JPS5961013A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS5961013A JPS5961013A JP57170649A JP17064982A JPS5961013A JP S5961013 A JPS5961013 A JP S5961013A JP 57170649 A JP57170649 A JP 57170649A JP 17064982 A JP17064982 A JP 17064982A JP S5961013 A JPS5961013 A JP S5961013A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
- C23C14/226—Oblique incidence of vaporised material on substrate in order to form films with columnar structure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空雰囲気内で、強磁性材料を加熱蒸発させて
得る蒸気流を支持体に対して斜め方向から入射させて強
磁性結晶柱全支持体に対して斜めに形成したいわゆる斜
方蒸着型磁性層金有する磁気記録媒体の改良に関する。
得る蒸気流を支持体に対して斜め方向から入射させて強
磁性結晶柱全支持体に対して斜めに形成したいわゆる斜
方蒸着型磁性層金有する磁気記録媒体の改良に関する。
近年、情報量の増大とともに、高密度磁気記録媒体の出
現が望まれており、特に、理想的な高密度磁気記録媒体
として、金属薄膜型磁気記録媒体の開発が盛んに進めら
れているう薄膜化技術としては、真空蒸着法、イオンプ
レーカング法、スパッタリング法、湿式メッキ等の各種
方法が試みられている。しかし、高密度記録に適した高
保磁力媒体を安定に得る方法としては、特公昭4]−1
,9,389号に開示された、いわゆる斜方蒸着方法が
すぐれた方法である。
現が望まれており、特に、理想的な高密度磁気記録媒体
として、金属薄膜型磁気記録媒体の開発が盛んに進めら
れているう薄膜化技術としては、真空蒸着法、イオンプ
レーカング法、スパッタリング法、湿式メッキ等の各種
方法が試みられている。しかし、高密度記録に適した高
保磁力媒体を安定に得る方法としては、特公昭4]−1
,9,389号に開示された、いわゆる斜方蒸着方法が
すぐれた方法である。
ここで、斜方蒸着方法とは、真空雰囲気内で、Co 、
Co −Ni等の強磁性材料全加熱蒸発せしめて得る
蒸気流を、高分子等から成る非磁j生支持体に対して蒸
気流の方向と支持体上に立てた法線とのなす角度が、通
常45度以上の角度でもって、支持体に入射せしめて、
強磁性結晶中を支持体に対して斜めに形成する真空蒸着
方法である(この方法により得られる磁性層は斜方蒸着
型磁性層と呼ばれる)。
Co −Ni等の強磁性材料全加熱蒸発せしめて得る
蒸気流を、高分子等から成る非磁j生支持体に対して蒸
気流の方向と支持体上に立てた法線とのなす角度が、通
常45度以上の角度でもって、支持体に入射せしめて、
強磁性結晶中を支持体に対して斜めに形成する真空蒸着
方法である(この方法により得られる磁性層は斜方蒸着
型磁性層と呼ばれる)。
このような斜方蒸着方法を用いて、実際に磁気テープを
得るには、通常第1図に模式的に示されるような連続蒸
着装置が用いられる。
得るには、通常第1図に模式的に示されるような連続蒸
着装置が用いられる。
本装置においては、円筒状冷却ギャン1、蒸発源2、及
びマスク3の形状及び相対位置によって決定される最小
斜入射角度θmin fいくらに設定するかが、斜方蒸
着型磁性層の磁気特性、特に保磁力HCを決めるFで極
めて重要であるっ例えば、Co又はCo−Ni合金金用
いて、] 、0000e程度の高保磁力を得るには、通
常、最小斜入射角度θm i n はほぼ60度以上
に設定する必要がある。しかしながら、θm11]全6
0度以上の条件で蒸着した場合、マスク3で妨げられる
蒸気流の割合が増加し、支持体に付着する蒸気流の社が
著しく減少し、蒸着効率が著しく低下したり、甘だ蒸着
スピードが低下する等の問題が/]トする。
びマスク3の形状及び相対位置によって決定される最小
斜入射角度θmin fいくらに設定するかが、斜方蒸
着型磁性層の磁気特性、特に保磁力HCを決めるFで極
めて重要であるっ例えば、Co又はCo−Ni合金金用
いて、] 、0000e程度の高保磁力を得るには、通
常、最小斜入射角度θm i n はほぼ60度以上
に設定する必要がある。しかしながら、θm11]全6
0度以上の条件で蒸着した場合、マスク3で妨げられる
蒸気流の割合が増加し、支持体に付着する蒸気流の社が
著しく減少し、蒸着効率が著しく低下したり、甘だ蒸着
