JPS5945086B2 - 露出量算出装置 - Google Patents
露出量算出装置Info
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- JPS5945086B2 JPS5945086B2 JP51092958A JP9295876A JPS5945086B2 JP S5945086 B2 JPS5945086 B2 JP S5945086B2 JP 51092958 A JP51092958 A JP 51092958A JP 9295876 A JP9295876 A JP 9295876A JP S5945086 B2 JPS5945086 B2 JP S5945086B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- outputs
- circuit
- photocurrent
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被写界の輝度情報に基いて複数種の露出量算定
方式が選択できる露出量算出装置に関する。
方式が選択できる露出量算出装置に関する。
露出量設定のより所とする測光方式には種々なものがあ
り、全面平均測光等と云うのもその一つであり、また平
均と云うことの内容も算術平均、幾何平均等の別があり
、被写界における最大輝度と最小輝度の幾何平均を採る
と云うような測光方式も提案されている。
り、全面平均測光等と云うのもその一つであり、また平
均と云うことの内容も算術平均、幾何平均等の別があり
、被写界における最大輝度と最小輝度の幾何平均を採る
と云うような測光方式も提案されている。
これら種々な測光方式は何れが良いと云うものでなく、
撮影者の意図によつて選択されるべきものである。しか
し露出計として何れかの方式を採用すると、露出決定の
より所が一つに限定され、撮影者が自分の意図を実現し
難いと云う不満が生ずる。露出算定方式としては被写界
の中心付近の輝度に対する適正露出量を設定する方式、
被写体の全面着均輝度に対する適正露出量を設定する方
式等が従来から採用されている。
撮影者の意図によつて選択されるべきものである。しか
し露出計として何れかの方式を採用すると、露出決定の
より所が一つに限定され、撮影者が自分の意図を実現し
難いと云う不満が生ずる。露出算定方式としては被写界
の中心付近の輝度に対する適正露出量を設定する方式、
被写体の全面着均輝度に対する適正露出量を設定する方
式等が従来から採用されている。
更に被写体の最大輝度と最小輝度の中間値を適宜の法則
を設定して算出し、その中間値に基いて露出量を設定す
ると云う案も提案されている（特開昭５０−２３６２２
号）。しかしこゝに提案された装置は一群の受光素子の
配列によつて被写体の最大輝度と最小輝度を検出し、そ
の検出情報から中間輝度値を算定する動作モードを有す
るのみで、他の上記したような露出量算定方式を選択実
行できるようにはなつておらず、他の露出量算定方式を
も選択できるようにしようと思えば、別途それ用の測光
回路を設けねばならない。従つて本発明は撮影者の意図
による選択の自由度を持たせた露出計を提供することを
目的としている。
を設定して算出し、その中間値に基いて露出量を設定す
ると云う案も提案されている（特開昭５０−２３６２２
号）。しかしこゝに提案された装置は一群の受光素子の
配列によつて被写体の最大輝度と最小輝度を検出し、そ
の検出情報から中間輝度値を算定する動作モードを有す
るのみで、他の上記したような露出量算定方式を選択実
行できるようにはなつておらず、他の露出量算定方式を
も選択できるようにしようと思えば、別途それ用の測光
回路を設けねばならない。従つて本発明は撮影者の意図
による選択の自由度を持たせた露出計を提供することを
