JPS5947754A - 半導体組立体 - Google Patents
半導体組立体Info
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- JPS5947754A JPS5947754A JP58136889A JP13688983A JPS5947754A JP S5947754 A JPS5947754 A JP S5947754A JP 58136889 A JP58136889 A JP 58136889A JP 13688983 A JP13688983 A JP 13688983A JP S5947754 A JPS5947754 A JP S5947754A
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- conductive
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- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/074—Stacked arrangements of non-apertured devices
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、作動構成部材と［２て、サイリスタとダイオ
ードを包含し、該ダイオードの陽極が、該サイリスタの
陰極に接続し、陰極が、該サイリスタの陽極に接続−す
るようにした半導棒組＼γ体に関する。
ードを包含し、該ダイオードの陽極が、該サイリスタの
陰極に接続し、陰極が、該サイリスタの陽極に接続−す
るようにした半導棒組＼γ体に関する。
この種の半導体組立体は、例えば動力車を′電動モータ
で駆動きせる操作を制御するだめのザイリスタチ、ツバ
回路に実際に用いられＣいる。半導体組立体を、このよ
うに使用１−た場合、半導体組立体の作動構成部品は、
極めて高い電ｍ、（例えば１５０アンペアｌｅｔ Ｊ二
）を扱わなければならず、適正な価格で適切なる組立体
を製造することが問題になる。例えば、前記種類の半導
体組立体の中の１つで１既知のものは、サイリスクとダ
イオードが一体になって、単一の半導体チップを構成し
、ダイオードは、環状体で、サイリスクを包囲する。
で駆動きせる操作を制御するだめのザイリスタチ、ツバ
回路に実際に用いられＣいる。半導体組立体を、このよ
うに使用１−た場合、半導体組立体の作動構成部品は、
極めて高い電ｍ、（例えば１５０アンペアｌｅｔ Ｊ二
）を扱わなければならず、適正な価格で適切なる組立体
を製造することが問題になる。例えば、前記種類の半導
体組立体の中の１つで１既知のものは、サイリスクとダ
イオードが一体になって、単一の半導体チップを構成し
、ダイオードは、環状体で、サイリスクを包囲する。
しかしながら、かかる一体型装置の製造に膠いては、不
完全なものが製造される比率が高いの−１製造価格が高
くなる。代案としては、サイリスタとダイオードを別個
に使用するものであるが、高い電流化を必要とする故に
、パッケージが比較的か場げるので、別個のダイオード
と９−イリスタパッケージ相互間の電気接続には、望ま
しくない程多くのインダクタンスが生じることが判明し
ている。
完全なものが製造される比率が高いの−１製造価格が高
くなる。代案としては、サイリスタとダイオードを別個
に使用するものであるが、高い電流化を必要とする故に
、パッケージが比較的か場げるので、別個のダイオード
と９−イリスタパッケージ相互間の電気接続には、望ま
しくない程多くのインダクタンスが生じることが判明し
ている。
本発明の目的は、先行技術の構造釦よる前記欠点を最小
限にすることである。
限にすることである。
本発明の半導体組立体は、第１、第２および第３導電部
材と、該第１および第２導電部材間に配置きれ、その陽
極区域が該第１および第２導′屯部材の１つに電気的に
接続され、陰極区域が該４１および第２導亀部材のもう
１つにＦＫ 成約に接続きれた半導体ダイオードと、該
第２および第３導電部材間に配Ｉｆｆされ、その陽極陰
極の端子置載の１方が該第２導電部材に接続され、該陽
極陰極の端子区域の他方が該第３導戒部材に接続された
半導体サイリスタとを包含し、該第３および第１導電部
材が電気的に相互に接続され、該第２導市部材と電気的
に接続はれた該半導体ダイオードの該端子区域が、同様
に該第２導電部拐と電気的に接続する該サイリスタの端
子区域とは反対の極性にあり、該第１、第２および第３
導区部材の少くとも１つが該半導体組立体の熱吸収体を
構成【７、かつ該組立体が該サイリスクのゲート端子区
域とｊｔｔ気的に接続する手段を含むことを特徴とする
。
材と、該第１および第２導電部材間に配置きれ、その陽
極区域が該第１および第２導′屯部材の１つに電気的に
