JPS5941838A - マイクロ波プラズマ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ装置Info
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- JPS5941838A JPS5941838A JP15150282A JP15150282A JPS5941838A JP S5941838 A JPS5941838 A JP S5941838A JP 15150282 A JP15150282 A JP 15150282A JP 15150282 A JP15150282 A JP 15150282A JP S5941838 A JPS5941838 A JP S5941838A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はガス放電によ少年積回路基板等の試料をドライ
エツチングするマイクロ波プラズマ装置の改良に関する
ものである。
エツチングするマイクロ波プラズマ装置の改良に関する
ものである。
（ｂ） 技術の背景
半導体大規模集積回路は、近年微細加工技術の進展に伴
い、より高精度の製造プロセスが要請される。従来、化
学薬品例えば酸、アルカリ、溶剤等を用いるクエットエ
ッチングから精度の高いドライエツチングへと微細加工
技術は移行しつつある。
い、より高精度の製造プロセスが要請される。従来、化
学薬品例えば酸、アルカリ、溶剤等を用いるクエットエ
ッチングから精度の高いドライエツチングへと微細加工
技術は移行しつつある。
この方法はレジストの除去には酸素を主としたガスプラ
ズマが用いられ、またフレオンガス（ＣＦ４）などのフ
ッ素系ハロゲン化合物のガスプラズマによりポリシリコ
ン、窒化シリコンなどのエツチングを行うことができる
。
ズマが用いられ、またフレオンガス（ＣＦ４）などのフ
ッ素系ハロゲン化合物のガスプラズマによりポリシリコ
ン、窒化シリコンなどのエツチングを行うことができる
。
ドライエツチングを装置別に分離すると円筒形プラズマ
装置、平行千飯形スパッタ装置、イオンビーム装置等が
ちる。
装置、平行千飯形スパッタ装置、イオンビーム装置等が
ちる。
（ｃ） 従来技術と問題点
第１図は従来のマイクロ波プラズマ装置を示す構成図で
ある。
ある。
マイクロ波プラズマ装置ｌは２．４５ＧＨｚのマイクロ
波を発振するマグネトロン２、そのマイクロ波を伝播す
る導波管３、及びマイクロ波を整合する整合器４からな
るマイクロ波電源系と、フレオガス、酸素を一冗量（１
：０．Ｆ）に混合して導入する導入管をマイクロ波伝播
用導波ｖ３の電界方向に挿入してプラズマ５を訪起させ
るプラズマ発生部６及び試料７ｔ−配設してエツチング
を行うエツチング室８により構成される。
波を発振するマグネトロン２、そのマイクロ波を伝播す
る導波管３、及びマイクロ波を整合する整合器４からな
るマイクロ波電源系と、フレオガス、酸素を一冗量（１
：０．Ｆ）に混合して導入する導入管をマイクロ波伝播
用導波ｖ３の電界方向に挿入してプラズマ５を訪起させ
るプラズマ発生部６及び試料７ｔ−配設してエツチング
を行うエツチング室８により構成される。
プラズマ発生部６の側壁はマイクロ波を透過するがガス
を遮蔽する石英管又はセラミック管を用いるのが一般的
である。
を遮蔽する石英管又はセラミック管を用いるのが一般的
である。
しかし、このように構成されるマイクロ波プラズマ装置
において、プラズマ発生部６で生じた活性種は輸送管９
を経てエツチング室８に導かれて試料７のエツチングを
行うと同時にプラズマ発生部６におけるマイクロ波透過
窓６ａ周辺はプラズマ（活性粒子）と反応しエツチング
され、破壊又はニアリークする等の問題がある。
において、プラズマ発生部６で生じた活性種は輸送管９
を経てエツチング室８に導かれて試料７のエツチングを
行うと同時にプラズマ発生部６におけるマイクロ波透過
窓６ａ周辺はプラズマ（活性粒子）と反応しエツチング
され、破壊又はニアリークする等の問題がある。
第２図は他の異なる構成のマイクロ波プラズマ装置を示
す構成図である。
す構成図である。
マグネトロン１２によシ励起されるマイクロ波は導波管
工３を伝播して隔壁１４を透過しエツチング室１８に訪
導されエツチング室１８に設けたマイク算波遮蔽板１６
と隔壁１４近傍で図のようなプラズマ１５が発生する。
工３を伝播して隔壁１４を透過しエツチング室１８に訪
導されエツチング室１８に設けたマイク算波遮蔽板１６
と隔壁１４近傍で図のようなプラズマ１５が発生する。
一方フオレンガス（ＣＦ４ ）、酸素（０，）を一定量
に混合しエツチング部１８のプラズマ発生部に導入する
ことによって活性種がマイクロ波遮蔽板１６を通過して
試料１７のエツチングを行なうマイクロ波プラズマ装＠
１１である。
に混合しエツチング部１８のプラズマ発生部に導入する
ことによって活性種がマイクロ波遮蔽板１６を通過して
試料１７のエツチングを行なうマイクロ波プラズマ装＠
１１である。
マイクロ波を透過する隔壁１４は石英又はセラミック鈑
であシガスを遮蔽するがプラズマと反応しプラズマ発生
側の端面１４ａはエツチングされニアリーク等が起る事
がある。
であシガスを遮蔽するがプラズマと反応しプラズマ発生
側の端面１４ａはエツチングされニアリーク等が起る事
