JPS5952031B2 - 冷間圧接方法 - Google Patents
冷間圧接方法Info
- Publication number
- JPS5952031B2 JPS5952031B2 JP4547881A JP4547881A JPS5952031B2 JP S5952031 B2 JPS5952031 B2 JP S5952031B2 JP 4547881 A JP4547881 A JP 4547881A JP 4547881 A JP4547881 A JP 4547881A JP S5952031 B2 JPS5952031 B2 JP S5952031B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cold
- welded
- welding
- objects
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/22—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating taking account of the properties of the materials to be welded
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P11/00—Connecting or disconnecting metal parts or objects by metal-working techniques not otherwise provided for
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P15/00—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は圧接性が向上する冷間圧接方法に関する。
従来、重ね冷間圧接では被圧接物を直接重ねて圧接を行
なつていた。
なつていた。
この場合、圧接部分における被圧接物表面の酸化被覆が
圧接性を害するため、圧接前にワイヤブラッシングなど
によつて上記酸化被覆を機械的に除去していた。しかし
、ワイヤブラッシングにより酸化被覆を除去しても再び
酸化被覆が形成されたり、酸化被覆除去処理が不完全で
あるため圧接部分における加工率を極度に大きく （た
とえば６０％以上）しなければ満足すべき接合を得るこ
とはできない。のみならず、このように高い加工率のも
とでは加工部分の機械的強度が著しく低下するという欠
点が生じる。本発明は上記事情を参酌してなされたもの
で、あらかじめ圧接部分に被圧接物を構成する金属より
延性の小さい金属を介在して冷間圧接を行ない、小さい
加工率で満足な接合を得ることのでき・る冷間圧接方法
を提供することを目的とする。以下、本発明を図面を参
照し半導体の外装の一実施例に基づいて詳述する。冷間
圧接される被圧接物１を第１図ＡおよびＢに示す。
圧接性を害するため、圧接前にワイヤブラッシングなど
によつて上記酸化被覆を機械的に除去していた。しかし
、ワイヤブラッシングにより酸化被覆を除去しても再び
酸化被覆が形成されたり、酸化被覆除去処理が不完全で
あるため圧接部分における加工率を極度に大きく （た
とえば６０％以上）しなければ満足すべき接合を得るこ
とはできない。のみならず、このように高い加工率のも
とでは加工部分の機械的強度が著しく低下するという欠
点が生じる。本発明は上記事情を参酌してなされたもの
で、あらかじめ圧接部分に被圧接物を構成する金属より
延性の小さい金属を介在して冷間圧接を行ない、小さい
加工率で満足な接合を得ることのでき・る冷間圧接方法
を提供することを目的とする。以下、本発明を図面を参
照し半導体の外装の一実施例に基づいて詳述する。冷間
圧接される被圧接物１を第１図ＡおよびＢに示す。
この図に示すごとく、被圧接物１は円盤・状の互いに重
ね合わされる同一形状の２枚の銅製板体２ａ、２ｂから
なつていて、各板体２ａ、２ｂの中央部分には円盤状の
凹部３ａ３ｂが形成されていて、これら板体２ａ、２ｂ
を上記凹部３ａ、３ｂを対向させて重ね合わせたとき、
たとえｊば半導体などを収納する収納空間４が形成され
るようになつている。半導体素子を収納する場合収納空
間４は外気に対する密封性が要求されるので、冷間圧接
による圧接部分５は凹部３ａ、３ｂを包囲する円環状を
なしている。このように外装部材の製作はまず、たとえ
ばワット民俗などのニッケルめつき装置により板体２ａ
、２ｂ表面にニッケルを５μｍ〜２０μｍの厚さにメツ
キし、ニツケルの薄膜を作る。
ね合わされる同一形状の２枚の銅製板体２ａ、２ｂから
なつていて、各板体２ａ、２ｂの中央部分には円盤状の
凹部３ａ３ｂが形成されていて、これら板体２ａ、２ｂ
を上記凹部３ａ、３ｂを対向させて重ね合わせたとき、
たとえｊば半導体などを収納する収納空間４が形成され
るようになつている。半導体素子を収納する場合収納空
間４は外気に対する密封性が要求されるので、冷間圧接
による圧接部分５は凹部３ａ、３ｂを包囲する円環状を
なしている。このように外装部材の製作はまず、たとえ
ばワット民俗などのニッケルめつき装置により板体２ａ