接続され、陰極区域が該４１および第２導亀部材のもう
１つにＦＫ 成約に接続きれた半導体ダイオードと、該
第２および第３導電部材間に配Ｉｆｆされ、その陽極陰
極の端子置載の１方が該第２導電部材に接続され、該陽
極陰極の端子区域の他方が該第３導戒部材に接続された
半導体サイリスタとを包含し、該第３および第１導電部
材が電気的に相互に接続され、該第２導市部材と電気的
に接続はれた該半導体ダイオードの該端子区域が、同様
に該第２導電部拐と電気的に接続する該サイリスタの端
子区域とは反対の極性にあり、該第１、第２および第３
導区部材の少くとも１つが該半導体組立体の熱吸収体を
構成【７、かつ該組立体が該サイリスクのゲート端子区
域とｊｔｔ気的に接続する手段を含むことを特徴とする
。
該サイリスタ及び該ダイオードは、軸方向にほぼ整合す
るように、該第２部材に取付けることが望ましい。
るように、該第２部材に取付けることが望ましい。
該第２導電部材は、本発明の組立体の熱吸収体であるこ
とが１１７い。
とが１１７い。
代案として、該第１及び第３導電部材は、組立体の熱吸
収体を構成する。
収体を構成する。
代案と１．て、該第１、第２及び第３導電部材の３個共
、組＼°Ｌ体の熱吸収体の一邸を構成する。
、組＼°Ｌ体の熱吸収体の一邸を構成する。
該ダイオードの陰極と該サイリスタの陽極が、それぞれ
、該第２導電部材と電気接続することが望ましい。
、該第２導電部材と電気接続することが望ましい。
第１及び第３導電部材が、サイリスク、第２導電部材及
びダイオードを相互間にｆ取付けるように互いの方向に
押し付けられることが望ましい。
びダイオードを相互間にｆ取付けるように互いの方向に
押し付けられることが望ましい。
該第１及び第３導′亀部材が、第２導市部材を介して、
延長するが、該第２導電部材から電気絶縁された導電固
定装置によって相互連結することが望ましい。
延長するが、該第２導電部材から電気絶縁された導電固
定装置によって相互連結することが望ましい。
該装置は、ねじ装置であることが望ま［７い。
該第１及び第３導電部材を互いのｊｊ ＶＣｌ１ｌｌ
Ｌつけるように、弾性装置を設けることが望ｔ Ｌい。
Ｌつけるように、弾性装置を設けることが望ｔ Ｌい。
本発明の他の特徴及び利点は、本発明の実施例を示す添
付の図面を参照して以下に詳述−する。
付の図面を参照して以下に詳述−する。
図示の半導体組立体は、一方を他方のヒに配置した第１
、第２及び第３導電部材１１，１２．１３と、部材１１
：１２との間に位置決めしたダイオード型式の半導体装
置１４と、部材１２と１３との間に位置決めしたサイリ
スタ型式の別の半導体装置とで構成される。
、第２及び第３導電部材１１，１２．１３と、部材１１
：１２との間に位置決めしたダイオード型式の半導体装
置１４と、部材１２と１３との間に位置決めしたサイリ
スタ型式の別の半導体装置とで構成される。
第２導電部材１２は、１面から内側へ延長する円筒形四
部２２を設けた長方形のアルミニウム製ブロヴク２１に
よって限定される。凹部２２の基部の中央には、直立円
形平面２３を形成（７、該平面の上部には、モリブデン
製円板２４を位置決めする。半導体のダイオード装置１
４は、円板２４上に着座し、該ダイオードの陰極は、円
板２４と係合する故に、該円板と電気接続する。ダイオ
ード１４の上方に位置する陽極面は、銀製円板２５と係
合し、軟鋼製の膜板型式の第１導電部月１１は、該銀製
円板２５に載置される。膜板１１の座金２５から離れた
面には、円形凹部１６を形成［７、四部１６には、円板
ばね２６を設ける。ダイオード１４ カ’） 離ｆ１．
タ膜板１１ノ１ｆＮＣは、＊ ％ｌ ｌ＋Ｖ ノ頂部
加圧仮２７を載置、する。円板ばね２６の中央区域は、
膜板１１の四部の基部と係合し、ばね２６の周辺部は、
加圧板２７の下面と係合する。導電ボルト２Ｂは、加圧
板２Ｔを介して上方へ延長し、ボルト２８のヘッドは、
凹部１６に収容される。
部２２を設けた長方形のアルミニウム製ブロヴク２１に
よって限定される。凹部２２の基部の中央には、直立円
形平面２３を形成（７、該平面の上部には、モリブデン
製円板２４を位置決めする。半導体のダイオード装置１
４は、円板２４上に着座し、該ダイオードの陰極は、円
板２４と係合する故に、該円板と電気接続する。ダイオ
ード１４の上方に位置する陽極面は、銀製円板２５と係
合し、軟鋼製の膜板型式の第１導電部月１１は、該銀製
円板２５に載置される。膜板１１の座金２５から離れた
面には、円形凹部１６を形成［７、四部１６には、円板
ばね２６を設ける。ダイオード１４ カ’） 離ｆ１．
タ膜板１１ノ１ｆＮＣは、＊ ％ｌ ｌ＋Ｖ ノ頂部
加圧仮２７を載置、する。円板ばね２６の中央区域は、
膜板１１の四部の基部と係合し、ばね２６の周辺部は、
加圧板２７の下面と係合する。導電ボルト２Ｂは、加圧
板２Ｔを介して上方へ延長し、ボルト２８のヘッドは、
凹部１６に収容される。
