method of the present invention together with the capacitor shown in FIG. 1, and parts common to those in FIG. 1 are given the same reference numerals.

第２図（イ）において、コンデンサ１１は環状テフロン
３で仕切られた陽極体２の一方の表面に誘電体層４と半
導体層５と導体Ｗ４９を積層形成し、他方の表面Ｃ・こ
は導体Ｍ９’を形成して構成されたものである。In FIG. 2(A), the capacitor 11 is formed by laminating a dielectric layer 4, a semiconductor layer 5, and a conductor W49 on one surface of an anode body 2 partitioned by a ring-shaped Teflon 3, and a conductor W49 on the other surface. It is constructed by forming M9'.

第２図（ロ）において、コンデンサ２１は１対のコンテ
ンツ゛の陽極体を直結した無極性構造であり、環状テフ
ロン３で仕切られた陽極体２の一方の表面に誘電体層４
と半導体層５と導体層９を積層形成し、他方の表面に誘
電体層４′と半導体層５′と導体Ｍ　９　／を形成して
構成されたものである。In FIG. 2(B), the capacitor 21 has a non-polar structure in which a pair of anode bodies of content 2 are directly connected, and a dielectric layer 4 is formed on one surface of the anode body 2 separated by a ring Teflon 3.
, a semiconductor layer 5 and a conductor layer 9 are laminated, and a dielectric layer 4', a semiconductor layer 5', and a conductor M 9 / are formed on the other surface.

なお、第１図及び第２図において導体層９と９′は、グ
ラファイト層と＠層とはんだ層を積層形成されているが
、はんだ層を除く２層構呼のものもある。In FIGS. 1 and 2, the conductor layers 9 and 9' are formed by laminating a graphite layer, an @ layer, and a solder layer, but there are also two-layer structures excluding the solder layer.

第３図１は本発明方法の主要工程を＋ｌｒｔ次示した平
面図であり、本発明方法になるコンデンサはまずＷ、３
図（イ）に示す如く、弁作用を有する所要厚さの帯状金
属板の不要部分をプレス加工等にて除去し、複数個の櫛
歯状陽析体３２の各一端が連結部材３！に連結された櫛
状体３１を作成する。FIG. 3 is a plan view showing the main steps of the method of the present invention in +lrt order.
As shown in Figure (a), unnecessary parts of a belt-shaped metal plate having a required thickness and having a valve action are removed by press working or the like, and one end of each of the plurality of comb-shaped positive specimens 32 is attached to the connecting member 3! A comb-like body 31 connected to is created.

次いで第３図（ロ）ｌこ示す如く、各陽極体３２の中間
部にζ誘電体層及び半導体層を形成させる等の後工程に
耐える撥水（、耐熱性、耐酸性を有するテフロン等の電
気的絶縁性樹脂の鉢巻き環状体い状テフロン）３４を別
途形成品の嵌着、又は樹脂液を塗付・乾燥（例えば２時
間の自然乾燥）したの含焼付け（例えば２００℃で３０
分間）で被着する。Next, as shown in FIG. 3(b), a dielectric layer and a semiconductor layer are formed in the middle part of each anode body 32 using a water-repellent material (such as Teflon, etc.) that has water repellency, heat resistance, and acid resistance. A separately formed product is fitted with an electrically insulating resin headband (Teflon) 34, or a resin solution is applied and dried (for example, air drying for 2 hours) and then baked (for example, at 200°C for 30 minutes).
Deposition takes place (minutes).

次いで、所要（こより誘電体層が形成される陽極体３２
表面をエツチング手段で波面させたのち第３図（ハ）に
示す如く、テフロン３４で仕切らｎた各陽極体３２の先
端部及び根本部に、誘電体層と半導体層の所υ層を所定
′ｔＬｌこ浸漬して及び該浸漬したのち熱分解させる従
来手段で形成し、該所要層の表面に導体層３５と３６を
所定液（こ浸ｍする従ぞ 来手段で被着される。なおそれぞ扛の前記Ｄ１足液、即
ち弱酸系化成液や硝酸マンガン液やコロイダルグラファ
イト液及び溶融はんた液等に、連結をれた複数個の陽極
体３２を各層形成部位まで同時浸漬ζせるには、陽極体
３２が垂下するように櫛状体３１の連結部材３３を保持
し、該保持する機構を適宜艙だけ上丁動さゼて行なう。Next, the anode body 32 on which the dielectric layer is formed as required (from which the dielectric layer is formed)
After the surface is made corrugated by etching means, as shown in FIG. The conductor layers 35 and 36 are formed on the surface of the required layer by a conventional method of dipping in a predetermined liquid and then thermally decomposed. A plurality of connected anode bodies 32 are simultaneously immersed in the D1 foot solution, that is, a weak acidic chemical solution, a manganese nitrate solution, a colloidal graphite solution, a molten solder solution, etc. up to the layer forming portion. The connecting member 33 of the comb-like body 31 is held so that the anode body 32 hangs down, and the holding mechanism is moved upward by an appropriate amount.

