JPS5943861A - ル−バ−式化学的蒸着装置 - Google Patents
ル−バ−式化学的蒸着装置Info
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- JPS5943861A JPS5943861A JP15269982A JP15269982A JPS5943861A JP S5943861 A JPS5943861 A JP S5943861A JP 15269982 A JP15269982 A JP 15269982A JP 15269982 A JP15269982 A JP 15269982A JP S5943861 A JPS5943861 A JP S5943861A
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- gas
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- reaction
- vapor deposition
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はルーツモ一式化学的蒸着（ＣＶＤ）装置に係り
、本発明におけるＯＶＤ装置はプラズマ０ＶＤ装置及び
減圧ＯＶＤ装置の両者を包含するものである。
、本発明におけるＯＶＤ装置はプラズマ０ＶＤ装置及び
減圧ＯＶＤ装置の両者を包含するものである。
ＯＶＤ方式では生成物（又は蒸着物質）とともに無用の
、場合によっては有害な副生物が生成され、広い面積又
は範囲の被覆すべき基体上に一様に蒸着することができ
ず、装置を大型化してもこれらの欠点は解消できず、有
効な面積としては反応ガスの流量、流速等によシ若干の
差異はあるもはｔＡＯＯｔｎｍ−φであることは当業者
によく知られているところである。
、場合によっては有害な副生物が生成され、広い面積又
は範囲の被覆すべき基体上に一様に蒸着することができ
ず、装置を大型化してもこれらの欠点は解消できず、有
効な面積としては反応ガスの流量、流速等によシ若干の
差異はあるもはｔＡＯＯｔｎｍ−φであることは当業者
によく知られているところである。
本発明者は上記の如き従来方式による蒸着有効面積を拡
大することを検討した結果、被覆すべき基体群をルーツ
マー状（すだれ状）に保持し、反応ガスがルーツマー状
に配設した基体間の隙間から後方に流れるような反応ガ
ス流とすることにより解決し得ることを知見したもので
あり、本発明の要旨とするところは前記特許請求の範囲
各項に明記したとおりの構成からなるものである。
大することを検討した結果、被覆すべき基体群をルーツ
マー状（すだれ状）に保持し、反応ガスがルーツマー状
に配設した基体間の隙間から後方に流れるような反応ガ
ス流とすることにより解決し得ることを知見したもので
あり、本発明の要旨とするところは前記特許請求の範囲
各項に明記したとおりの構成からなるものである。
本発明の構成並びに作用効果を従来方式と対比して以下
に詳述する。
に詳述する。
第１図は従来方式のＯＶＤ装置の一例であり、ｌは反応
室であり、被覆すべき基体２はホルダー３に担持されて
矢印り方向九移動する機構としである。グは反応ガス噴
出機構（プラズマ０ＶＤ装置の場合は電極も兼ねる）で
あり、前記基体λに対向する面に多数の反応ガス噴出孔
を図示の如く設けである。ｊは反応済ガスの排出孔であ
り、ｔは基体λ用のヒーターである。この種従来方式で
は反応ガス（ＪＧ）が反応ガス噴出機構弘から矢印Ｇの
如く噴出し、基体λ上に蒸着層を生成するが、その際に
反応副生物が当然生成され、反応領域周辺に流れる反応
ガスにはこの副生物が含有されることになり、従って反
応有効領域は前述の如く＃１ソロ００簡φ１呈度に限定
され、装置自体を大型化してもこの有効領域を拡大する
ことは不可能である。
室であり、被覆すべき基体２はホルダー３に担持されて
矢印り方向九移動する機構としである。グは反応ガス噴
出機構（プラズマ０ＶＤ装置の場合は電極も兼ねる）で
あり、前記基体λに対向する面に多数の反応ガス噴出孔
を図示の如く設けである。ｊは反応済ガスの排出孔であ
り、ｔは基体λ用のヒーターである。この種従来方式で
は反応ガス（ＪＧ）が反応ガス噴出機構弘から矢印Ｇの
如く噴出し、基体λ上に蒸着層を生成するが、その際に
反応副生物が当然生成され、反応領域周辺に流れる反応
ガスにはこの副生物が含有されることになり、従って反
応有効領域は前述の如く＃１ソロ００簡φ１呈度に限定
され、装置自体を大型化してもこの有効領域を拡大する
ことは不可能である。
第λ図〜第グ図は本発明装置の概略図金示す数例であり
、以下本発明装置の具体例ｆ図示に基いて説明する。
、以下本発明装置の具体例ｆ図示に基いて説明する。
第２図は本発明装置の一例を示す平面略図、第３図は第
２図１［［−１１１線に沿った断面略図であって、ＩＯ
は反応室を示し、該反応室ｉｏの一方に反応ガス噴出機
構ｌ／を配設する。該反応室ＩＯの他方側には反応済ガ
ス（副生物を含有する）年収室７．２がスリット等を設
けた隔壁１３を介しで設けてあり、該年収室／コは排ガ
ス排出孔ｌグを設けである。被覆すべきノ、に体／ｊは
保持具１ｌＫａ数個保持してあり、図示の如く適当な間
隔の間隙１７をあけてルーツモー状に多数個でかつ枚数
列配設しである。
２図１［［−１１１線に沿った断面略図であって、ＩＯ
は反応室を示し、該反応室ｉｏの一方に反応ガス噴出機
構ｌ／を配設する。該反応室ＩＯの他方側には反応済ガ
ス（副生物を含有する）年収室７．２がスリット等を設
けた隔壁１３を介しで設けてあり、該年収室／コは排ガ
ス排出孔ｌグを設けである。被覆すべきノ、に体／ｊは
保持具１ｌＫａ数個保持してあり、図示の如く適当な間
隔の間隙１７をあけてルーツモー状に多数個でかつ枚数
列配設しである。
上記の如き機構した本発明装置では１反応ガス（Ｒ，Ｇ
、 ）がガス噴出機構ｌ／の噴出孔から矢印Ｇの如く噴
出され、第１列の基体１１表面に蒸着膜を生成し、反応