スピードが低下する等の問題が/]トする。
これらの欠点全改良する方法として、酸素中斜方蒸着方
法、或いは不純物添加等の方法が開示されている。酸素
中斜方蒸着方法とは、酸素雰囲気上で斜方蒸着全行わせ
る方法であり、この方法によれば、保磁力全増大させる
ことが可能となり、また結果的に0m1ni小さくする
ことも可能となる。即ち酸素中斜方蒸着方法は、高保磁
力化又は低入射角化の点ですぐれた方法である。しかし
ながら、斜方蒸着方法、或いは酸素中斜方蒸着法で作成
したCo又はCo−Ni合金膜は、経時安定性がまだ寸
だ不十分であり、実用化への大きな障害となっていた。
法、或いは不純物添加等の方法が開示されている。酸素
中斜方蒸着方法とは、酸素雰囲気上で斜方蒸着全行わせ
る方法であり、この方法によれば、保磁力全増大させる
ことが可能となり、また結果的に0m1ni小さくする
ことも可能となる。即ち酸素中斜方蒸着方法は、高保磁
力化又は低入射角化の点ですぐれた方法である。しかし
ながら、斜方蒸着方法、或いは酸素中斜方蒸着法で作成
したCo又はCo−Ni合金膜は、経時安定性がまだ寸
だ不十分であり、実用化への大きな障害となっていた。
又Co r又はCo−Ni合金に不純物、例えば、Cr
等全添加し、高保磁力化と経時安定性全改善する試みが
なされてはいるが、まだ十分な改善とはなりえていない
。例えば、Cr添加量を増せば、見掛上の経時安定性は
改善される傾向を示すが、所望の経時安定性全イ4する
には、多量のCr添加が必要となり、磁束密1wを急θ
りに低−ドさせ、電磁変換特1(トを著しく低[ζさぜ
る等の欠点含有している。
等全添加し、高保磁力化と経時安定性全改善する試みが
なされてはいるが、まだ十分な改善とはなりえていない
。例えば、Cr添加量を増せば、見掛上の経時安定性は
改善される傾向を示すが、所望の経時安定性全イ4する
には、多量のCr添加が必要となり、磁束密1wを急θ
りに低−ドさせ、電磁変換特1(トを著しく低[ζさぜ
る等の欠点含有している。
本発明は、このような実状に鑑みなされ/こものであり
、すぐれた経時安定性および高保磁力を有し、且つ電磁
変換特性にすぐれた斜方蒸着型磁性層を提供することと
牛たる1」的とする。
、すぐれた経時安定性および高保磁力を有し、且つ電磁
変換特性にすぐれた斜方蒸着型磁性層を提供することと
牛たる1」的とする。
斜方蒸着法で作られた磁性層は支持体に対して斜めに#
4が1した強磁性結晶柱からなるが、一般に斜入射角度
が高い場合は、強磁性結晶柱間の隙間が多くなり、例え
ば6常のCo−Niをθmin = 60度で斜方蒸着
した場合には、充填密度?−12,05程度となる。即
ち実際2こ得ら)lた斜方蒸着膜の密度は、バルクの密
度の場合−・″)約1/2程度となる。本発明者等は、
磁性層の充填密度と経時安定性との関係に着目して鋭意
研究を重ねた結果、ある特定のcI−添加量にλ1して
、Co−Cr 、又はCo−Ni−Cr合金膜の密度か
5.0 ’i/ / oti以上で良好な経時安定イη
、を有することを見出し本発明に到ったものである。
4が1した強磁性結晶柱からなるが、一般に斜入射角度
が高い場合は、強磁性結晶柱間の隙間が多くなり、例え
ば6常のCo−Niをθmin = 60度で斜方蒸着
した場合には、充填密度?−12,05程度となる。即
ち実際2こ得ら)lた斜方蒸着膜の密度は、バルクの密
度の場合−・″)約1/2程度となる。本発明者等は、
磁性層の充填密度と経時安定性との関係に着目して鋭意
研究を重ねた結果、ある特定のcI−添加量にλ1して
、Co−Cr 、又はCo−Ni−Cr合金膜の密度か
5.0 ’i/ / oti以上で良好な経時安定イη
、を有することを見出し本発明に到ったものである。
本発明の磁気記録媒体は非磁性支持体上に、2〜8原子
パーセントのCr f含有するCo又ji Co −−
N i系合金を主成分とし、且つ密度が5、0 Y /
cTri以上の斜方蒸着型磁性層を少なくとも一層有
することを特徴とする。
パーセントのCr f含有するCo又ji Co −−
N i系合金を主成分とし、且つ密度が5、0 Y /
cTri以上の斜方蒸着型磁性層を少なくとも一層有
することを特徴とする。
本発明によれば、すぐれた経時安定性および高保磁力を
有し、且つ電磁変換特性にすぐれた(心気記録媒体企得
ることかできる。
有し、且つ電磁変換特性にすぐれた(心気記録媒体企得
ることかできる。
本発明においては、合金系の充填密度全厳密に求めるこ
とが実際上困難であるため、単位体積当りの磁性層の重
量、即ち密度(2/C〃) ) を 太[,0ごこ
。
とが実際上困難であるため、単位体積当りの磁性層の重
量、即ち密度(2/C〃) ) を 太[,0ごこ
。
以下、L’4i (16及び実施例にまり本発明の詳細
な説明゛する。
な説明゛する。
第1図に斜方蒸着方法により、磁気記録1媒体、とくに
