JPS5945926A - 基体に酸化錫膜を形成する方法 - Google Patents
基体に酸化錫膜を形成する方法Info
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- JPS5945926A JPS5945926A JP15640682A JP15640682A JPS5945926A JP S5945926 A JPS5945926 A JP S5945926A JP 15640682 A JP15640682 A JP 15640682A JP 15640682 A JP15640682 A JP 15640682A JP S5945926 A JPS5945926 A JP S5945926A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス、セラミック、金属等の基体表面に酸化
錫膜を形成する方法に関し、更車」箕−し羞更に詳しく
は高温のガラス、セラミック、または金属等の基体表面
に有機錫化合物の粉末を接触させることにより基体表面
に酸化錫膜を形成する方法に関する。
錫膜を形成する方法に関し、更車」箕−し羞更に詳しく
は高温のガラス、セラミック、または金属等の基体表面
に有機錫化合物の粉末を接触させることにより基体表面
に酸化錫膜を形成する方法に関する。
一般に、酸化錫膜はずくれた硬度をイJしている○とか
らビン製品・食器なとの表面のmつき1()J[1に広
く用いられている。また酸化錫膜の半導体的性質を利用
した応用例も多く、例えば酸化錫膜を形成したガラスは
液晶ナルの電極板・助りガラスなど透明な電導体として
の用途に広く使用されており、酸化錫膜を有するセラミ
ックス薄板は抵抗体など電気部品としても極めて有用で
ある。更には酸化錫膜の赤外線反射特性を利用し、ガラ
スあるいは金属管J二に酸化錫膜を形成させたものが、
それぞれ太陽熱集熱器のカバーガラス、太陽熱集熱管と
して用いられ−Cいる。
らビン製品・食器なとの表面のmつき1()J[1に広
く用いられている。また酸化錫膜の半導体的性質を利用
した応用例も多く、例えば酸化錫膜を形成したガラスは
液晶ナルの電極板・助りガラスなど透明な電導体として
の用途に広く使用されており、酸化錫膜を有するセラミ
ックス薄板は抵抗体など電気部品としても極めて有用で
ある。更には酸化錫膜の赤外線反射特性を利用し、ガラ
スあるいは金属管J二に酸化錫膜を形成させたものが、
それぞれ太陽熱集熱器のカバーガラス、太陽熱集熱管と
して用いられ−Cいる。
酸化錫1俟をガラス・セラミックスまたは金属等の基体
表面に形成させる方法には種々あるが、11産に適した
方法と1.て古くから四I!、T化錫を有機溶媒に溶か
した溶液を高温状態にある前記の基体の表面に吹付ける
方法が用いられてきた。そして近年、四塩化錫またはジ
メチルニ塩化錫を加熱蒸発させて得られる蒸気を高温の
ガラス、セラミックスまたは金属等の基体表面に接触さ
せるいわゆるCVD法も広く採用されている。
表面に形成させる方法には種々あるが、11産に適した
方法と1.て古くから四I!、T化錫を有機溶媒に溶か
した溶液を高温状態にある前記の基体の表面に吹付ける
方法が用いられてきた。そして近年、四塩化錫またはジ
メチルニ塩化錫を加熱蒸発させて得られる蒸気を高温の