加圧板２７及び膜板１１が接触する故に、それらは相互
に電気接続し、同様に、膜板が、ボルト２Ｂと係合する
ことによって、ボルト２８は、膜板１１及び２７と電気
接続する。膜板１１は、ダイオード１４の陽極と接触す
る銀製座金２５と接触する故１（、ポル）２Ｂ＆ま、ダ
イオード１４用の端子陽極を構成する。
に電気接続し、同様に、膜板が、ボルト２Ｂと係合する
ことによって、ボルト２８は、膜板１１及び２７と電気
接続する。膜板１１は、ダイオード１４の陽極と接触す
る銀製座金２５と接触する故１（、ポル）２Ｂ＆ま、ダ
イオード１４用の端子陽極を構成する。
第３図から明らかな如く、４本の固定ボルト２９１は、
加圧板２７の周囲に等角度にて隔設をれ、板２７及び１
１と、ブロック２１の基部区域の相応する孔を介して下
方に延長し、ブロック２１のＦ方に位置決め［７た底部
加圧板の相応中るＩ〕じ切り穴に螺入し、第３導電部材
１３の構成部品となる。
加圧板２７の周囲に等角度にて隔設をれ、板２７及び１
１と、ブロック２１の基部区域の相応する孔を介して下
方に延長し、ブロック２１のＦ方に位置決め［７た底部
加圧板の相応中るＩ〕じ切り穴に螺入し、第３導電部材
１３の構成部品となる。
底部加圧板１３は、黄銅製であり、ボルト２９け、導電
性を有するので、底部加圧板１３及び項部加圧板２Ｔは
、相互に電気接続する。ボルト２９を通したブロック２
１の基部区域の穴には、電気絶縁相を裏張したスリーブ
３１を設けるので、これによって、ボルト２９は、第２
導電部材１２から、従ってプロ、り２１から電気絶縁さ
れる。
性を有するので、底部加圧板１３及び項部加圧板２Ｔは
、相互に電気接続する。ボルト２９を通したブロック２
１の基部区域の穴には、電気絶縁相を裏張したスリーブ
３１を設けるので、これによって、ボルト２９は、第２
導電部材１２から、従ってプロ、り２１から電気絶縁さ
れる。
銀製座金３２は、円板２４．２５及びダイオード１４と
軸方向に整合し２て導電部月１２と底部加圧板１３との
間に位置し、該座金の一面は、第２導電部材１２と係合
する。銀製座金３２と接触する陽極を有する半導体サイ
リスタ装置１５は、座金３２のＦ面と加圧板１３の平面
との間に位置し、ダイオード１４と軸方向に整合する。
軸方向に整合し２て導電部月１２と底部加圧板１３との
間に位置し、該座金の一面は、第２導電部材１２と係合
する。銀製座金３２と接触する陽極を有する半導体サイ
リスタ装置１５は、座金３２のＦ面と加圧板１３の平面
との間に位置し、ダイオード１４と軸方向に整合する。
サイリスタ１５の反対面は、サイリスタの陰極面である
が、該陰極面内に、サイリスタのゲートの表面区域があ
る。該ゲート区域は、円形区域で、該陰極面の中央て位
１町シ、底部加圧板１３の中央部には、円形凹部１Ｔを
設けるので、サイリスタ１５の陰極面と係合する加圧板
１３の表面区域が、サイリスタの陰極のみと係合する環
状区域が確実に形成される。かくて、サイリスタのゲー
ト接触ＩＫ域は、凹部１７に相当する。
が、該陰極面内に、サイリスタのゲートの表面区域があ
る。該ゲート区域は、円形区域で、該陰極面の中央て位
１町シ、底部加圧板１３の中央部には、円形凹部１Ｔを
設けるので、サイリスタ１５の陰極面と係合する加圧板
１３の表面区域が、サイリスタの陰極のみと係合する環
状区域が確実に形成される。かくて、サイリスタのゲー
ト接触ＩＫ域は、凹部１７に相当する。
サイリスタのゲート区域と電気接続するように、サイリ
スタと係合する加圧板１３の直仏区吠には、Ｕ字型断面
を有する電気絶縁部材３３を鵠打ちした直径方向に延長
する溝穴１Ｂを設ける。既知の型式のベリリウム／銅の
ビームコネクタ３４は、加圧板１３から絶縁されるよう
に、部材３３によって収容される。ビームコネクタ３４
の中央には、−Ｌ方延長部３５（第２図）を設け、該咄
長部３５（・ま、サイリスタ１５のゲート区域と係合し
て、電気接続する。導電リード線３６の１端は、ビーム
コネクタ３４に接続する。かくて、ビームコネクタ３４
は、加圧板１３によって支持され、サイリスタのゲート
区域と電気接続するが、部材３３によって、加圧ｔｆｆ
ｌ１３から亀気絶縁畜れる。
スタと係合する加圧板１３の直仏区吠には、Ｕ字型断面
を有する電気絶縁部材３３を鵠打ちした直径方向に延長
する溝穴１Ｂを設ける。既知の型式のベリリウム／銅の
ビームコネクタ３４は、加圧板１３から絶縁されるよう
に、部材３３によって収容される。ビームコネクタ３４
の中央には、−Ｌ方延長部３５（第２図）を設け、該咄
長部３５（・ま、サイリスタ１５のゲート区域と係合し
て、電気接続する。導電リード線３６の１端は、ビーム
コネクタ３４に接続する。かくて、ビームコネクタ３４
は、加圧板１３によって支持され、サイリスタのゲート
区域と電気接続するが、部材３３によって、加圧ｔｆｆ
ｌ１３から亀気絶縁畜れる。
加圧板１３を加圧板１１の方へ引っ張ることによって、