目的としている。
本発明はこのような目的を達成するため、被写界の各点
輝度のうち例えば最大輝度と最小輝度との中間の輝度を
採つてその輝度に対して適正露出となるように露出量を
定めるようにした。今最大輝度をＢｍａｘ、最小輝度わ
Ｂｍｉｎとするとき０≦ｋ≦１なるｋを撮影者の任意選
択係数として（Ｂｍａｘ−Ｂｍｉｎ）Ｘｋ＋Ｂｍｉｎな
る輝度に対し適正露出となるように露出量を設定する方
式と他の方式例えば被写界の平均輝度に対する適正露出
量を設定する方式とが自動的に実行され、使用者はその
結果の何れかを選択して撮影を行い得るようにした。
輝度のうち例えば最大輝度と最小輝度との中間の輝度を
採つてその輝度に対して適正露出となるように露出量を
定めるようにした。今最大輝度をＢｍａｘ、最小輝度わ
Ｂｍｉｎとするとき０≦ｋ≦１なるｋを撮影者の任意選
択係数として（Ｂｍａｘ−Ｂｍｉｎ）Ｘｋ＋Ｂｍｉｎな
る輝度に対し適正露出となるように露出量を設定する方
式と他の方式例えば被写界の平均輝度に対する適正露出
量を設定する方式とが自動的に実行され、使用者はその
結果の何れかを選択して撮影を行い得るようにした。
第１図は本発明の原理を説明するプロツク図で、１は測
光回路であり被写界の複数の点に対応した複数の測光素
子を含み、２は上記測光回路の出力から最大輝度を検出
する回路、３は同じく最小輝度を検出する回路、４は上
記両回路の出力の中間の値の出力を得る回路でポテンシ
ヨメータであり、そのスライダＷ１の位置が撮影者によ
つて適当に調節され、このスライダＷ１の出力に対して
回路５により更にフイルム感度及び絞り或はシヤツタ速
度情報が演算加味されてシヤツタ一制御信号或は絞り設
定信号となる。
光回路であり被写界の複数の点に対応した複数の測光素
子を含み、２は上記測光回路の出力から最大輝度を検出
する回路、３は同じく最小輝度を検出する回路、４は上
記両回路の出力の中間の値の出力を得る回路でポテンシ
ヨメータであり、そのスライダＷ１の位置が撮影者によ
つて適当に調節され、このスライダＷ１の出力に対して
回路５により更にフイルム感度及び絞り或はシヤツタ速
度情報が演算加味されてシヤツタ一制御信号或は絞り設
定信号となる。
第２図で横軸は被写界輝度、縦軸は第１図のＷ１の出力
電圧を示す。この出力電圧はＶｍｉｎからＶｍａｘの間
の任意の値を採ることができる。横線Ａ，ｂ，ｃ等はフ
イルムのラチユードを横軸上に投影したもので、例えば
Ｗ１を丁度真中に設定した場合フイルムラチユードは被
写界においてｃの範囲をカバーし、特に明るい部分や暗
い部分はカツトされるが一応無難な撮影結果が得られる
。また特殊な意図の下にＷ１を最下位置に設定すると明
るい部分力幼ツトされ、陰影部分のみで画かれたような
写真が得られる。被写界の複数部分の輝度を測る方法は
任意である。第３図は測光素子の一例を示し、半導体基
板６上にホトダイオードＰＤｌ，ＰＤ２，・・・を形成
したものであり、このような測光素子を第４図に示すよ
うにカメラ内において、撮影レンズ７に関し、ミラー８
によつてフイルム面１１と共役な面９に形成された像を
リレーレンズ１０によつて上記素子６上に縮少投影して
被写界の各点輝度を測定する。上述したような多数の測
光素子の出力から最大最小出力を検出する手段は任意で
ある。
電圧を示す。この出力電圧はＶｍｉｎからＶｍａｘの間
の任意の値を採ることができる。横線Ａ，ｂ，ｃ等はフ
イルムのラチユードを横軸上に投影したもので、例えば
Ｗ１を丁度真中に設定した場合フイルムラチユードは被
写界においてｃの範囲をカバーし、特に明るい部分や暗
い部分はカツトされるが一応無難な撮影結果が得られる
。また特殊な意図の下にＷ１を最下位置に設定すると明
るい部分力幼ツトされ、陰影部分のみで画かれたような
写真が得られる。被写界の複数部分の輝度を測る方法は
任意である。第３図は測光素子の一例を示し、半導体基
