JPS595787A - 最小フイ−ルド領域ccd影像装置 - Google Patents
最小フイ−ルド領域ccd影像装置Info
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- JPS595787A JPS595787A JP58105093A JP10509383A JPS595787A JP S595787 A JPS595787 A JP S595787A JP 58105093 A JP58105093 A JP 58105093A JP 10509383 A JP10509383 A JP 10509383A JP S595787 A JPS595787 A JP S595787A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は(a)挟チャネルCOD効果を最小に、従って
高v!jpiaaD設計を可能とし、(b)周辺フィー
ルド領域からの暗電流寄与を減少するため従来のフィー
ルド分離の代りにイングランド分離を用(またCCD集
積回路に関係する。
高v!jpiaaD設計を可能とし、(b)周辺フィー
ルド領域からの暗電流寄与を減少するため従来のフィー
ルド分離の代りにイングランド分離を用(またCCD集
積回路に関係する。
発明の背敢
[ポリシリコン分離センサ構;Ti Jと瑣する米国特
許出騨1第349,411号はフィールドイングランド
及びフィールド酸化層を除去するためにポリシリコン分
離を用いた他にない光ダイオード・センサ構造を記述し
ている。ポリシリコン層はn+光ダイオード・センサ構
造を分離するために用いられる。このポリシリコン(多
結晶シリコン)層は、閾値強化インブラン)(p型)を
受けた薄いr−)酸化層上に成長される。
許出騨1第349,411号はフィールドイングランド
及びフィールド酸化層を除去するためにポリシリコン分
離を用いた他にない光ダイオード・センサ構造を記述し
ている。ポリシリコン層はn+光ダイオード・センサ構
造を分離するために用いられる。このポリシリコン(多
結晶シリコン)層は、閾値強化インブラン)(p型)を
受けた薄いr−)酸化層上に成長される。
光ダイオード影像装置の光1一部を定める際に電界分離
の代りに多結晶シリコンを用いると、フィールド領域の
烏のくちばし域に生じる暗電流を除去可能である。しか
しながら、この技術はn+ ダイオード域を画成するた
めにのみ適用可能である。
の代りに多結晶シリコンを用いると、フィールド領域の
烏のくちばし域に生じる暗電流を除去可能である。しか
しながら、この技術はn+ ダイオード域を画成するた
めにのみ適用可能である。
実際には、CCD集積回路は表面チャネル又は埋込チャ
ネル5M工Sコンデンサのどちらかを常に含む。
ネル5M工Sコンデンサのどちらかを常に含む。
実例にはCOD影像装置のM工Sセンサ及び記情部とs
ps (直列−並列−直列)メモリの記憶コンデンサが
ある。現在の所このようなM工800D構造の一般的な
分離技術は従来のフィールド分離、すなわち局所フィー
ルド嘴体に続くp+ フィールド・イングランドである
。この分離方法はOOD回路設計に2つの主要な問題を
与える。第1に鳥のくちばし状侵入と縁フィールド効果
のため、CODのチャネル電位はチャネル幅が減少する
につれて一定とはならず、従ってM工S構造の密度の増
加に対して制限を課す。第2に、これはM工S記憶への
相当な周辺漏れ電流を与える。上述の「ポリシリコン分
離センサ構造」の技術は、これがダイオード(例えはn
” −p )域のみを定めるためOCDのM工S構造用
のフィールド分離を除去するためKは適用で ゛ない
。
ps (直列−並列−直列)メモリの記憶コンデンサが
ある。現在の所このようなM工800D構造の一般的な
分離技術は従来のフィールド分離、すなわち局所フィー
ルド嘴体に続くp+ フィールド・イングランドである
。この分離方法はOOD回路設計に2つの主要な問題を
与える。第1に鳥のくちばし状侵入と縁フィールド効果
のため、CODのチャネル電位はチャネル幅が減少する
につれて一定とはならず、従ってM工S構造の密度の増
加に対して制限を課す。第2に、これはM工S記憶への
相当な周辺漏れ電流を与える。上述の「ポリシリコン分
離センサ構造」の技術は、これがダイオード(例えはn
” −p )域のみを定めるためOCDのM工S構造用
のフィールド分離を除去するためKは適用で ゛ない
。
発明の要旨
本発明によると、fi離用のフィールドイングランド及
び電界酪化を必要としないM工S構造体が開示される。