次いて、第３図に）Ｉこ示す如く各陽極体（３２）の連
結部（根本部中間）を切断し、チップ型固体ｉＩｃＭコ
ンデンサ３７が完成する。Next, as shown in FIG. 3), the connecting portion (midway of the base) of each anode body (32) is cut to complete the chip-type solid-state iIcM capacitor 37.

なお、導体層３５と３６はグラファイト層に銀層を積層
１−また構成を基本とし、必要（こ応じて銀層の表面に
はんだ層が積層される。ただし、微細な間隙や孔にも浸
透して付着することを特命とするグラファイト層は、半
導体層の微細凹凸を埋め、高い導電性とはんだ付は性を
有する鋼層の密着性を確保する中間層である。従って、
陽極体３２の表面に直接被着される導体層３６は銀層の
み、又は銀層にはんだ層を積層して構成にすることがで
きる。The conductor layers 35 and 36 are basically composed of a graphite layer laminated with a silver layer, and a solder layer is laminated on the surface of the silver layer as necessary. The graphite layer is an intermediate layer that fills the fine irregularities of the semiconductor layer and ensures the adhesion of the steel layer, which has high conductivity and solderability.
The conductor layer 36 directly deposited on the surface of the anode body 32 can be composed of only a silver layer or a solder layer laminated on the silver layer.

また、導体／ＦＪ３５と３６の双方下方（こ形成される
誘電体層と半導体層は、環状テフロン３４を挾んでそれ
ぞれ同時形成させることができる。しかし、前記銀層は
高導電性であり導体層３５と３６の双方へ同時形成しｆ
こコンデンサに等体層間り）絶縁性がやや低下し、静電
容置が０．５〜０．７μＦて埃δが５％以下である該コ
ンデンサの漏れ電流は約１μＡであった。そこで、導体
層３５と３６そｎぞれの銀層を別工程で形成させたとこ
ろ、前記コンデンサの漏れ電流は約０．５μＡ）こ向上
した。Further, the dielectric layer and the semiconductor layer formed below both the conductors/FJs 35 and 36 can be formed simultaneously by sandwiching the annular Teflon 34. However, the silver layer is highly conductive and the conductor layer is Simultaneously formed on both 35 and 36 f
The leakage current of this capacitor was about 1 μA, with a capacitor having a capacitance of 0.5 to 0.7 μF and a dust δ of 5% or less. Therefore, when the silver layers of the conductor layers 35 and 36 were formed in separate steps, the leakage current of the capacitor was improved by about 0.5 μA).