副生物と共に間隙１７を通過して前進し、第２列の基体
ｉｓ表面上に蒸着膜を生成し、しかる後筒コ列の隙間／
７を通過し、隔壁／３のスリットを通って排ガス年収室
１２に集められ、排出孔ｌ≠を経て排出される。
、 ）がガス噴出機構ｌ／の噴出孔から矢印Ｇの如く噴
出され、第１列の基体１１表面に蒸着膜を生成し、反応
副生物と共に間隙１７を通過して前進し、第２列の基体
ｉｓ表面上に蒸着膜を生成し、しかる後筒コ列の隙間／
７を通過し、隔壁／３のスリットを通って排ガス年収室
１２に集められ、排出孔ｌ≠を経て排出される。
従って、本発明装置によれば、装置内に配設した基体ｌ
！の被蒸着面には常に新鮮な反応ガスが到達することと
なり、ルーツ々−全体として見れば広い範囲の領域に配
設された基体／！全全体亘って一様かつ均一な蒸着膜を
生成することが可能である。
！の被蒸着面には常に新鮮な反応ガスが到達することと
なり、ルーツ々−全体として見れば広い範囲の領域に配
設された基体／！全全体亘って一様かつ均一な蒸着膜を
生成することが可能である。
第≠図はルーツモー状に配設する基体群を反応ガス流に
対して一定角度に傾斜して配設する例を示す略図である
。
対して一定角度に傾斜して配設する例を示す略図である
。
上記具体例はノ々ツチ式操作を説明したが、基体群はそ
れらの相互関係（間隔及び傾斜角度）を保持し、反応ガ
スの流れに対向しながら該ガス流の直角方向に移動方式
とすることによりインライン（ＩＮＬＩＮＥ）方式とし
得ることは当業者に容易に理解し得るところである。
れらの相互関係（間隔及び傾斜角度）を保持し、反応ガ
スの流れに対向しながら該ガス流の直角方向に移動方式
とすることによりインライン（ＩＮＬＩＮＥ）方式とし
得ることは当業者に容易に理解し得るところである。
第５図に本発明の竪型インライン方式の断面略図を示す
。この方式では図示の如く１反応室１０の中央部に反応
ガス噴出孔／２を設け、例えば図示の如く排ガスは排ガ
ス排出孔／４’より下方え排出する。尚、排ガスは上方
に吸引してもよい。
。この方式では図示の如く１反応室１０の中央部に反応
ガス噴出孔／２を設け、例えば図示の如く排ガスは排ガ
ス排出孔／４’より下方え排出する。尚、排ガスは上方
に吸引してもよい。
被覆すべき基体／！は紙面に垂直方向に移動可能とした
保持具１６上に担持しである。該保持具１６は所望によ
り反応ガス流方向に対向して復数列重複して配置しても
よい。
保持具１６上に担持しである。該保持具１６は所望によ
り反応ガス流方向に対向して復数列重複して配置しても
よい。
本発明装置は以上詳述した如き４ｔζ成に基づき、均一
に被覆し・潜る領域を拡大することが可能となり％従米
０ＯＶＤ方式の作業性を向」ニし得る秀れた作用効果ｆ
、発揮し得るものである。
に被覆し・潜る領域を拡大することが可能となり％従米
０ＯＶＤ方式の作業性を向」ニし得る秀れた作用効果ｆ
、発揮し得るものである。
第１図は従来方式のＯＶＤ装置の一例を示す概略断面図
、第２図は本発明装置の−ｙＩＪ ｅ示す断面略図、第
３図は第２図のＩＮ−ｎｒ線に沿った被蒸着基体と保持
具のみを示す略図、第参図は被蒸着基体を反応ガス流に
対し傾斜して配設した略図、第３図は本発明装置の竪型
インライン方式を示す略図であり１図中、ｉ、ｉｏは反
応室、２．／よは被蒸着基体、Ｊ、／ｌは保持具、≠、
１１は反応ガス喰出機構、ｊ、／弘はガス排出孔、／３
は開孔隔壁、／７は間隙、Ｇはガス流方向を示す矢印、
几、Ｇは反応ガスを夫々示す。 第２図 、」 第３図 ５ ｂ 第４図 ／−− ＼− ／−
、第２図は本発明装置の−ｙＩＪ ｅ示す断面略図、第
３図は第２図のＩＮ−ｎｒ線に沿った被蒸着基体と保持
具のみを示す略図、第参図は被蒸着基体を反応ガス流に
対し傾斜して配設した略図、第３図は本発明装置の竪型
インライン方式を示す略図であり１図中、ｉ、ｉｏは反
応室、２．／よは被蒸着基体、Ｊ、／ｌは保持具、≠、
１１は反応ガス喰出機構、ｊ、／弘はガス排出孔、／３
は開孔隔壁、／７は間隙、Ｇはガス流方向を示す矢印、
几、Ｇは反応ガスを夫々示す。 第２図 、」 第３図 ５ ｂ 第４図 ／−− ＼− ／−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）一方から反応ガスを装入し、他方から排ガスを排
出する構造からなる反応室内に、被覆すべき基体を該反
応ガスの流れに対してルーツマー状に保持することを特
徴とするルーツク一式化学的蒸着装置。 （２） 被覆すべき基体表面を反応ガス流に対して垂
直又は一定角度に保持する特Ｉｆ／［請求の範囲第１項
記載のルーツク一式化学的蒸着装置！Ｌ０（３）被覆す
べき基体を反応ガスの流れ方向に対して複数列配列する
特許請求の範囲第１項記載のルーツク一式化学的蒸着装
置。 （４）被覆すべき基体を反応室内の反応ガス流方向を横
切って移動させる機構とする特許請求の範囲第１項記載
のルーツク一式化学的蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15269982A JPS5943861A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | ル−バ−式化学的蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15269982A JPS5943861A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | ル−バ−式化学的蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943861A true JPS5943861A (ja) | 1984-03-12 |
| JPS619389B2 JPS619389B2 (ja) | 1986-03-22 |
Family