、２ｂ表面にニッケルを５μｍ〜２０μｍの厚さにメツ
キし、ニツケルの薄膜を作る。
しかして、第２図に示すごとく、板体２ａ，２ｂを重ね
合わせる。このとき圧接界面７を境界としてめつき層８
ａ，８ｂは単に密接した状態である。つぎに、冷間圧接
装置を用いて冷間圧接を行なう。すなわち、第３図およ
び゛第４図に示すごとく、冷間圧接の進行とともにくさ
び状のダイス６ａ，６ｂはそれぞれ矢印Ａ，Ｂ方向に板
体２ａ，２ｂに塑性変形を起させながら侵入する。この
結果、冷間圧接の進行とともにめつき層８ａ，８ｂは圧
接部分５にて分断し、板体２ａ，２ｂの冷間圧接による
塑性流動とともに矢印Ｃ，Ｄ方向に圧接界面７に沿つて
移動する。これは板体２ａ，２ｂの構成金属の銅の方が
めつき層８ａ，８ｂの構成金属のニツケルより延性に富
むため（換言すると、ニツケルの方が銅よりも破断強度
が小さいので）、冷間圧接による板体２ａ，２ｂの塑性
流動にめつき層８ａ，８ｂが追従できず圧接を完了する
以前に破断点に達してしまうためである。その結果、め
つき層８ａ，８ｂが分断して移動した後は各板体２ａ，
２ｂの酸化膜がない清浄な二つの新生面が密接し、これ
ら新生面は冷間圧接により完全に接合する。また仮にめ
つき層８ａ，８ｂと板体２ａ，２ｂとの間に薄い酸化膜
が介在していてもこのような酸化膜はめつき層８ａ，８
ｂの分断に追従して移動し上記同様清浄な新生面があら
れれて両板体２ａ，２ｂを完全に接合することができる
。第５図は上記したことを実際に示す冷間圧接後の被圧
接物１の圧接部分５の断面を示す金属顕微鏡写真である
。写真中央における白色線状のめつ．き層は分断して圧
接界面に沿つて移動しており、また、めつき層が移動し
た圧着界面においては両金属が完全に接合していること
がわかる。上記新生面は冷間圧着過程においてはじめて
現出するので、外気により酸化被膜が形成されることが
な．い。したがつて、加工率を極度に高くしな＜ても十
分満足に冷間圧接が達成できる。第６図はこのことを示
すものである。すなわち、第３図および゛第４図に示す
実質的に完全に冷間圧接された圧接部分５を横切る半径
方向の接合長さＬと加工率と関係をワイヤブラツシング
後冷間圧接した場合およびニツケルめつきした場合につ
いてプロツトしている。ここで加工率は被圧接物１の厚
さの変化を％表示したものである。この図かられかるよ
うに、ワイヤブラツシングしただけでは被圧接物１表面
の酸化被膜は完全に除去されず、しかもブラツシング後
も依然として外気にさらされるため表面には相当量の酸
化被覆が残存している。この酸化被覆は冷間圧接による
圧接界面７における板体２ａ，２ｂの金属結合を阻止す
るように作用する。第７図は圧着界面にめつき層を介在
させずに冷間圧接加工した被圧接物１の圧接部分５断面
の金属顕微鏡写真である。第５図の場合より加工率が高
いにもかかわらず接合は不完全で、このことを示す圧着
界面の黒いすじが圧接部分５中央付近にも残存している
。したがつて、同一の接合長さＬを得るには、ワイヤブ
ラツシングして冷間圧接する場合は、ニツケルめつきし
て冷間圧接する場合よりも加工率を増加させねばならな
い。たとえば、０．３ｍｍの接合長さＬを達成するのに
、ワイヤブラツシングの場合はほぼ７０％の加工率を要
するのに反して、ニツケルめつきの場合ははぽ４０％の
加工率でよい。以上のように、本発明の冷間圧接方法は
冷間圧接される被圧接物表面をあらかじめ薄膜状の金属
で被覆させしかるのち冷間圧接を行なうようにしたもの
で、加工率を極度に高くして被圧接物全体としての機械
的特性を劣化させることなく適度の加工率で十分満足な
冷間圧接接合を得ることができる。
合わせる。このとき圧接界面７を境界としてめつき層８
ａ，８ｂは単に密接した状態である。つぎに、冷間圧接
装置を用いて冷間圧接を行なう。すなわち、第３図およ
び゛第４図に示すごとく、冷間圧接の進行とともにくさ
び状のダイス６ａ，６ｂはそれぞれ矢印Ａ，Ｂ方向に板
体２ａ，２ｂに塑性変形を起させながら侵入する。この
結果、冷間圧接の進行とともにめつき層８ａ，８ｂは圧
接部分５にて分断し、板体２ａ，２ｂの冷間圧接による
塑性流動とともに矢印Ｃ，Ｄ方向に圧接界面７に沿つて
移動する。これは板体２ａ，２ｂの構成金属の銅の方が
めつき層８ａ，８ｂの構成金属のニツケルより延性に富
むため（換言すると、ニツケルの方が銅よりも破断強度
が小さいので）、冷間圧接による板体２ａ，２ｂの塑性
流動にめつき層８ａ，８ｂが追従できず圧接を完了する
以前に破断点に達してしまうためである。その結果、め
つき層８ａ，８ｂが分断して移動した後は各板体２ａ，
２ｂの酸化膜がない清浄な二つの新生面が密接し、これ
ら新生面は冷間圧接により完全に接合する。また仮にめ
つき層８ａ，８ｂと板体２ａ，２ｂとの間に薄い酸化膜
が介在していてもこのような酸化膜はめつき層８ａ，８
ｂの分断に追従して移動し上記同様清浄な新生面があら
れれて両板体２ａ，２ｂを完全に接合することができる
。第５図は上記したことを実際に示す冷間圧接後の被圧
接物１の圧接部分５の断面を示す金属顕微鏡写真である
。写真中央における白色線状のめつ．き層は分断して圧
接界面に沿つて移動しており、また、めつき層が移動し
た圧着界面においては両金属が完全に接合していること