板６上にホトダイオードＰＤｌ，ＰＤ２，・・・を形成
したものであり、このような測光素子を第４図に示すよ
うにカメラ内において、撮影レンズ７に関し、ミラー８
によつてフイルム面１１と共役な面９に形成された像を
リレーレンズ１０によつて上記素子６上に縮少投影して
被写界の各点輝度を測定する。上述したような多数の測
光素子の出力から最大最小出力を検出する手段は任意で
ある。
以下述べる実施例は、多数の測光素子のアドレスを指定
して順次その出力を取出し長大、最小を検出するデイジ
タル走査方式を用いたものである。第５図ａがこの走査
部分の構成を示し、同ｂが最大最小の検出及び以後の演
算を行う部分の構成を示す。第５図ａでＰＤｌ・・・Ｐ
Ｄｎはホトダイオードで各ホトダイオードには２個ずつ
ＦＥＴが接続されている。ＦＥＴＱｌａ・・・Ｑｎａは
ホトダイオードＰＤｌ・・・ＰＤｎの出力を取出して増
幅器１６に送るスィツチであり、各ゲートがシフトレジ
スタ１４の各ビツト出力端子ＳＲｌ〜ＳＲｎに接続して
あり、シフトレジスタの或るピットの出力がハイになる
と、そのピットにゲートが接続してあるＦＥＴが導通し
、そのＦＥＴが接続されているホトダイオードの出力が
増幅器１６に送られる。増幅器１６は高入力インピーダ
ンスであり、ホトダイオードの出力はトランジスタＱ１
のコレクタ電流となつてＱ１を流れており、１６の入力
電圧はＱ１のエミツタコレクタ間電圧である。１６の出
力がＱ１のベースに帰還されており、Ｑ１を流れる電流
はホトダイオードの出力電流なので、Ｑ１のベースエミ
ツタ間電圧は、ホトダイオードの出力電流を対数変換し
たものに相当し、Ｑ１のベースエミツタ間電圧は増幅器
１６の出力電圧でもあるので、被写界の或る点の輝度を
対数変換した信号が増幅器１６の出力として得られる。
して順次その出力を取出し長大、最小を検出するデイジ
タル走査方式を用いたものである。第５図ａがこの走査
部分の構成を示し、同ｂが最大最小の検出及び以後の演
算を行う部分の構成を示す。第５図ａでＰＤｌ・・・Ｐ
Ｄｎはホトダイオードで各ホトダイオードには２個ずつ
ＦＥＴが接続されている。ＦＥＴＱｌａ・・・Ｑｎａは
ホトダイオードＰＤｌ・・・ＰＤｎの出力を取出して増
幅器１６に送るスィツチであり、各ゲートがシフトレジ
スタ１４の各ビツト出力端子ＳＲｌ〜ＳＲｎに接続して
あり、シフトレジスタの或るピットの出力がハイになる
と、そのピットにゲートが接続してあるＦＥＴが導通し
、そのＦＥＴが接続されているホトダイオードの出力が
増幅器１６に送られる。増幅器１６は高入力インピーダ
ンスであり、ホトダイオードの出力はトランジスタＱ１
のコレクタ電流となつてＱ１を流れており、１６の入力
電圧はＱ１のエミツタコレクタ間電圧である。１６の出
力がＱ１のベースに帰還されており、Ｑ１を流れる電流
はホトダイオードの出力電流なので、Ｑ１のベースエミ
ツタ間電圧は、ホトダイオードの出力電流を対数変換し
たものに相当し、Ｑ１のベースエミツタ間電圧は増幅器
１６の出力電圧でもあるので、被写界の或る点の輝度を
対数変換した信号が増幅器１６の出力として得られる。
シフトレジスタ１４はパルス発生器１２の出力パルスに
よつてシフトせしめられる。
よつてシフトせしめられる。
装置を起動する操作によつてスイツチＳＯが閉じられ２
ビツトシフトレジスタ１４１込み入力端子がハイになる
とクロツクパルス発生器１２の最初のパルスでこのハイ
の信号が第１ビツトに読込まれ、第２のパルスで第２ビ
ツトに送られ、引続き第１ビツトはハイレベルを読込む
から、第２パルスの終りには１４′０）各ビツト出力は
全部ハイになる。１４′の第１ビツト出力と第２ビツト
出力の否定のアンドによつてパルス発生器１２から出る
１番目のパルスの終から２番目のパルスの終りに至る幅
の一個のパルスが得られこれがシフトレジスタ１４の第
