JPS5944057A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS5944057A JPS5944057A JP15424682A JP15424682A JPS5944057A JP S5944057 A JPS5944057 A JP S5944057A JP 15424682 A JP15424682 A JP 15424682A JP 15424682 A JP15424682 A JP 15424682A JP S5944057 A JPS5944057 A JP S5944057A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- cgl
- iron atoms
- layer
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば電子写真又は光電変換素子等に好適な
感光体に関するものである。
感光体に関するものである。
従来、電子写真用の感光体として、無定形セレンにテル
ルを添加したセレン−テルル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）からな
る感光体が知られている。このＳｅ−Ｔ ｅ感光体はテ
ルルの含有によって長波長光の吸収による光ギヤリアの
生成機能が向上し、長波長域で良好な感度を示す。
ルを添加したセレン−テルル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）からな
る感光体が知られている。このＳｅ−Ｔ ｅ感光体はテ
ルルの含有によって長波長光の吸収による光ギヤリアの
生成機能が向上し、長波長域で良好な感度を示す。
例えば、特開昭５６−１２６４７号においては、５ｅ−
Ｔｅからなる電荷輸送層（以下、ＣＴＬと称する。）の
表面に、とのＣＴＬよりＴｅ含有量の多い５ｅ−Ｔｅか
らなる電荷発生層（以下、ＣＧＬと称する。）が設けら
れてなる感光体が記載されている。
Ｔｅからなる電荷輸送層（以下、ＣＴＬと称する。）の
表面に、とのＣＴＬよりＴｅ含有量の多い５ｅ−Ｔｅか
らなる電荷発生層（以下、ＣＧＬと称する。）が設けら
れてなる感光体が記載されている。
一方、Ｓｅ中に鉄原子を２ｐｐｍ以下の濃度で添加した
感光体が特開昭５５−６７７５２号に開示されている。
感光体が特開昭５５−６７７５２号に開示されている。
この場合、鉄原子の含有によって残留電位の上昇が防止
されるとしている。しかしながら、鉄原子の分布状態に
ついては特に規定がなされてはいない。
されるとしている。しかしながら、鉄原子の分布状態に
ついては特に規定がなされてはいない。
本発明者は、こうした鉄原子を含有した感光体について
検討を加えた結果、鉄原子は光キャリアのうちホールの
移動を妨害するが、電子の移動は助長することに着目し
、本発明に到達したものである。
検討を加えた結果、鉄原子は光キャリアのうちホールの
移動を妨害するが、電子の移動は助長することに着目し
、本発明に到達したものである。
即ち、本発明による感光体は、セレンを主成分とする電
荷輸送層（Ｃ’Ｉ” Ｌ ”）と電荷発生層（ＣＧＬ）
とを有する感光体において、前記ＣＧＬのみが鉄原子を
０．１〜１０ ｐ１１１１含有していることを特徴とす
るものである。
荷輸送層（Ｃ’Ｉ” Ｌ ”）と電荷発生層（ＣＧＬ）
とを有する感光体において、前記ＣＧＬのみが鉄原子を
０．１〜１０ ｐ１１１１含有していることを特徴とす
るものである。
本発明によれば、ＣＧＬ中にのみ鉄原子が所定濃度で含
有されているために、電子の移動度が特に問題となるＣ
ＧＬ中では鉄原子が電子トラップを満たし、電子の飛程
を長（してその移動を容易となし、他方ＣＴＬには鉄原
子が含１ｆされていないために、ＣＴＬ中ではホールの
移動が妨害されることなしに容易に行なわれるのである
。この結果、ＣＧＬにおける電子の蓄積を防止して繰返
し使用時での帯電電位の低下を防ぐことができると共に
、各キャリア共に移動が容易となり、特に低電場での放
電特性が向上して光減衰カーブの裾切れが良（なるから