第２導電部材１２の両側に中間部品を取付けるようなｌ
１ｑｈ方向締付は力を生じさせるように、ボルト２９は
１．組立体を共に固定していることが理解される。ダイ
オード１４の陰画とサイリスタ１５の陽極は、第２導電
部材１２によって、相互に電気接続１２、板１１と接続
するダイオード１４の陽極は、ボルト２９が板１３と係
合することてよって、ボルト２９を介してサイリスタ１
５の陰極と電気接続する。かくて、ブロック２１は、半
導体組立体の第１端子を構成］７、該ダイオードの陰極
及びサイリスタの陽極と電気接続し、ＩＩ！＋方ポルト
２８は、第２端子を構成し、該ダイオードの陽極及びサ
イリスタの陰極と電気接続する。組１γ体のサイリスタ
ゲート接続は、リード線３６Ｖｃ、よって実施される。
第２導電部材１２の両側に中間部品を取付けるようなｌ
１ｑｈ方向締付は力を生じさせるように、ボルト２９は
１．組立体を共に固定していることが理解される。ダイ
オード１４の陰画とサイリスタ１５の陽極は、第２導電
部材１２によって、相互に電気接続１２、板１１と接続
するダイオード１４の陽極は、ボルト２９が板１３と係
合することてよって、ボルト２９を介してサイリスタ１
５の陰極と電気接続する。かくて、ブロック２１は、半
導体組立体の第１端子を構成］７、該ダイオードの陰極
及びサイリスタの陽極と電気接続し、ＩＩ！＋方ポルト
２８は、第２端子を構成し、該ダイオードの陽極及びサ
イリスタの陰極と電気接続する。組１γ体のサイリスタ
ゲート接続は、リード線３６Ｖｃ、よって実施される。
リード線３７は、加圧板１３と電気接続１７てサイリス
タ１５の陰極と付加的に電気接続する。ブロック２１の
下方に位置し、組立体の一部を成すサイリスタ及び加圧
板１３を収容するための凹部３９を内部ζて設けた別の
員ｌｊ形アルミニウム製ブロック３８だよって組立体は
完成する。プロ、り３Ｂは、ブロック２１から電気絶縁
きね、組立体取付はポルＩ・４１は、プロ、り２１及び
３８を通って下方に延長１２、使用時に組＼ｒ体を＠置
する構成部品と螺入連結する。ポル） ４１ ｊｒよ、
電気絶縁ライナ４２によって、ブロック２１及び３８か
ら電気絶縁さｆｌ、る。かくて、固定ボルト４１は、組
立体を取付ける構成部品のいか々る部分とも電気接続１
７ない。
タ１５の陰極と付加的に電気接続する。ブロック２１の
下方に位置し、組立体の一部を成すサイリスタ及び加圧
板１３を収容するための凹部３９を内部ζて設けた別の
員ｌｊ形アルミニウム製ブロック３８だよって組立体は
完成する。プロ、り３Ｂは、ブロック２１から電気絶縁
きね、組立体取付はポルＩ・４１は、プロ、り２１及び
３８を通って下方に延長１２、使用時に組＼ｒ体を＠置
する構成部品と螺入連結する。ポル） ４１ ｊｒよ、
電気絶縁ライナ４２によって、ブロック２１及び３８か
ら電気絶縁さｆｌ、る。かくて、固定ボルト４１は、組
立体を取付ける構成部品のいか々る部分とも電気接続１
７ない。
装置１４及び１５を保循するために、電気絶縁体で熱伝
導率のよい充填材４３、すなわち、アルミニウム粒子を
混入したエポキシ樹脂相の充填材を、四部２２及び３９
に充填する。適当な材料を混入した樹脂材は、エマーソ
ン・アンド・カミノブ（ＵＫ）社（Ｅｍｅｒｓｏｎ ＆
Ｏｕｍｉｎｇ Ｌｉｍ１ｔｅｄ ）からの「エコーボ
ンド（Ｅｃｃｏｂｏｎｄ ） ２８４８１−６ ｊとし
て入手可能である。エポキシ樹脂を凹部２２゜３９に導
入する時に、エポキシ樹脂を、実際に、半導体装置１４
．１５と接触はせないことを確実ならしめるため、ダイ
オード１４及びサイリスタ１５をそれぞれ包囲するよう
圧組立体の構成中に、ゴム製密閉部材４４．４５を組込
む。がくて、密閉リング４４は、頂部加圧板１１とブロ
ック２１の凹部の基部との間に挾持され、密閉リング４
５は、ブロック２１の基部と底部加圧板１３との間に挾
持される。密閉リング４４．４５は、物理的障壁を構成
して、充填材４３が、半導体装置の露出区域に流出する
のを回避する。
導率のよい充填材４３、すなわち、アルミニウム粒子を
混入したエポキシ樹脂相の充填材を、四部２２及び３９
に充填する。適当な材料を混入した樹脂材は、エマーソ
ン・アンド・カミノブ（ＵＫ）社（Ｅｍｅｒｓｏｎ ＆
Ｏｕｍｉｎｇ Ｌｉｍ１ｔｅｄ ）からの「エコーボ
ンド（Ｅｃｃｏｂｏｎｄ ） ２８４８１−６ ｊとし
て入手可能である。エポキシ樹脂を凹部２２゜３９に導
入する時に、エポキシ樹脂を、実際に、半導体装置１４
．１５と接触はせないことを確実ならしめるため、ダイ
オード１４及びサイリスタ１５をそれぞれ包囲するよう
圧組立体の構成中に、ゴム製密閉部材４４．４５を組込
む。がくて、密閉リング４４は、頂部加圧板１１とブロ
ック２１の凹部の基部との間に挾持され、密閉リング４
５は、ブロック２１の基部と底部加圧板１３との間に挾
持される。密閉リング４４．４５は、物理的障壁を構成
して、充填材４３が、半導体装置の露出区域に流出する