１ビツトに（２番目のパルスによつて）読込まれ、以後
この信号がレジスタ１４内をシフトして行く。
ビツトシフトレジスタ１４１込み入力端子がハイになる
とクロツクパルス発生器１２の最初のパルスでこのハイ
の信号が第１ビツトに読込まれ、第２のパルスで第２ビ
ツトに送られ、引続き第１ビツトはハイレベルを読込む
から、第２パルスの終りには１４′０）各ビツト出力は
全部ハイになる。１４′の第１ビツト出力と第２ビツト
出力の否定のアンドによつてパルス発生器１２から出る
１番目のパルスの終から２番目のパルスの終りに至る幅
の一個のパルスが得られこれがシフトレジスタ１４の第
１ビツトに（２番目のパルスによつて）読込まれ、以後
この信号がレジスタ１４内をシフトして行く。
スタート操作によつてフリツプフロツプＦＦがりセツト
され、このりセツト出力でアンドゲ゛一ト１３が開いて
上記１２のパルスがシフトレジスタ１４に印加される，
シフトレジスタの第１ビツトには上述したようにハイレ
ベルの信号が記憶させてあり、この信号が順次隣のビツ
トにシフトされて行くことにより各ビツトの出力端子Ｓ
Ｒｌ，ＳＲ２・・・が順にハイレベルになり、測光素子
ＰＤｌ，ＰＤ２・・・の出力が順次増幅器１６に送られ
る。シフトレジスタ１４において最後のビツトがハイレ
ベルになると端子ＳＲｎ＋１がハイレベルとなりその出
力によつてフリツプフロツプＦＦがセツトされる。アン
ドゲート１３はＦＦのりセツト出力で開いているので、
ＦＦがセツトされると１３は閉じこ＼で走査動作が終了
し走査動作が止る。ホトダイオードＰＤｌ・・・ＰＤｎ
に接続されたＦＥＴＱｌｂ−Ｑｎｂのゲートはノツト回
路Ｎ１・・・Ｎｎを介してシフトレジスタ１４の各ビツ
ト出力端子に接続されているので、走査が行われていな
い間はＦＥＴＱｌｂ・・・Ｑｎｂの全部が導通しており
、ホトダイオードＰＤｌ・・・ＰＤｎの全部の出力の和
が増幅器１７に送られる。１７も１６と同様の構成でト
ランジスタＱ２によつてＰＤｌ・・・ＰＤｎの出力の総
和を対数変換した出力を出す。
され、このりセツト出力でアンドゲ゛一ト１３が開いて
上記１２のパルスがシフトレジスタ１４に印加される，
シフトレジスタの第１ビツトには上述したようにハイレ
ベルの信号が記憶させてあり、この信号が順次隣のビツ
トにシフトされて行くことにより各ビツトの出力端子Ｓ
Ｒｌ，ＳＲ２・・・が順にハイレベルになり、測光素子
ＰＤｌ，ＰＤ２・・・の出力が順次増幅器１６に送られ
る。シフトレジスタ１４において最後のビツトがハイレ
ベルになると端子ＳＲｎ＋１がハイレベルとなりその出
力によつてフリツプフロツプＦＦがセツトされる。アン
ドゲート１３はＦＦのりセツト出力で開いているので、
ＦＦがセツトされると１３は閉じこ＼で走査動作が終了
し走査動作が止る。ホトダイオードＰＤｌ・・・ＰＤｎ
に接続されたＦＥＴＱｌｂ−Ｑｎｂのゲートはノツト回
路Ｎ１・・・Ｎｎを介してシフトレジスタ１４の各ビツ
ト出力端子に接続されているので、走査が行われていな
い間はＦＥＴＱｌｂ・・・Ｑｎｂの全部が導通しており
、ホトダイオードＰＤｌ・・・ＰＤｎの全部の出力の和
が増幅器１７に送られる。１７も１６と同様の構成でト
ランジスタＱ２によつてＰＤｌ・・・ＰＤｎの出力の総
和を対数変換した出力を出す。
この構成は被写界の全面平均測光に相当し、ホトダイオ
ードの数が充分多ければ走査期間中でもＦＥＴＱｌｂ・
・・Ｑｎｂのうち遮断状態なのは一つだけだから１７の
出力はやはり平均測光の結果を与えている。この出力は
抵抗Ｒｌ．スイツチＳ１を通してコンデンサＣ１に充電
され、安定化されて端子Ｘ２に出力されている。第５図
ｂは上述走査過程において最大輝度及び最小輝度を検出
する部分と演算回路とを示す。
ードの数が充分多ければ走査期間中でもＦＥＴＱｌｂ・
・・Ｑｎｂのうち遮断状態なのは一つだけだから１７の
