JPS595596B2 - ７− チカン −３−ｎ ガンユウフクソカンチオメチル −３− セフエム −４− カルボンサンユウドウタイ ノ セイゾウホウ - Google Patents
７− チカン −３−ｎ ガンユウフクソカンチオメチル −３− セフエム −４− カルボンサンユウドウタイ ノ セイゾウホウInfo
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- JPS595596B2 JPS595596B2 JP49048127A JP4812774A JPS595596B2 JP S595596 B2 JPS595596 B2 JP S595596B2 JP 49048127 A JP49048127 A JP 49048127A JP 4812774 A JP4812774 A JP 4812774A JP S595596 B2 JPS595596 B2 JP S595596B2
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は新規な７−置換−３−Ｎ含有複素環チオメチ
ルー３−セフエムー ４−カルボン酸誘導体の製造法に
関するものであり、その概略を式に示すと次の通りであ
る。
ルー３−セフエムー ４−カルボン酸誘導体の製造法に
関するものであり、その概略を式に示すと次の通りであ
る。
（式中、Ｒ１はテトラゾリルもしくはチエニルで置換さ
れたアセチルアミノ基、Ｒ２はアミノアルキル置換テト
ラゾリル基、Ｒｔは該アミノ部分がアルコキシカルボニ
ルで置換されていてもよいアミノアルキル置換テトラゾ
リル基、Ｘはアルカノイルオキシ基をそれぞれ意味する
）この発明の方法は化合喚１）またはその塩類にチオー
ル類（１１）またはその塩類を作用させることにより行
われる。
れたアセチルアミノ基、Ｒ２はアミノアルキル置換テト
ラゾリル基、Ｒｔは該アミノ部分がアルコキシカルボニ
ルで置換されていてもよいアミノアルキル置換テトラゾ
リル基、Ｘはアルカノイルオキシ基をそれぞれ意味する
）この発明の方法は化合喚１）またはその塩類にチオー
ル類（１１）またはその塩類を作用させることにより行
われる。
化合ＶＸＩ）は前記の一般式（１）で表わされるが、さ
らに詳細にはテトラゾリルもしくはチエニルで置換され
たアセチルアミノ基をＲ１として有し、ホルミルオキシ
、アセトキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ等
のアルカノイルオキシ基をＸとして有する化合物を意味
する。
らに詳細にはテトラゾリルもしくはチエニルで置換され
たアセチルアミノ基をＲ１として有し、ホルミルオキシ
、アセトキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ等
のアルカノイルオキシ基をＸとして有する化合物を意味
する。
これらの化合物（４）の塩類としては、ナトリウム塩、
カリウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩、トリエチ
ルアミン塩等の塩類が挙げられる。
カリウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩、トリエチ
ルアミン塩等の塩類が挙げられる。
もう一方の原料であるチオール類（至）は前記の一般式
（６）で示されるが、さらに詳細にはアミノアルキル基
で置換されたテトラゾリル基をにとして有する化合物を
意味し、基Ｒ′２を構成するアミノアルキル基としては
、アミノ基を任意の位置に有するメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等が例示される。こ
のアミノアルキル基におけるアミノ部分は第３級ブトキ
シカルボニル、第３級ペンチルオキシカルボニル、イソ
プロポキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基
で置換されていてもよいものとする。そして、これらの
チオール類（１）の塩類としては、ナトリウム塩、カリ
