JPS5948838A - 情報記憶媒体 - Google Patents
情報記憶媒体Info
- Publication number
- JPS5948838A JPS5948838A JP57157555A JP15755582A JPS5948838A JP S5948838 A JPS5948838 A JP S5948838A JP 57157555 A JP57157555 A JP 57157555A JP 15755582 A JP15755582 A JP 15755582A JP S5948838 A JPS5948838 A JP S5948838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- storing medium
- moisture permeability
- information storing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、たとえはデジタル・オーディオ・ディスク（
１）ＡＤ ）に用いられる″：１ノバクトティスク（Ｃ
Ｄ）や光学式ビティオティスクに代表される読取り専用
、あるいは画像ファイルやコンピュータ書アウトプット
メモリ（ＣＯＭ）等に代表される記録再生用のもので、
集光したレーザー光により少７よくとも情報を−Ｌ散る
ことが可能な光学式の情報記憶媒体の改良番・（１鉛Ｊ
゛る。
１）ＡＤ ）に用いられる″：１ノバクトティスク（Ｃ
Ｄ）や光学式ビティオティスクに代表される読取り専用
、あるいは画像ファイルやコンピュータ書アウトプット
メモリ（ＣＯＭ）等に代表される記録再生用のもので、
集光したレーザー光により少７よくとも情報を−Ｌ散る
ことが可能な光学式の情報記憶媒体の改良番・（１鉛Ｊ
゛る。
通常、この他の九♀式の記録１Ｊ）５用１１゛１報記憶
媒体は、第１図に示すように基板Ｉの片面に記録層ない
しは光反射層からなるｉｎ報棒形ノＩｉ１．１２を形成
し、さらにその上に保護層３を形成した構造となってい
る。なお、基板１とし王は厚さ１．２關のアクリル板、
記録層ないしは光反射層からなる情報形成層２としては
′１“ｅないしはＡＩ！の＃着膜でｊ皐みが５００〜２
０００Ａ、保潤ｊ曽３としてはエポキン糸又はアクリル
糸樹脂から成り厚みは５〜２０μｍを使用している。
媒体は、第１図に示すように基板Ｉの片面に記録層ない
しは光反射層からなるｉｎ報棒形ノＩｉ１．１２を形成
し、さらにその上に保護層３を形成した構造となってい
る。なお、基板１とし王は厚さ１．２關のアクリル板、
記録層ないしは光反射層からなる情報形成層２としては
′１“ｅないしはＡＩ！の＃着膜でｊ皐みが５００〜２
０００Ａ、保潤ｊ曽３としてはエポキン糸又はアクリル
糸樹脂から成り厚みは５〜２０μｍを使用している。
しかしながら、このように形成した情報記憶媒体を急に
尚温雰囲気中に入れると比較的短時間で第３図に示１″
ように変形してしま５゜その原因を考県する。
尚温雰囲気中に入れると比較的短時間で第３図に示１″
ように変形してしま５゜その原因を考県する。
基板ｌとしてのアクリル板の透湿率、吸水量は決し℃低
くない。それに幻しｌＩ′を棒形成層２としての′１゛
ｅまたはＡＩ！点層膜は比較的緻密な構造をしている。
くない。それに幻しｌＩ′を棒形成層２としての′１゛
ｅまたはＡＩ！点層膜は比較的緻密な構造をしている。
したがって大気中の水蒸気１１は情報形成層２の方向か
ら情報記憶媒体の内部に侵入する量よりもよりポーラス
（−１−かすか）な構造をしているアクリＩし板（つま
り基板２）の方から内部に侵入する蓋の方か多い・基長
１内に入り込む水は目出に１−り抜けることができず、
アクリルポリマーの鎖の間をぬって徐々に拡散して行く
。したがって低湿度雰囲気中にあった情報記憶媒体を尚
温度雰囲気中に入れると基板１の外側から徐々に水分が
しみ込み、過度状態では第２図のような吸水１分布を不
１−（但し充分時間を置き、平何状態に達１−ると、基
板ｌ内の吸水量分布は至る所均−になる）。また基板ｌ
の拐負としてのアクリルは水分を吸収すると体積が膨張
する特性を持つ。したがって第２図のような吸水量分イ
ｉを持つと第３図のように変形してしまうといった問題
があった。
ら情報記憶媒体の内部に侵入する量よりもよりポーラス
（−１−かすか）な構造をしているアクリＩし板（つま
り基板２）の方から内部に侵入する蓋の方か多い・基長
１内に入り込む水は目出に１−り抜けることができず、
アクリルポリマーの鎖の間をぬって徐々に拡散して行く