出力はやはり平均測光の結果を与えている。この出力は
抵抗Ｒｌ．スイツチＳ１を通してコンデンサＣ１に充電
され、安定化されて端子Ｘ２に出力されている。第５図
ｂは上述走査過程において最大輝度及び最小輝度を検出
する部分と演算回路とを示す。
端子Ｘ１は第５図ａにおける増幅器１６の出力端子Ｘ１
に接続され、ＰＤｌ等の出力（の対数変換されたもの）
が順次現れる。最大輝度の検出はダイオードＤ１を通し
てコンデンサＣ２を充電する方法によつており、増幅器
１８はインピーダンス整合用でありＦＥＴＱ３，Ｑ４は
スイツチ用である。最小輝度の検出は予め充電されたコ
ンデンサＣ３をダイオードＤ２を通して放電する構成で
、増幅器２０はインピーダンス整合用、ＦＥＴＱ５，Ｑ
６はスイツチ用である。増幅器１６の出力は１８，２０
に同時に印加され、一回の走査によつて最大輝度、最小
輝度が検出されてコンデンサＣ２，Ｃ３に記憶される。
端子Ｘ３は第５図ａの端子Ｘ３に接続され、同端子はフ
リツプフロツプのりセツト出力とシフトレジスタ１４の
第１ビツトの出力の否定とのアンド出力を出すので走査
期間中ハイレベルであり、ＦＥＴＱ３，Ｑ５を導通させ
ている。また端子Ｘ４は第５図ａの端子Ｘ４に接続され
、同端子はシフトレジスタ１４の第１ビツト出力端子Ｓ
ＲＯに接続されており、１４の第１ビツトは走査直前一
時的にハイレベルであるから、走査前においてＦＥＴＱ
４，Ｑ６は導通しコンデンサＣ２を放電し、コンデンサ
Ｃ３は電圧源ＶｄｄよりＦＥＴＱ６を通して予め充電さ
れて、最大輝度最小輝度検出の準備が整う。以上のよう
にしてコンデンサＣ２，Ｃ３に保持された最大最小の輝
度情報は増幅器１９，２１に印加され、両増幅器の出力
端子がポテンシヨメータ抵抗ＰＭｌの両端に接続され、
同ポテンシヨメータのスライダＷ１に最大最小輝度の中
間の輝度に対する情報がＷ１に得られる。
に接続され、ＰＤｌ等の出力（の対数変換されたもの）
が順次現れる。最大輝度の検出はダイオードＤ１を通し
てコンデンサＣ２を充電する方法によつており、増幅器
１８はインピーダンス整合用でありＦＥＴＱ３，Ｑ４は
スイツチ用である。最小輝度の検出は予め充電されたコ
ンデンサＣ３をダイオードＤ２を通して放電する構成で
、増幅器２０はインピーダンス整合用、ＦＥＴＱ５，Ｑ
６はスイツチ用である。増幅器１６の出力は１８，２０
に同時に印加され、一回の走査によつて最大輝度、最小
輝度が検出されてコンデンサＣ２，Ｃ３に記憶される。
端子Ｘ３は第５図ａの端子Ｘ３に接続され、同端子はフ
リツプフロツプのりセツト出力とシフトレジスタ１４の
第１ビツトの出力の否定とのアンド出力を出すので走査
期間中ハイレベルであり、ＦＥＴＱ３，Ｑ５を導通させ
ている。また端子Ｘ４は第５図ａの端子Ｘ４に接続され
、同端子はシフトレジスタ１４の第１ビツト出力端子Ｓ
ＲＯに接続されており、１４の第１ビツトは走査直前一
時的にハイレベルであるから、走査前においてＦＥＴＱ
４，Ｑ６は導通しコンデンサＣ２を放電し、コンデンサ
Ｃ３は電圧源ＶｄｄよりＦＥＴＱ６を通して予め充電さ
れて、最大輝度最小輝度検出の準備が整う。以上のよう
にしてコンデンサＣ２，Ｃ３に保持された最大最小の輝
度情報は増幅器１９，２１に印加され、両増幅器の出力
端子がポテンシヨメータ抵抗ＰＭｌの両端に接続され、
同ポテンシヨメータのスライダＷ１に最大最小輝度の中
間の輝度に対する情報がＷ１に得られる。
Ｗ１より右はこの輝度情報とフイルム感度、絞り情報等
との間で演算を行い露出量を算出する回路である。今切
換スイツチＳ２が接点ａ側にある場合Ｗ１の電圧が増幅
器２７に印加される。ＰＭ２は定電流回路１によつて定
電流が流れているポテンシヨメータ抵抗でスライダＷ２
の位置によつてフイルム感度、絞り値等の情報が与えら
れる。これらの情報はＰＭ２の上端とＷ２との間の電圧
として得られる。増幅器２７の出力電圧はＰＭ２の上端