ウム塩等のアルカリ金属塩が挙げられる。この発明の反
応は通常、溶媒中で行われる。溶媒としてはアセトン、
クロロホルム、ニトロベンゼン、ジメチルホルムアミド
、メタノール、エタノール、ジメチルスルホキサイド、
およびこの発明の反応に悪影響を与えない一般有機溶媒
ならびに水が挙げられるが、極性の強い溶媒が望ましい
。これらのうち、親水性の溶媒は水と混合して使用する
ことができる。この発明の反応は中性付近で行うのが望
ましく、また化合轍１）またはチオール類刀を遊離の状
態で使用する場合には水酸化アルカリ金属、炭酸アルカ
リ金属、炭酸水素アルカリ金属、トリアルキルアミン等
の塩基の存在下に反応を行うのが望ましい。反応温度は
特に限定されないが、通常室温で、もしくは加温しなが
ら反応が行われることが多い。反応生成物は常法により
分離採取される。なお、この反応において原料として使
用するチオール類（ｌ）の恐のアミノ部分がアルコキシ
カルボニル基で置換されていて、反応生成物中の該アミ
ノ部分がアルコキシカルボニルで置換されている場合に
は、反応生成物を次いで該アルコキシカルボニル基の脱
離反応に付してアミノアルキル置換テトラゾリル基をＲ
２として有する目的化合物（ホ）を得る。
（６）で示されるが、さらに詳細にはアミノアルキル基
で置換されたテトラゾリル基をにとして有する化合物を
意味し、基Ｒ′２を構成するアミノアルキル基としては
、アミノ基を任意の位置に有するメチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等が例示される。こ
のアミノアルキル基におけるアミノ部分は第３級ブトキ
シカルボニル、第３級ペンチルオキシカルボニル、イソ
プロポキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基
で置換されていてもよいものとする。そして、これらの
チオール類（１）の塩類としては、ナトリウム塩、カリ
ウム塩等のアルカリ金属塩が挙げられる。この発明の反
応は通常、溶媒中で行われる。溶媒としてはアセトン、
クロロホルム、ニトロベンゼン、ジメチルホルムアミド
、メタノール、エタノール、ジメチルスルホキサイド、
およびこの発明の反応に悪影響を与えない一般有機溶媒
ならびに水が挙げられるが、極性の強い溶媒が望ましい
。これらのうち、親水性の溶媒は水と混合して使用する
ことができる。この発明の反応は中性付近で行うのが望
ましく、また化合轍１）またはチオール類刀を遊離の状
態で使用する場合には水酸化アルカリ金属、炭酸アルカ
リ金属、炭酸水素アルカリ金属、トリアルキルアミン等
の塩基の存在下に反応を行うのが望ましい。反応温度は
特に限定されないが、通常室温で、もしくは加温しなが
ら反応が行われることが多い。反応生成物は常法により
分離採取される。なお、この反応において原料として使
用するチオール類（ｌ）の恐のアミノ部分がアルコキシ
カルボニル基で置換されていて、反応生成物中の該アミ
ノ部分がアルコキシカルボニルで置換されている場合に
は、反応生成物を次いで該アルコキシカルボニル基の脱
離反応に付してアミノアルキル置換テトラゾリル基をＲ
２として有する目的化合物（ホ）を得る。
目的物質である７ー置換−３−Ｎ含有複素環チオメチル
−３−セフエム一４−カルボン酸四は常法に従つて、ア
ルカリ金属塩、アンモニウム塩等の無機塩基との塩類、
さらには有機塩基、たとえばトリエチルアミン、シンク
ロヘキシルアミン等との塩類に導くことができる。
−３−セフエム一４−カルボン酸四は常法に従つて、ア
ルカリ金属塩、アンモニウム塩等の無機塩基との塩類、
さらには有機塩基、たとえばトリエチルアミン、シンク
ロヘキシルアミン等との塩類に導くことができる。
この発明の方法によつて得られる７ー置換−３−Ｎ含有
複素環チオメチル−３−セフエム一４−カルボン酸誘導
体（８）はすべて新規化合物であり、酸およびペニシリ
ナーゼに安定な抗菌性物質として有用である。
複素環チオメチル−３−セフエム一４−カルボン酸誘導
体（８）はすべて新規化合物であり、酸およびペニシリ
