JPS5941629B2 - Character and figure reading device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、簡単な構造で小型で高性能のファクシミリ
やＯＣＲ（光学式文字読取機）で用いられる記号、文字
、図形などを読み取る文字図形読取装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a character/figure reading device having a simple structure, small size, and high performance for reading symbols, characters, figures, etc. used in facsimiles and OCR (optical character reader).

従来のＯＣＲやファクシミリなどのライン読取装置の例
を第１図ａ、第１図をに示す。An example of a conventional line reading device such as OCR or facsimile is shown in FIG.

この第１図ａ、第１図をの両図において、１は照明ラン
プ、２は原稿、３は焦点合せレンズ、４は光検出器（フ
ォトダイオードアレー）である。この装置においては、
原稿２中の線状の位置２’へ順次原稿を送りながら、照
明ランプ１から光５を原稿２に照射し、原稿２からの反
射光線を焦点合せレンズ３で集光し、光検出器４で検出
することにより、原稿２上のデータを読み取つている。In both FIG. 1a and FIG. 1, 1 is an illumination lamp, 2 is a document, 3 is a focusing lens, and 4 is a photodetector (photodiode array). In this device,
While sequentially feeding the original to a linear position 2' in the original 2, the illumination lamp 1 irradiates the original 2 with light 5, the reflected light from the original 2 is focused by the focusing lens 3, and the photodetector 4 The data on the document 2 is read by the detection.

しかるに、この装置は、レンズ系を用いるために、光路
が長く、小型化が難しい。また、光学系のレンズの焦点
合せや光検出器の位置合せが複雑であるなどの欠点もあ
つた。この発明は、上記従来の欠点を除去するためにな
されたもので、ガラスファイバを垂直に配置した状態で
束ねた透明基板の一方の両側に照明体と光検出器を蒸着
法などで並べて構成し、透明基板の他方の面側に読み取
るべき原稿を密着または近接して置くようにすることに
より、照明と検出を行うレンズ系を全く用いることなく
、簡単な構造で小型に構成した信頼性の高い文字図形読
取装置を提供することを目的とする。However, since this device uses a lens system, it has a long optical path and is difficult to miniaturize. In addition, there were also drawbacks such as complicated focusing of the lens of the optical system and positioning of the photodetector. This invention was made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional technology, and consists of a structure in which an illumination body and a photodetector are arranged side by side by vapor deposition on one side of a transparent substrate in which glass fibers are vertically arranged and bundled. By placing the original to be read on the other side of the transparent substrate in close contact with or close to each other, a highly reliable device with a simple structure and small size can be achieved without using any lens system for illumination and detection. The purpose is to provide a character/figure reading device.

以下、この発明の文字図形読取装置の実施例について図
面に基づき説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Examples of the character/figure reading device of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第２図はその一実施例の構成を示す斜視図であり、第３
図は組立て全体図である。まず、この第２図および第３
図を参照して説明する。図中の６は照明体としてのエレ
クトロルミネッセンス素子である。また、Ｔは受光素子
（光検出器）であるアモルファスシリコン素子を示す。
一方、８は透明基板を示す。FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of one embodiment, and the third
The figure shows the overall assembly. First of all, this figure 2 and 3
This will be explained with reference to the figures. 6 in the figure is an electroluminescent element as an illumination body. Further, T indicates an amorphous silicon element which is a light receiving element (photodetector).
On the other hand, 8 indicates a transparent substrate.

透明基板８はガラスファイバを垂直に配置した状態で束
ねて形成されている。この透明基板８の一方の平坦面、
すなわち、第３図、第４図においては下面には原稿２が
当接されるようになつている。この原稿２の上面に示さ
れる文字、図形などの文字面１０に対応して上記アモル
フアスシリコン素子７が位置するようになつている。第
３図、第４図より明らかなように、アモルフアスシリコ
ン素子７は、透明基板８の平坦な上面において、透明基
板８の中央部にその長手方向に溢つて多数個配設されて
いる。The transparent substrate 8 is formed by bundling glass fibers arranged vertically. One flat surface of this transparent substrate 8,
That is, in FIGS. 3 and 4, the original 2 is brought into contact with the lower surface. The amorphous silicon element 7 is positioned corresponding to a character surface 10 of characters, figures, etc. shown on the upper surface of the original document 2. As is clear from FIGS. 3 and 4, a large number of amorphous silicon elements 7 are disposed on the flat upper surface of the transparent substrate 8 at the center of the transparent substrate 8, overflowing in the longitudinal direction thereof.