がある。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の点に鑑み、プラズマ発生部の隔壁及びガ
ス導入管のマイクロ波透過窓近傍にプラズマによって生
ずるエツチング破壊、ニアリークを防止する有効な保両
手段の提供を目的とする。
ス導入管のマイクロ波透過窓近傍にプラズマによって生
ずるエツチング破壊、ニアリークを防止する有効な保両
手段の提供を目的とする。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は本発明によれば、プラズマ発生部のマイクロ
波伝播部と対向する部分にアルミニウム膜でコーテング
された膜壁を設けることによって達せられる。
波伝播部と対向する部分にアルミニウム膜でコーテング
された膜壁を設けることによって達せられる。
（ｆ） 発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面により詳述する。
第３図は本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマ装
置を示す構成図である。第４図の（イ）、（ロ）図は本
発明の一実施例である保護膜をコーテングした隔壁を示
す図である。（イ）図は断面図、（ロ）図は上面図であ
る。
置を示す構成図である。第４図の（イ）、（ロ）図は本
発明の一実施例である保護膜をコーテングした隔壁を示
す図である。（イ）図は断面図、（ロ）図は上面図であ
る。
一定圧１．０ Ｔｏｒｒに減圧した減圧室をマイクロ波
遮蔽板２２で仕切シプラズマ発生部２３側にＣＦ、。
遮蔽板２２で仕切シプラズマ発生部２３側にＣＦ、。
Ｏｔを一定割合で導入する。一方マグネトロン２５の発
振によって生ずる２、４５ＧＨｚのマイクロ波は導波管
２６を伝播して隔壁２７を透過し、プラズマ発生部２３
でプラズマを畔起し、発生するプラズマガスの活性種は
エツチング部２４に導入され試料上の多結晶シリコンや
ホトレジスト膜等をエツチングする。エツチングは等方
性をなし、主としてプラズマ中に介在する粒子のなかで
ラジカル（１痣気的に中性で不対電子を持った活性粒子
）がエツチングに寄与する。同時に隅壁２７の表面２７
ａ（プラズマ発生部側）扛この活性粒子のラジカルと反
応しエツチングされる。
振によって生ずる２、４５ＧＨｚのマイクロ波は導波管
２６を伝播して隔壁２７を透過し、プラズマ発生部２３
でプラズマを畔起し、発生するプラズマガスの活性種は
エツチング部２４に導入され試料上の多結晶シリコンや
ホトレジスト膜等をエツチングする。エツチングは等方
性をなし、主としてプラズマ中に介在する粒子のなかで
ラジカル（１痣気的に中性で不対電子を持った活性粒子
）がエツチングに寄与する。同時に隅壁２７の表面２７
ａ（プラズマ発生部側）扛この活性粒子のラジカルと反
応しエツチングされる。
ここで、発明者達はマイクロ波を透過しエツチング面の
保護膜として隔壁２７のプラズマ発生部側面２７ａに１
μ−以下の膜厚でなるアルミニウム層２８を形成した石
英隔壁２７を用い実映した結果、ＣＦ４ ＋ ０２ （
１：殆）のプラズマに対し、隔壁２７のエツチング量は
従来に比して１／１０”以下となった。膜厚を増加させ
るに従い例えば１μ痢以上とするに従いマイクロ波の透
過率が減少し、反射率を増加させ、ついにはマイクロ波
を遮断する。この為マグネトロンを著しく劣化させる。
保護膜として隔壁２７のプラズマ発生部側面２７ａに１
μ−以下の膜厚でなるアルミニウム層２８を形成した石
英隔壁２７を用い実映した結果、ＣＦ４ ＋ ０２ （
１：殆）のプラズマに対し、隔壁２７のエツチング量は
従来に比して１／１０”以下となった。膜厚を増加させ
るに従い例えば１μ痢以上とするに従いマイクロ波の透
過率が減少し、反射率を増加させ、ついにはマイクロ波
を遮断する。この為マグネトロンを著しく劣化させる。
即ちアルミニウム（Ａｅ ）の２．４５ＧＨｚに対する
表皮の厚さは約３，３μｍであり１１μ−以下では９゜
チ以上のマイクロ波を透過する。このように隔壁２７の
表面に１μ常以下のアルミニウム層２８を設けることに
よｐエツチング破壊されることのない安定したエツチン
グ装置を得ることができる。
表皮の厚さは約３，３μｍであり１１μ−以下では９゜
チ以上のマイクロ波を透過する。このように隔壁２７の
表面に１μ常以下のアルミニウム層２８を設けることに
よｐエツチング破壊されることのない安定したエツチン
グ装置を得ることができる。
第１図で示すガス８４＝入管のマイクロ波透過窓（６ａ
参照）周辺にコーテングするととも同様の効果が期待で
きる。
参照）周辺にコーテングするととも同様の効果が期待で
きる。
（ｇ） 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明の隔壁又ｔまマイクロ
波導波管と混合ガス導入管とが接する境昇面のプラズマ
発生側に一足膜厚の純アルミニウム膜をコーテングする
ことによって安定したマイクロ波プラズマ装置が得られ
その効果は著しい。
波導波管と混合ガス導入管とが接する境昇面のプラズマ
発生側に一足膜厚の純アルミニウム膜をコーテングする
ことによって安定したマイクロ波プラズマ装置が得られ
その効果は著しい。
装ｆｔｌを示す構成図、′ｆＪ３図は本発明の一実施例
でちるマイクロ波プラズマ＋装置を示す構成図、第４図
の（づ、（ロ）図は本発明の一実施例である保護膜をコ