ナーゼに安定な抗菌性物質として有用である。
次にこの発明の方法を実施例により説明する。
実施例 １７−（１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アセ
トアミドセフアロスポラン酸のナトリウム塩２．０２７
、１−（２−アミノエチル）−１Ｈ−テトラゾール−５
−チオール０．９０ｙおよび炭酸水素ナトリウム０．８
４ｙを水５０ｍ１に溶解し、液性をＰＨ３．４〜３．６
に調整した後、６０〜６５℃で５．５時間攪拌する。
トアミドセフアロスポラン酸のナトリウム塩２．０２７
、１−（２−アミノエチル）−１Ｈ−テトラゾール−５
−チオール０．９０ｙおよび炭酸水素ナトリウム０．８
４ｙを水５０ｍ１に溶解し、液性をＰＨ３．４〜３．６
に調整した後、６０〜６５℃で５．５時間攪拌する。
反応液を凍結乾燥し、残渣を水１０ｄに溶解した後、こ
れを樹脂（商品名：ＸＡＤ２、ローム・アンド・ハース
社製）１００ｍ１に吸着する。水で洗浄した後、２０％
含水エタノールで溶出すると、Ｍｐｌ７３〜１７６℃（
分解）の７一（１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アセト
アミド−３−〔１−（２−アミノエチル）−１Ｈ−テト
ラゾール−５−イル〕チオメチル−３−セフエム一４−
カルボン酸０．６０ｙを得る。赤外線吸収スベクトル ヌジヨール Ｖｍａｘ（″−１）１７６７・ １６９０、１５９０（
ＢｒＯａｄ）核磁気共鳴吸収スペクトル δＤ２Ｏ＋ＮａＨＣＯ３（ＰＰｍ）： ３．４５〜３．７５（４Ｈ，．ｍ） ４．２２、４．４３（２Ｈ，．ＡＢ−Ｑ，．Ｊ−１４Ｈ
ｚ）４．５〜４．７（２Ｈｓｍ）５．１６（１Ｈ，．ｄ
，．Ｊ＝５Ｈｚ） ５．６１（２Ｈ，．ｓ） ５．７０（１Ｈ，．ｄ，．Ｊ＝５Ｈｚ） ７．７０（１Ｈｘｓ） 実施例 ２ （１） ７一（２−チエニル）アセトアミドセフアロス
ポラン酸３．９４ｆ７、１−（２一第３級ブトキシカル
ボニルアミノエチル）−１Ｈ−テトラゾール−５−チオ
ール２．４５ｙおよび炭酸水素ナトリウム１．６８ｙを
水１００ｍ１に溶解し、６０〜６３℃で７時間攪拌する
。
れを樹脂（商品名：ＸＡＤ２、ローム・アンド・ハース
社製）１００ｍ１に吸着する。水で洗浄した後、２０％
含水エタノールで溶出すると、Ｍｐｌ７３〜１７６℃（
分解）の７一（１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アセト
アミド−３−〔１−（２−アミノエチル）−１Ｈ−テト
ラゾール−５−イル〕チオメチル−３−セフエム一４−
カルボン酸０．６０ｙを得る。赤外線吸収スベクトル ヌジヨール Ｖｍａｘ（″−１）１７６７・ １６９０、１５９０（
ＢｒＯａｄ）核磁気共鳴吸収スペクトル δＤ２Ｏ＋ＮａＨＣＯ３（ＰＰｍ）： ３．４５〜３．７５（４Ｈ，．ｍ） ４．２２、４．４３（２Ｈ，．ＡＢ−Ｑ，．Ｊ−１４Ｈ
ｚ）４．５〜４．７（２Ｈｓｍ）５．１６（１Ｈ，．ｄ
，．Ｊ＝５Ｈｚ） ５．６１（２Ｈ，．ｓ） ５．７０（１Ｈ，．ｄ，．Ｊ＝５Ｈｚ） ７．７０（１Ｈｘｓ） 実施例 ２ （１） ７一（２−チエニル）アセトアミドセフアロス
ポラン酸３．９４ｆ７、１−（２一第３級ブトキシカル
ボニルアミノエチル）−１Ｈ−テトラゾール−５−チオ
ール２．４５ｙおよび炭酸水素ナトリウム１．６８ｙを
水１００ｍ１に溶解し、６０〜６３℃で７時間攪拌する
。
反応液をエーテル５０ｍ１で２回洗浄し、酢酸エチル１
５０ｍ１を氷冷下で積層した後、１０％塩酸でＰＨｌ〜
２に調整する。酢酸エチル層を分取して、水層を酢酸エ
チル１００ｍ１で２回抽出する。酢酸エチル層を合し、
塩化ナトリウム飽和水溶液で洗浄した後、硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。これから酢酸エチルを減圧下に留去し
、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイに付して精
製すると、Ｍｐ８８〜９３℃（分解）の７一（２−チエ
ニル）アセトアミド−３−〔１−（２一第３級ブトキシ