。したがって低湿度雰囲気中にあった情報記憶媒体を尚
温度雰囲気中に入れると基板１の外側から徐々に水分が
しみ込み、過度状態では第２図のような吸水１分布を不
１−（但し充分時間を置き、平何状態に達１−ると、基
板ｌ内の吸水量分布は至る所均−になる）。また基板ｌ
の拐負としてのアクリルは水分を吸収すると体積が膨張
する特性を持つ。したがって第２図のような吸水量分イ
ｉを持つと第３図のように変形してしまうといった問題
があった。
本発明は、上Ｈｒ２’１４清に基きなされたもので、そ
の目的とするところは、基板の片面に集光したビームに
より少くとも情報を読取ることが可能な記録層ないし光
反射層を具１＃＋ｉ Ｌ ｆｃ構造をもつｔは一報記憶
媒体にお゛いて、外界の湿１見化が脂、に生じ、高湿Ｉ
廷罫囲気中になったとしても変カクせず、長期に亘って
安定しｒｃ ＴＰＩ作処理かイコない得る情報記・１．
は媒体を提供しよ５とするものである。
の目的とするところは、基板の片面に集光したビームに
より少くとも情報を読取ることが可能な記録層ないし光
反射層を具１＃＋ｉ Ｌ ｆｃ構造をもつｔは一報記憶
媒体にお゛いて、外界の湿１見化が脂、に生じ、高湿Ｉ
廷罫囲気中になったとしても変カクせず、長期に亘って
安定しｒｃ ＴＰＩ作処理かイコない得る情報記・１．
は媒体を提供しよ５とするものである。
本発明はかかる目的を達成するために示教の記録層ない
しは光反射層からなるＩｉ′］鞄形成層形成層する側と
は反対の而に迄湿年０１底い物寅から成る防水層を設け
たものである。
しは光反射層からなるＩｉ′］鞄形成層形成層する側と
は反対の而に迄湿年０１底い物寅から成る防水層を設け
たものである。
以下、本発明の一実施例を第４図および第５図を参照し
て説明する。なお、前述の一実施例と同一部分は同一の
符号を付して詳Ｙｌｌｌな説明を省略する。第４図は基
本構造なンＪ＜ずもので、裁板ｌの情報記録層２の存在
する側とは反対の面に透湿率の低い物寅からなる防水層
４を設けｔものである。
て説明する。なお、前述の一実施例と同一部分は同一の
符号を付して詳Ｙｌｌｌな説明を省略する。第４図は基
本構造なンＪ＜ずもので、裁板ｌの情報記録層２の存在
する側とは反対の面に透湿率の低い物寅からなる防水層
４を設けｔものである。
しかして、大気中の水需気１１か防水層４を通して内部
に侵入しようとし丈も防水Ｊｙｔ ’ｔの透湿率が低い
ため、第５図にボずように防水Ｎ４内部での吸水量を表
すカーブ５の勾配が急になる０また透１３１Ｊフクスチ
ック基＆ｌの透湿率は防水層４に比ベー（尚いので基板
ｌ内部での氷は比較的速く拡散する。したがって基板！
内部での吸水蓋を表すカーブの勾配は第５図に小ずよう
にゆるやかになると考えられる。防水層４の厚み（第４
図−１第５ ｍｌの８）を基板１の馬りみに比べて充分
５りくし又やることにより第４図に示した構造を持つ惰
￥に配憶媒体を細、に高温の雰囲気中に入れても上記の
説明がる５り犬さく変形しないであろ５ということがわ
かる。防水層４ ”材賀として透湿率が１戊＜、シかも
透明なものとして以下のものが祢在する。
に侵入しようとし丈も防水Ｊｙｔ ’ｔの透湿率が低い
ため、第５図にボずように防水Ｎ４内部での吸水量を表
すカーブ５の勾配が急になる０また透１３１Ｊフクスチ
ック基＆ｌの透湿率は防水層４に比ベー（尚いので基板
ｌ内部での氷は比較的速く拡散する。したがって基板！
内部での吸水蓋を表すカーブの勾配は第５図に小ずよう
にゆるやかになると考えられる。防水層４の厚み（第４
図−１第５ ｍｌの８）を基板１の馬りみに比べて充分
５りくし又やることにより第４図に示した構造を持つ惰
￥に配憶媒体を細、に高温の雰囲気中に入れても上記の
説明がる５り犬さく変形しないであろ５ということがわ
かる。防水層４ ”材賀として透湿率が１戊＜、シかも
透明なものとして以下のものが祢在する。
まず無機物としてはＺｎ（Ｊ、ＭｇＯ，Ａｊ’２（Ｊ３
、Ｓｉｎ。
、Ｓｉｎ。
８ｉ（Ｊ２． ＺｒＯ２，ＣｅＯ２，１ｎ２（Ｊ３．５
ｎ０２．ＴｉＯ２等の鋲化物やＭｇＦ２．ＣａＦ、、
、 ＬｅＦ４等のフン化物で厚み（第４図ないしは第５
図のａ）は５００〜５０００Ａが適当である。肩（幾物
としてはボリノ°ロビレン、エチレン−酢ヒの共産合体
、塩化ビニリデン、ポリカーボネート、塩ビ−１Ｆ・ビ
の寒風合体、塩化ビニ゛リデンーアクリロニトリルの共
７Ｋ 合体及び比較的適温率の低い一挿０月ドリアマイ
ト、ホリヌチレン、ポリアクリロニトリルでＪ学みａは
５〜５０μ＋１１が適百である０ また、応用例は第６図のよ′）に（虞４戒【ｊシに強１