のを回避する。
ブロック２１及び３８の対応面の片方又は両方には該ブ
ロックを互いに絶縁する役割を果す陽極処理面層を設け
ることが望ましい。しかしながら、代案と（７て、充填
材４３を、ブロック２１と３８との間に延長させて、該
ブロック相互間を電気絶縁してもよい。
ロックを互いに絶縁する役割を果す陽極処理面層を設け
ることが望ましい。しかしながら、代案と（７て、充填
材４３を、ブロック２１と３８との間に延長させて、該
ブロック相互間を電気絶縁してもよい。
組立体の構成中、適当な位置において、各種構成部品相
互間の良好なる電気接続を確実ならしめるため、ばね２
６によって、所望の軸方向荷重が組立体に加わるように
、ボルト２９の締付けを制御可能なことがわかる。半導
体装ｉｆ １４ 、１５は、隣接する構成部品との良好
なる電気接続を確実ならしめるように、該半導体装置と
の接触区域に、適当な金属層を役目るが、むき出しの半
導体チップであルげ効果的である。
互間の良好なる電気接続を確実ならしめるため、ばね２
６によって、所望の軸方向荷重が組立体に加わるように
、ボルト２９の締付けを制御可能なことがわかる。半導
体装ｉｆ １４ 、１５は、隣接する構成部品との良好
なる電気接続を確実ならしめるように、該半導体装置と
の接触区域に、適当な金属層を役目るが、むき出しの半
導体チップであルげ効果的である。
両方の半導体装置は、プロ２．り２１の基本区域１２に
密着１．て髪＾るので、プロ、り２１は、組立体の一次
熱吸収体を構成する。Ｌ７かしながら、当然のことなが
ら、ブロック３８は、プロ、り２１と密接に熱接触（電
気接触ではない）するので、熱を吸収する目的で、プロ
１．り２１の質叶を効果的に増加させる。プロ、Ｊり２
１の露出面には、陽極処理によって、又ｌｄ絶縁材で被
覆することによって、電気絶縁被覆加工を実施すること
が望−ましい。
密着１．て髪＾るので、プロ、り２１は、組立体の一次
熱吸収体を構成する。Ｌ７かしながら、当然のことなが
ら、ブロック３８は、プロ、り２１と密接に熱接触（電
気接触ではない）するので、熱を吸収する目的で、プロ
１．り２１の質叶を効果的に増加させる。プロ、Ｊり２
１の露出面には、陽極処理によって、又ｌｄ絶縁材で被
覆することによって、電気絶縁被覆加工を実施すること
が望−ましい。
組＼ｒ体の熱吸収体・＼の主要な熱伝導通路として、中
間金属部材１２を使用することが’１マ１．＜、充填材
４３にアルミナを孔入することによって、該充填材の熱
伝導率が高くなり、熱は、板１１．１３及び２７．並び
に充填材４３を介して、装置１４゜１５からブロック２
１及び３８に伝達はれる。更に、委すれば、プロ、り２
１及び３８を、膜板１１及び加圧板１３とそれぞれ一体
にして、中間伝導部制御２との接続をなくしてもいいこ
と、つ；わかる。
間金属部材１２を使用することが’１マ１．＜、充填材
４３にアルミナを孔入することによって、該充填材の熱
伝導率が高くなり、熱は、板１１．１３及び２７．並び
に充填材４３を介して、装置１４゜１５からブロック２
１及び３８に伝達はれる。更に、委すれば、プロ、り２
１及び３８を、膜板１１及び加圧板１３とそれぞれ一体
にして、中間伝導部制御２との接続をなくしてもいいこ
と、つ；わかる。
かかる構造の場合、部材１２から、別個の電気接続を実
施１．なければならない。かくて、図示例の如く、１こ
として、第２伝導部拐１２によって、熱吸収体を設けて
もいい［７、代案としては、第１及び第３伝導部材１１
．１３によってもよく、更に、第１、第２及び第３伝導
部材のいず）ｔかによってのみ、あるいは、他のいずれ
かと組合わせてもよい。
施１．なければならない。かくて、図示例の如く、１こ
として、第２伝導部拐１２によって、熱吸収体を設けて
もいい［７、代案としては、第１及び第３伝導部材１１
．１３によってもよく、更に、第１、第２及び第３伝導
部材のいず）ｔかによってのみ、あるいは、他のいずれ
かと組合わせてもよい。
前述の熱吸収体の容積が、例えば、収容及び構造上の取
付けの見地から望ましからざる場合、熱吸収体の容積を
減少させるために流体冷却を実施可能であることが理解
される。かくて、熱吸収体を構成する部材は、冷却流体
流を受けるように穿孔可能であり、又、冷却流体用の管
（例えば、単数又は複数個の熱パイプ）と熱接触するよ
うに取付けてもよい。
付けの見地から望ましからざる場合、熱吸収体の容積を
減少させるために流体冷却を実施可能であることが理解
される。かくて、熱吸収体を構成する部材は、冷却流体
流を受けるように穿孔可能であり、又、冷却流体用の管
（例えば、単数又は複数個の熱パイプ）と熱接触するよ
うに取付けてもよい。
第１図＆；Ｉ−１半導体組（ｆ一体の乎面図、第２図は
、第１図の線ＡＢＣＤにおける断面図、そして、第３図
は、第１図の線３−３における断面図である。 １１．１２．１３・・・電導部層、１４・・・半導体ダ