残留電位を減少させることができる。
有されているために、電子の移動度が特に問題となるＣ
ＧＬ中では鉄原子が電子トラップを満たし、電子の飛程
を長（してその移動を容易となし、他方ＣＴＬには鉄原
子が含１ｆされていないために、ＣＴＬ中ではホールの
移動が妨害されることなしに容易に行なわれるのである
。この結果、ＣＧＬにおける電子の蓄積を防止して繰返
し使用時での帯電電位の低下を防ぐことができると共に
、各キャリア共に移動が容易となり、特に低電場での放
電特性が向上して光減衰カーブの裾切れが良（なるから
残留電位を減少させることができる。
このような顕著な作用効果を得るには、ＣＴＬ中には全
（鉄原子を含有させずに、ＣＧＬにのみ鉄原子を０．１
〜１０卿含有させることが必須不可欠である。ＣＧＬ中
の鉄原子が０．１ ｐｐｍ未満では鉄含有による効果は
なく、また１０卿を越えると却ってＣＧＬ中でのホール
の移動が妨げられ、残留電位上昇の原因となる。これに
関連してＣＧＬ中の鉄原子含有層は感光体表面から５μ
ｍ以下の深さに亘って設けることが望ましい。これが５
μｍを越えて厚（なると、ＣＴＬにまで鉄原子の影響が
及ぶからであり、多くともＣＧＬの厚みを上限とするの
がよい。
（鉄原子を含有させずに、ＣＧＬにのみ鉄原子を０．１
〜１０卿含有させることが必須不可欠である。ＣＧＬ中
の鉄原子が０．１ ｐｐｍ未満では鉄含有による効果は
なく、また１０卿を越えると却ってＣＧＬ中でのホール
の移動が妨げられ、残留電位上昇の原因となる。これに
関連してＣＧＬ中の鉄原子含有層は感光体表面から５μ
ｍ以下の深さに亘って設けることが望ましい。これが５
μｍを越えて厚（なると、ＣＴＬにまで鉄原子の影響が
及ぶからであり、多くともＣＧＬの厚みを上限とするの
がよい。
以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。
する。
第１図に例示する５ｅ−Ｔｅ感光体によれば、アルミニ
ウム等の導電性支持基板１上に、Ｔｅ含有量が３〜８重
量％で厚さ３０〜７０μｍのＳｅ −ＴｅからなるＣＴ
Ｌ２と、Ｔｅ含有量が１０〜２５鵞斂％で厚さ２〜１０
μｍの５ｅ−ＴｅからなるＣＧＬ３とが設けられている
。ＣＴＬ２には０．１−１０ｐｐｕ１の鉄原子が含有さ
れ、かつＣＧＬ３には鉄原子は全（含有されていない。
ウム等の導電性支持基板１上に、Ｔｅ含有量が３〜８重
量％で厚さ３０〜７０μｍのＳｅ −ＴｅからなるＣＴ
Ｌ２と、Ｔｅ含有量が１０〜２５鵞斂％で厚さ２〜１０
μｍの５ｅ−ＴｅからなるＣＧＬ３とが設けられている
。ＣＴＬ２には０．１−１０ｐｐｕ１の鉄原子が含有さ
れ、かつＣＧＬ３には鉄原子は全（含有されていない。
このように、ＣＴＬには鉄を全く含有させず、ＣＧＬに
のみ所定濃度で鉄を含有させることによって、上記した
如（、ＣＴＬ中でのボールの移動がスムーズに行なわれ
ると同時に、ＣＧＬ中での電子の移動が促進され、ＣＧ
Ｌ中での電子のトラップ及び残量特性を向上させること
ができる。
のみ所定濃度で鉄を含有させることによって、上記した
如（、ＣＴＬ中でのボールの移動がスムーズに行なわれ
ると同時に、ＣＧＬ中での電子の移動が促進され、ＣＧ
Ｌ中での電子のトラップ及び残量特性を向上させること
ができる。
また、上記ＣＴＬのＴｅの含有量は一般に低くするのが
電荷輸送能（更には電荷保持能）を良好にする上で効果
があり、この意味で３〜７重社％とずべきである。ＣＧ
ＬのＴｅ含有量は感光層としての光感度を良くする上で
重要であり、このために１０重量％以上とすべきである
が、その上限はＣＧＬの暗抵抗が電荷保持能に支障をき
たさない範囲にすることを考慮して２０重量％とずべき
である。これ以上のＴｅ含有量とすると、感光層の電荷
保持能が著しく低下し、実用に供せない。厚みについて
は、Ｃ７ｒＬは３０〜７０μｍにしないとその機能が不
充分となる。ＣＧＬについては３μｍ以下とするのが適
切であるが、それ以上でもよい。但し、その厚さが１０
μｍ以上とすると、電荷保持能の低下とその温度依存性
を大きくするので好まし、（ない。
電荷輸送能（更には電荷保持能）を良好にする上で効果