このアモルフアスシリコン素子７の両側にはエレクトロ
ルミネツセンス素子６が配設され、このエレクトロルミ
ネツセンス素子６の外側には多数の，駆動用集積回路１
１（シフトレジスタ）が配設され、透明基板８の導体部
２４を介してアモルフアスシリコン素子７に接続されて
いる。一方、第４図ａはこの発明の文字図形読取装置の
平面図であり、第４図ｂは第４図ａのＡ−Ａ″線に沿つ
て切断して示す断面図である。Electroluminescent elements 6 are disposed on both sides of this amorphous silicon element 7, and a large number of driving integrated circuits 1 are arranged outside the electroluminescent elements 6.
1 (shift register) is provided and connected to the amorphous silicon element 7 via the conductor portion 24 of the transparent substrate 8. On the other hand, FIG. 4a is a plan view of the character/figure reading device of the present invention, and FIG. 4b is a sectional view taken along line AA'' in FIG. 4a.

また、第４図ｃは第４図ＡＯ）Ｂ−Ｂ″線に沿つて切断
して示す断面図である。さらに、第５図ａないし第５図
ｆはそれぞれこの発明の文字図形読取装置の製造工程を
示す図である。ここで、第２図ないし第５図を併用して
、この発明の構成についてさらに詳述することにする。Further, FIG. 4c is a sectional view taken along the line AO)B-B'' in FIG. 4.Furthermore, FIGS. 2 is a diagram showing a manufacturing process. Here, the structure of the present invention will be explained in further detail using FIGS. 2 to 5.

まず、第５図ａより明らかなように、上記透明基板８の
上面には透明電極２０，２０″が設けられている。透明
電極２０はアモルフアスシリコン素子７の透明電極であ
り、透明電極２０″はエレクトロルミネツセンス素子６
の透明電極である。これらの透明電極２０，２０″は、
透明基板８上に反応性スパツタや熱分解法で一面に形成
した後、フオトエツチング技術により、アモルフアスシ
リコン素子７の部分と、エレクトロルミネツセンス素子
６の部分にそれぞれ残すようにして形成されている。First, as is clear from FIG. 5a, transparent electrodes 20, 20'' are provided on the upper surface of the transparent substrate 8. ″ is electroluminescent element 6
This is a transparent electrode. These transparent electrodes 20, 20″ are
After being formed all over the transparent substrate 8 by reactive sputtering or thermal decomposition, it is formed using a photoetching technique so that it remains on the amorphous silicon element 7 and the electroluminescent element 6, respectively. There is.

透明電極２０上には第２図、第４図ｂ、第４図ｃ、第５
図ｂより明らかなように、アモルフアスシリコン素子７
のｐ±層１６，ｉ層１７，ｎ士層１８が順次重ねて形成
されている。2, 4b, 4c, and 5 on the transparent electrode 20.
As is clear from Figure b, the amorphous silicon element 7
A p layer 16, an i layer 17, and an n layer 18 are formed in order.

これらは、プラズマグロー放電によるシラン、ジボラン
、フオスフインの化学分解により形成されている。ｐ＋
層１６，ｉ層１７，ｎ＋層１８の外、周面には第４図Ｃ
１第５図ｃより明らかなように、アモルフアスシリコン
素子７の全体を包囲する絶縁層１９が設けられている。These are formed by chemical decomposition of silane, diborane, and phosphine by plasma glow discharge. p+
The outer and peripheral surfaces of layer 16, i layer 17, and n+ layer 18 are marked with Fig. 4 C.
1. As is clear from FIG. 5c, an insulating layer 19 is provided that surrounds the entire amorphous silicon element 7.

この絶縁層１９は、具体的には、熱分解やＲＦスパツタ
法で酸化シリコンを形成するものである。また、第５図
ｄより明らかなように、エレクトロルミネツセンス素子
６の透明電極２０″上にはエレクトロルミネツセンス層
２１が設けられている。Specifically, this insulating layer 19 is formed of silicon oxide by thermal decomposition or RF sputtering. Furthermore, as is clear from FIG. 5d, an electroluminescent layer 21 is provided on the transparent electrode 20'' of the electroluminescent element 6.

