JPS5958682A - Magnetic bubble memory device - Google Patents
Magnetic bubble memory deviceInfo
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- JPS5958682A JPS5958682A JP57167502A JP16750282A JPS5958682A JP S5958682 A JPS5958682 A JP S5958682A JP 57167502 A JP57167502 A JP 57167502A JP 16750282 A JP16750282 A JP 16750282A JP S5958682 A JPS5958682 A JP S5958682A
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- Japan
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- write
- area
- data
- memory device
- bubble memory
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明ハ、磁気バブルメモリ装置に関し、特に書き込み
禁止領域全任意に設定できる機能全Ｍする磁気バブルメ
モリ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to a magnetic bubble memory device, and more particularly to a magnetic bubble memory device having all the functions of being able to arbitrarily set all write-protected areas.
（２）従来技術と問題点
従来の磁気バブルメモリ装置においては、バブルメモリ
の特定のメモリ領域への情報の書き込みを禁止する場合
に、書き込み禁止領域の指定をピン設定、スイッチ等に
より行っている。この場合には、ビン設足回路またはス
イッチ回路をハード的に設ける必要があり、また操作者
による操作を必要とするため誤操作のおそれがある。(2) Prior art and problems In conventional magnetic bubble memory devices, when writing information to a specific memory area of the bubble memory is prohibited, the write-protected area is specified by pin settings, switches, etc. . In this case, it is necessary to provide a hardware circuit for installing a bottle or a switch circuit, and operation by an operator is required, so there is a risk of erroneous operation.
（３）発明の目的
本発明の目的は、前記の問題点にかんがみ、書き込み禁
止領域金、ソフトウェアにより任意に設定することがで
きる書き込み禁止機能を有する磁気バブルメモリ装置全
提供することにある。(3) Object of the Invention In view of the above-mentioned problems, an object of the present invention is to provide a complete magnetic bubble memory device having a write-protection function that can be arbitrarily set using a write-protection area and software.
（４）発明の構成
本発明においては、書き込み禁止命令により書き込み禁
止領域を指定するデータを磁気バブルメモリデバイスの
サブベージ領域に格納する手段と、書き込み命令全実行
する際に該書き込み命令によｐ指定される書き込み領域
と咳サブページに格納されているデータにより指定され
る書き込み禁止領域と全照合する手段と、該照合の結果
前記２つの領域に重なり部分が存在する場合に該書き込
み命令の実行を禁止する手段とを具備することを特徴と
する、磁気バブルメモリ装置が提供される。(4) Structure of the Invention The present invention provides means for storing data specifying a write-protected area in a sub-page area of a magnetic bubble memory device by a write-protection command, and p specification by the write-in command when all write commands are executed. means for fully comparing the write area to be written to and the write-prohibited area specified by the data stored in the cough subpage, and executing the write command if there is an overlapping portion in the two areas as a result of the comparison. A magnetic bubble memory device is provided, comprising: means for inhibiting the magnetic bubble memory device.
（５）発明の実施例
本発明の一実施例としての磁気／（プル−メモリ装置金
、第１図、第２図、第３図を用いて以下に説明する０
本発明による磁気バブルメモリ装置の概略的な構成が第
１図に示される０第１図において、１はホス） １ｕｌ
ｌｃＰＵ、 ２はバブルメモリ制御部、３はリニア制御
部、４はコイルドライバ部、５は磁気ノ（プルメモリデ
バイス、６はリニアセンス増幅部である。バブルメモリ
制御部２は、）１−ド的コントローラ２１およびソフト
的シーケンサ２２から構成され、シーケンサ２２は、マ
イクロプロセッサユニットμＰＵ、リード・オンリーメ
モリＲＯＭ 。(5) Embodiments of the Invention A magnetic/(pull memory device) as an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1, 2, and 3. A magnetic bubble memory device according to the present invention The schematic structure of is shown in FIG. 1. In FIG.
lcPU, 2 is a bubble memory control unit, 3 is a linear control unit, 4 is a coil driver unit, 5 is a magnetic node (pull memory device, 6 is a linear sense amplification unit. The bubble memory control unit 2 is a It is composed of a digital controller 21 and a software sequencer 22, and the sequencer 22 includes a microprocessor unit μPU and a read-only memory ROM.