とアース間との電圧であるが、Ｗ２の電圧が増幅器２７
の反転端子に印加される形で負帰還がかけられているの
で、Ｗ２の電圧とＷ１の篭圧とは略等しくなり、２７の
出力電圧はＷ１の電圧にフイルム感度、絞り等の情報電
圧が加算された値となる。この出力電圧は露出表示器２
８によつて可視的に表示され、また対数伸張用トランジ
スタＱ７によつて逆対数変換された後コンデンサＣ４を
充電する。Ｓ３はシヤツタ開と共に開くスイツチで、Ｃ
４が充電され始め一定レベルまで充電されるとスイツチ
ング回路２９が動作してマグネツトＭｇを操作しシヤツ
タ一が閉じられる。スイツ子Ｓ２を接点ｂ側に切換える
と第５図ａの増幅器１７の出力電圧が増幅器２７に印加
さわる。
との間で演算を行い露出量を算出する回路である。今切
換スイツチＳ２が接点ａ側にある場合Ｗ１の電圧が増幅
器２７に印加される。ＰＭ２は定電流回路１によつて定
電流が流れているポテンシヨメータ抵抗でスライダＷ２
の位置によつてフイルム感度、絞り値等の情報が与えら
れる。これらの情報はＰＭ２の上端とＷ２との間の電圧
として得られる。増幅器２７の出力電圧はＰＭ２の上端
とアース間との電圧であるが、Ｗ２の電圧が増幅器２７
の反転端子に印加される形で負帰還がかけられているの
で、Ｗ２の電圧とＷ１の篭圧とは略等しくなり、２７の
出力電圧はＷ１の電圧にフイルム感度、絞り等の情報電
圧が加算された値となる。この出力電圧は露出表示器２
８によつて可視的に表示され、また対数伸張用トランジ
スタＱ７によつて逆対数変換された後コンデンサＣ４を
充電する。Ｓ３はシヤツタ開と共に開くスイツチで、Ｃ
４が充電され始め一定レベルまで充電されるとスイツチ
ング回路２９が動作してマグネツトＭｇを操作しシヤツ
タ一が閉じられる。スイツ子Ｓ２を接点ｂ側に切換える
と第５図ａの増幅器１７の出力電圧が増幅器２７に印加
さわる。
１７の出力は前述したように被写界の平均測光値だから
、この場合は普通の露出計として動作することになる。
、この場合は普通の露出計として動作することになる。
スイツチＳ２を接点ｂ側にしたときはホトダイオードＰ
Ｄｌ・・・ＰＤｎの全出力の和が２７に印加されること
になり、これは接点ａ側のときホトダイオード一個の出
力程度の電圧であつたのと異り、総体的にレベルが著し
く異つている。このため増幅器１７の出力は何等かの方
法で１／ｎに補正されねばならない。これは１７の周辺
で行つてもよく、或はポテンシヨメータＰＭ２を利用し
てもよい。増幅器１９，２１の出力は更に増幅器２３及
び抵抗Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５よりなる引算回路に導か
れて引算今れ、引算結果は表示器２６において輝度幅と
して表示され、また比較回路２４に送られて、フイルム
ラチユードに相当させた電圧源Ｅ２の電圧と比較され、
引算結果即ち輝度幅の方がフイルムラチユードより大き
いとき警告装置２５によつて警告を行う。
Ｄｌ・・・ＰＤｎの全出力の和が２７に印加されること
になり、これは接点ａ側のときホトダイオード一個の出
力程度の電圧であつたのと異り、総体的にレベルが著し
く異つている。このため増幅器１７の出力は何等かの方
法で１／ｎに補正されねばならない。これは１７の周辺
で行つてもよく、或はポテンシヨメータＰＭ２を利用し
てもよい。増幅器１９，２１の出力は更に増幅器２３及
び抵抗Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５よりなる引算回路に導か
れて引算今れ、引算結果は表示器２６において輝度幅と
して表示され、また比較回路２４に送られて、フイルム
ラチユードに相当させた電圧源Ｅ２の電圧と比較され、
引算結果即ち輝度幅の方がフイルムラチユードより大き
いとき警告装置２５によつて警告を行う。