び電界酪化を必要としないM工S構造体が開示される。
インブラント・マスクを用いることによりポリシリコン
・r−)下に電位井戸が作成可能である。従って、埋込
チャネルCOD影像器・の光感部の場合のように電荷転
送チャネルのアレイを定めるためKは、埋込チャネル・
インブラント・マスクが用いられる。強化閾値を有する
第1ポリシリコン基板型M工Sにより分離される第1ポ
リシリコン埋込チャネル型M工Sにより光感部が形成さ
れる。イングランド分離の概念は適切なインブラント・
マスク段階を用いて表面チャネルCODにも適用可能で
ある。この概念に従うと、従来のフィールドイングラン
ドとフィールド酸化分離はCODアレイの外側のみ、及
び増幅器のような周辺回路のみで必要となる。従って、
本明細書で記述するのはイングランド分離によるM工S
(金属絶縁体半導体)センサを用いた埋込チャネルCO
D線形影像アレイである。さらに、光ダイオード・セン
サを有するCOD影像アレイへのイングラフト分離MI
B記憶榊造も説明される。イングランド分離を用いてフ
ィールド領域を最小とする概念は上記2例のみならず、
TD工(時間遅延及び積分)、前影像装置、sps (
直列−並列−直列)メモリ、ダイナミックRAM (ラ
ンダム・アクセス・メモリ)セルのようなcanダイナ
ミック回路に適用可能である。
・r−)下に電位井戸が作成可能である。従って、埋込
チャネルCOD影像器・の光感部の場合のように電荷転
送チャネルのアレイを定めるためKは、埋込チャネル・
インブラント・マスクが用いられる。強化閾値を有する
第1ポリシリコン基板型M工Sにより分離される第1ポ
リシリコン埋込チャネル型M工Sにより光感部が形成さ
れる。イングランド分離の概念は適切なインブラント・
マスク段階を用いて表面チャネルCODにも適用可能で
ある。この概念に従うと、従来のフィールドイングラン
ドとフィールド酸化分離はCODアレイの外側のみ、及
び増幅器のような周辺回路のみで必要となる。従って、
本明細書で記述するのはイングランド分離によるM工S
(金属絶縁体半導体)センサを用いた埋込チャネルCO
D線形影像アレイである。さらに、光ダイオード・セン
サを有するCOD影像アレイへのイングラフト分離MI
B記憶榊造も説明される。イングランド分離を用いてフ
ィールド領域を最小とする概念は上記2例のみならず、
TD工(時間遅延及び積分)、前影像装置、sps (
直列−並列−直列)メモリ、ダイナミックRAM (ラ
ンダム・アクセス・メモリ)セルのようなcanダイナ
ミック回路に適用可能である。
本発明をより完全に理解するため、図面と関連して以下
の詳細な説明を参照されたい。
の詳細な説明を参照されたい。
詳細な説明
第1図は光感部と転送域を定めるためのイングランド・
マスクを有する金属絶縁体半導体(M工S)センサ・ア
レイを示す。極限まで詳細に示していないが、第1図の
構造の全てがその上に成長又は蒸着される基板10は集
積回路に通常用いられる型のp型シリコン材料である。
マスクを有する金属絶縁体半導体(M工S)センサ・ア
レイを示す。極限まで詳細に示していないが、第1図の
構造の全てがその上に成長又は蒸着される基板10は集
積回路に通常用いられる型のp型シリコン材料である。
p型シリコン材では、電荷キャリヤはn型すなわち電子
である。p型、すなわち空孔キャリヤのn型シリコンも
利用可能である。この分野のこれ以上の背屓には、ジョ
ン・ウィリー・アンド・サンズ社による1979年発行
のM、、T、Howee他編筒のCharge OOu
plMDevices and Systemsと題す
る本を参照されたい。
である。p型、すなわち空孔キャリヤのn型シリコンも
利用可能である。この分野のこれ以上の背屓には、ジョ
ン・ウィリー・アンド・サンズ社による1979年発行
のM、、T、Howee他編筒のCharge OOu
plMDevices and Systemsと題す
る本を参照されたい。
光感域はシリコン基板10の表面に蒸着されたデート酸
化物により定められる。次いで、8字形埋込チャネル・
イングランド・マスクの使用により、本発明の原理に従
って埋込チャネル・インダラントが実行される。すなわ
ち、埋込チャネル・インブラント・マスク14の使用に
より、埋込チャネルがインブラントされる区域に光感部
が定められる。インノラント埋込チャネルは例えは、イ
オン化した時に光感域の表面に沿って一定の負電荷を与
えるイングランドされる砒禦又は燐イオンの薄層を含む
。従って第1図では、上述したような埋込チャネル・イ
ングランドを有する光感域16.18,20,22.2