このエレクトロルミネツセンス層２１はエレクトロルミ
ネツセンス絶縁層２２で包囲されている。したがつて、
第２図より明らかなように、透明電極２０″とエレクト
ロルミネツセンス層２１とは絶縁されている。このエレ
クトロルミネッセンス層２１としては、硫化亜鉛を蒸着
して形成する。また、その周囲に設けられるエレクトロ
ルミネツセンス絶縁層２２としては、酸化シリコンや酸
化タンタルをスパツタや熱分解法などで形成するもので
ある。エレクトロルミネツセンス絶縁層２２上には、第
４図ｃ、第５図ｅに示すように、エレクトロルミネツセ
ンス素子６の上部導体１５が設けられている。This electroluminescent layer 21 is surrounded by an electroluminescent insulating layer 22 . Therefore,
As is clear from FIG. 2, the transparent electrode 20'' and the electroluminescent layer 21 are insulated.The electroluminescent layer 21 is formed by vapor depositing zinc sulfide. The electroluminescent insulating layer 22 is formed by sputtering or thermal decomposition of silicon oxide or tantalum oxide. As shown, an upper conductor 15 of the electroluminescent element 6 is provided.

エトクトロルミネツセンス素子の下部導体１４は第４図
ａに示されている。そして、クロスオーバ絶縁層２３と
エレクトロルミネツセンス絶縁層２２と、絶縁層１９と
の間には光遮蔽層２５が設けられている。光遮蔽層２５
は、エレクトロルミネツセンス素子６の螢光が直接アモ
ルフアスシリコン素子７へ入らないようにするとともに
、その光を反射させてエレクトロルミネツセンス素子６
へ戻すもので、アルミの蒸着膜からなる。The lower conductor 14 of the ectoluminescent element is shown in FIG. 4a. A light shielding layer 25 is provided between the crossover insulating layer 23, the electroluminescence insulating layer 22, and the insulating layer 19. Light shielding layer 25
This prevents the fluorescent light from the electroluminescent element 6 from directly entering the amorphous silicon element 7, and also reflects the light to prevent the fluorescent light from entering the electroluminescent element 6.
It is made of vapor-deposited aluminum film.

エレクトロルミネツセンス素子６の螢光が直接アモルフ
アスシリコン素子７へ入らないようにするだけの場合は
、黒色のガラスや樹脂の絶縁物を塗布することにより光
遮蔽層２５を形成してもよい。上部導体１５は螢光を下
方へ効率よく反射させる材料、例えばアルミニウム蒸着
膜からなり、螢光を下方へ効率よく反射させる働きも有
する。さらに、第４図ａ、第４図ｃ、第５図ｆより明ら
かなように、アモルフアスシリコン素子７におけるｎ＋
層１８の共通導体１２とｐ＋側のクロスオーバ導体１３
がクロスオーバ絶縁層２３（酸化シリコンによる）をは
さんでアルミまたは金などの蒸着により形成されている
。If it is only necessary to prevent the fluorescent light from the electroluminescent element 6 from directly entering the amorphous silicon element 7, the light shielding layer 25 may be formed by coating an insulator such as black glass or resin. . The upper conductor 15 is made of a material that efficiently reflects fluorescent light downward, such as an aluminum vapor-deposited film, and also has the function of efficiently reflecting fluorescent light downward. Furthermore, as is clear from FIGS. 4a, 4c, and 5f, n+
Common conductor 12 of layer 18 and crossover conductor 13 on p+ side
are formed by vapor deposition of aluminum or gold, sandwiching a crossover insulating layer 23 (made of silicon oxide).

ところで、上記透明基板８としては、ガラスフアイバを
束ねて形成されているものであるが、要求される解像度
から照明光および検出光の散乱の少ないガラスフアイバ
を束ねて板状にしたプレートが用いられている。By the way, the transparent substrate 8 is formed by bundling glass fibers, but due to the required resolution, a plate made by bundling glass fibers that scatters less illumination light and detection light is used. ing.