ガラス、セラミックスまたは金属等の基体表面に接触さ
せるいわゆるCVD法も広く採用されている。
更にこれらに代る方法として有機錫化合物の粉末を直接
高温のガラス表面に吹付けることから成る酸化錫膜の形
成方法(以下粉末法)も試みられている。
高温のガラス表面に吹付けることから成る酸化錫膜の形
成方法(以下粉末法)も試みられている。
粉末法は細く粉砕した粉末状有機錫化合物を浮遊懸濁さ
せた空気またはその他の気体を高温のガラス表面と接触
させるもので、溶液スプレー法・CVD法に比べ被膜形
成速度が速く量産能力にすぐれているのが特徴である。
せた空気またはその他の気体を高温のガラス表面と接触
させるもので、溶液スプレー法・CVD法に比べ被膜形
成速度が速く量産能力にすぐれているのが特徴である。
通常、粉末状有機錫化合物としてはジブチル錫オキサイ
ド((04H9)2SnO以下DBTOとする〕が多く
試みられ、この場合得られる酸化錫膜の電・導性を高め
るためドーパントとして弗化水素ガスが前記粉末懸濁気
流中に加えられる。
ド((04H9)2SnO以下DBTOとする〕が多く
試みられ、この場合得られる酸化錫膜の電・導性を高め
るためドーパントとして弗化水素ガスが前記粉末懸濁気
流中に加えられる。
また、ドーパントとして弗化アンモニウム〔以下N H
4,Fとする〕または酸性弗化アンモニウムを用い、こ
れらの粉末と粉末状有機錫化合物の混合粉末を酸化錫膜
形成の出発物質とする方法も提案されている。しかしな
がらこのような種々の試みにもかかわらず大面積のIU
j ・’4J川ガラス・太陽′1h池の電極ガラスにお
いては史に電導性にず<’ t+た酸化錫膜が要求され
ている。
4,Fとする〕または酸性弗化アンモニウムを用い、こ
れらの粉末と粉末状有機錫化合物の混合粉末を酸化錫膜
形成の出発物質とする方法も提案されている。しかしな
がらこのような種々の試みにもかかわらず大面積のIU
j ・’4J川ガラス・太陽′1h池の電極ガラスにお
いては史に電導性にず<’ t+た酸化錫膜が要求され
ている。
本発明者らは酸化錫膜の電気抵抗に関し鋭、Cil (
ill究の結果、ジプロピル錫ントリフルオロアセテー
ト 〔化学式 (03H7)2 Sn (CF3000
) 2) 全出発物質とすることで、得らiする酸化錫
膜の電導性か著しく高められることを見出1に至った。
ill究の結果、ジプロピル錫ントリフルオロアセテー
ト 〔化学式 (03H7)2 Sn (CF3000
) 2) 全出発物質とすることで、得らiする酸化錫
膜の電導性か著しく高められることを見出1に至った。
すなわち、本発明は高温に加熱した捕板表面に有機錫化
合物の粉末を接触させて、熱分解酸化反応により基体に
酸化錫被膜を形成する方法において、該有機錫化合物が
ノブロビル錫ジトリフルオロアセテ−1・であることを
特徴とする基体に酸化錫被膜を形成する方法である。
合物の粉末を接触させて、熱分解酸化反応により基体に
酸化錫被膜を形成する方法において、該有機錫化合物が
ノブロビル錫ジトリフルオロアセテ−1・であることを
特徴とする基体に酸化錫被膜を形成する方法である。
本発明においてジプロピル錫ジトリフルオロアセテート
の粉末は通常、水分0.7%以下となるまで乾燥された
後、平均粒子径が3〜llQ1tmであるよう粉砕・分
