JPS5942976B2 - エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法 - Google Patents

エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法

Info

Publication number
JPS5942976B2
JPS5942976B2 JP54071895A JP7189579A JPS5942976B2 JP S5942976 B2 JPS5942976 B2 JP S5942976B2 JP 54071895 A JP54071895 A JP 54071895A JP 7189579 A JP7189579 A JP 7189579A JP S5942976 B2 JPS5942976 B2 JP S5942976B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
electronic components
sealed electronic
sealed
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54071895A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS55163855A (en
Inventor
和夫 中村
謙一 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP54071895A priority Critical patent/JPS5942976B2/ja
Publication of JPS55163855A publication Critical patent/JPS55163855A/ja
Publication of JPS5942976B2 publication Critical patent/JPS5942976B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はエポキシ樹脂封止電子部品の開封方法に関する
。
ＩＣ）ＬＳＩ等半導体装置、ハイブリッドＩＣＩ或いは
リード・リレー等を、エポキシ樹脂を用いてモールド封
止した電子部品が多く作られている。
上記エポキシ樹脂は非常に耐薬品性のすぐれた物質で、
これを溶解或いは分解して除去する適切な方法がなく、
そのため故障解析等の目的からエポキシ樹脂封止電子部
品の内部を調査することは非常に困難であつた。例えば
熱濃硫酸でエポキシ樹脂を分解除去する方法は、３００
〔℃〕前後の高温を必要とし、しかもアルミニウム等の
金属を腐蝕するので、内部の状態を変えることなく開封
することができない。
本発明の目的は上記問題点を除去して、内部の構成体に
影響を与えることなくエポキシ樹脂を除去する方法を提
供することにある。本発明の特徴は、エポキシ樹脂封止
電子部品を開封する際し、濃硝酸１容対濃硫酸５〜２０
容の混合液で処理する工程を含むことにある。
以下本発明の実施例を具体的に説明する。
第１の実施例として本発明の基本的な開封方法を、第１
図に示すモールド封止型ＩＣを開封する場合を例として
説明する。
同図はモールド封止型ＩＣの断面図であつて、１はステ
ージ２上に固着された半導体素子、３は半導体素子１表
面の電極（図示せず）と細線４で連結された外部リード
、５は半導体素子１等内部構成体を密封するモールド樹
脂でエポキシ樹脂よりなる。
該モールド封止型ＩＣを開封するには、例えば濃硝酸（
濃度６１〔％〕、市販品）１容と濃硫酸（濃度９７〔％
〕、市販品）１０容の混合液を６０〜１５０〔℃〕に加
熱してその中に前記ＩＣを浸漬することによりエポキシ
樹脂を除去して半導体素子１を露出せしめる。
エポキシ樹脂の除去レートは、液温が９６〔℃〕の場合
に２４〔μｍ／分〕、１１５〔℃〕の時３０〔μｍ／分
〕程度である。
このような処理によれば、アルミニウム（Ａｌ）等より
なる細線４や外部リード３を腐蝕せず、また処理温度が
比較的低温なので半導体素子１の状態を変化させること
がない。
従つて本方法は内部構成体に影響を与えることなくエポ
キシ樹脂を除去できるので内部調査の目的に照らして好
適な開封方法である。なお、濃硝酸に対する濃硫酸の量
は、濃硝酸１容に対し、濃硫酸５〜２０容とされる。濃
硝酸の量が５容未満あるいは２０容を超えると、エポキ
シ樹脂のエッチングが極めて困難となる。第２の実施例
として、エポキシ樹脂の一部を予め機械的に除去する変
形例を説明する。
本実施例においてはまず第２図ａに示すごとく、前記第
１図に示したＩＣの頂部にドリルにより内部構成体に損
傷を与えない程度の穴６をあける等、機械的にエポキシ
樹脂５を一部除去する。
次いで前記第１の実施例の処理を行い、同図ｂに示すご
とく半導体素子１が露出するまでエポキシ樹脂を除去す
る。
このようにすることにより、半導体素子１、ステージ２
、或いは外部リード３等内部構成体はエポキシ樹脂５に
より固着された状態を保持しているので、ソケツトに挿
入して電気的特性試験を行うことも可能であり、調査の
目的によつては好都合である。
第３の実施例として背面にヒートシンクが露出している
パワートランジスタ等の半導体装置或いはハイブリツド
ＩＣを開封する場合に用いて好適な変形例を説明する。
第３図ａに示すようにモールド型パワートランジスタは
半導体素子１を固着する鋼（Ｃｕ）よりなるヒートシン
ク７の背面を露出して樹脂５によりモールド封止されて
いる。
本発明にかかる濃硝酸１容と濃硫酸５〜２０容の混合液
を用いれば、半導体装置の製造に多く用いられるアルミ
ニウム（Ａ１）、鉄（Ｆｅ）、ニツケル（Ｎｉ）、クロ
ーム（Ｃｒ）合金及びシリコン（Ｓｉ）等は腐蝕され難
いが、銅（Ｃｕ）は侵される。
そこで前記銅（Ｃｕ）よりなるヒートシンクが腐蝕され
るのを防止したい場合には、第３図ｂに示すように、パ
ワートランジスタ等の試料をシリコーン樹脂８中に埋め
込み、次いでドリルにより内部構成体に損傷を与えない
程度の穴６をあける等の方法で予め機械的にシリコン樹
脂及びエポキシ樹脂を一部除去する。
しかるのち、前記第１の実施例で説明した処理を行い同
図ｃに示すように半導体素子１が露出するまでエポキシ
樹脂５を除去する。
更に電気的特性を測定するために外部リード３を露出さ
せたい場合等シリコーン樹脂８を除去することが必要な
時は、市販の除去液を用いてシリコーン樹脂８を除去し
得る。
以上説明したごとく本発明の開封方法によれば、ＩＣ，
．ＬＳＩ等半導体装置、ハイブリツドＩＣｌ或いはリー
ドリレー等をエポキシ樹脂を用いてモールド封止した電
子部品を内部構成体に損傷を与えることなく低温で、容
易に開封することが可能となり、しかも開封後電気的特
性の測定も可能である。
従つてエポキシ樹脂封止電子部品の内部調査が適確にな
り、しかも時間が短縮される。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図は本発明の開封調査法の第１〜第３の実
施例を示す断面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・ステージ、
３・・・・・・外部リード、４・・・・・・細線、５・
・・・・・エポキシ樹脂、６・・・・・・穴、７・・・
・・・ヒートシンク、８・・・・・・シリコン樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ エポキシ樹脂封止電子部品を濃硝酸１容対濃硫酸５
    〜２０容の混合液で処理する工程を含むことを特徴とす
    るエポキシ樹脂封止電子部品の開封方法。
JP54071895A 1979-06-08 1979-06-08 エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法 Expired JPS5942976B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54071895A JPS5942976B2 (ja) 1979-06-08 1979-06-08 エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54071895A JPS5942976B2 (ja) 1979-06-08 1979-06-08 エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55163855A JPS55163855A (en) 1980-12-20
JPS5942976B2 true JPS5942976B2 (ja) 1984-10-18