さらに捷た、環状テフロン３４は陽極体３２の表面に誘
電体層を形成しその表面に半導体層を形成する工程にお
いて微細なりラックの発生することがあり、該クラック
がコロイダルグラファイト液に浸漬されるようにして導
体Ｗ１３５及び３６のグラファイト層を形成させると、
浸透性の良い該グラファイト液が該クラックに浸入し、
コンデンサ不良率の一要因（こなった。そこで第３図と
同等部分には同一符号を用いた＠４しｌの工程説明図に
示す方法、即ちまず第４図（イ）に示す如く、環状テフ
ロン３８　（第３図のテフロン３４の厚さ方向内側部分
に相当）で仕切られた陽極体３２の先端部表面に、誘電
体層３９（第１図の誘電体層４に相当）と半導体層４０
（第１図の半導体層５に相当）をｆｖＩｖｉ形成し、Ｉ
’！３　橋体３２の根本部表面には半導体／？！４０’
（第１図の半導体層５′に相当）を形成させる。ただし
、テフロン３８のＩ’ｆさは防電体層３９．４二半導体
層４０の積層厚さと同等以上にする。次いで第４図（ロ
）（こ示す如く、テフロン３８の表面ｔこテフロン３８
と同質のテフロン液を塗付・乾燥させて環状テフロン３
８′（第３図のテフロン３４の）ワさ方向外側に相当）
を積層形成したのち、第４図（ハ）に示す如く半導体層
４０及び４０′の表面に、グラファイト液へ浸漬・焼付
けして、グラファイト層４１と４１′（第１図のグラフ
ァイト層６と６′に相当）を被着形成し、その表面それ
ぞれに銀層４２及び４２′（第１図の銀層６と６′に相
）被着させる。ただし、テフロン３８′の厚さはグラフ
ァイト層４１と銀層４２を含んで構成する導体層（３５
）の積層厚さと同等以上である。そして、テフロン３８
と３８′の２層構成にされたコンデンサは、半導体Ｍ３
９と３９′の被着により形成されたテフロン３８の欠陥
をテフロン３８′が補修するため、第３図に示す如く１
体形成されたテフロン３４ｉこてなるコンデンサｆこ比
べて不良率が低下（例えば不良率２〜３チ→１チ以下）
する。Furthermore, in the process of forming a dielectric layer on the surface of the anode body 32 and forming a semiconductor layer on the surface of the annular Teflon 34 that has been twisted, fine cracks may occur, and the cracks may be immersed in the colloidal graphite liquid. When the graphite layers of conductors W135 and 36 are formed in this way,
The graphite liquid with good permeability penetrates into the crack,
One of the causes of capacitor failure rate (this happened. Therefore, the method shown in the process explanatory diagram of @4shil, in which the same symbols are used for the same parts as in Fig. 3, is used. First, as shown in Fig. 4 (a), annular A dielectric layer 39 (corresponding to dielectric layer 4 in FIG. 1) and a semiconductor layer are formed on the front end surface of the anode body 32 partitioned with Teflon 38 (corresponding to the inner part in the thickness direction of Teflon 34 in FIG. 3). 40
(corresponding to the semiconductor layer 5 in FIG. 1) is formed by fvIvi, and I
'! 3 There is a semiconductor/? ! 40'
(corresponding to the semiconductor layer 5' in FIG. 1) is formed. However, the I'f of the Teflon 38 is set to be equal to or greater than the laminated thickness of the electric shield layer 39, 4 and the two semiconductor layers 40. Next, in FIG. 4 (b), as shown, the surface of the Teflon 38 is
Apply and dry Teflon solution of the same quality as Cyclic Teflon 3.
8' (corresponds to the outside in the width direction of Teflon 34 in Figure 3)
After laminating the semiconductor layers 41 and 41' (graphite layers 6 and 6 in FIG. Silver layers 42 and 42' (corresponding to silver layers 6 and 6' in FIG. 1) are deposited on their respective surfaces. However, the thickness of Teflon 38' is the same as the conductor layer (35
) is equivalent to or greater than the lamination thickness of And Teflon 38
The capacitor with a two-layer structure of 38' and 38' is a semiconductor M3
In order for Teflon 38' to repair the defects in Teflon 38 formed by the adhesion of Teflon 9 and 39', as shown in FIG.
The defective rate is lower than that of Teflon 34i capacitors (e.g. defective rate of 2 to 3 inches → 1 inch or less)
do.

さらにまた、第３図に示した導体層３５と３６を構成す
る一方の銀層にニッケル等の磁性粉を混入、即ち何れか
一方の６層形成用銀塗料に磁性粉を混入し該双方の銀層
を別工程で塗付することにより、導体層３５と３６の一
方を磁気的ｆこ自動判別できるコンデンサが得らｎる。Furthermore, magnetic powder such as nickel is mixed into one of the silver layers constituting the conductor layers 35 and 36 shown in FIG. By applying the silver layer in a separate process, a capacitor is obtained in which one of the conductor layers 35 and 36 can be automatically discriminated magnetically.