さらに、原稿２の文字面１０と透明基板８の間の距離の
バラツキによる焦点不良を防ぐために、ガラスフアイバ
レンズ的性能をもたせたもの、たとえば、グレーデツド
インデツクスフアイバを用いたり、光の照明効果をよく
するために、照明体の下のガラスフアイバはその光の広
がりを示すＮＡナンバ（開口数）の大きなものを用いた
り、アモルフアスシリコン素子７の下のガラスフアイバ
は雑音（光）を防ぐためにＮＡナンバの小さなものを用
いる。Furthermore, in order to prevent poor focus due to variations in the distance between the character surface 10 of the original 2 and the transparent substrate 8, a lens having the performance of a glass fiber lens, such as a graded index fiber, or a light illumination lens may be used. In order to improve the effect, the glass fiber under the illumination body is used with a large NA number (numerical aperture) that indicates the spread of the light, and the glass fiber under the amorphous silicon element 7 is used to reduce noise (light). To prevent this, use one with a small NA number.

一方、照明体としては、発光ダイオードを含むエレクト
ロルミネツセンス発光源を用いるが、ここでは特に硫化
亜鉛を用いたエレクトロルミネツセンス素子を用いた場
合を代表例として示してある。On the other hand, as the illumination body, an electroluminescent light source including a light emitting diode is used, and here, in particular, a case where an electroluminescent element using zinc sulfide is used is shown as a representative example.

これは蒸着とか、スパツタなどのごとき大面積の製膜技
術が使用できると云う利点を有する。また、光検出器で
あるアモルフアスシリコン素子７はカルコゲナイトや硫
化カドミウム、酸化鉛、セレン化カドミウムのごとき化
合物半導体や単結晶シリコンによるフオトダイオードア
レ一が使用可能であるが、この実施例では、従来太陽電
池などの材料として考えられていたアモルフアスシリコ
ンをグロー放電によるシランの化学分解を利用して作つ
た素子を用いる。これは大面積が得易く、毒性がないと
云う利点を有する。このアモルフアスシリコン素子７を
第４図ｂの断面図で示すごとく、１ミリ当たり数個並べ
て、たとえば、Ａ−４サイズ用としては合計１０２４ま
たは２０４８個のアレー状にして用いる。This has the advantage that large area film forming techniques such as vapor deposition and sputtering can be used. Further, as the amorphous silicon element 7 which is a photodetector, a photodiode array made of a compound semiconductor such as chalcogenite, cadmium sulfide, lead oxide, or cadmium selenide or single crystal silicon can be used. The device uses amorphous silicon, which has been considered as a material for solar cells, and uses chemical decomposition of silane through glow discharge. This has the advantage of being easy to obtain a large area and being non-toxic. As shown in the sectional view of FIG. 4B, several amorphous silicon elements 7 are arranged per millimeter, and for example, for A-4 size, a total of 1024 or 2048 elements are used in an array.

それを駆動する回路としては駆動用集積回路１１を導体
部２４に透明基板８上でワイヤボンドやバンプ方式で取
り付け、この導体部２４を通してアモルフアスシリコン
素子７を動作させるようになつている。次に、以上のよ
うに構成されたこの発明の文字図形読取装置の動作につ
いて説明する。As a circuit for driving it, a driving integrated circuit 11 is attached to a conductor section 24 on a transparent substrate 8 by wire bonding or a bump method, and the amorphous silicon element 7 is operated through this conductor section 24. Next, the operation of the character/figure reading device of the present invention constructed as described above will be explained.

まず、照明体としてのエレクトロルミネツセンス素子６
、すなわち、エレクトロルミネツセンス層２１の上部導
体１５と下部導体１４に約２００Ｖの交流電界をかける
と、エレクトロルミネツセンス素子６は螢光を発生する
。エレクトロルミネツセンス素子６が透明基板８に密着
構成されているために、エレクトロルミネツセンス素子
６から発生した螢光による光９（第２図）の伝達効率は
よく、この光９は透明基板８を通つて、透明基板８の下
に密着または近接して置かれた原稿２の文字面１０を効
率よく照明する。ここで光検出器としてのアモルフアス
シリコン素子７の直下については、光９が原稿２（紙）
の内部を通つたり、またはエレクトロルミネツセンス素
子６の下のガラスフアイバがＮＡナンバ大であることに
よる原稿２との間のわずかな隙間からの光の広がり効果
により照明されることを利用している。First, the electroluminescent element 6 as a lighting body
That is, when an alternating current electric field of about 200 V is applied to the upper conductor 15 and lower conductor 14 of the electroluminescent layer 21, the electroluminescent element 6 emits fluorescence. Since the electroluminescent element 6 is in close contact with the transparent substrate 8, the transmission efficiency of light 9 (FIG. 2) due to fluorescence generated from the electroluminescent element 6 is good, and this light 9 is transmitted through the transparent substrate 8. 8 to efficiently illuminate the character surface 10 of the original 2 placed under the transparent substrate 8 in close contact or close to it. Here, the light 9 directly below the amorphous silicon element 7 serving as a photodetector is the original 2 (paper).
or through the glass fiber under the electroluminescence element 6, which is illuminated by the spreading effect of light from a small gap between it and the document 2 due to its large NA number. ing.