ｉｆｆｉｌな支持板６を］ノｊ側及び外側スペーサー用
リング７．８を弁して基板ＺＫＩＭＩ看して磯株的強度
を高めたものや第７図のように第４図の構ズｕに近いも
のを２枚内側及び外側」スペーサー用リング７．８をブ
ｒして接着したものがある。
ｎ０２．ＴｉＯ２等の鋲化物やＭｇＦ２．ＣａＦ、、
、 ＬｅＦ４等のフン化物で厚み（第４図ないしは第５
図のａ）は５００〜５０００Ａが適当である。肩（幾物
としてはボリノ°ロビレン、エチレン−酢ヒの共産合体
、塩化ビニリデン、ポリカーボネート、塩ビ−１Ｆ・ビ
の寒風合体、塩化ビニ゛リデンーアクリロニトリルの共
７Ｋ 合体及び比較的適温率の低い一挿０月ドリアマイ
ト、ホリヌチレン、ポリアクリロニトリルでＪ学みａは
５〜５０μ＋１１が適百である０ また、応用例は第６図のよ′）に（虞４戒【ｊシに強１
ｉｆｆｉｌな支持板６を］ノｊ側及び外側スペーサー用
リング７．８を弁して基板ＺＫＩＭＩ看して磯株的強度
を高めたものや第７図のように第４図の構ズｕに近いも
のを２枚内側及び外側」スペーサー用リング７．８をブ
ｒして接着したものがある。
なお、図中９は内孔であり、１０は中梁部分である。
本発明は、以上説明したように、基板の記録Ｊ曽７よい
しは光反射層からなる情報形成層の存在する側とは反則
の曲に透湿率の低い物置から成る防水層を共餉させるこ
とにより外界の温度変化が急、に生し、高温ｒｔ４メ囲
気中にｌＪ一つｔとし又も大気中の水分は防水層には）
Ｊ ｆれて７１かなか基板に遅しない。そのため晶似内
の吸水量分布がなだらかなため基板が大きく変形するこ
とがなく、長期に亘って安定したｆＧ権処理が行なえる
といった効果を奏する。
しは光反射層からなる情報形成層の存在する側とは反則
の曲に透湿率の低い物置から成る防水層を共餉させるこ
とにより外界の温度変化が急、に生し、高温ｒｔ４メ囲
気中にｌＪ一つｔとし又も大気中の水分は防水層には）
Ｊ ｆれて７１かなか基板に遅しない。そのため晶似内
の吸水量分布がなだらかなため基板が大きく変形するこ
とがなく、長期に亘って安定したｆＧ権処理が行なえる
といった効果を奏する。
第１図は従来のｔｈＹ反記憶媒体の千１・）迄を示ず砥
略的描成図、第２図は従来の情報記憶媒体の透明基板中
の吸水毎分布を示す説明図、第３図は外気中の水分を吸
収】ることにより生じる透明基板のそりの状態をアト１
−龜四図、第４図は本考案における情報記憶媒体の一実
施例を示ず軌略的構成図、第５図は同実施例の情報記憶
媒体中の吸水量分布を不す説明図、第６図は′４：、考
案の第１の応用例をホす概略的イ苦成図、第７図は本考
案の第２の応用例を示す軟略的構成図である０１・・・
基板、２・・・記録Ｉ曽ないしは元反射層からなる情報
形成層、３・・・保護層、４・・・防水層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第３図 第２図 イた蓮
略的描成図、第２図は従来の情報記憶媒体の透明基板中
の吸水毎分布を示す説明図、第３図は外気中の水分を吸
収】ることにより生じる透明基板のそりの状態をアト１
−龜四図、第４図は本考案における情報記憶媒体の一実
施例を示ず軌略的構成図、第５図は同実施例の情報記憶
媒体中の吸水量分布を不す説明図、第６図は′４：、考
案の第１の応用例をホす概略的イ苦成図、第７図は本考
案の第２の応用例を示す軟略的構成図である０１・・・
基板、２・・・記録Ｉ曽ないしは元反射層からなる情報
形成層、３・・・保護層、４・・・防水層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第３図 第２図 イた蓮
Claims (1)
- 基板の片面に集光したビームにより少なくとも情報を読
取ることが可能な記録層ないしは光反射層からなるＭ棒
形成層を具備した構造を持つ情報記憶媒体において、上
記基板の情報記録層の存在する側とは反対の面に透湿率
の低い物質から成る防水ｊ曽ｌツ設けたことを特徴とす