イオード、１５・・・半導体ザイリスタ、３４．３５・
・・コネクタ。 カンバニイ じ ＦＩＣＩ。 ＦＩＧ、３゜ ヤリ−・クラーク イギリス国つオリツクシャー・ ストラットフォード・アポン・ ニーボン・ユニオン・ストリー ト１１
、第１図の線ＡＢＣＤにおける断面図、そして、第３図
は、第１図の線３−３における断面図である。 １１．１２．１３・・・電導部層、１４・・・半導体ダ
イオード、１５・・・半導体ザイリスタ、３４．３５・
・・コネクタ。 カンバニイ じ ＦＩＣＩ。 ＦＩＧ、３゜ ヤリ−・クラーク イギリス国つオリツクシャー・ ストラットフォード・アポン・ ニーボン・ユニオン・ストリー ト１１
Claims (9)
- （１）第１、第２および第３導電部材と、該第１および
第２導電部材間に配置され、その陽極区域が該第１およ
び第２導電部材の１つに電気的ン接続され、陰極区域が
該第１および第２導電部材のもう１つに電気的に接続さ
れた半導体ダイオードと、該第２および第３導電部材間
に配置され、その陽極陰極の端子区域の１方が該第２導
電部材に接続され、該陽極陰極の端ｒ−区域の他方が該
第３導電部材に接続された半導体リーイリスタとを包含
する半導棒組＼″Ｌ体にして、該第３および第１導電部
材が電気的に相互に接続され、該第２導電部材と電気的
に接続はれた該半導体ダイオードの該端子区域が、同様
に該第２導電部材と電気的に接続する該サイリスタの端
子区域とは反対の極性にあり、該第１、第２お、Ｉ′ｌ
′ト第３導電部材の少くとも１つが該半導体組立体の熱
吸収体を構成し、かつ該組＼ｒ体が該サイリスタのゲー
ト端子区域と電気的に接続する手段を含むことを特徴と
する該半導棒組ｑ体。 - （２）該サイリスタ及び該ダイオードを、軸方向にほぼ
整合するように、該第２部月に取イτＪけることを特徴
とする特許請求の範囲第１噴記載の半導体組立体。 - （３）該第２導電部利が、該組立体の熱吸収体であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のや導体組立
体。 - （４）該第１及び第３導電部材が、該組立体の熱吸収体
を構成することを特徴とする特、４Ｔ請求の範囲第１＋
ｒｔ記載の半導棒組ｑ体。 - （５） 該第１、第２、及び第３導電ｔ４１１材の３
個の全てが、該組立体の熱吸収体の一部を構成すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の組象ｙ体。 - （６）該ダイオードの陰極及び該ナイリスタの陽極の各
々が、該第２導電部材と電気接続することを特徴とする
特ＦＦ請求の範囲第１項記載の半導棒組立体。 - （７）該第１及び第３導電部材が、互いの方向に押し付
けられ、該サイリスタ、該第２導電部材及び該ダイオー
ドを、相互間に取付けることを特徴とする特許請求の範
囲第１項乃至第６項のいずれかに記載の半導体組立体。 - （８）該第１及び第３導電部材が、該第２導電部材を介
り、て延長中るが、該第２部材から電気絶縁される導電
固定装置によって互いに連結すると七を特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体組立体。 - （９）該装置がねじであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体組立体。 ｊｔＱ 該第１及び第３導電部材を互いに押しつける
ために弾性装置を設けることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体組立体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8221973 | 1982-07-29 | ||
| GB8221973 | 1982-07-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5947754A true JPS5947754A (ja) | 1984-03-17 |
Family
ID=10532002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58136889A Pending JPS5947754A (ja) | 1982-07-29 | 1983-07-28 | 半導体組立体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4642671A (ja) |
| EP (1) | EP0100626A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5947754A (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194362A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | サイリスタ装置 |