磁気テープを製造する場合の代表的な真空蒸着装置の模
式図た:示−ず−3まず、真空槽8内に、円筒状冷却キ
ャンlと蒸発源2とを対向して配設し、円筒状冷却ギ\
′ン1と蒸発源2との間に、斜方蒸着の折1人射角度全
設定するため、マスク3を設けている。蒸発源2は、通
常電子ビーム加熱方式が望ましく、水冷銅・・−ス又は
セラミクス等から成るルツボ中に、所望の強磁性層全形
成するための、蒸発イ」料がチャージされている。電モ
ビーム照射により加熱された蒸発材料は融解気化し、蒸
気流となって、支持体5に付着する。本発明においては
、C0−C1又1i Co −N i −C:r系合金
膜を形成する方法としては、所望の組成のCo −Cr
又はC□ −N i −Cr合金偶1全一度にチャージ
しても良いし、またCo −C+又はCo−Ni −C
r合金或いは、Co −Cr又はCo −Ni −Cr
の内の少なくとも一種の成分から成る材料組成全ワイヤ
ー又はロンド等の形で連続的又は間欠的に蒸発源ノ・−
ス又はルツボ中に補給してもよい。また、Co−Cr又
はCo −Ni −Crの内いずれかの組合せで、2組
以上の蒸発源を設け、同時に蒸発せしめて所望の組成の
Co−Cr又はCo −Ni −CI膜全全形成る、い
わゆる多元同時蒸着方法を用いてもよい。要するにCo
−Cr又はCo−Ni−Cr膜の組成全精度良く匍j
f′II出来ればよい、本発明における斜方蒸着の最小
斜入射角度は、第1図に示されるように、支持体の表面
に立てた法線の方向と蒸発源からの蒸気流の方向とのな
す角度θの内、マスク3で規定される最小斜入射角θm
in k意味するっ通常、第1図に示されるように、
送り出しロール6かも、円筒状冷却ギヤ/1の回転に伴
なって、支持体5が移動するにつれて、斜入射角度θは
高角度(はぼ90度)から、低角度へと変化しながらい
わゆる斜方蒸着が行なわれ、最小斜入射角θmin f
すぎると蒸着は終了し、巻き取りロール7へ巻き取られ
る。
磁気テープを製造する場合の代表的な真空蒸着装置の模
式図た:示−ず−3まず、真空槽8内に、円筒状冷却キ
ャンlと蒸発源2とを対向して配設し、円筒状冷却ギ\
′ン1と蒸発源2との間に、斜方蒸着の折1人射角度全
設定するため、マスク3を設けている。蒸発源2は、通
常電子ビーム加熱方式が望ましく、水冷銅・・−ス又は
セラミクス等から成るルツボ中に、所望の強磁性層全形
成するための、蒸発イ」料がチャージされている。電モ
ビーム照射により加熱された蒸発材料は融解気化し、蒸
気流となって、支持体5に付着する。本発明においては
、C0−C1又1i Co −N i −C:r系合金
膜を形成する方法としては、所望の組成のCo −Cr
又はC□ −N i −Cr合金偶1全一度にチャージ
しても良いし、またCo −C+又はCo−Ni −C
r合金或いは、Co −Cr又はCo −Ni −Cr
の内の少なくとも一種の成分から成る材料組成全ワイヤ
ー又はロンド等の形で連続的又は間欠的に蒸発源ノ・−
ス又はルツボ中に補給してもよい。また、Co−Cr又
はCo −Ni −Crの内いずれかの組合せで、2組
以上の蒸発源を設け、同時に蒸発せしめて所望の組成の
Co−Cr又はCo −Ni −CI膜全全形成る、い
わゆる多元同時蒸着方法を用いてもよい。要するにCo
−Cr又はCo−Ni−Cr膜の組成全精度良く匍j
f′II出来ればよい、本発明における斜方蒸着の最小
斜入射角度は、第1図に示されるように、支持体の表面
に立てた法線の方向と蒸発源からの蒸気流の方向とのな
す角度θの内、マスク3で規定される最小斜入射角θm
in k意味するっ通常、第1図に示されるように、
送り出しロール6かも、円筒状冷却ギヤ/1の回転に伴
なって、支持体5が移動するにつれて、斜入射角度θは
高角度(はぼ90度)から、低角度へと変化しながらい
わゆる斜方蒸着が行なわれ、最小斜入射角θmin f
すぎると蒸着は終了し、巻き取りロール7へ巻き取られ
る。
真空槽8は排気系9で排気されるが、通常、2 X 1
0−’ Torr 以下の圧力下で蒸着するのが望ま
しい。
0−’ Torr 以下の圧力下で蒸着するのが望ま
しい。
最小ネ・1入射角θ171 i nは、斜方蒸着型1磁
性層の密度及び、磁気特性、特に保磁力llc f決
める上で重要であるが、本発明においては、0m i
nは斜方蒸着膜の密度が5. Oi1i’ / ar1
以上となる範囲で選べば酷い。実際上は保磁力と経時安
定性のバランスで決められ、本発明の実施例ではθmi
nが45度以下のところで50f / cIIi以−1
−の密度が得られたが、θI旧j1は蒸着条件によって
若干変化しうる。支持体としては、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリイミド等の高分子利料から成る非磁性相
]」が望捷しい。
性層の密度及び、磁気特性、特に保磁力llc f決