があり、この意味で３〜７重社％とずべきである。ＣＧ
ＬのＴｅ含有量は感光層としての光感度を良くする上で
重要であり、このために１０重量％以上とすべきである
が、その上限はＣＧＬの暗抵抗が電荷保持能に支障をき
たさない範囲にすることを考慮して２０重量％とずべき
である。これ以上のＴｅ含有量とすると、感光層の電荷
保持能が著しく低下し、実用に供せない。厚みについて
は、Ｃ７ｒＬは３０〜７０μｍにしないとその機能が不
充分となる。ＣＧＬについては３μｍ以下とするのが適
切であるが、それ以上でもよい。但し、その厚さが１０
μｍ以上とすると、電荷保持能の低下とその温度依存性
を大きくするので好まし、（ない。
この場合には、ＣＧＬの表面から５７Ｊｒｎ以下の深さ
まで鉄原子を選択的にドープするとよい。
まで鉄原子を選択的にドープするとよい。
次に、上記したＣ、 Ｔ Ｌ及びＣＧ Ｌの製膜方法を
第２図１について説明する。この回においては、上記し
た構造及び組成の感光体（但、ドラム状）を作成するた
めの蒸着装置の要部が概銘的に示されている。
第２図１について説明する。この回においては、上記し
た構造及び組成の感光体（但、ドラム状）を作成するた
めの蒸着装置の要部が概銘的に示されている。
この蒸着装置では、ペルジャー（図示せず）内に蒸発源
５とこれに対向した被蒸着用アルミニウム製ドラム１と
が配される。蒸発源５は、容器７内に例えばＴｅ濃度が
５重量％の第１のＳｅ −Ｔｅ合金８と、例えばＴｅ濃
度が２０重量％、欽濃度が０．５〜１０ｐｐＩ１１の第
２の５ｅ−Ｔｅ−Ｆｅ合金９とを収容している。これら
の蒸発拐料」二にはヒーター１０．１１が夫々配され、
ヒーターの熱で蒸発した材料が容器７上部の開口１２か
ら制御されながらドラノ・１に向って飛翔するようにな
されでいる。
５とこれに対向した被蒸着用アルミニウム製ドラム１と
が配される。蒸発源５は、容器７内に例えばＴｅ濃度が
５重量％の第１のＳｅ −Ｔｅ合金８と、例えばＴｅ濃
度が２０重量％、欽濃度が０．５〜１０ｐｐＩ１１の第
２の５ｅ−Ｔｅ−Ｆｅ合金９とを収容している。これら
の蒸発拐料」二にはヒーター１０．１１が夫々配され、
ヒーターの熱で蒸発した材料が容器７上部の開口１２か
ら制御されながらドラノ・１に向って飛翔するようにな
されでいる。
蒸着操作に際しては、まづ′低Ｔ ｅ、濃度の蒸発材料
８をヒーター１０で所定温度１（例えば２９０°Ｃ）に
例えば４０分間加熱すると、蒸発材料８の揮発度がほぼ
１となって液相と気相とが平衡になった状態で蒸気が生
じるので、第３図に示す如＜Ｔｅ濃度が低（（はぼ５重
Ｍ９６）でほぼ一定なＣＴＬを蒸着することができる。
８をヒーター１０で所定温度１（例えば２９０°Ｃ）に
例えば４０分間加熱すると、蒸発材料８の揮発度がほぼ
１となって液相と気相とが平衡になった状態で蒸気が生
じるので、第３図に示す如＜Ｔｅ濃度が低（（はぼ５重
Ｍ９６）でほぼ一定なＣＴＬを蒸着することができる。
次に、この第１の蒸発材料８の蒸着終了後に第２の蒸発
材料９をヒーター１１で更に高湿（例えば３００°Ｃ）
に加熱すると、第３図の如く、蒸気中のＴｅ濃度が急激
に増加し、Ｔ ｅ ？ｂ’ｉ度が高（てほぼ平担なＦｅ
（０，１〜５ＰＩＴ１１）含有ＣＧＬが得られる。
材料９をヒーター１１で更に高湿（例えば３００°Ｃ）
に加熱すると、第３図の如く、蒸気中のＴｅ濃度が急激
に増加し、Ｔ ｅ ？ｂ’ｉ度が高（てほぼ平担なＦｅ
（０，１〜５ＰＩＴ１１）含有ＣＧＬが得られる。
ＣＧＬのＴｅ濃度が平担となる理由は、第２の蒸発材料
９からまず蒸発し易いＳｅが優先的に蒸発するが、蒸発
材料９中のＳ ｅ ｋが減るに従ってその内部にＳｅ蒸
発量とＳｅ供給旦とが均衡するレベルが生じるからであ
る。
９からまず蒸発し易いＳｅが優先的に蒸発するが、蒸発
材料９中のＳ ｅ ｋが減るに従ってその内部にＳｅ蒸
発量とＳｅ供給旦とが均衡するレベルが生じるからであ
る。
即ち、この均命レベルによって、Ｓ′″ｉ蒸発量が抑え
られ（或いはほぼ一定となり）、Ｔ’ｅ蒸発量か相対的
に柚太し、ついには一定となるから、得られたＣＧＬの