4が見られる。埋込チャネル・インブラント・マスクに
より定められたS半載14の上下外縁部を除いた第1図
に示す全光1=域上には多結晶シリコンの層30がある
。
化物により定められる。次いで、8字形埋込チャネル・
イングランド・マスクの使用により、本発明の原理に従
って埋込チャネル・インダラントが実行される。すなわ
ち、埋込チャネル・インブラント・マスク14の使用に
より、埋込チャネルがインブラントされる区域に光感部
が定められる。インノラント埋込チャネルは例えは、イ
オン化した時に光感域の表面に沿って一定の負電荷を与
えるイングランドされる砒禦又は燐イオンの薄層を含む
。従って第1図では、上述したような埋込チャネル・イ
ングランドを有する光感域16.18,20,22.2
4が見られる。埋込チャネル・インブラント・マスクに
より定められたS半載14の上下外縁部を除いた第1図
に示す全光1=域上には多結晶シリコンの層30がある
。
この層は第1ポリシリコン層と名付けられる。光感環上
のこの第1ポリシリコン層は、光感域の金属絶縁体半導
体構造を画成し、ここでポリシリコン層は金属層、絶縁
層はデート酸化物12であり、一方半導体は上述のシリ
コン基板10である。埋込チャネル・インブラント分離
技術を用いると、影像センサ・アレイには望ましくない
暗電流を減少させる。
のこの第1ポリシリコン層は、光感域の金属絶縁体半導
体構造を画成し、ここでポリシリコン層は金属層、絶縁
層はデート酸化物12であり、一方半導体は上述のシリ
コン基板10である。埋込チャネル・インブラント分離
技術を用いると、影像センサ・アレイには望ましくない
暗電流を減少させる。
光感部の下に蓄積された′重荷を外方境界シフトレジス
タへ転送するため、全体が台形で画成されるフィールド
酸化物34.36.38が図示の区域のシリコン表面に
成長される。従って、発生した電子を光感域の上のシフ
トレジスタまでシフトする光感域18.22に対しては
、台形部36゜38が光感域の下のシフトレジスタへの
電子の混入をさらに分離し阻止する。例えば光感域16
゜20.24の上には約1ミクロン厚の同様の厚いフィ
ールド酸化物の台形域が配置されて、上部シフトレジス
タ域への電子混入からこれらの光感部を分離している。
タへ転送するため、全体が台形で画成されるフィールド
酸化物34.36.38が図示の区域のシリコン表面に
成長される。従って、発生した電子を光感域の上のシフ
トレジスタまでシフトする光感域18.22に対しては
、台形部36゜38が光感域の下のシフトレジスタへの
電子の混入をさらに分離し阻止する。例えば光感域16
゜20.24の上には約1ミクロン厚の同様の厚いフィ
ールド酸化物の台形域が配置されて、上部シフトレジス
タ域への電子混入からこれらの光感部を分離している。
下部シフトレジスタへの移動路に沿って信号が台形部間
で下方に転送される時、厚いフィールド酸化物の台形部
34,36.38は又光感部16,20.24からの情
報信号を含む電子の移動路をさらに画成する。特に、台
形部34.36は下部シフトレジスタ6への移動路に沿
った光感部16からの蓄積電荷の移動路を正確に画成限
定し、一方台形部36.38は例えば光感部20の下に
蓄積された信号電子の移動路を画成限定する。正常動作
時にはCCDシフトレジスタは連続的にクロックされて
いるため、フィールド酸化物34,36.38の小域に
発生した暗電流は影像装置の過剰漏れ電流成分を生じな
い。
で下方に転送される時、厚いフィールド酸化物の台形部
34,36.38は又光感部16,20.24からの情
報信号を含む電子の移動路をさらに画成する。特に、台
形部34.36は下部シフトレジスタ6への移動路に沿
った光感部16からの蓄積電荷の移動路を正確に画成限
定し、一方台形部36.38は例えば光感部20の下に
蓄積された信号電子の移動路を画成限定する。正常動作
時にはCCDシフトレジスタは連続的にクロックされて
いるため、フィールド酸化物34,36.38の小域に
発生した暗電流は影像装置の過剰漏れ電流成分を生じな
い。
第1ポリシリコン層30を映像センサの表面に蒸着する
時に、矩形域42.44.45も蒸着して、厚いフィー
ルド酸化台形域34.36.38のいくつかの重要な区
域に重ね合せているのが示されている。これは、2進又
は4進のどちらの形態であれ、光感域からムFのシフト
レジスタへの蓄積電荷の移動路を正確に画成することを
保証する。第2ポリシリコン層50は第1ポリシリコン
層上に蒸着されて酸化物の絶縁層により分離され、転送
デート50を含む。この転送デート50は光感部の下の
電子な上下のシフトレジスタへ通常の方法で転送するた