ーテングした隔壁を示す図であり、（イ）図はＩＩｉ而
図面（ロ）１′Ａは上面図である。 図において、２２はマイクロ波遮蔽板、２３はプラズマ
発生部、２４はエツチング部、２５はマグネトロン、２
６は導波管、２７は隔壁、２８はアルミニウム層を示す
。 第２図
でちるマイクロ波プラズマ＋装置を示す構成図、第４図
の（づ、（ロ）図は本発明の一実施例である保護膜をコ
ーテングした隔壁を示す図であり、（イ）図はＩＩｉ而
図面（ロ）１′Ａは上面図である。 図において、２２はマイクロ波遮蔽板、２３はプラズマ
発生部、２４はエツチング部、２５はマグネトロン、２
６は導波管、２７は隔壁、２８はアルミニウム層を示す
。 第２図
Claims (1)
- プラズマ発生部のマイク四波伝播部と対向する部分にア
ルミニウム膜でコーテングされた膜壁を設けてなること
を特徴とするマイクロ波プラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15150282A JPS5941838A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | マイクロ波プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15150282A JPS5941838A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | マイクロ波プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941838A true JPS5941838A (ja) | 1984-03-08 |
Family
ID=15519907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15150282A Pending JPS5941838A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | マイクロ波プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941838A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62213126A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPS632587U (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-09 | ||
| JPS63236327A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS63293825A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5021627A (en) * | 1989-02-13 | 1991-06-04 | Hoesch Stahl Ag | Electrode for resistance welding surface-treated sheets of steel and method of manufacturing such electrodes |
| US5961775A (en) * | 1987-08-19 | 1999-10-05 | Fujitsu Limited | Apparatus for removing organic resist from semiconductor |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP15150282A patent/JPS5941838A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62213126A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH0521335B2 (ja) * | 1986-03-13 | 1993-03-24 | Fujitsu Ltd | |
| JPS632587U (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-09 | ||
| JPS63236327A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS63293825A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
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| US5021627A (en) * | 1989-02-13 | 1991-06-04 | Hoesch Stahl Ag | Electrode for resistance welding surface-treated sheets of steel and method of manufacturing such electrodes |
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