ランダムアクセスメモリＲＡＭ？有する０葦た、リニア
制御部３は、タイミングジェネレータ３１およびファン
クションドライバ３２を肩する。Random access memory RAM? The linear control section 3, which has 0 reeds, handles a timing generator 31 and a function driver 32.
第１図の磁気バブルメモリ装置における臀き込み禁止命
令の実行の様子を第２図を用いて説明する。臀き込み禁
止命令・は、第２図（４）に示すように、書き込み禁止
を指令するオペコードＣＩＣＩ（１，）、書き込み禁止
開始アドレスＸｌＸ１００（１６）、書き込み禁止ペー
ジ数０００２（１ａ）からなる。、磁気バブルメモリデ
バイス５として富士通■製のＦＢＭ５４ＤＢを例にとる
と、そのメモリ領域の構成は第２図（樽に示されるよう
に１ページ６４バイトで２０４８ページのメモリページ
と５ページのサブページから構成される。サブページの
うち、後尾の２ページはアクセスすることができない領
域であシ、残りの３ページ、１９２バイトがアクセス可
能である。書き込み禁止命令がホスト１１１！ＩＣＰＵ
Ｉから指令されると、曹き込み禁止領域を指示するデー
タ、すなわち、前記の誉き込み禁止開始アドレスおよび
臀き込み禁止ページ数が、サブページの曹き込み禁止領
域格納領域に書き込まれる。The manner in which the hunching prohibition command is executed in the magnetic bubble memory device of FIG. 1 will be described with reference to FIG. 2. As shown in FIG. 2 (4), the restraint prohibition command consists of an operation code CICI (1,) that commands write prohibition, a write prohibition start address XlX100 (16), and the number of write prohibited pages 0002 (1a). . If we take FBM54DB manufactured by Fujitsu ■ as an example as the magnetic bubble memory device 5, the structure of its memory area is shown in Figure 2 (as shown in the barrel, one page is 64 bytes, 2048 memory pages and 5 subpages. The last two pages of the subpage are inaccessible areas, and the remaining three pages, 192 bytes, are accessible.The write prohibition instruction is issued by the host 111!
When commanded by I, data indicating the write-inhibited area, that is, the above-mentioned write-in prohibition start address and the number of write-inhibited pages, are written into the write-inhibited area storage area of the subpage.
次に第１図の磁気バブルメモリ装置における書き込み命
令の実行の様子ｔ−第第３金金用て説明する。誉き込み
命令は、第３図（４）に示されるように書き込みを指令
するオペコードＤ＋Ｄｔ Ｘ’１Ｆ３Ｊ（！６）
込み開始ページアドレスＹ＋ Ｙｔ ＹＩ Ｙ４ （１
６）、書き込みページ数Ｚｌ Ｚｔ Ｚｓ Ｚ４ （１
６）からなる。書き込み命令がホス） ｆｉｌｌ ＣＰ
Ｕ １から指令されると、バブルメモリ制御部２に書き
込み開始ページアドレスおよび書き込みページ数のデー
タが読み込まれ、同時に磁気バブルメモリデバイス５の
サブページの１９２バイトのデータがシーケンサ２２の
ＲＡＭに転送される。バブルメモリ制御部２に賛いては
、ＲＡＭ Ｋ転送されたデータ中の書き込み禁止指だ領
域のデータと書き込み命令により指示された書き込み対
象領域のデータを照合し、書き込み対象領域と書き込み
禁止領域が重なっているか否かを判定する。前記の２つ
の領域に重なった部分が存在しない場合には、ｔ＠込み
命令が実行される。Next, the execution of a write command in the magnetic bubble memory device of FIG. 1 will be explained using the third example. As shown in FIG. 3 (4), the honor writing command is an operation code that instructs writing D+Dt X'1F3J (!6) Writing start page address Y+ Yt YI Y4 (1
6), number of written pages Zl Zt Zs Z4 (1
6). write command is host) fill CP
When commanded from U1, the write start page address and write page number data are read into the bubble memory control unit 2, and at the same time, 192-byte data of the subpage of the magnetic bubble memory device 5 is transferred to the RAM of the sequencer 22. Ru. The bubble memory control unit 2 compares the data in the write-prohibited area in the data transferred to RAM K with the data in the write-target area specified by the write command, and determines whether the write-target area and the write-protected area overlap. Determine whether or not the If there is no overlap between the two areas, the t@instruction is executed.