そして、文字面１０からの光は再びＮＡナンバ小のガラ
スフアイバを通つて、アモルフアスシリコン素子７に効
率よく伝えられる。Then, the light from the letter face 10 is efficiently transmitted to the amorphous silicon element 7 again through the glass fiber with the small NA number.

なおこの発明においては、硫化亜鉛によるエレクトロル
ミネツセンス素子６の発光波長約５８００〜Ａがアモル
フアスシリコン素子７の分光感度のピーク約５３００Ａ
とほぼ一致している点を利用している特徴も有する。In the present invention, the emission wavelength of the electroluminescent element 6 made of zinc sulfide, which is about 5800 to A, is the peak of the spectral sensitivity of the amorphous silicon element 7, which is about 5300 A.
It also has the feature of utilizing the fact that it is almost the same as the above.

第６図はこの発明の第２の実施例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a second embodiment of the invention.

すなわち、第４図ａ（７）Ａ−ＡＩ線断面図である第４
図ｂではアモルフアスシリコン素子７のｐ＋層１６，ｉ
層１７，ｎ＋層１８の各層を完全に分離したタイプを示
したが、第６図の第２の実施例では透明電極２０，ｉ層
１７，ｎ＋層１８，ｎ＋倶伊誦導体１２のごとき構成に
して、透明電極２０だけを分離した構成としたもので、
このようにしても受光素子として用いることができる。
また、第７図はこの発明の第３の実施例を示す図である
。That is, the fourth cross-sectional view taken along the line A-AI in Figure 4a(7)
In figure b, the p+ layer 16,i of the amorphous silicon element 7
Although the type in which the layers 17 and n+ layer 18 are completely separated is shown, the second embodiment shown in FIG. and has a configuration in which only the transparent electrode 20 is separated,
Even in this case, it can be used as a light receiving element.
Further, FIG. 7 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.

すなわち、透明基板８として、フアイバプレートを用い
る場合、その材料が高価であるので、歩留りコストの面
でも問題がある場合には、第７図の第３の実施例のごと
く、照明体としてのエレクトロルミネツセンス素子６、
受光素子（光検出器）としてのアモルフアスシリコン素
子７を通常のガラス板８″に形成してから、それを，駆
動用集積回路１１とともにハイブリツド方式でフアイバ
プレート上にのせるようにしてもよい。以上詳述したよ
うに、この発明の文字図形読取装置によれば、透明基板
の一方の面側に照明体と光検出器を配設し、汚明基板の
他方の面側に読み取るべき文字、記号などのデータを有
する原稿を密着または近接して置き、照明体の光を透明
基板を通して原稿に伝達させ、原稿のライン状の文字面
からの光を光検出器で受光して文字、図形などを読み取
るようにしたので、光検出器や照明体を蒸着、熱分解法
、スパツタ法などの大面積の加工に適する方法で形成す
ることができるとともに、レンズ系や寿命の短いランプ
などを用いる必要がない。That is, when a fiber plate is used as the transparent substrate 8, the material is expensive, so if there is a problem in terms of yield cost, an electrolyte as the illumination body is used as in the third embodiment shown in FIG. luminescence element 6,
The amorphous silicon element 7 as a light-receiving element (photodetector) may be formed on an ordinary glass plate 8'' and then placed on the fiber plate together with the driving integrated circuit 11 in a hybrid manner. As detailed above, according to the character/figure reading device of the present invention, the illumination body and the photodetector are arranged on one side of the transparent substrate, and the characters to be read are placed on the other side of the dirty substrate. A document containing data such as , symbols, etc. is placed in close contact or close to each other, and the light from the illumination body is transmitted to the document through a transparent substrate.The light from the line-shaped character surface of the document is received by a photodetector and the characters and figures are detected. This makes it possible to form photodetectors and illumination bodies using methods suitable for large-area processing such as vapor deposition, pyrolysis, and sputtering, as well as using lens systems and short-life lamps. There's no need.