Ｔｅ濃度を少なくども表面側で一定にすることができる
。このためには蒸発の目巽となるレイリー数を例えば１
７００以下に設定して蒸発イ〕料中にス１」流を生じな
いようにする必要がある。
られ（或いはほぼ一定となり）、Ｔ’ｅ蒸発量か相対的
に柚太し、ついには一定となるから、得られたＣＧＬの
Ｔｅ濃度を少なくども表面側で一定にすることができる
。このためには蒸発の目巽となるレイリー数を例えば１
７００以下に設定して蒸発イ〕料中にス１」流を生じな
いようにする必要がある。
実施例１〜５
次に、本発明による感光体（実施例１．２．３．４．５
）の優位性を下記表−１に示す。この試験では、感光体
を電子写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ３０００（小西六写真工業
（株）製）に装着し、２５°Ｃ１６０％ＲＨの環境のも
とて１０００回の繰返し帯電テストを行なった。但、Ｃ
’ｆ’Ｌ、は５ｏμ４のＳｅ−あった。
）の優位性を下記表−１に示す。この試験では、感光体
を電子写真複写機Ｕ−Ｂｉｘ３０００（小西六写真工業
（株）製）に装着し、２５°Ｃ１６０％ＲＨの環境のも
とて１０００回の繰返し帯電テストを行なった。但、Ｃ
’ｆ’Ｌ、は５ｏμ４のＳｅ−あった。
表−１
この結果から明らかなように、ＣＧＬ中のＦｅ量を０．
Ｉが以上、特に０．５ ｐ＋ｕ以−ヒとすれば、帯電電
位及び残電特性共に良好となることが分る。
Ｉが以上、特に０．５ ｐ＋ｕ以−ヒとすれば、帯電電
位及び残電特性共に良好となることが分る。
次に比較のために、ＣＴＬ形成形成箱１の蒸発材料とＬ
７て、鉄を含有する５ｅ−Ｔｅ−Ｆｅ合金を使用した以
外は実施例と同拉にして感光体を作製した。この感光体
をＵ−Ｂｉｘ３０００に装着し、実施例と同様に１００
０回の繰返し帯電テストを行なった。結果を次表−２に
示した９゜表−２ このようにＣＴＬ中にＦｅを含有すると、実施例に比較
して戊留電位の上昇が大きいことがゎがる。
７て、鉄を含有する５ｅ−Ｔｅ−Ｆｅ合金を使用した以
外は実施例と同拉にして感光体を作製した。この感光体
をＵ−Ｂｉｘ３０００に装着し、実施例と同様に１００
０回の繰返し帯電テストを行なった。結果を次表−２に
示した９゜表−２ このようにＣＴＬ中にＦｅを含有すると、実施例に比較
して戊留電位の上昇が大きいことがゎがる。
比較例７〜９
ＣＧＬ形成形成箱２の蒸発材料として、鉄含有量が０．
０１〜０．０５ｐｐｎ＋でＴｅ濃度が２０重量％の５ｅ
−Ｔ ｅ −Ｆ ｅ合金を用いた以外は実施例と同様に
して感光体を作製した。この感光体をＵ−Ｂｉｘ３００
０に装着Ｌ、１０００回の繰り返し帯電テストを行なっ
た。結果を下記表−３に示した。
０１〜０．０５ｐｐｎ＋でＴｅ濃度が２０重量％の５ｅ
−Ｔ ｅ −Ｆ ｅ合金を用いた以外は実施例と同様に
して感光体を作製した。この感光体をＵ−Ｂｉｘ３００
０に装着Ｌ、１０００回の繰り返し帯電テストを行なっ
た。結果を下記表−３に示した。
表−３
ＣＧ、Ｌ中での鉄自有量が充分少ないため、Ｅ惺１電位
低下には効果を及はさない。また、黒紙電位低下も大き
くなる。
低下には効果を及はさない。また、黒紙電位低下も大き
くなる。
ＣＧＬ形成用の第２の蒸発材ニド・トとして、鉄含有慧
が１０卿を越えるＴｅ濃度か２０重最％のＳｅ −Ｔｅ
−Ｆ ｅ合金を用いた以外は実施例と同様にして感光体
を作製シ、た。この感光体をＵ−Ｂｉｘ３０００に装着
し、実施例と同様１０００回の繰り返し帯電テストを行
なった。結果を下記表−４に示した。
が１０卿を越えるＴｅ濃度か２０重最％のＳｅ −Ｔｅ
−Ｆ ｅ合金を用いた以外は実施例と同様にして感光体
を作製シ、た。この感光体をＵ−Ｂｉｘ３０００に装着
し、実施例と同様１０００回の繰り返し帯電テストを行
なった。結果を下記表−４に示した。
表−４
黒紙電位低下は小さくなるが、残留電位が太き（なるこ
とがわかる。
とがわかる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。
思想に基いて更に変形が可能である。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図は感