がわかる。上記新生面は冷間圧着過程においてはじめて
現出するので、外気により酸化被膜が形成されることが
な．い。したがつて、加工率を極度に高くしな＜ても十
分満足に冷間圧接が達成できる。第６図はこのことを示
すものである。すなわち、第３図および゛第４図に示す
実質的に完全に冷間圧接された圧接部分５を横切る半径
方向の接合長さＬと加工率と関係をワイヤブラツシング
後冷間圧接した場合およびニツケルめつきした場合につ
いてプロツトしている。ここで加工率は被圧接物１の厚
さの変化を％表示したものである。この図かられかるよ
うに、ワイヤブラツシングしただけでは被圧接物１表面
の酸化被膜は完全に除去されず、しかもブラツシング後
も依然として外気にさらされるため表面には相当量の酸
化被覆が残存している。この酸化被覆は冷間圧接による
圧接界面７における板体２ａ，２ｂの金属結合を阻止す
るように作用する。第７図は圧着界面にめつき層を介在
させずに冷間圧接加工した被圧接物１の圧接部分５断面
の金属顕微鏡写真である。第５図の場合より加工率が高
いにもかかわらず接合は不完全で、このことを示す圧着
界面の黒いすじが圧接部分５中央付近にも残存している
。したがつて、同一の接合長さＬを得るには、ワイヤブ
ラツシングして冷間圧接する場合は、ニツケルめつきし
て冷間圧接する場合よりも加工率を増加させねばならな
い。たとえば、０．３ｍｍの接合長さＬを達成するのに
、ワイヤブラツシングの場合はほぼ７０％の加工率を要
するのに反して、ニツケルめつきの場合ははぽ４０％の
加工率でよい。以上のように、本発明の冷間圧接方法は
冷間圧接される被圧接物表面をあらかじめ薄膜状の金属
で被覆させしかるのち冷間圧接を行なうようにしたもの
で、加工率を極度に高くして被圧接物全体としての機械
的特性を劣化させることなく適度の加工率で十分満足な
冷間圧接接合を得ることができる。
なお、上記実施例においては圧接部分は円環状であるが
、これに拘泥することなく、線状あるいは点状の圧接部
分についても本発明の冷間圧接方法は適用できる。
、これに拘泥することなく、線状あるいは点状の圧接部
分についても本発明の冷間圧接方法は適用できる。
また、上記実施例においてはダイス６ａ，６ｂにより両
側から被圧接物を挟圧するごとくして冷間圧接している
が、これに限ることなく、片側だけからのダイスによる
冷間圧接に対しても有効である。また、本発明は上記実
施例におけるごとく常温における冷間圧接のみならず、
４００℃程度以下の圧接に対して適用できる。さらに、
上記実施例においては、めつき層としてニツケルを使用
したがたとえばクロムなどのように銅より延性が小さい
金属であれば何でもよい。さらにまた、上記実施例にお
いて例示した銅の冷間圧接のみならず、たとえばアルミ
ニウム（又はアルミニウム合金）などの他の非鉄金属間
の冷間圧接、鉄系金属間の冷間圧接およびこれらの組合
せによる異種材料の冷間圧接に対しても適用できる。ま
た、上記実施例においては一対被圧接物のそれぞれの圧
接面に被圧接物を構成する金属より延性の小さい金属を
被着させたが、一方の被圧接物の圧接面にのみ金属を被
着させてもよい。すなわち金属を被着していない片側の
被圧接物が表面に酸化物を形成しないたとえば金などの
ような場合にはそれぞれの圧接面に被着した場合と同様
の効果を奏するし、金属を被着していない片側の被圧接
物が酸化性のものであつても両方の圧接面に金属を被着
した場合に比べて、接合強度は若干劣るが、それでも実
用上使用に耐えるものとすることができる。さらに、上
記実施例において金属被覆はめつき法によつたが、これ
に限ることなく、たとえば、真空蒸着法や金属溶射法に
より金属被膜を形成してもよい。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で種々変更自在である。
側から被圧接物を挟圧するごとくして冷間圧接している
が、これに限ることなく、片側だけからのダイスによる
冷間圧接に対しても有効である。また、本発明は上記実
施例におけるごとく常温における冷間圧接のみならず、
４００℃程度以下の圧接に対して適用できる。さらに、
上記実施例においては、めつき層としてニツケルを使用
したがたとえばクロムなどのように銅より延性が小さい
金属であれば何でもよい。さらにまた、上記実施例にお
いて例示した銅の冷間圧接のみならず、たとえばアルミ
ニウム（又はアルミニウム合金）などの他の非鉄金属間
の冷間圧接、鉄系金属間の冷間圧接およびこれらの組合
せによる異種材料の冷間圧接に対しても適用できる。ま
た、上記実施例においては一対被圧接物のそれぞれの圧
接面に被圧接物を構成する金属より延性の小さい金属を
被着させたが、一方の被圧接物の圧接面にのみ金属を被
着させてもよい。すなわち金属を被着していない片側の
被圧接物が表面に酸化物を形成しないたとえば金などの
ような場合にはそれぞれの圧接面に被着した場合と同様
の効果を奏するし、金属を被着していない片側の被圧接
物が酸化性のものであつても両方の圧接面に金属を被着
した場合に比べて、接合強度は若干劣るが、それでも実
用上使用に耐えるものとすることができる。さらに、上
記実施例において金属被覆はめつき法によつたが、これ
に限ることなく、たとえば、真空蒸着法や金属溶射法に