逆に２つの領域に重なった部分が存在する場合には、書
き込み禁止エラーとして処理され、書き込み命令の実行
が禁止される。Conversely, if there is an overlapping portion between the two areas, it is treated as a write prohibition error, and execution of the write command is prohibited.
（６） 発明の効果
本発明によれば、ビン設定、スイッチ等によらずにソフ
トウェア的に書き込み禁止領域を任意に設定することが
できる磁気バブルメモリ装置が提供され得る。(6) Effects of the Invention According to the present invention, a magnetic bubble memory device can be provided in which a write-protected area can be arbitrarily set using software without using bin settings, switches, or the like.
第１図は、本発明の一実施例としてのφＢ磁気バブルメ
モリ装置構成を示す図、
第２図は、第１図の磁気バブルメモリ装置における書き
込み禁止命令の実行全説明する図、第３図は、第１図の
磁気バブルメモリ装置における書き込み命令の実行を説
明する図である。
（符号の説明）
１；ホスト側ＣＰＵ、 ２ ；バブルメモリ制御
部、２１；コントローラ、 ２２；シーケンサ、３；
リニア制御部、３１；タイミングジェネレータ、３２；
ファンクションドライバ、
４；コイルドライバ部、
５；磁気バブルメモリデバイス、
６；リニアセンス増幅器。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a φB magnetic bubble memory device as an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram illustrating the entire execution of a write inhibit instruction in the magnetic bubble memory device of FIG. 1, and FIG. 2 is a diagram illustrating execution of a write command in the magnetic bubble memory device of FIG. 1. FIG. (Explanation of symbols) 1; host side CPU; 2; bubble memory control unit; 21; controller; 22; sequencer; 3;
Linear control unit, 31; timing generator, 32;
Function driver, 4; Coil driver section, 5; Magnetic bubble memory device, 6; Linear sense amplifier.
Claims (1)
ータ？ｆｆｌ気バブルメモリデバイスのサブベージ領域
に格納する手段と、書き込み命令を実行する際に該書き
込み命令により指令される書き込み領域と該サブベージ
に格納されているデータにより指定される書き込み禁止
領域と全照合する手段と、該照合の結果前記２つの領域
に重なり部分が存在する場合に該書き込み命令の実行全
禁止する手段とを具備すること全％黴とする、磁気ノ（
プルメモリ装置０Data that specifies a write-protected area according to a write-protection command? means for storing data in a subpage area of the ffl bubble memory device, and when executing a write command, fully collates the write area instructed by the write command and the write prohibited area specified by the data stored in the subpage. and means for completely prohibiting the execution of the write command when an overlapping portion exists in the two areas as a result of the verification.
Pull memory device 0
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167502A JPS5958682A (en) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167502A JPS5958682A (en) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | Magnetic bubble memory device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958682A true JPS5958682A (en) | 1984-04-04 |
Family
ID=15850868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167502A Pending JPS5958682A (en) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | Magnetic bubble memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958682A (en) |
Citations (10)
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-
1982
- 1982-09-28 JP JP57167502A patent/JPS5958682A/en active Pending
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