上述した実施例では多数の測光素子が固定的に配置され
ているが、一個の素子が画像の上を（相対的にどちらが
動いてもよいが）走査するようにしてもよく或はスポツ
ト測光を行う構成で撮影者が重要と考える被写界上の２
点の輝度を測定して夫々の測光結果を保持するようにし
てもよい。
ているが、一個の素子が画像の上を（相対的にどちらが
動いてもよいが）走査するようにしてもよく或はスポツ
ト測光を行う構成で撮影者が重要と考える被写界上の２
点の輝度を測定して夫々の測光結果を保持するようにし
てもよい。
本発明によれば被写界の最大輝度と最小輝度の情報から
一定の法則で中間値情報を求め、その情報に基いて露出
量を算定できるので、その法則中の係数の調節で露出設
定の幅広い変化が実現できる上、別に被写界の平均輝度
による露出算定方式も選択できることになつたので、撮
影者は種々な撮影意図の実現が容易になつたと共に、他
方では一般的な従ぢて初心者でもよく判り、ま“た手速
い撮影行動を可能にする露出算定方式も可能となつた。
しかも装置構成としては複数の測光素子の配列一組で時
分訂的に上記二つの重出算定モードに必要なデータを採
取できるので、多機能で構成簡単、安価またカメラに装
着する場合のスペース上の難点もなく露出量算出装置が
得られる。
一定の法則で中間値情報を求め、その情報に基いて露出
量を算定できるので、その法則中の係数の調節で露出設
定の幅広い変化が実現できる上、別に被写界の平均輝度
による露出算定方式も選択できることになつたので、撮
影者は種々な撮影意図の実現が容易になつたと共に、他
方では一般的な従ぢて初心者でもよく判り、ま“た手速
い撮影行動を可能にする露出算定方式も可能となつた。
しかも装置構成としては複数の測光素子の配列一組で時
分訂的に上記二つの重出算定モードに必要なデータを採
取できるので、多機能で構成簡単、安価またカメラに装
着する場合のスペース上の難点もなく露出量算出装置が
得られる。
第１図は本発明の原理を示すプロツク図、第２図は被写
体輝度と本発明によつて得られる出力との関係を示す図
、第３図は本発明において用いられる測光素子の一例の
正面図、第４図は測光素子のカメラ内での位置の一例を
示す側面図、第５図Ａ，ｂは本発明の一実施例の回路図
である。
体輝度と本発明によつて得られる出力との関係を示す図
、第３図は本発明において用いられる測光素子の一例の
正面図、第４図は測光素子のカメラ内での位置の一例を
示す側面図、第５図Ａ，ｂは本発明の一実施例の回路図
である。
Claims (1)
- １ 被写界の全面を多数分割した各微小領域に対応して
配設されて各領域の輝度に応じた光電流を出力する多数
のホトダイオードと、該各ホトダイオードごとに設けら
れ、制御端子に与えられる制御信号に応答して所定期間
だけホトダイオードからの光電流を第１の出力端子から
出力し、他の期間は上記光電流を第２の出力端子から常
時出力するスイッチ回路と、該各スイッチ回路の制御端
子に上記制御信号を互いに異なるタイミングで順次与え
て各ホトダイオードごとに第１の出力端子から光電流を
順次出力させる制御回路と、入力端子が前記各スイッチ
回路の全ての第１出力端子と接続され、該入力端子に入
力する光電流の対数値に比例したスポット測光電圧を順
次出力する第１の対数圧縮回路と、該第１の対数圧縮回
路から順次出力される測光電圧の最大値および最小値を
それぞれ検出して記憶する第１および第２の記憶回路と
、該両記憶回路の両記憶値ａ、ｂと所定係数ｋ（０≦ｋ
≦１）とにより式ｃ＝（ａ−ｂ）ｋ＋ｂで定まる両記憶
値の中間値ｃを出力する中間値出力回路と、入力端子が
前記各スイッチ回路の全ての第２の出力端子を接続され
、該入力端子に入力ホる光電流の総和の対数値に比例し
た平均測光電圧を常時出力する第２の対数圧縮回路とを
備え、前記中間値出力回路および第２の対数圧縮回路か