したがつて、小型かつ高信頼性の０ＣＲやフアクシミリ
用の文字図形読取装置として利用できる利点を有する。
また、この発明の装置によれば、ガラスフアイバを垂直
に配置した状態で束ねて透明基板を形成するようにした
ので、ガラスフアイバの加工性、延いては透明基板の製
造作業性がすぐれている。Therefore, it has the advantage that it can be used as a compact and highly reliable character/figure reading device for OCR and facsimile.
Further, according to the apparatus of the present invention, since the glass fibers are vertically arranged and bundled to form a transparent substrate, the workability of the glass fibers and, by extension, the workability of manufacturing the transparent substrate is excellent. .

さらに、この発明の装置によれば、光検帛器と照明体間
に、照明体の光が直接光検出器に入射するのを防止する
と同時に、その光を反射させて照明体に戻す光遮蔽層を
設けているので、照明体による照明効果が向上するとと
もに、光検出器に照明体の光が直接入射して光検出器が
誤動作することを確実に防止できるものである。なお、
透明基板が、垂直に配置したガラスフアイバから構成さ
れている場合でも、白地部と文字部の光信号比を充分に
とることができ、かつ実用上充分な検出光を得ることが
できる。したがつて、文字図形読取装置としての基本的
性能としては、充分満足したものが得られている。また
、この発明の装置によれば、原稿が密接または近接する
透明基板の面が平坦であるから、その面に原稿の紙くず
が溜つて光を妨げるようなことがなくなる。Further, according to the device of the present invention, a light shield is provided between the photodetector and the illumination body to prevent the light from the illumination body from directly entering the photodetector, and at the same time to reflect the light and return it to the illumination body. Since the layer is provided, the illumination effect by the illumination body is improved, and it is possible to reliably prevent the light from the illumination body from directly entering the photodetector and causing the photodetector to malfunction. In addition,
Even when the transparent substrate is composed of vertically arranged glass fibers, it is possible to maintain a sufficient optical signal ratio between the white background area and the character area, and to obtain a practically sufficient amount of detection light. Therefore, the basic performance as a character/figure reading device is sufficiently satisfactory. Further, according to the apparatus of the present invention, since the surface of the transparent substrate on which the document is closely or closely adjacent is flat, paper scraps of the document will not accumulate on that surface and interfere with light.

