JPS5958856A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
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- JPS5958856A JPS5958856A JP15567883A JP15567883A JPS5958856A JP S5958856 A JPS5958856 A JP S5958856A JP 15567883 A JP15567883 A JP 15567883A JP 15567883 A JP15567883 A JP 15567883A JP S5958856 A JPS5958856 A JP S5958856A
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- semiconductor device
- frame
- power semiconductor
- spring
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
- H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
- H01L2023/4062—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to or through board or cabinet
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- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
- H01L2023/4075—Mechanical elements
- H01L2023/4087—Mounting accessories, interposers, clamping or screwing parts
-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は少なくとも二つの半導体素体を有し次の特徴を
もつ電力用半導体装置に関する。
もつ電力用半導体装置に関する。
a)半導体素体は容器中に封入され、
b)容器は金属底板を有し、
C)底板と枠体とが結合されており、
d)底板の上にそれぞれ一つの半導体素体と接続導体を
含む接触されるべき部品の少なくとも二つの積層体が配
置されておシ、 e)積層体は少なくとも一つのばねにょシ底に対して加
圧されており、 f)両積層体の間にはばねのための固定素子が備えられ
てお9、 g)固定素子は積層体の間で底板と結合されている。
含む接触されるべき部品の少なくとも二つの積層体が配
置されておシ、 e)積層体は少なくとも一つのばねにょシ底に対して加
圧されており、 f)両積層体の間にはばねのための固定素子が備えられ
てお9、 g)固定素子は積層体の間で底板と結合されている。
そのような半導体装置は、例えば西ドイツ国特許出願公
開第2728313号公報に記載されている。
開第2728313号公報に記載されている。
この半導体装置の容器の枠体は内部空間に位置する渡り
片を有し、それに対してばねが支えられている。ばねは
渡り片を貫通し、金属底板にねじ込まれたねじによって
固定される。ばねの固定によってそれ故枠体と金属底板
の間の固い結合が得られる。
片を有し、それに対してばねが支えられている。ばねは
渡り片を貫通し、金属底板にねじ込まれたねじによって
固定される。ばねの固定によってそれ故枠体と金属底板
の間の固い結合が得られる。
渡シ片のない他の容器形式の場合には、この種類の結合
は不可能である。
は不可能である。
上述の文献から既に、枠体を金属底板と接着することも
知ることができる。これはしかしばねを通じて底に加え
られる力が非常に高いときには困難をもたらす。そのと
きは底は容器内から見て中央が外へ出るように反る傾向
を持ち、そのことは底板と枠体との間の接着結合が一部
分はがれることに導くことがある。
知ることができる。これはしかしばねを通じて底に加え
られる力が非常に高いときには困難をもたらす。そのと
きは底は容器内から見て中央が外へ出るように反る傾向
を持ち、そのことは底板と枠体との間の接着結合が一部
分はがれることに導くことがある。
本発明は上述の種類の半導体装置を底板と枠体の間の簡
単で耐久的な固定が可能なように発展させることを目的
とする。
単で耐久的な固定が可能なように発展させることを目的
とする。
この目的は、枠体が積層体の固定素子と反対側において
それぞれ底板とがしめ片によって結合されるようにする
ことによシ達成される。
それぞれ底板とがしめ片によって結合されるようにする
ことによシ達成される。
本発明は図に関連して一つの実施例を引用して詳細に説
明する。半導体装置は金属の底板1と枠体2を持つ。枠
体は絶縁拐料からなることが望ましい。枠体2は蓋3に
よって閉塞されることができる。金属底板1の上には、
それぞれ一つの半導体素体6もしくは12を含む互いに
接触されるべき部品の二つの積層体が位置する。この積
層体は底板1と熱的接触をしている。底板1に対する電
気的絶縁が望ましい時には、それらは熱的良導体である
が電気絶縁材料である基板4もしくはl。
明する。半導体装置は金属の底板1と枠体2を持つ。枠
体は絶縁拐料からなることが望ましい。枠体2は蓋3に
よって閉塞されることができる。金属底板1の上には、
それぞれ一つの半導体素体6もしくは12を含む互いに
接触されるべき部品の二つの積層体が位置する。この積
層体は底板1と熱的接触をしている。底板1に対する電
気的絶縁が望ましい時には、それらは熱的良導体である
が電気絶縁材料である基板4もしくはl。
O上に配置されてもよい。図の右側の積層体はそのとき
基板4の上に位置し、リード電極5.半導体素体6.接
触電極7.リード電極8および加圧片9からなる。左の
積層体は基板10の上に位置し、リード電極11.半導
体素体12.接触電極13、リード電極14および加圧
片15からなる。
基板4の上に位置し、リード電極5.半導体素体6.接
触電極7.リード電極8および加圧片9からなる。左の
積層体は基板10の上に位置し、リード電極11.半導
体素体12.接触電極13、リード電極14および加圧
片15からなる。
両積層体はばね9例えば板ばね16により圧力が加えら
れている。このばねはねじ付きボルトあるいはねじ17
によって底に係止されておシ、上述の積層体を底板1に
対して押圧する。ナツト18を用いて必要な接触圧に調
整できる。
れている。このばねはねじ付きボルトあるいはねじ17
によって底に係止されておシ、上述の積層体を底板1に
対して押圧する。ナツト18を用いて必要な接触圧に調
整できる。
枠体2は金属底板に載る脚部20 、 jlを持つ。
これは空所を備え、その中にかしめ片22.23が突出
する。枠体は多くは構造的な理由から所定の外形寸法を
超過することができないから、脚部20.21は内部]
に向かっているのが有効である。
する。枠体は多くは構造的な理由から所定の外形寸法を
超過することができないから、脚部20.21は内部]
に向かっているのが有効である。