より金属被膜を形成してもよい。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で種々変更自在である。
【図面の簡単な説明】
第１図ＡおよびＢはそれぞれ本発明の一実施例において
用いる被圧接物の平面図およびＸ−Ｘ線断面図、第２図
ないし第４図は本発明の一実施例における冷間圧接方法
を説明するための要部断面図、第５図は圧接界面にめつ
き層が介在する場合の冷間圧接後の被圧接物の圧接部分
の断面を示す顕微鏡写真、第６図は冷間圧接における加
工率と接合長さとの関係を示す図、第７図は圧接界面に
めつき層が介在しない場合の冷間圧接後の被圧接物の圧
接部分の断面を示す顕微鏡写真である。 １：被圧接物、５：圧接部分、８ａ，８ｂ：めつき層。
用いる被圧接物の平面図およびＸ−Ｘ線断面図、第２図
ないし第４図は本発明の一実施例における冷間圧接方法
を説明するための要部断面図、第５図は圧接界面にめつ
き層が介在する場合の冷間圧接後の被圧接物の圧接部分
の断面を示す顕微鏡写真、第６図は冷間圧接における加
工率と接合長さとの関係を示す図、第７図は圧接界面に
めつき層が介在しない場合の冷間圧接後の被圧接物の圧
接部分の断面を示す顕微鏡写真である。 １：被圧接物、５：圧接部分、８ａ，８ｂ：めつき層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 冷間圧接される第１及び第２の被圧接物の少なくと
も各圧接面に前記被圧接物を構成する金属より延性の小
さい金属層を被着する工程と、上記被圧接物の上記延性
の小さい金属層を対面させる工程と、上記第１及び第２
の被圧接物の各圧接面に同時に上記延性の小さい金属層
が分断して移動する圧力をかけ第１及び第２の被圧接物
を冷間圧接する工程とを具備してなることを特徴とする
冷間圧接方法。 ２ 第１及び第２の被圧接物は半導体などを収容する収
納容器である特許請求の範囲第１項記載の冷間圧接方法
。 ３ 延性の小さい金属層は厚さが５μｍ乃至２０μｍで
ある特許請求の範囲第１項記載の冷間圧接方法。 ４ 冷間圧接はダイスを第１及び第２の被圧接物が塑性
変形を起させながら侵入する如く圧力をかけて行うもの
である特許請求の範囲第１項記載の冷間圧接方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4547881A JPS5952031B2 (ja) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | 冷間圧接方法 |
| GB8208921A GB2097298B (en) | 1981-03-30 | 1982-03-26 | Jointing by cold pressing |
| DE19823211499 DE3211499C2 (de) | 1981-03-30 | 1982-03-29 | Verfahren zum Verbinden von Metallscheiben durch Kaltpressen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4547881A JPS5952031B2 (ja) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | 冷間圧接方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57160584A JPS57160584A (en) | 1982-10-02 |
| JPS5952031B2 true JPS5952031B2 (ja) | 1984-12-17 |
Family
ID=12720500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4547881A Expired JPS5952031B2 (ja) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | 冷間圧接方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952031B2 (ja) |
| DE (1) | DE3211499C2 (ja) |
| GB (1) | GB2097298B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012077305A1 (ja) | 2010-12-10 | 2012-06-14 | パナソニック株式会社 | 導電路、それを用いた半導体装置及びそれらの製造方法 |
| US9013029B2 (en) | 2011-08-25 | 2015-04-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Joined body having an anti-corrosion film formed around a junction portion, and a semiconductor device having the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016100470A1 (de) * | 2016-01-13 | 2017-07-13 | Faurecia Emissions Control Technologies, Germany Gmbh | Baugruppe mit mindestens zwei Bauteilen einer Abgasanlage und Verfahren zum Fügen |