カルボニルアミノエチル）−１Ｈ−テトラゾール−５−
イル〕チオメチル−３−セフエム一４−カルボン酸３．
１８ｆを得る。赤外線吸収スベクトル ヌジヨール ν （Ｃｌｎ−１）：３３００、１７８０、Ｍ
ａｘｌ７ＯＯ（ＢｒＯａｄ） 核磁気共鳴吸収スペクトル δＤＭＳＯ−Ｄ６＋Ｄ２Ｏ（Ｐｐｍ）： １．３５（９Ｈ，．ｓ） ３．３５（２Ｈ，．ｂｒ０ａｄｓ） ３，６〜３．８５（４Ｈ，．ｍ） ４．１５〜４，５０（４Ｈ，．ｍ） ５．０３（１Ｈ．ｄ．Ｊ−５Ｈｚ） ５．６４（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝５Ｈｚ） ６．８０〜７．４０（３Ｈ，．ｍ） ２）上記のようにして得た７一（２−チエニル）アセト
アミド−３−〔１−（２一第３級ブトキシカルボニルア
ミノエチル）−１Ｈ−テトラゾール−５−イル〕チオメ
チル−３−セフエム４−カルボン酸２．７０７を義酸１
５ｍ１に溶解し、室温で３時間攪拌する。
５０ｍ１を氷冷下で積層した後、１０％塩酸でＰＨｌ〜
２に調整する。酢酸エチル層を分取して、水層を酢酸エ
チル１００ｍ１で２回抽出する。酢酸エチル層を合し、
塩化ナトリウム飽和水溶液で洗浄した後、硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。これから酢酸エチルを減圧下に留去し
、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイに付して精
製すると、Ｍｐ８８〜９３℃（分解）の７一（２−チエ
ニル）アセトアミド−３−〔１−（２一第３級ブトキシ
カルボニルアミノエチル）−１Ｈ−テトラゾール−５−
イル〕チオメチル−３−セフエム一４−カルボン酸３．
１８ｆを得る。赤外線吸収スベクトル ヌジヨール ν （Ｃｌｎ−１）：３３００、１７８０、Ｍ
ａｘｌ７ＯＯ（ＢｒＯａｄ） 核磁気共鳴吸収スペクトル δＤＭＳＯ−Ｄ６＋Ｄ２Ｏ（Ｐｐｍ）： １．３５（９Ｈ，．ｓ） ３．３５（２Ｈ，．ｂｒ０ａｄｓ） ３，６〜３．８５（４Ｈ，．ｍ） ４．１５〜４，５０（４Ｈ，．ｍ） ５．０３（１Ｈ．ｄ．Ｊ−５Ｈｚ） ５．６４（１Ｈ．ｄ．Ｊ＝５Ｈｚ） ６．８０〜７．４０（３Ｈ，．ｍ） ２）上記のようにして得た７一（２−チエニル）アセト
アミド−３−〔１−（２一第３級ブトキシカルボニルア
ミノエチル）−１Ｈ−テトラゾール−５−イル〕チオメ
チル−３−セフエム４−カルボン酸２．７０７を義酸１
５ｍ１に溶解し、室温で３時間攪拌する。
反応液から義酸を減圧下に留去し、残留物にアセトニト
リルを加えて粉末化する。これを▲取し、アセトニトリ
ルおよびエーテルで順次洗浄した後、乾燥すると、７一
（２−チエニル）アセトアミド−３−〔１−（２−アミ
ノエチル）−１Ｈ−テトラゾール−５−イル〕チオメチ
ル−３−セフエム一４−カルボン酸１．８６ｙを得る。
赤外線吸収スベクトル ヌジヨール ν （Ｃｍ−１）：３２５０１１７６０１ｍｅ
ｘ１６５０１１６２５、１５７０ 核磁気共鳴吸収スペクトル δＤ２Ｏ＋ＮａＨＣＯ３（卯ｍ）： ３．３５〜３．６５（４Ｈ，．ｍ） ３．８３（２Ｈ，．ｓ） ４．１０〜４．６０（４Ｈ，．ｍ） ５．０５（１Ｈ．ｄ．Ｊ−４。
リルを加えて粉末化する。これを▲取し、アセトニトリ
ルおよびエーテルで順次洗浄した後、乾燥すると、７一
（２−チエニル）アセトアミド−３−〔１−（２−アミ
ノエチル）−１Ｈ−テトラゾール−５−イル〕チオメチ
ル−３−セフエム一４−カルボン酸１．８６ｙを得る。
赤外線吸収スベクトル ヌジヨール ν （Ｃｍ−１）：３２５０１１７６０１ｍｅ
ｘ１６５０１１６２５、１５７０ 核磁気共鳴吸収スペクトル δＤ２Ｏ＋ＮａＨＣＯ３（卯ｍ）： ３．３５〜３．６５（４Ｈ，．ｍ） ３．８３（２Ｈ，．ｓ） ４．１０〜４．６０（４Ｈ，．ｍ） ５．０５（１Ｈ．ｄ．Ｊ−４。
５Ｈｚ）
５４５８（１Ｈ．ｄ．Ｊ−４．５Ｈｚ）
６．９０〜７．４０（３Ｈ．ｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１はテトラゾリルもしくはチエニルで置換