めに用いられる通常の技術である。番号56と58.6
0と62.64と66は第1ポリシリコンの区域上の第
2ポリシリコンの区域を表わし、光感域4から並列で受
信した情報を転送してCODシフトレジスタ域6から直
列方向にシフト出力されるために用いられる通常のシフ
トレジスタを表わす。
時に、矩形域42.44.45も蒸着して、厚いフィー
ルド酸化台形域34.36.38のいくつかの重要な区
域に重ね合せているのが示されている。これは、2進又
は4進のどちらの形態であれ、光感域からムFのシフト
レジスタへの蓄積電荷の移動路を正確に画成することを
保証する。第2ポリシリコン層50は第1ポリシリコン
層上に蒸着されて酸化物の絶縁層により分離され、転送
デート50を含む。この転送デート50は光感部の下の
電子な上下のシフトレジスタへ通常の方法で転送するた
めに用いられる通常の技術である。番号56と58.6
0と62.64と66は第1ポリシリコンの区域上の第
2ポリシリコンの区域を表わし、光感域4から並列で受
信した情報を転送してCODシフトレジスタ域6から直
列方向にシフト出力されるために用いられる通常のシフ
トレジスタを表わす。
第2a図は第1図の光感域のようなインゾラント分離埋
込チャネルCOD (BCOD) の概略図である。
込チャネルCOD (BCOD) の概略図である。
ポリシリコン層は埋込チャネル・インブランド・マスク
により定義される埋込チャネル域を覆っているのが図示
されている。BOOD 間には従来のフイールドインゾ
ラントやフィールド酸化物分離は用いられていない。又
これにはチャネル幅がWlから多くの高密度00D回路
設計に必要なようなより小寸法のW2 へ狭まってい
る場合も示されている。第2b図はCODチャネルの幅
に対する電子電位の関係図である。電子電位のピークは
埋込チャネル・イングランドがマスクされた区域に対し
て生じている。電子電位のピークがあることは、インブ
ラント域がCODチャネルとして記述した区域の電荷移
動を十分定義し限定していることを示している。高電界
インブラントによる縁電界と局所電界酸化による鳥のく
ちばし侵入により、第2C図に示すようにCODチャネ
ルがWlからW2へ狭まるにつれて最小電位が著しく減
少する。しがし竜から、インブラント分M CODでは
、従来のフィールド分離と比較してチャネルがwlがら
w2へ挟まった時にOQフチャネル内の電位が相対的に
一定に保持可能であることを実験は示している。これは
00D密度の増加を可能とする本発明に記述した概念の
第1の主要な利点でおる。特別な応用例には4進影仔ア
レイの内部シフトレジスタから外部シフトレジスタへの
電荷転送域、アナログ・メモリの【K列−並列及び並列
−直列転送域、TD工形影像装置区域影像装置がある。
により定義される埋込チャネル域を覆っているのが図示
されている。BOOD 間には従来のフイールドインゾ
ラントやフィールド酸化物分離は用いられていない。又
これにはチャネル幅がWlから多くの高密度00D回路
設計に必要なようなより小寸法のW2 へ狭まってい
る場合も示されている。第2b図はCODチャネルの幅
に対する電子電位の関係図である。電子電位のピークは
埋込チャネル・イングランドがマスクされた区域に対し
て生じている。電子電位のピークがあることは、インブ
ラント域がCODチャネルとして記述した区域の電荷移
動を十分定義し限定していることを示している。高電界
インブラントによる縁電界と局所電界酸化による鳥のく
ちばし侵入により、第2C図に示すようにCODチャネ
ルがWlからW2へ狭まるにつれて最小電位が著しく減
少する。しがし竜から、インブラント分M CODでは
、従来のフィールド分離と比較してチャネルがwlがら
w2へ挟まった時にOQフチャネル内の電位が相対的に
一定に保持可能であることを実験は示している。これは
00D密度の増加を可能とする本発明に記述した概念の
第1の主要な利点でおる。特別な応用例には4進影仔ア
レイの内部シフトレジスタから外部シフトレジスタへの
電荷転送域、アナログ・メモリの【K列−並列及び並列
−直列転送域、TD工形影像装置区域影像装置がある。
第2の主オな利点は暗電流の非一様性の減少である。第
2図で説明した理論はインブラント・マスクの適切な置
換により表面チャネルOODにも成立する。
2図で説明した理論はインブラント・マスクの適切な置
換により表面チャネルOODにも成立する。
第6図は同様ではあるが異なった原理を用いた本発明の
実施例を図示する。第3図は第1図に関連して図示説明
したシリコン基板と同様の基板200を図示する。すな