級される。このようi’m L、て調整されたジプロピ
ル錫ジトリフルAロアセテー トの粉末は高速気流中に
浮遊懸濁され、次いで該粉末懸濁気流は350°C以上
、望ましくはSOO°C以上に加熱されたガラス、セラ
ミックス又は金属等の基体と接触せしめられ、該基体の
表面に酸化錫膜が形成される。
の粉末は通常、水分0.7%以下となるまで乾燥された
後、平均粒子径が3〜llQ1tmであるよう粉砕・分
級される。このようi’m L、て調整されたジプロピ
ル錫ジトリフルAロアセテー トの粉末は高速気流中に
浮遊懸濁され、次いで該粉末懸濁気流は350°C以上
、望ましくはSOO°C以上に加熱されたガラス、セラ
ミックス又は金属等の基体と接触せしめられ、該基体の
表面に酸化錫膜が形成される。
本発明は有機錫化合物にジプロピル錫ジトリフルオロア
セテートを用いることにより、基体表面に電導性の高く
、且つ赤外線反射率の犬なる酸化錫膜を形成することが
できる。
セテートを用いることにより、基体表面に電導性の高く
、且つ赤外線反射率の犬なる酸化錫膜を形成することが
できる。
以−ド、本発明の実施例を詳述する。
実施例/
ジプロピル錫トリフルオロアセテートを含水率O,S%
になるまで熱風循環乾燥機で乾燥した後、粉砕機で粒径
範囲ざ乃至、25μm1平均粒子径/S/177+に粉
砕した。
になるまで熱風循環乾燥機で乾燥した後、粉砕機で粒径
範囲ざ乃至、25μm1平均粒子径/S/177+に粉
砕した。
次いでジプロピル錫トリフルオロアセテートの粉末をサ
ンドブラストガンに供給し、高圧エアーで、1t77°
C1厚さ3mm、大きさ/!; OmX 150mのガ
ラス表面に吹付けた。
ンドブラストガンに供給し、高圧エアーで、1t77°
C1厚さ3mm、大きさ/!; OmX 150mのガ
ラス表面に吹付けた。
この時ジプロピル錫トリフルオロアセテートの粉末の供
給量は76g7分で1秒間の吹刊けにより、膜厚、2.
200Aの酸fヒ錫膜をtrp y、−0吹付に用いた
高圧エアーは圧力q、oKg/clTI2.流量100
1/分であ−、た。?iノらiまた酸化錫膜の電気抵抗
を測定したところ比抵抗が乙X10−4ΩCmであり、
波長f Itmの赤外線反射率が76%であ1.た。
給量は76g7分で1秒間の吹刊けにより、膜厚、2.
200Aの酸fヒ錫膜をtrp y、−0吹付に用いた
高圧エアーは圧力q、oKg/clTI2.流量100
1/分であ−、た。?iノらiまた酸化錫膜の電気抵抗
を測定したところ比抵抗が乙X10−4ΩCmであり、
波長f Itmの赤外線反射率が76%であ1.た。
次に比較例を作るため、DBTO粉末を落水率0.4/
%となるまで熱風循環乾燥機で乾燥(、た後、粉砕機で
粉砕した。この時のD B T Off&粉末の粒子径
は3〜30μmに分布し平均粒子径は/111unであ
った。次いでこれらのDBTOfa粉末をサンドブラス
トガンに供給し、弗化水素ガスを含む高圧工γ−で3?
3;−!;gO″Cのカラス表面に吹(J’ V)た。
%となるまで熱風循環乾燥機で乾燥(、た後、粉砕機で
粉砕した。この時のD B T Off&粉末の粒子径
は3〜30μmに分布し平均粒子径は/111unであ
った。次いでこれらのDBTOfa粉末をサンドブラス
トガンに供給し、弗化水素ガスを含む高圧工γ−で3?