| FR2614469B1 (fr) * | 1987-04-24 | 1989-07-21 | Inrets | Dispositif de refroidissement, en particulier pour semi-conducteur de puissance |
| US5204804A (en) * | 1992-01-15 | 1993-04-20 | General Electric Company | GTO module with piggyback bypass diode |
| DE4401178B4 (de) * | 1994-01-17 | 2005-06-30 | Deutsch-Französisches Forschungsinstitut Saint-Louis, Saint-Louis | Vorrichtung zum Schalten bspw. hoher Spannungen bzw. Ströme |
| JP3550243B2 (ja) * | 1996-01-30 | 2004-08-04 | 株式会社東芝 | 内部圧接型半導体装置 |
| US5866953A (en) | 1996-05-24 | 1999-02-02 | Micron Technology, Inc. | Packaged die on PCB with heat sink encapsulant |
| US6314639B1 (en) | 1998-02-23 | 2001-11-13 | Micron Technology, Inc. | Chip scale package with heat spreader and method of manufacture |
| US7233056B1 (en) * | 1998-02-23 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | Chip scale package with heat spreader |
| US6297960B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-10-02 | Micron Technology, Inc. | Heat sink with alignment and retaining features |
| US6297548B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-10-02 | Micron Technology, Inc. | Stackable ceramic FBGA for high thermal applications |
| US6326687B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
| US6117797A (en) | 1998-09-03 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant |
| DE10009171B4 (de) * | 2000-02-26 | 2005-08-11 | Robert Bosch Gmbh | Stromrichter und sein Herstellverfahren |
| DE10258035A1 (de) * | 2002-12-12 | 2004-06-24 | Robert Bosch Gmbh | Einphasiges Stromrichtermodul |
| TWI339789B (en) * | 2006-09-29 | 2011-04-01 | Delta Electronics Inc | Device and heat sink |
| US20090103342A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Saul Lin | Silicon-controlled rectifier with a heat-dissipating structure |
| SG142321A1 (en) | 2008-04-24 | 2009-11-26 | Micron Technology Inc | Pre-encapsulated cavity interposer |
| JP5338980B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-11-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