める上で重要であるが、本発明においては、0m i
nは斜方蒸着膜の密度が5. Oi1i’ / ar1
以上となる範囲で選べば酷い。実際上は保磁力と経時安
定性のバランスで決められ、本発明の実施例ではθmi
nが45度以下のところで50f / cIIi以−1
−の密度が得られたが、θI旧j1は蒸着条件によって
若干変化しうる。支持体としては、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリイミド等の高分子利料から成る非磁性相
]」が望捷しい。
本発明の磁性層を構成する強磁性拐料としては、CO又
はC0−N1合金に2〜8aL%のCr全添加したもの
が望ましい。Co又はC0−N1合金としては、Niが
0〜25 ;rt%含イルだものが′持(lこ望ましい
。又、本発明のCo−Ni−Cr合金組成の特徴を損わ
ぬ範囲で、微量の添加物を含んでもよいし、また自然酸
化等に」:る酸素を含んでいてもよい。
はC0−N1合金に2〜8aL%のCr全添加したもの
が望ましい。Co又はC0−N1合金としては、Niが
0〜25 ;rt%含イルだものが′持(lこ望ましい
。又、本発明のCo−Ni−Cr合金組成の特徴を損わ
ぬ範囲で、微量の添加物を含んでもよいし、また自然酸
化等に」:る酸素を含んでいてもよい。
本発明においては、斜方蒸着型磁性層の膜厚は通常50
0〜5,0OOAが望捷しい。捷だ、本発明における磁
性層としては、単層でも、或いは2層以上の重層、或い
は、中間層、下地層と組合せた多層構成であっても良い
。また実用Fの諸特性を改良するための、所望の各種処
理全磁性層側又は支持体側に怖してもよいっ 以■に本発明を実施例に治って説明する。
0〜5,0OOAが望捷しい。捷だ、本発明における磁
性層としては、単層でも、或いは2層以上の重層、或い
は、中間層、下地層と組合せた多層構成であっても良い
。また実用Fの諸特性を改良するための、所望の各種処
理全磁性層側又は支持体側に怖してもよいっ 以■に本発明を実施例に治って説明する。
〔実施例」
Co7G−Ni+i+ −Crs (a1%)合金材料
を用いて斜方蒸着を行なった。蒸発方ミ太としては、1
6KWの電子ビーム方迅ヲ用いた。蒸着装置は第1図に
示した装置を用い、5×1O−5Torr 以下の圧力
下で蒸着した。支持体としでに、約]、0μ厚のポリエ
チレンテレフタレートベースを用いた。−\−ス搬送ス
ピー1−(は約10 m / minで、θminは3
00〜600の範囲で変化させながら蒸着し7た。膜厚
は約1、.300A になるように蒸発源のパワーを
コントL7−ル(〜たつ又斜入射角度としてC↓、高入
射角から低入射角に連続的に変化させる力/臥とし5た
。
を用いて斜方蒸着を行なった。蒸発方ミ太としては、1
6KWの電子ビーム方迅ヲ用いた。蒸着装置は第1図に
示した装置を用い、5×1O−5Torr 以下の圧力
下で蒸着した。支持体としでに、約]、0μ厚のポリエ
チレンテレフタレートベースを用いた。−\−ス搬送ス
ピー1−(は約10 m / minで、θminは3
00〜600の範囲で変化させながら蒸着し7た。膜厚
は約1、.300A になるように蒸発源のパワーを
コントL7−ル(〜たつ又斜入射角度としてC↓、高入
射角から低入射角に連続的に変化させる力/臥とし5た
。
得られた斜方蒸着膜の組成は、X線マイクロアナライザ
ーで定量分析を行なった。
ーで定量分析を行なった。
なお分析値については、X線マイクロアナライザー(X
へ4Aと略す)の精度の関係で、Co + N+ +
Crについてのみ示してあり、自然酸化等による存在量
が袷微滑である酸素量については示していない。
へ4Aと略す)の精度の関係で、Co + N+ +
Crについてのみ示してあり、自然酸化等による存在量
が袷微滑である酸素量については示していない。
COとNiは蒸気圧がほぼ等しいため、はぼ一定の組成
比Ni / (Co + Ni)”;tJ、 2で支持
体に付着することが確認されたがC’rの場合(d、蒸
気圧がCo及びNiの蒸気圧より大きいため、蒸着初期
は、Cr量が多く、蒸着後期(lこはCr量が少なくな
った。従って、長尺のベースにCo−Ni −Crを蒸
着した場合、連続的にCr濃度の変化したCo −Ni
−Cr膜が得られ、C+濃度全1at%から30 a
t%までほぼ連続的に変えることが出来た。又、Cr濃
度を変えながら、マスクの位置を30°〜60°の範囲
で変化させてザ/グルを作成した。得られた蒸着膜の密
度はほぼ45〜6.5 Si’ / adの間であった
5 得られた斜方蒸着膜は、X M Aで組成分析後、密度
、経時安定性、電磁変換特性、及び静磁気特性の評1’
1lliを行なった。密度測定(・ま、斜方蒸着膜の膜
19の実測値(触針法)と単位面積当りの重量の実測値
とから計算で求めた。