枠体2はそのとき蓋の載置の前にかしめ片のがしめによ
って金属底板1と止められる。この場合のようにかしめ
片23がリードによって覆われるならば、リードに空所
24を設けておけば、それを通してかしめ工具を挿入す
ることができる。
って金属底板1と止められる。この場合のようにかしめ
片23がリードによって覆われるならば、リードに空所
24を設けておけば、それを通してかしめ工具を挿入す
ることができる。
かしめによって枠体2と底板工の間の耐久的結合が得ら
れる。かしめ片22.23は金属底1がら押し出される
ことが有効で、そのときT側には凹所25.26が残る
。
れる。かしめ片22.23は金属底1がら押し出される
ことが有効で、そのときT側には凹所25.26が残る
。
本発明はそれぞれ一つの半導体素体を含む加圧接触積層
体の少なくとも二つが一つの底板上に配置されている半
導体装置の枠体と底板との結合をかしめによって行うも
ので、これにより積層体に加わるばねの圧力によって底
板の中央が押し出されるように変形しても、枠体と底板
との耐久的な結合が得られる。
体の少なくとも二つが一つの底板上に配置されている半
導体装置の枠体と底板との結合をかしめによって行うも
ので、これにより積層体に加わるばねの圧力によって底
板の中央が押し出されるように変形しても、枠体と底板
との耐久的な結合が得られる。
図は本発明の一実施例の側断面図である。
1・・・金属底板、2・・・枠体、5,8,11.14
・・・リード電極、6,12・・・半導体素体、16・
・・板・ばね、20.21・・・枠体脚部、22.23
・・・かしめ片、24・・・孔。
・・・リード電極、6,12・・・半導体素体、16・
・・板・ばね、20.21・・・枠体脚部、22.23
・・・かしめ片、24・・・孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)少なくとも二つの半導体素体を有し、a)半導体素
体は容器中に封入され、 b)容器は金属底板を有し、 C)底板と枠体とが結合されており、 d)底板の上にそれぞれ一つの半導体素体と接続導体を
含む接触されるべき部品の少なくとも二つの積層体が配
置されており、 e)積層体は少なくとも一つのばねによシ底に対して加
圧されており、 f)両積層体の間にはばねのための固定素子が備えられ
ており、 g)固定素子は積層体の間で底板と結合されている、 ものにおいて・枠体が積層体の固定素子と反対側におい
てそれぞれ底板とかしめ片によって結合されたことを特
徴とする電力用半導体装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の装置において、枠体が
内側に向かい空所を備えた脚部を有し、かしめ片が空所
内に位置することを特徴とする電力用半導体装置。 3)特許請求の範囲第1項または第2項記載の装置にお
いて、かしめ片が底板から押し出されていることを特徴
とする電力用半導体装置。 4)特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記
載の装置において、少なくとも一つの接続導体はかしめ
片の一つの上に位置し、かしめ工具の挿入のために備え
られた孔を有することを特徴とする電力用半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823232184 DE3232184A1 (de) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | Leistungs-halbleiterelement |
DE32321848 | 1982-08-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5958856A true JPS5958856A (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=6172026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15567883A Pending JPS5958856A (ja) | 1982-08-30 | 1983-08-25 | 電力用半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5958856A (ja) |
DE (1) | DE3232184A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3508456C2 (de) * | 1985-03-09 | 1987-01-08 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen Moduls |
DE3643288A1 (de) * | 1986-12-18 | 1988-06-30 | Semikron Elektronik Gmbh | Halbleiterbaueinheit |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52129378A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-29 | Siemens Ag | Semiconductor device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2728313A1 (de) * | 1977-06-23 | 1979-01-04 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
DE3005313C2 (de) * | 1980-02-13 | 1986-05-28 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleiteranordnung |
DD214497A1 (de) * | 1983-04-05 | 1984-10-10 | Inst Regelungstechnik | Gehaeuse und kontaktstreifen fuer leistungselektronische dreipolzweigpaare |
-
1982
- 1982-08-30 DE DE19823232184 patent/DE3232184A1/de active Granted
-
1983
- 1983-08-25 JP JP15567883A patent/JPS5958856A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52129378A (en) * | 1976-04-21 | 1977-10-29 | Siemens Ag | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3232184A1 (de) | 1984-03-01 |
DE3232184C2 (ja) | 1987-06-11 |
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