JPS5941316B2 - 高速変調が可能な半導体レ−ザ装置 - Google Patents
高速変調が可能な半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS5941316B2 JPS5941316B2 JP50059005A JP5900575A JPS5941316B2 JP S5941316 B2 JPS5941316 B2 JP S5941316B2 JP 50059005 A JP50059005 A JP 50059005A JP 5900575 A JP5900575 A JP 5900575A JP S5941316 B2 JPS5941316 B2 JP S5941316B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- light
- output
- optical
- spike
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体レーザ、特に信号パルス電流による
光出力直接変調に際して高速変調が可能な半導体レーザ
装置に関する。
光出力直接変調に際して高速変調が可能な半導体レーザ
装置に関する。
半導体レーザは、小型、軽量、高効率、直接変調容易等
の多くの利点を持つているために光通信や光情報処理等
の重要な光源となりつつあるが、現状では信号パルス電
流による直接変調の上限は実用上毎秒４００メガビット
程度にとどまつている。
の多くの利点を持つているために光通信や光情報処理等
の重要な光源となりつつあるが、現状では信号パルス電
流による直接変調の上限は実用上毎秒４００メガビット
程度にとどまつている。
その主な原因は、光出力パルスの最初の部分にあられれ
るスパイク状の振動によつて光出力パルス波形がひどく
乱される点にある。したがつて、より高速の変調を行な
おうとする場合には、この光出力のスパイク状の振動を
消す必要があり、その一方法として直接変調される半導
体レーザの共振器に外部から光を注入する方法が考えら
れている（外部光の注入によるスパイク状振動の抑圧に
ついては例えば特願昭４９−９６７３７を参照されたい
）。この方法によれば、光出力のスパイク状の振動がほ
ぼ完全に抑圧されるとともに、レーザ発振の立上りの遅
れ時間も減少するために、良好な高速変調が可能となる
が、次のような欠点も有している。すなわち、外部から
注入する光の光源としても半導体レーザを用いるのが望
ましくそのためにひとつの半導体レーザ装置の中にふた
つの半導体レーザ素子を用いることになり、素子の寿命
の点でひとつの半導体レーザ素子だけを使う場合より劣
ることや、スパイク状の振動をおさえることによつて光
出力パルスの波高値を振動がないときの平均値に落して
しまうためにスパイク状振動の高い波高値を有効に利用
できないことなどである。この発明の目的は、上記欠点
を除去しひとつの半導体レーザ素子を用いた高速変調が
可能な半導体レーザ装置を提供することにある。
るスパイク状の振動によつて光出力パルス波形がひどく
乱される点にある。したがつて、より高速の変調を行な
おうとする場合には、この光出力のスパイク状の振動を
消す必要があり、その一方法として直接変調される半導
体レーザの共振器に外部から光を注入する方法が考えら
れている（外部光の注入によるスパイク状振動の抑圧に
ついては例えば特願昭４９−９６７３７を参照されたい
）。この方法によれば、光出力のスパイク状の振動がほ
ぼ完全に抑圧されるとともに、レーザ発振の立上りの遅
れ時間も減少するために、良好な高速変調が可能となる
が、次のような欠点も有している。すなわち、外部から
注入する光の光源としても半導体レーザを用いるのが望
ましくそのためにひとつの半導体レーザ装置の中にふた
つの半導体レーザ素子を用いることになり、素子の寿命
の点でひとつの半導体レーザ素子だけを使う場合より劣
ることや、スパイク状の振動をおさえることによつて光
出力パルスの波高値を振動がないときの平均値に落して
しまうためにスパイク状振動の高い波高値を有効に利用
できないことなどである。この発明の目的は、上記欠点
を除去しひとつの半導体レーザ素子を用いた高速変調が
可能な半導体レーザ装置を提供することにある。
この発明によれば、高速の信号パルス電流が印加される
半導体レーザ素子と、その少なとも一方の出力側に設置
されその出力光をおり返してその一部を前記半導体レー
ザ素子の活性領域へ帰還させる反射鏡とからなる半導体
レーザ装置が得られる。
半導体レーザ素子と、その少なとも一方の出力側に設置
されその出力光をおり返してその一部を前記半導体レー
ザ素子の活性領域へ帰還させる反射鏡とからなる半導体
レーザ装置が得られる。
この発明では、信号パルス電流で変調された半導体レー