されたアセチルアミノ基、Ｘはアルカノイルオキシ基を
それぞれ意味する）で示される化合物またはその塩類に
、一般式Ｒ′＿２−ＳＨ（式中、Ｒ′＿２はアミノアル
キル置換テトラゾリル基を意味し、該アミノ部分はアル
コキシカルボニルで置換されていてもよいものとする）
で示されるチオール類またはその塩類を反応させ、反応
生成物中の該アミノ部分がアルコキシカルボニルで置換
されている場合には、次いでアルコキシカルボニル基の
脱離反応に付して、一般式▲数式、化学式、表等があり
ます▼（式中、Ｒ＿１は前と同じ意味であり、Ｒ＿２は
アミノアルキル置換テトラゾリル基を意味する）で示さ
れる７−置換−３−Ｎ含有複素環チオメチル−３−セフ
エム−４−カルボン酸またはその塩類を得ることを特徴
とする７−置換−３−Ｎ含有複素環チオメチル−３−セ
フエム−４−カルボン酸誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49048127A JPS595596B2 (ja) | 1974-04-26 | 1974-04-26 | ７− チカン −３−ｎ ガンユウフクソカンチオメチル −３− セフエム −４− カルボンサンユウドウタイ ノ セイゾウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49048127A JPS595596B2 (ja) | 1974-04-26 | 1974-04-26 | ７− チカン −３−ｎ ガンユウフクソカンチオメチル −３− セフエム −４− カルボンサンユウドウタイ ノ セイゾウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50142587A JPS50142587A (ja) | 1975-11-17 |
| JPS595596B2 true JPS595596B2 (ja) | 1984-02-06 |
Family
ID=12794650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49048127A Expired JPS595596B2 (ja) | 1974-04-26 | 1974-04-26 | ７− チカン −３−ｎ ガンユウフクソカンチオメチル −３− セフエム −４− カルボンサンユウドウタイ ノ セイゾウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595596B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4101656A (en) * | 1976-07-12 | 1978-07-18 | Smithkline Corporation | 7β-Acylamino-3-(alkanesulfonamidoalkyl substituted tetrazolylthiomethyl) cephalosporins, antibacterial compositions containing them and methods of treating bacterial infections with them |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1295841A (ja) * | 1969-10-27 | 1972-11-08 |
-
1974
- 1974-04-26 JP JP49048127A patent/JPS595596B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1295841A (ja) * | 1969-10-27 | 1972-11-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50142587A (ja) | 1975-11-17 |
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