比Ni / (Co + Ni)”;tJ、 2で支持
体に付着することが確認されたがC’rの場合(d、蒸
気圧がCo及びNiの蒸気圧より大きいため、蒸着初期
は、Cr量が多く、蒸着後期(lこはCr量が少なくな
った。従って、長尺のベースにCo−Ni −Crを蒸
着した場合、連続的にCr濃度の変化したCo −Ni
−Cr膜が得られ、C+濃度全1at%から30 a
t%までほぼ連続的に変えることが出来た。又、Cr濃
度を変えながら、マスクの位置を30°〜60°の範囲
で変化させてザ/グルを作成した。得られた蒸着膜の密
度はほぼ45〜6.5 Si’ / adの間であった
5 得られた斜方蒸着膜は、X M Aで組成分析後、密度
、経時安定性、電磁変換特性、及び静磁気特性の評1’
1lliを行なった。密度測定(・ま、斜方蒸着膜の膜
19の実測値(触針法)と単位面積当りの重量の実測値
とから計算で求めた。
経時安定性の評価法としては、60°C90係相対温湿
tII牡Fに1週間保持し7た場合の、サーモ減磁、(
Δダ1]]/ダn]、ここでダ1ηはサーモテスト前の
磁化量、2gmはサーモテスト前後の磁化量の変化量)
で評価した。
tII牡Fに1週間保持し7た場合の、サーモ減磁、(
Δダ1]]/ダn]、ここでダ1ηはサーモテスト前の
磁化量、2gmはサーモテスト前後の磁化量の変化量)
で評価した。
得られたサーモ減磁のデータを第2図に示すっCr添加
のないCo5o −N i 20組成の場合(曲線1)
は、密度が4.3 ? / cnlから6.1 fl
/ cttJの範囲てΔダm/χm = −1,8〜−
12% であり、実用レベルにはほど遠いことがわかる
。
のないCo5o −N i 20組成の場合(曲線1)
は、密度が4.3 ? / cnlから6.1 fl
/ cttJの範囲てΔダm/χm = −1,8〜−
12% であり、実用レベルにはほど遠いことがわかる
。
Hcはおよそ1,000〜4000e テあった。
Co −Ni −Cr (tこついては、密度が4.3
’j 、/ o)l以上から5.0 ? / cnf
以]:の範1ノHでは、cl 添加量が82]t%の
場合(曲線4)、若干サーモ減磁が減少する傾向を示す
が、大きな改善は出来なかった。
’j 、/ o)l以上から5.0 ? / cnf
以]:の範1ノHでは、cl 添加量が82]t%の
場合(曲線4)、若干サーモ減磁が減少する傾向を示す
が、大きな改善は出来なかった。
しかしながら、密度全5.0 fl 、/ cnf以上
にした場合はサーモ減磁は急激減少し、特にC+添加量
が3 a1%以上で、ΔgiIT1./ダ…が−5係以
下に改善出昶だ。
にした場合はサーモ減磁は急激減少し、特にC+添加量
が3 a1%以上で、ΔgiIT1./ダ…が−5係以
下に改善出昶だ。
なお、CI添加量が8at%以上の場合は、磁束密度が
大幅に低下した。
大幅に低下した。
得られた蒸着膜を1/2インチ幅のテープ状にスリット
し、V I−I S方式小型ビデオヵ七ノドに組込んで
電磁変換特性を測定した。特にCr添加量が3〜6 a
1%の範囲でθ夏η1n43度で斜〆蒸着したザンプル
では密度が5.397crt1以上で且つ保磁力Hcが
1..0000e以上にもなり、θminが60度で斜
方蒸着しだCO80−N i 20組成の場合と同等以
上のS/Nが得られた。
し、V I−I S方式小型ビデオヵ七ノドに組込んで
電磁変換特性を測定した。特にCr添加量が3〜6 a
1%の範囲でθ夏η1n43度で斜〆蒸着したザンプル
では密度が5.397crt1以上で且つ保磁力Hcが
1..0000e以上にもなり、θminが60度で斜
方蒸着しだCO80−N i 20組成の場合と同等以
上のS/Nが得られた。
また経時安定性については、Co go −1’J i
zo組成。
zo組成。
のテープに比べて、極めて安定であり、S/Nの低下か
大幅に減少した。
大幅に減少した。
またNi / Co + Ni 、3Q、 2 (曲線
])の他に、Ni /Co+Niカ0 、0.05 、
0.10 、0.2503についても同様の実験を行な
ったところ若干、保磁力と磁束密度が変化した75べ密
度が5、 OW / c〃i以上のものについてはほぼ
同様の経時安定性が得1りれた。
])の他に、Ni /Co+Niカ0 、0.05 、
0.10 、0.2503についても同様の実験を行な
ったところ若干、保磁力と磁束密度が変化した75べ密
度が5、 OW / c〃i以上のものについてはほぼ
同様の経時安定性が得1りれた。
以上の実施例にて明らかなように、Co又はCo−Ni
系合金(Ni:o 〜25at%)に2〜8at%のC
r全添加し、且つ密度が5. (J?/cniす、上の
斜方蒸着型磁性層がすぐれた電磁変換特性を維持しなが
ら且つ経時安定性にすぐれていることが確認出来た。こ
のように本発明は、蒸着テープの実用化に大きく貢献す