る１％報記憶媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157555A JPS5948838A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 情報記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157555A JPS5948838A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 情報記憶媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948838A true JPS5948838A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=15652238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157555A Pending JPS5948838A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 情報記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948838A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124040A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 光学式情報記録体 |
| JPH01189040A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-28 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0533319U (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-30 | 太陽誘電株式会社 | 光デイスク |
| EP0903235A2 (en) | 1997-09-19 | 1999-03-24 | Kabushiki Kaisha TEC | Ink-jet printer with ink nozzle purging device |
| US6959490B2 (en) | 2002-08-12 | 2005-11-01 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing silicon device, method of manufacturing liquid jet head and liquid jet head |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP57157555A patent/JPS5948838A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124040A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 光学式情報記録体 |
| JPH0322657B2 (ja) * | 1984-07-12 | 1991-03-27 | Sekisui Chemical Co Ltd | |
| JPH01189040A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-28 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0533319U (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-30 | 太陽誘電株式会社 | 光デイスク |
| EP0903235A2 (en) | 1997-09-19 | 1999-03-24 | Kabushiki Kaisha TEC | Ink-jet printer with ink nozzle purging device |
| US6179406B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-01-30 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Ink-jet printer with ink nozzle purging device |
| US6959490B2 (en) | 2002-08-12 | 2005-11-01 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing silicon device, method of manufacturing liquid jet head and liquid jet head |
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