| CN106271404B (zh) * | 2016-08-15 | 2018-08-24 | 鞍钢重型机械有限责任公司 | 一种大型配水环管的制作方法 |
-
1981
- 1981-03-30 JP JP4547881A patent/JPS5952031B2/ja not_active Expired
-
1982
- 1982-03-26 GB GB8208921A patent/GB2097298B/en not_active Expired
- 1982-03-29 DE DE19823211499 patent/DE3211499C2/de not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012077305A1 (ja) | 2010-12-10 | 2012-06-14 | パナソニック株式会社 | 導電路、それを用いた半導体装置及びそれらの製造方法 |
| US9013029B2 (en) | 2011-08-25 | 2015-04-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Joined body having an anti-corrosion film formed around a junction portion, and a semiconductor device having the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2097298A (en) | 1982-11-03 |
| JPS57160584A (en) | 1982-10-02 |
| DE3211499A1 (de) | 1982-10-21 |
| DE3211499C2 (de) | 1986-08-21 |
| GB2097298B (en) | 1985-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4746055A (en) | Method and connecting material for the metallic joining of parts | |
| JPS6071579A (ja) | アルミナと金属との接合方法 | |
| JPS61204953A (ja) | ハ−メチツクシ−ルカバ−及びその製造方法 | |
| CA2099049A1 (en) | Permanent Metallic Bonding Method | |
| JPH03230552A (ja) | 半導体素子実装用接合材 | |
| US3382052A (en) | Ceramic brazing means | |
| JPS60242653A (ja) | リ−ドフレ−ム用複合材 | |
| JPS5952031B2 (ja) | 冷間圧接方法 | |
| JPH07506773A (ja) | 中間温度拡散接合 | |
| US3585711A (en) | Gold-silicon bonding process | |
| JP2000068396A (ja) | ハーメチックシール用カバー | |
| US4863090A (en) | Room temperature attachment method employing a mercury-gold amalgam | |
| JPH02177463A (ja) | セラミック―金属複合基板の製造方法 | |
| JP2002292474A (ja) | チタン材又はチタン合金材の接合方法 | |
| JPH0225287A (ja) | 冷間圧接方法 | |
| JPH1197618A (ja) | シリコンウェハーの接合方法 | |
| JPS6320189A (ja) | アルミニウム−鉄・ニツケル合金−半田クラツド材およびこれを用いたｉｃ装置の製造方法 | |
| JPS61181136A (ja) | ダイボンデイング方法 | |
| US3964093A (en) | Bonding of dissimilar workpieces to a substrate | |
| JPH0632869B2 (ja) | セラミックスと金属とのろう付け方法 | |
| JPS63130258A (ja) | 接合構造 | |
| JPS61206245A (ja) | ハ−メチツクシ−ルカバ−及びその製造方法 | |
| JP2848373B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61103684A (ja) | 金属の接合方法 | |
| JPH0424154B2 (ja) |