さらに、この発明の装置によれば、照明体の上部導体が
、光を透明基板側に効率よく反射させる材料からなるた
め、照明体による照明効果が一段と向上する。すなわち
、上部導体を例えばアルミニウム蒸着膜で形成した場合
、その理論的な反射率は町視光付近で約９１％である。
一方、照明体から発せられた光のうち上方に向つた光は
、通常、原稿の照明には供されないが、前記上部導体が
アルミニウム蒸着膜からなる場合、反射および光路差か
らくる光減衰を考えても、その５０％は上部導体で透明
基板側に反射されるようになり、原稿の照明に供される
ようになる。なお、光遮蔽層を設けることにより照明効
果が上がる理由も、これと同様である。すなわち、原稿
の照明に供されないで外部に放出されていた光を反射さ
せて原稿の照明に利用するのである。Further, according to the device of the present invention, the upper conductor of the illumination body is made of a material that efficiently reflects light toward the transparent substrate, so that the illumination effect of the illumination body is further improved. That is, when the upper conductor is formed of, for example, an aluminum vapor-deposited film, its theoretical reflectance is about 91% near the street light.
On the other hand, among the light emitted from the illumination body, the light directed upward is not normally used to illuminate the original, but if the upper conductor is made of an aluminum vapor-deposited film, light attenuation due to reflection and optical path difference should be considered. However, 50% of the light is reflected by the upper conductor toward the transparent substrate and is used to illuminate the original. Note that the reason why the illumination effect is improved by providing a light shielding layer is also similar to this. That is, the light that was emitted to the outside without being used to illuminate the original is reflected and used for illuminating the original.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図ａおよび第１図ｂはそれぞれ従来のライン読取装
置の概略的構成を示す図、第２図はこの発明の文字図形
読取装置の一実施例の構成の要部の拡大斜視図、第３図
は同実施例の全体的形状を示す斜視図、第４図ａは同実
施例の平面図、第４図ｂは第４図ａにおけるＡ−Ａ″線
に治つて切断して示す断面図、第４図ｃは第４図ａにお
けるＢ一Ｂ″線に溢つて切断して示す断面図、第５図ａ
ないし第５図ｆはそれぞれ同実施例の構成を説明するた
めの製造工程順序を示す図、第６図および第７図はそれ
ぞれこの発明の文次図形読取装置の他の実施例の構成を
示す断面図である。 ２・・・原稿、６・・・エレタトロルミネツセンス素子
、７・・・アモルフアスシリコン素子、８・・・透明基
板、１０・・・文字面、１１・・・駆動用集積回路、１
２・・・Ｎ＋側共通導体、１３・・・Ｐ＋側クロスオー
バ導体、１４・・・下部導体、１５・・・上部導体、１
６・・・ｐ＋層、１７・・・ｉ層、１８・・・ｎ＋層、
１９・・・アモルフアスシリコン絶縁層、２０，２０１
・・透明電極、２１・・・エレクトロルミネツセンス層
、２２・・・エレクトロルミネツセンス絶縁層、２３・
・・クロスオーバ絶縁層、２４・・・導体、２５・・・
光遮蔽層。FIGS. 1a and 1b are diagrams showing a schematic configuration of a conventional line reading device, respectively. FIG. 3 is a perspective view showing the overall shape of the same embodiment, FIG. 4 a is a plan view of the same embodiment, and FIG. 4 b is a cross section taken along line A-A'' in FIG. 4 a. Fig. 4c is a sectional view taken along line B-B'' in Fig. 4a, Fig. 5a
Figures 5f to 5f are diagrams showing the manufacturing process order for explaining the configuration of the same embodiment, and Figures 6 and 7 are diagrams showing the configuration of other embodiments of the sequential figure reading device of the present invention, respectively. FIG. 2... Manuscript, 6... Eretatroluminescence element, 7... Amorphous silicon element, 8... Transparent substrate, 10... Character surface, 11... Driving integrated circuit, 1
2... N+ side common conductor, 13... P+ side crossover conductor, 14... Lower conductor, 15... Upper conductor, 1
6...p+ layer, 17...i layer, 18...n+ layer,
19...Amorphous silicon insulating layer, 20, 201
...Transparent electrode, 21... Electroluminescent layer, 22... Electroluminescent insulating layer, 23.
...Crossover insulating layer, 24...Conductor, 25...
light shielding layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] １ ガラスファイバを垂直に配置した状態で束ねて形成
され、一方の平坦面に原稿の文字面が密接または近接す
る両面平坦な透明基板と、この透明基板の他方の平坦面
に配置され、発した光を前記透明基板側に効率よく反射
させる材料からなる上部導体を有し、前記光で透明基板
を介して原稿の文字面を照明する、エレクトロルミネッ
センスを利用した照明体と、この照明体と並んで前記透
明基板の他方の平坦面に配設され、前記原稿の文字面で
反射した光が透明基板を介して入射するアモルファスシ
リコンによる光検出器と、この光検出器と前記照明体間
に設けられ、照明体の光が直接光検出器に入射するのを
防止すると同時に、その光を反射させて照明体に戻す光
遮蔽層と、前記光検出器を駆動する駆動用集積回路とよ
りなる文字図形読取装置。1. A double-sided flat transparent substrate formed by bundling glass fibers arranged vertically, with the character surface of the original in close or close proximity to one flat surface, and a transparent substrate placed on the other flat surface of this transparent substrate, An illumination body using electroluminescence, which has an upper conductor made of a material that efficiently reflects light toward the transparent substrate, and illuminates the character surface of a document with the light through the transparent substrate; a photodetector made of amorphous silicon disposed on the other flat surface of the transparent substrate, through which light reflected from the character surface of the document enters through the transparent substrate; and a photodetector disposed between the photodetector and the illumination body. A light shielding layer that prevents the light from the illumination body from directly entering the photodetector, and at the same time reflects the light and returns it to the illumination body, and a driving integrated circuit that drives the photodetector. Graphic reading device.