3;−!;gO″Cのカラス表面に吹(J’ V)た。
この時、形成酸化錫膜の電気抵抗か小なるように弗化水
素ガスの高圧エアー・\の混入1j1を(エアー中弗素
り/(DBTO中8!i!の比)すなわちF/Snが乙
、Oとなるようにした。吹4J時において、DBTO粉
末の供給計は/、797分で3秒間の吹(Jにより膜厚
、2.20OAの酸化錫膜をガラス表面に形成さ一υた
。
素ガスの高圧エアー・\の混入1j1を(エアー中弗素
り/(DBTO中8!i!の比)すなわちF/Snが乙
、Oとなるようにした。吹4J時において、DBTO粉
末の供給計は/、797分で3秒間の吹(Jにより膜厚
、2.20OAの酸化錫膜をガラス表面に形成さ一υた
。
なお、この時のガラスは厚味3 m m マJ法/!;
CttI×/!;Cmであり、吹イJK用いた高圧エア
ーjJ II力I1.。
CttI×/!;Cmであり、吹イJK用いた高圧エア
ーjJ II力I1.。
Kg/cm2 、流量1001/分てあった。得られた
比較例の酸化錫膜の電気抵抗を測定したところ比抵抗が
/×70−3Ω・Qmであり、波長ざltmの赤外線反
射率が乙9%であった。
比較例の酸化錫膜の電気抵抗を測定したところ比抵抗が
/×70−3Ω・Qmであり、波長ざltmの赤外線反
射率が乙9%であった。
以」;から明らかな如く、本発明により得られた酸化錫
膜は比較例に比べ著しく電導性が優れ、赤外線の反射率
が人である。
膜は比較例に比べ著しく電導性が優れ、赤外線の反射率
が人である。
第1図
第2図
&板イfLt(t−)
第3図
8オノ乏、イfLll (+、m)
手 4イl: 袖 正 41 (l’l ’
+’t ’昭和57年(7月/g1( を寺s’r l−1J乏′i’−=’ I+役/ 小1
!1の表h、 4寺涼自昭3’7−/3;6UO1づ 一特公−11%−、、=−,,−−−・ −−号一・]
発明の名称 基体eζζ酸化模膜形成する方θ、 3 補正をする省 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町4丁目8番地名 称
(<10θ)[−J本板硝子株式会ネ1代表者 刺
賀 信 卸 グ代理人 − 図σ11の第7図、第2図及び第31閾4・削除ず乙。
+’t ’昭和57年(7月/g1( を寺s’r l−1J乏′i’−=’ I+役/ 小1
!1の表h、 4寺涼自昭3’7−/3;6UO1づ 一特公−11%−、、=−,,−−−・ −−号一・]
発明の名称 基体eζζ酸化模膜形成する方θ、 3 補正をする省 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町4丁目8番地名 称
(<10θ)[−J本板硝子株式会ネ1代表者 刺
賀 信 卸 グ代理人 − 図σ11の第7図、第2図及び第31閾4・削除ず乙。
「 χ?)、−r市 11 −冒こ 代わ る 1 中
1!)昭和!;7年/ 2 JJ /6 N f’11.’l’ I j’ Iン ′白
殿/ ”11訃の表止 特#、g’l I+、(57/ j t ’l O67
J) 発明の名称 基体に酸化錫膜を形成する方法 3 特許出歇1人 住所 大阪府大阪市東区道11釜町グ1′目ざ番地名
称(グoo) II本板硝ト株式会社代表と 刺
賀 信 雄 夕代理人 住所 東弓〔都電(K新橋!; ]−11/ /番3
号1記特許出願について11.1(和57年/7月30
11(発送+1)(Jで手続補市指合m (h式・)を
受け、1図面の簡単な説明10項を記載した明細書を提
111シなけh If /r ’、+イ1゛い旨指1ン
4受II 4− L 1.: ofがしなから、本’l
’l□li用MIl、l−1イー(ij 1Mf Fi
l 37 <1//月/g11付手続捕f1−シ(自発
)に1、す1j”t−1−(r6 (Jしたオ/図乃1
゛第3図(図面σ)全部)を削除致しましたので、明細
尚の1図面のl’ii弔なrtjl!1jll Iσ)
偵(ま+貿にな−)を二ものと考え:L−46従ツーC
、1111和S7年77月30I+(発送+1)fJ手
続補f1:指令rJfにJ二る指令量I↑瑣It M
i17[’できたもσ)と考えますので、その旨[、中
致しま4、。
1!)昭和!;7年/ 2 JJ /6 N f’11.’l’ I j’ Iン ′白
殿/ ”11訃の表止 特#、g’l I+、(57/ j t ’l O67
J) 発明の名称 基体に酸化錫膜を形成する方法 3 特許出歇1人 住所 大阪府大阪市東区道11釜町グ1′目ざ番地名
称(グoo) II本板硝ト株式会社代表と 刺
賀 信 雄 夕代理人 住所 東弓〔都電(K新橋!; ]−11/ /番3
号1記特許出願について11.1(和57年/7月30
11(発送+1)(Jで手続補市指合m (h式・)を
受け、1図面の簡単な説明10項を記載した明細書を提
111シなけh If /r ’、+イ1゛い旨指1ン
4受II 4− L 1.: ofがしなから、本’l
’l□li用MIl、l−1イー(ij 1Mf Fi
l 37 <1//月/g11付手続捕f1−シ(自発
)に1、す1j”t−1−(r6 (Jしたオ/図乃1
゛第3図(図面σ)全部)を削除致しましたので、明細
尚の1図面のl’ii弔なrtjl!1jll Iσ)
偵(ま+貿にな−)を二ものと考え:L−46従ツーC
、1111和S7年77月30I+(発送+1)fJ手
続補f1:指令rJfにJ二る指令量I↑瑣It M
i17[’できたもσ)と考えますので、その旨[、中
致しま4、。
以 1
Claims (1)
- (」)高温に加熱した基板表面に有機錫化合物の粉末を
接触させて、熱分解酸化反応により基体に酸化錫膜を形
成する方法において、該有機錫化合物がジプロピル錫ジ
トリフルオロアセテートであることを特徴とする基体に
酸化錫膜を形成する方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15640682A JPS5945926A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