ID=15546206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15269982A Granted JPS5943861A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | ル−バ−式化学的蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943861A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991014798A1 (en) * | 1990-03-20 | 1991-10-03 | Diamonex, Incorporated | An improved hot filament chemical vapor deposition reactor |
| US5160544A (en) * | 1990-03-20 | 1992-11-03 | Diamonex Incorporated | Hot filament chemical vapor deposition reactor |
| WO1992020464A1 (en) * | 1991-05-10 | 1992-11-26 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for plasma deposition |
| US5188672A (en) * | 1990-06-28 | 1993-02-23 | Applied Materials, Inc. | Reduction of particulate contaminants in chemical-vapor-deposition apparatus |
| US5204144A (en) * | 1991-05-10 | 1993-04-20 | Celestech, Inc. | Method for plasma deposition on apertured substrates |
| US5551983A (en) * | 1994-11-01 | 1996-09-03 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for depositing a substance with temperature control |
| US5679404A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-21 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method for depositing a substance with temperature control |
| US6173672B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-01-16 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| JP2002168530A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Daiwa House Ind Co Ltd | 太陽熱温水器付き屋根パネル及び太陽熱温水器の施工方法 |
| US6406760B1 (en) | 1996-06-10 | 2002-06-18 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| DE102008044024A1 (de) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Robert Bosch Gmbh | Beschichtungsverfahren sowie Beschichtungsvorrichtung |
| US20160306088A1 (en) * | 2013-12-27 | 2016-10-20 | 3M Innovative Properties Company | Uniform chemical vapor deposition coating on a 3-diminsional array of uniformly shaped articles |
| JP2020100877A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 膜形成装置、および膜形成方法 |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP15269982A patent/JPS5943861A/ja active Granted
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991014798A1 (en) * | 1990-03-20 | 1991-10-03 | Diamonex, Incorporated | An improved hot filament chemical vapor deposition reactor |
| US5160544A (en) * | 1990-03-20 | 1992-11-03 | Diamonex Incorporated | Hot filament chemical vapor deposition reactor |
| US5397596A (en) * | 1990-06-28 | 1995-03-14 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing particulate contaminants in a chemical-vapor-deposition system |
| US5188672A (en) * | 1990-06-28 | 1993-02-23 | Applied Materials, Inc. | Reduction of particulate contaminants in chemical-vapor-deposition apparatus |