（ｆ）　　発明の詳細 な説明した如く本発明方法によれば、複数個の閤析体の
該陽極体の一連が連結される連結部材とを帯状金属板か
ら形成し、各陽極体表面に各種の所要層をパ、ｙチプロ
セスにて形成したのち、各陽極体連結部を切断してチッ
プ型固体電解コンデンサが完成さｎる。従って、個片Ｉ
こされた陽極体を使用する従来のチップ型固体電解コン
デンサ・バッチプロセスにおいて、帯状の連結部劇に陽
極体を接続するための線材及び該線材（陽極用リード線
を有するコンデンサは該リード、ｌｉ！ｉｔ）を該連結
部材へ接続する作業が不要となり、プリント板回路等に
接続される１対の導体層をほぼ同一面に配設したコンデ
ンサのＷ１産化を実坊した効果は極めて大きい。(f) As described in detail, according to the method of the present invention, a connecting member to which a series of anode bodies of a plurality of plated bodies are connected is formed from a band-shaped metal plate, and various types of coatings are applied to the surface of each anode body. After forming the required layers by the process, each anode body connecting portion is cut to complete a chip type solid electrolytic capacitor. Therefore, individual piece I
In the conventional chip-type solid electrolytic capacitor batch process that uses the anode body, the wire rod for connecting the anode body to the strip-shaped connecting part and the wire rod (for capacitors with an anode lead wire, the lead, li !it) to the connecting member is no longer necessary, and the effect of realizing W1 production of a capacitor in which a pair of conductor layers connected to a printed board circuit etc. are disposed on almost the same plane is extremely large.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は々１部排続される１対の２を体層をほぼ同一面
（こ形成したチップ型固体電解コンデンサの構成例を示
す９１＋断面図、第２図は前記コンデンサとともに本発
明方法の対称となるチップ型固体ＫＭコンデンサの構成
２例を示ず側断面図、第３図は本発明方法の主要工程を
説明するための平面図、第４図はコンデンサを構成する
半導体層の形成により第３３図の環状テフロンに生じた
欠陥を補修する一実施例の主要工程を説明するための側
断面図である。 なお図中において、１，１１．’２１．３７はチップ型
固体電解コンデンサ、２は陽極体、３，３４．３８．３
８′は環状テフロン（環状体）、４゜３９は誘電体層、
５．５’、４０．４０’にＪ半導体層、６．６’、４１
．４１’はグラファイト層、７．７’、４２．４２’は
銀層、８，８′ははんだ層、９．９’、３５．３６は導
体層、３１は櫛状体、３２は陽極体（櫛歯体）、３３は
連結部材を示す・FIG. 1 is a 91+ cross-sectional view showing an example of the structure of a chip-type solid electrolytic capacitor in which a pair of 2 parts are formed on the same surface, and FIG. Fig. 3 is a plan view for explaining the main steps of the method of the present invention, and Fig. 4 shows the formation of the semiconductor layer constituting the capacitor. 33 is a side sectional view for explaining the main steps of an embodiment for repairing defects caused in the annular Teflon shown in FIG. , 2 is the anode body, 3, 34.38.3
8′ is a ring Teflon (ring body), 4°39 is a dielectric layer,
J semiconductor layer at 5.5', 40.40', 6.6', 41
．． 41' is a graphite layer, 7.7' and 42.42' are silver layers, 8 and 8' are solder layers, 9.9' and 35.36 are conductor layers, 31 is a comb-shaped body, and 32 is an anode body ( comb tooth body), 33 indicates a connecting member.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ＋１）　　弁作用を有する金属板の不要部分を除去して
複数の櫛歯体がそれぞれ一端で連結部ｎた櫛形状に形成
し、該櫛歯体の各中間部（ζ電気的絶縁性樹脂の鉢巻き
環状体を被着して櫛歯体先端部と＠歯体根本部９こ仕切
り、少なくとも該先端部表面にＣＩ誘電体層と半導体層
と導体層とを積層形成し、該根本部の連結部で切断した
ことを特徴とするチップ型固体電解コンデンサの製造方
法。 （２）　　前記先端部と前記根本部それぞれに形成する
前記誘電体層、半導体層、導体層は同種層を同一工程で
形成させることを特徴とする前記ＱＦ？’ｒ請求の範囲
第（１）項ζこ記載したチップ型固体電解コンデンサの
＃遣方法。 （３）　　前記根本部ζこ形成する導体、ｌ１ＩＪはニ
ッケル等の磁性粉末を混入して、導電性ペーストを塗着
・焼付けてなることを特徴とする特許 第（１１項Ｃこ記載したチップ型固体電解コンデンサの
製造方法。 （４）前記導体層はグラファイト層ｔこ導電層を積層し
てなり、該グラファイト層の形成に先立ち前記環状体の
表面ｌこ前記電気的絶縁性樹脂の層を形成させたことを
特徴とする前記特Ｆｒｔ＊求の範囲第（１）項ζこ記載
したチップ型固体電解コンデンサの製造方法。[Scope of Claims] +1) An unnecessary portion of a metal plate having a valve action is removed to form a plurality of comb teeth each having a connecting portion at one end, and each intermediate portion (ζ A headband annular body made of electrically insulating resin is applied to partition the tip of the comb tooth body and the root part of the tooth body, and a CI dielectric layer, a semiconductor layer, and a conductor layer are laminated on at least the surface of the tip. , a method for manufacturing a chip-type solid electrolytic capacitor, characterized in that the capacitor is cut at a connecting portion of the root portion. (2) The dielectric layer, the semiconductor layer, and the conductor layer formed on the tip portion and the root portion are of the same type. Claim (1) A method of manufacturing a chip type solid electrolytic capacitor as described above, characterized in that the layers are formed in the same process. (3) The conductor formed at the root portion. , l1IJ is a method for manufacturing a chip-type solid electrolytic capacitor described in Patent No. 11C, which is characterized in that it is formed by mixing magnetic powder such as nickel and applying and baking a conductive paste. (4) The above-mentioned The conductive layer is formed by laminating a graphite layer and a conductive layer, and the electrically insulating resin layer is formed on the surface of the annular body prior to forming the graphite layer. Scope of Requirements Item (1) ζ A method for manufacturing the chip-type solid electrolytic capacitor described above.