EP83401734A EP0103511A1 (fr) | 1982-09-08 | 1983-09-01 | Dépôt d'une couche d'oxyde d'étain sur un substrat |
ES525290A ES8507083A1 (es) | 1982-09-08 | 1983-09-01 | Metodo para el deposito de una capa de oxido de estano sobre un substrato, principalmente de vidrio |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15640682A JPS5945926A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5945926A true JPS5945926A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15627042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15640682A Pending JPS5945926A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0103511A1 (ja) |
JP (1) | JPS5945926A (ja) |
ES (1) | ES8507083A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012147219A1 (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-01 | シャープ株式会社 | 透明導電膜およびその成膜方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4857095A (en) * | 1987-08-10 | 1989-08-15 | Ford Motor Company | Method for forming a fluorine-doped tin oxide coating on a glass substrate |
JP2541269B2 (ja) * | 1987-08-27 | 1996-10-09 | 日本板硝子株式会社 | 酸化物薄膜の製造方法 |
FR2706462B1 (fr) * | 1993-06-17 | 1995-09-22 | Saint Gobain Vitrage Int | Composés pulvérulents organo-métalliques destinés à former une couche d'oxyde d'étain sur un substrat, procédé de mise en Óoeuvre et substrat ainsi revêtu. |
ES2114451B1 (es) * | 1995-09-19 | 1999-07-01 | Parxet S A | Perfeccionamientos en la fabricacion de botellas de cava y similares. |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS56134538A (en) * | 1980-03-15 | 1981-10-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Application of tin oxide layer doped by halogen, especially by fluorine to glass surface by pyrolysis |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2380997A1 (fr) * | 1977-02-16 | 1978-09-15 | Saint Gobain | Procede de fabrication de vitrages protegeant de la chaleur |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP15640682A patent/JPS5945926A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-01 EP EP83401734A patent/EP0103511A1/fr not_active Withdrawn
- 1983-09-01 ES ES525290A patent/ES8507083A1/es not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS56134538A (en) * | 1980-03-15 | 1981-10-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Application of tin oxide layer doped by halogen, especially by fluorine to glass surface by pyrolysis |
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JP2012230776A (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Sharp Corp | 透明導電膜の成膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0103511A1 (fr) | 1984-03-21 |
ES525290A0 (es) | 1985-01-16 |
ES8507083A1 (es) | 1985-01-16 |
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