わち、基板200は信号キャリヤが電子を含むp型シリ
コン材を含む。第5図の光感部は矩形202から212
である。これらの光感域は光ダイオード型の構造で、例
えば砒素又は燐がシリコン基板にインブラントされる。
実施例を図示する。第3図は第1図に関連して図示説明
したシリコン基板と同様の基板200を図示する。すな
わち、基板200は信号キャリヤが電子を含むp型シリ
コン材を含む。第5図の光感部は矩形202から212
である。これらの光感域は光ダイオード型の構造で、例
えば砒素又は燐がシリコン基板にインブラントされる。
従って第6図の光感部は第1図のM工8センサに対して
光ダイオード・センサである。これは外部光源の照射に
より信号の発生時に用いられる過大な電子を発生する。
光ダイオード・センサである。これは外部光源の照射に
より信号の発生時に用いられる過大な電子を発生する。
全4返から光ダイオード城202から212を取囲み、
これを覆っていないのは第1ポリシリコン層240であ
る。第1ポリシリコン層240を蒸着する前に、埋込チ
ャネル・インブラント・マスク220を用いて埋込チャ
ネルCC])域226から236を画成する。インブラ
ント・マスク220はS字形で、光感域の上又は下を交
互に区域226から236をマスクしない。
これを覆っていないのは第1ポリシリコン層240であ
る。第1ポリシリコン層240を蒸着する前に、埋込チ
ャネル・インブラント・マスク220を用いて埋込チャ
ネルCC])域226から236を画成する。インブラ
ント・マスク220はS字形で、光感域の上又は下を交
互に区域226から236をマスクしない。
従って、再び光ダイオード・センサ域202から212
は第1ポリシリコン・デート240の矩形穴内に形成さ
れ、第1ポリシリコン基板型素子構造により互いに分離
されている。各光ダイオード・センサは、第1ポリシリ
コン基板型素子構造により互いに分離されているM工S
第1ポリシリコン埋込チャネル記憶r−) 22 Gか
ら236に、付随している。
は第1ポリシリコン・デート240の矩形穴内に形成さ
れ、第1ポリシリコン基板型素子構造により互いに分離
されている。各光ダイオード・センサは、第1ポリシリ
コン基板型素子構造により互いに分離されているM工S
第1ポリシリコン埋込チャネル記憶r−) 22 Gか
ら236に、付随している。
第6図の照射光は光ダイオード域202〜212へ向け
られ、埋込チャネルか配置されている区域には向けられ
ていない。204,208,212で発生された信号は
まず付随するM工S記憶r−1・228.232.23
6下に記憶され、次いで転送デート250を介してCO
Dレジスタ2tiθへ並列転送される。転送ゲート25
0下の叫込ザヤネルCODは再びインブラント分離マス
クにより画成される。従って第6図では、インブラント
分厭は光ダイオード、M工S記憶部、転送域からフづ−
ルド分離を除去する作用を果たす。回路活度がj四人し
てチャネル幅が狭まってもこれは殆んど一定のチャネル
′醋位を保持する。これは又暗電流の非一様性を減少す
る。第6図の光感影像装置上の区域は以下に示す影像装
置と同様の転送グ゛−1−と記憶ダートを有するが、図
示の都合上省略しである。
られ、埋込チャネルか配置されている区域には向けられ
ていない。204,208,212で発生された信号は
まず付随するM工S記憶r−1・228.232.23
6下に記憶され、次いで転送デート250を介してCO
Dレジスタ2tiθへ並列転送される。転送ゲート25
0下の叫込ザヤネルCODは再びインブラント分離マス
クにより画成される。従って第6図では、インブラント
分厭は光ダイオード、M工S記憶部、転送域からフづ−
ルド分離を除去する作用を果たす。回路活度がj四人し
てチャネル幅が狭まってもこれは殆んど一定のチャネル
′醋位を保持する。これは又暗電流の非一様性を減少す
る。第6図の光感影像装置上の区域は以下に示す影像装
置と同様の転送グ゛−1−と記憶ダートを有するが、図
示の都合上省略しである。
00Dレジスタ260は第1図に関連して図示説明した
CODシフトレジスタと同様の分離技術を含む。すなオ
〕ち、転送r−) 250は、第1ポリシリコン層にま
たがり、絶縁体としての2g!化シリコンの層により分
離されているm2のポリシリコン層を含む。各々の光感
域からの信号の完全な分離をはかるため、フィールド酸
化層270.272゜274がシリコン・チップの表面
上に成長され、光感域かうac:o出力シフトレジスタ
260への信号の移動路を分離しさらに指示を与える。
CODシフトレジスタと同様の分離技術を含む。すなオ