Family

ID=13473717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP54071895A Expired JPS5942976B2 (ja) 1979-06-08 1979-06-08 エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5942976B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01179278U (ja) * 1988-06-08 1989-12-22

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4921810A (en) * 1988-06-22 1990-05-01 Nec Electronics Inc. Method for testing semiconductor devices
JPH05203522A (ja) * 1992-01-23 1993-08-10 Mitsubishi Electric Corp モールドパッケージ半導体圧力センサおよびその製造方法
EP0668611A1 (en) * 1994-02-22 1995-08-23 International Business Machines Corporation Method for recovering bare semiconductor chips from plastic packaged modules
DE102011004381A1 (de) * 2011-02-18 2012-08-23 Robert Bosch Gmbh Moldmodul mit Sensorelement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01179278U (ja) * 1988-06-08 1989-12-22

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55163855A (en) 1980-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7105383B2 (en) Packaged semiconductor with coated leads and method therefore
EP0668611A1 (en) Method for recovering bare semiconductor chips from plastic packaged modules
CN107680919B (zh) 一种塑封铜键合引线集成电路开封方法
JPS5942976B2 (ja) エポキシ樹脂封止電子部品の開封方法
CN110940666A (zh) 芯片封装开帽工艺
US3237272A (en) Method of making semiconductor device
CN111089776A (zh) 一种银线塑封器件的开封方法
TW201246406A (en) Method for processing circuit in package
TW523883B (en) Temperature sensing integrated circuit device
US3876461A (en) Semiconductor process
JPH0621130A (ja) 樹脂封止型半導体装置の樹脂開封方法
US4773940A (en) Lead frame preparation for solder dipping
Tang et al. Microwave induced plasma decapsulation of stressed and delaminated high pin-count copper wire bonded IC packages
JP3032244B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07183319A (ja) 樹脂封止半導体装置の開封方法
CN114334749B (zh) 塑封器件的开封方法
JPH0661286A (ja) 部分的樹脂開封方法
JP2658528B2 (ja) 半導体装置の外部導出端子
JPS62196870A (ja) 半導体装置の製造方法
CN114566447A (zh) 集成电路封装器件的半开封方法
US3341938A (en) Method of producing selenium midget rectifiers
JPS5847853B2 (ja) デンシブヒンドウタイノボウシヨクホウホウ
JPS63104776A (ja) はんだ付用フラツクスの評価方法
CN115711887A (zh) 一种小尺寸芯片多颗同时开封的方法及其应用
JPS6353872A (ja) 接触子用材料