らの出力のいずれかに基づいて露出量を算出するように
した露出量算出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51092958A JPS5945086B2 (ja) | 1976-08-03 | 1976-08-03 | 露出量算出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51092958A JPS5945086B2 (ja) | 1976-08-03 | 1976-08-03 | 露出量算出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5317725A JPS5317725A (en) | 1978-02-18 |
| JPS5945086B2 true JPS5945086B2 (ja) | 1984-11-02 |
Family
ID=14068950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51092958A Expired JPS5945086B2 (ja) | 1976-08-03 | 1976-08-03 | 露出量算出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945086B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552035A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Minolta Camera Co Ltd | Exposure control device |
| JPH0310494Y2 (ja) * | 1979-02-28 | 1991-03-15 | ||
| DE3007575C2 (de) * | 1979-02-28 | 1997-03-20 | Nikon Corp | Berechnungsvorrichtung für einen optimalen Belichtungswert |
| JPS55114916A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Multi-photometry unit |
| JPS5625348A (en) * | 1979-08-08 | 1981-03-11 | Hitachi Ltd | Rotor for rotary electric machine cooled by gas |
| JPS5677825A (en) * | 1979-11-27 | 1981-06-26 | Minolta Camera Co Ltd | Spot photometric device |
| JPS56155820A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photometric arithmetic system |
| JPS5742026A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-09 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Multiphotometric device |
-
1976
- 1976-08-03 JP JP51092958A patent/JPS5945086B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5317725A (en) | 1978-02-18 |
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