〕ち、転送r−) 250は、第1ポリシリコン層にま
たがり、絶縁体としての2g!化シリコンの層により分
離されているm2のポリシリコン層を含む。各々の光感
域からの信号の完全な分離をはかるため、フィールド酸
化層270.272゜274がシリコン・チップの表面
上に成長され、光感域かうac:o出力シフトレジスタ
260への信号の移動路を分離しさらに指示を与える。
受信位置280.282,284は上述のように転送ゲ
ート250を介して、かつフィールド酸化層270゜2
72.274により定められかつ指示される光感域から
のこれらの信号を受信する。中間記憶域288.290
は、CODシフトレジスタ260がクロックされてレジ
スタ域から信号を転出するにつれてレジスタ域28Q、
282.284により光感域から受信し記憶された信号
を受信するために設けられる。中間記憶域288,29
0に加えて区域280.282,284はシリコン基板
上直接の2酸化シリコンのデート酸化層上に蒸着された
第1ポリシリコン層を介して第1図に示したものと同様
の技術により形成可能である。転送デ−)250を用い
て光感域からの信号を並列にシフトレジスタ260へ転
送したように、転送r−)302,304,306,3
08,310を転送r−)として用いて、シフトレジス
タをクロックしてレジスタからの信号を外部後続回路へ
転送する時に第6図に示すように右側へ直列的に信号を
転送する。転送r−) 250と直列転送デート302
〜310は何のインノラントも用いない第2ポリシリコ
ン層又はボロン・インノラントのみを用いた第2ポリシ
リコン層を用いて分離されている第2ポリシリコン層を
含む。このようにして第6図に示す全影像装置ではフィ
ールドインノラントの要求は極めて最小に縮減される。
ート250を介して、かつフィールド酸化層270゜2
72.274により定められかつ指示される光感域から
のこれらの信号を受信する。中間記憶域288.290
は、CODシフトレジスタ260がクロックされてレジ
スタ域から信号を転出するにつれてレジスタ域28Q、
282.284により光感域から受信し記憶された信号
を受信するために設けられる。中間記憶域288,29
0に加えて区域280.282,284はシリコン基板
上直接の2酸化シリコンのデート酸化層上に蒸着された
第1ポリシリコン層を介して第1図に示したものと同様
の技術により形成可能である。転送デ−)250を用い
て光感域からの信号を並列にシフトレジスタ260へ転
送したように、転送r−)302,304,306,3
08,310を転送r−)として用いて、シフトレジス
タをクロックしてレジスタからの信号を外部後続回路へ
転送する時に第6図に示すように右側へ直列的に信号を
転送する。転送r−) 250と直列転送デート302
〜310は何のインノラントも用いない第2ポリシリコ
ン層又はボロン・インノラントのみを用いた第2ポリシ
リコン層を用いて分離されている第2ポリシリコン層を
含む。このようにして第6図に示す全影像装置ではフィ
ールドインノラントの要求は極めて最小に縮減される。
第6図に関連して図示説明してきた影像装置の利点は、
フィールドインノラントの除去、暗信号非一様性の減少
、電荷処理能力の増加、第1図より簡単化された設計で
ある。
フィールドインノラントの除去、暗信号非一様性の減少
、電荷処理能力の増加、第1図より簡単化された設計で
ある。
本発明は特定の実施例に関連して記述してきたが、本発
明の真の要旨と範囲から逸脱することなく当業者には各
種の変更を行ない、その要素に等何物を買換できること
を理解されたい。加えて、本発明の基本的教示から逸脱
することなく多くの修正を施しうる。
明の真の要旨と範囲から逸脱することなく当業者には各
種の変更を行ない、その要素に等何物を買換できること
を理解されたい。加えて、本発明の基本的教示から逸脱
することなく多くの修正を施しうる。
第1図は光感部と転送デートを定めるために用いられた
インク0ラント・マスクを有するM工S[1の上面図で
ある。第2a図、第2b図、第2C図は埋込チャネル・
インノラント・マスクを利用した多結晶シリコン下に形
成される電位井戸を示す説明図である。第6図は本発明
を用いた最小フィールド領域光ダイオードCOD影像装
置を示す。 代理人 浅 村 皓 FIG、 2σ /シフブラント・マスク FIo、 2c FIG、 3 460−
インク0ラント・マスクを有するM工S[1の上面図で
ある。第2a図、第2b図、第2C図は埋込チャネル・
インノラント・マスクを利用した多結晶シリコン下に形