光体の断面図、 第２図は真空蒸着装置の要部概略図、 第３図は感光体のＴｅ濃度プロファイルを示す図、 である。 なお、図面に示されている符号において、１・・・・・
・・・・導電性基体 ２・・・・・・・・・電荷輸送層（ＣＴＬ）３・・・・
・・・・・電荷発生層（ＣＧＬ）８・・・・・・・・・
第１の蒸発材料 ９・・・・・・・・・第２の蒸発利料 １０．１１・・・・・・・・・ヒーター１２・・・・・
・・・・開口 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏第 １日 第２匹
光体の断面図、 第２図は真空蒸着装置の要部概略図、 第３図は感光体のＴｅ濃度プロファイルを示す図、 である。 なお、図面に示されている符号において、１・・・・・
・・・・導電性基体 ２・・・・・・・・・電荷輸送層（ＣＴＬ）３・・・・
・・・・・電荷発生層（ＣＧＬ）８・・・・・・・・・
第１の蒸発材料 ９・・・・・・・・・第２の蒸発利料 １０．１１・・・・・・・・・ヒーター１２・・・・・
・・・・開口 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏第 １日 第２匹
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セレンを主成分とする電荷輸送層と電荷発生層とを
有する感光体において、前記電荷発生層のみが鉄原子を
０．１〜１０卿含有していることを特徴とする感光体。 ２、鉄原子が感光体表面から５μｍ以下の電荷発生層中
に含有されている、特許請求の範囲の第１項に記載した
感光体。 ３、電荷輸送層及び電荷発生層かセレン−テルルからな
り、電荷輸送層のテルル含有量が３〜８重量％であり、
電荷発生層のテルル含有量が１０〜２５重量％である、
特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載した感光体。 ４、電荷輸送層の厚みが３０〜７０ｔｚｍである、特許
請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載した
感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15424682A JPS5944057A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15424682A JPS5944057A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944057A true JPS5944057A (ja) | 1984-03-12 |
Family
ID=15580023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15424682A Pending JPS5944057A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0632337A2 (en) * | 1993-06-29 | 1995-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method |
-
1982
- 1982-09-04 JP JP15424682A patent/JPS5944057A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0632337A2 (en) * | 1993-06-29 | 1995-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method |
| EP0632337A3 (en) * | 1993-06-29 | 1995-06-14 | Canon Kk | Image forming method. |
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