るものである。
系合金(Ni:o 〜25at%)に2〜8at%のC
r全添加し、且つ密度が5. (J?/cniす、上の
斜方蒸着型磁性層がすぐれた電磁変換特性を維持しなが
ら且つ経時安定性にすぐれていることが確認出来た。こ
のように本発明は、蒸着テープの実用化に大きく貢献す
るものである。
第1図は本発明の磁気記録媒体を得るために使用する製
造装置の一実施例の概略断面図、第2図はCo−Ni
−Crの各組成におけるす−モ減磁(Δ戸111/ダm
)の密度に利するグラフである。 1 ・・・・・円筒状冷却ギャン 2・・ ・蒸
発 源3 ・・・・・ ・マ ス
り 4・ ・・・・・・蒸 気 流
5 ・・・・・支 持 体 6 ・・・・・・
・送り出しロール7・ ・・・・・・巻き取り自−ル
8・・・・・・・真 空 槽9 真空1升
気系 第 1 図
造装置の一実施例の概略断面図、第2図はCo−Ni
−Crの各組成におけるす−モ減磁(Δ戸111/ダm
)の密度に利するグラフである。 1 ・・・・・円筒状冷却ギャン 2・・ ・蒸
発 源3 ・・・・・ ・マ ス
り 4・ ・・・・・・蒸 気 流
5 ・・・・・支 持 体 6 ・・・・・・
・送り出しロール7・ ・・・・・・巻き取り自−ル
8・・・・・・・真 空 槽9 真空1升
気系 第 1 図
Claims (1)
- (1) 非磁性支持体上に、2〜8原子パーセントの
Cri含有するCO又はCo−Ni系合金金主成分とし
、且つ密度が5.0 ’j / crd以」二の斜方蒸
着型磁性層を少なくとも一層有することを特徴とする磁
気記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57170649A JPS5961013A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気記録媒体 |
US06/536,049 US4536443A (en) | 1982-09-29 | 1983-09-26 | Magnetic recording medium |
DE19833335165 DE3335165A1 (de) | 1982-09-29 | 1983-09-28 | Magnetischer aufzeichnungstraeger |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57170649A JPS5961013A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5961013A true JPS5961013A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15908785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57170649A Pending JPS5961013A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4536443A (ja) |
JP (1) | JPS5961013A (ja) |
DE (1) | DE3335165A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3565694D1 (en) * | 1984-02-02 | 1988-11-24 | Hitachi Metals Ltd | Process for manufacturing magnetic recording media |
JPS61120330A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-07 | Ulvac Corp | 面内記録型磁気記録体 |
US5198309A (en) * | 1984-11-14 | 1993-03-30 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Magnetic recording member |
US4663193A (en) * | 1984-12-26 | 1987-05-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Process for manufacturing magnetic recording medium |
JP2714698B2 (ja) * | 1989-05-12 | 1998-02-16 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
JPH05101365A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-04-23 | Tdk Corp | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
US5674637A (en) * | 1993-12-28 | 1997-10-07 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
US6251496B1 (en) * | 1997-12-16 | 2001-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium method and apparatus for producing the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55105302A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS5715406A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-metalic-film type magnetic recording medium and manufacture thereof |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56134317A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-21 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
JPS56143519A (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium and manufacturing device |
JPS56165932A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-19 | Tdk Corp | Production of magnetic recording medium |
JPS5728309A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
JPS57179952A (en) * | 1981-04-24 | 1982-11-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method and apparatus for magnetic recording medium |
US4450186A (en) * | 1981-08-20 | 1984-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for manufacturing magnetic recording medium |
JPS5834903A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
US4477488A (en) * | 1982-03-16 | 1984-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP57170649A patent/JPS5961013A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-26 US US06/536,049 patent/US4536443A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-09-28 DE DE19833335165 patent/DE3335165A1/de active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55105302A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
JPS5715406A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-metalic-film type magnetic recording medium and manufacture thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3335165C2 (ja) | 1992-07-16 |
US4536443A (en) | 1985-08-20 |
DE3335165A1 (de) | 1984-03-29 |
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