成される電位井戸を示す説明図である。第6図は本発明
を用いた最小フィールド領域光ダイオードCOD影像装
置を示す。 代理人 浅 村 皓 FIG、 2σ /シフブラント・マスク FIo、 2c FIG、 3 460−
Claims (2)
- (1) シリコン基板と、 前記シリコン基板に成長したゲート酸化物層と、前記層
上の複数個の光感域であって、埋込チャネル・インブラ
ントにより画成され、前記イングランドは埋込チャネル
・インブラント・マスクによりマスクされていない前記
層上の区域に形成されている前記複数個の光感域と、 前記光感域の上下周縁部を除いてその大部分の上に載置
した第1多結晶シリコン層と、前記多結晶シリコン層、
デート酸化層、前記シリコン基板が金属−絶縁体半導体
型式の構造を含む最小フィールド領域00D影像装置。 - (2) シリコン基板と、 前記シリコン基板上の光ダイオード型の複数個の光感域
であって、過剰信号キャリヤがシリコン基台に発生する
前記複数個の光感域と、埋込チャネルCOD域をマスク
しないイングランド分離マスクと、 前記光1e域を取囲む区域のデート酸化物層とその□次
の第1多結晶シリコンの層であって、前記層は口1記光
感域を瞳ってはいないが、イングランド・マスクと1つ
おきの光感域の下の区域と中間の光感域の上の区域とに
より画成される区域を覆い、前記区域は埋込チャネル・
イングランドによりイングランドされて各光感域の下で
発生した信号の転送を収納する前記P−)酸化物音と第
1多結晶シリコンの層と、前記多結晶シリコン層、前記
r−1−酸化物層、前記シリコン基板かつ金属−絶縁体
一半導体型の構造を含む最小フィールド領域00D影像
装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US39061282A | 1982-06-21 | 1982-06-21 | |
US390612 | 1982-06-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS595787A true JPS595787A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=23543202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58105093A Pending JPS595787A (ja) | 1982-06-21 | 1983-06-14 | 最小フイ−ルド領域ccd影像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS595787A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS611634U (ja) * | 1984-06-10 | 1986-01-08 | マツダ株式会社 | デイ−ゼルエンジンの吸気装置 |
JPH0337263U (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-11 | ||
US5008758A (en) * | 1989-05-24 | 1991-04-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Suppressing dark current in charge-coupled devices |
-
1983
- 1983-06-14 JP JP58105093A patent/JPS595787A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS611634U (ja) * | 1984-06-10 | 1986-01-08 | マツダ株式会社 | デイ−ゼルエンジンの吸気装置 |
JPH0352983Y2 (ja) * | 1984-06-10 | 1991-11-19 | ||
US5008758A (en) * | 1989-05-24 | 1991-04-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Suppressing dark current in charge-coupled devices |
JPH0337263U (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-11 |
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