| US10447023B2 (en) | 2015-03-19 | 2019-10-15 | Ripd Ip Development Ltd | Devices for overvoltage, overcurrent and arc flash protection |
| US11776874B2 (en) * | 2020-03-24 | 2023-10-03 | Solaredge Technologies Ltd. | Apparatus and method for holding a heat generating device |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2004508A1 (ja) * | 1968-03-22 | 1969-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | |
| US3743893A (en) * | 1971-05-27 | 1973-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | Fluid cooled compression bonded semiconductor device structure |
| US3844029A (en) * | 1972-02-02 | 1974-10-29 | Trw Inc | High power double-slug diode package |
| US3992717A (en) * | 1974-06-21 | 1976-11-16 | Westinghouse Electric Corporation | Housing for a compression bonded encapsulation of a semiconductor device |
| DE2617335A1 (de) * | 1976-04-21 | 1977-11-03 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
| DE2734571A1 (de) * | 1977-07-30 | 1979-02-15 | Bosch Gmbh Robert | Gleichrichteranordnung |
| FR2412168A1 (fr) * | 1977-12-15 | 1979-07-13 | Silicium Semiconducteur Ssc | Diodes ecreteuses de surtension |
| US4313128A (en) * | 1979-05-08 | 1982-01-26 | Westinghouse Electric Corp. | Compression bonded electronic device comprising a plurality of discrete semiconductor devices |
| US4305087A (en) * | 1979-06-29 | 1981-12-08 | International Rectifier Corporation | Stud-mounted pressure assembled semiconductor device |
| US4538171A (en) * | 1980-10-30 | 1985-08-27 | Cableform Limited | High power semiconductor heat sink assembly |
| JPS589349A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Hitachi Ltd | Ｇｔｏスタツク |
| US4518983A (en) * | 1982-10-22 | 1985-05-21 | Westinghouse Electric Corp. | Assembly-heat sink for semiconductor devices |
-
1983
- 1983-07-20 EP EP83304199A patent/EP0100626A3/en not_active Ceased
- 1983-07-28 JP JP58136889A patent/JPS5947754A/ja active Pending
- 1983-07-28 US US06/518,106 patent/US4642671A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4642671A (en) | 1987-02-10 |
| EP0100626A2 (en) | 1984-02-15 |
| EP0100626A3 (en) | 1985-11-06 |
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