| US5322567A (en) * | 1990-06-28 | 1994-06-21 | Applied Materials, Inc. | Particulate reduction baffle with wafer catcher for chemical-vapor-deposition apparatus |
| US5204144A (en) * | 1991-05-10 | 1993-04-20 | Celestech, Inc. | Method for plasma deposition on apertured substrates |
| EP0969120B1 (en) * | 1991-05-10 | 2003-07-30 | Celestech, Inc. | Method for plasma deposition |
| US5435849A (en) * | 1991-05-10 | 1995-07-25 | Celestech, Inc. | Apparatus for plasma deposition |
| US5487787A (en) * | 1991-05-10 | 1996-01-30 | Celestech, Inc. | Apparatus and method for plasma deposition |
| WO1992020464A1 (en) * | 1991-05-10 | 1992-11-26 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for plasma deposition |
| EP0969120A2 (en) * | 1991-05-10 | 2000-01-05 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for plasma deposition |
| US5551983A (en) * | 1994-11-01 | 1996-09-03 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for depositing a substance with temperature control |
| US5683759A (en) * | 1994-11-01 | 1997-11-04 | Celestech, Inc. | Method for depositing a substance with temperature control |
| US5679404A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-21 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method for depositing a substance with temperature control |
| US6099652A (en) * | 1995-06-07 | 2000-08-08 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Apparatus and method for depositing a substance with temperature control |
| US6406760B1 (en) | 1996-06-10 | 2002-06-18 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| US6173672B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-01-16 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
| JP2002168530A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Daiwa House Ind Co Ltd | 太陽熱温水器付き屋根パネル及び太陽熱温水器の施工方法 |
| DE102008044024A1 (de) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Robert Bosch Gmbh | Beschichtungsverfahren sowie Beschichtungsvorrichtung |
| US20160306088A1 (en) * | 2013-12-27 | 2016-10-20 | 3M Innovative Properties Company | Uniform chemical vapor deposition coating on a 3-diminsional array of uniformly shaped articles |
| US10739503B2 (en) * | 2013-12-27 | 2020-08-11 | 3M Innovative Properties Company | Uniform chemical vapor deposition coating on a 3-dimensional array of uniformly shaped articles |
| JP2020100877A (ja) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 膜形成装置、および膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS619389B2 (ja) | 1986-03-22 |
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