ザの出力光の一部を適当な時間後にその半導体レーザに
もどしてやることによつて前述のスパイク状の振動の周
期および谷の落ち込みを減少させて変調特性を改善する
。
ザの出力光の一部を適当な時間後にその半導体レーザに
もどしてやることによつて前述のスパイク状の振動の周
期および谷の落ち込みを減少させて変調特性を改善する
。
すなわち出力光の一部をおり返してスパイク状の振動の
周期よりも短かい時間でもどしてやることにより、出力
光の振動の谷を埋めるのである。この方法は出力光の振
動を利用しているため出力光パルスはその振動による高
い波高値がそのまま有効に利用できる。また半導体レー
ザ素子はひとつで良いため素子の寿命の点でも他の方法
と較べて特に劣らない。帰還させる光強度は出力光強度
の数％以下で良いので、反射鏡等の設置は容易で長期的
な安定度も問題がない。尚、本発明に類似の発明が特開
昭４９一 ９１３８６及び特開昭４９−９７５８２公報に記載され
ている。
周期よりも短かい時間でもどしてやることにより、出力
光の振動の谷を埋めるのである。この方法は出力光の振
動を利用しているため出力光パルスはその振動による高
い波高値がそのまま有効に利用できる。また半導体レー
ザ素子はひとつで良いため素子の寿命の点でも他の方法
と較べて特に劣らない。帰還させる光強度は出力光強度
の数％以下で良いので、反射鏡等の設置は容易で長期的
な安定度も問題がない。尚、本発明に類似の発明が特開
昭４９一 ９１３８６及び特開昭４９−９７５８２公報に記載され
ている。
しかし、本発明は下記に示すように上記公報記載の発明
とは技術思想、構成、効果において異なつている。すな
わち、本発明は、単体の半導体レーザに反射鏡を付加し
て、その半導体レーザの出力光の一部を半導体レーザに
帰還する。一方、上記公報記載の発明は、半導体レーザ
に反射鏡を付加して外部共振器型の半導体レーザを構成
している。本発明では、レーザ発振は、単体の半導体レ
ーザで行ない、その出力光を一部帰還することにより波
形整形を可能にするものである。
とは技術思想、構成、効果において異なつている。すな
わち、本発明は、単体の半導体レーザに反射鏡を付加し
て、その半導体レーザの出力光の一部を半導体レーザに
帰還する。一方、上記公報記載の発明は、半導体レーザ
に反射鏡を付加して外部共振器型の半導体レーザを構成
している。本発明では、レーザ発振は、単体の半導体レ
ーザで行ない、その出力光を一部帰還することにより波
形整形を可能にするものである。
一方、上記公報記載の発明では、特開昭４９−９１３８
６公報第４７０頁右上１４行目〜１７行目、「共振器は
ダイオードのレンズと反対側の端面、レンズ及び平面鏡
で構成され、・・・・・・この共振器で決まる固有モー
ドの発振が得られる。］同第４７１頁右上１０行目「へ
き開の片側に蒸着により『無反射鏡１１」を施したレー
ザダイオード１を・・・・・・」とあり、また特開昭４
９−９７５８２公報第４８５頁左下特許請求の範囲１１
行目〜１５行目「前記半導体レーザ素子の一方の端面に
設けた第一の反射部材と、この第一の反射部材とともに
光共振器を構成するように前記光伝送体の外側の端面に
設けた第二の反射部材とを含む半導体レーザ装置・・・
・・・」（１）同Ｐ．４８８左上８行目から９行目「実
施例では、光共振器は反射面６と反射面７とにより構成
されている。」、とあるように、半導体レーザと反射鏡
でレーザ共振器を構成するので、半導体レーザ単体では
レーザ発振を起すことはできない。以上より明確なよう
に、本発明の反射鏡は、単なる反射鏡なのに対して、上
記公報記載の発明の反射鏡は、レーザ共振器を構成する
反射鏡の一方であり、趣きを異にする。
６公報第４７０頁右上１４行目〜１７行目、「共振器は
ダイオードのレンズと反対側の端面、レンズ及び平面鏡
で構成され、・・・・・・この共振器で決まる固有モー
ドの発振が得られる。］同第４７１頁右上１０行目「へ
き開の片側に蒸着により『無反射鏡１１」を施したレー
ザダイオード１を・・・・・・」とあり、また特開昭４
９−９７５８２公報第４８５頁左下特許請求の範囲１１
行目〜１５行目「前記半導体レーザ素子の一方の端面に
設けた第一の反射部材と、この第一の反射部材とともに
光共振器を構成するように前記光伝送体の外側の端面に
設けた第二の反射部材とを含む半導体レーザ装置・・・
・・・」（１）同Ｐ．４８８左上８行目から９行目「実
施例では、光共振器は反射面６と反射面７とにより構成
されている。」、とあるように、半導体レーザと反射鏡
でレーザ共振器を構成するので、半導体レーザ単体では
レーザ発振を起すことはできない。以上より明確なよう
に、本発明の反射鏡は、単なる反射鏡なのに対して、上
記公報記載の発明の反射鏡は、レーザ共振器を構成する
反射鏡の一方であり、趣きを異にする。
したがつて、刊行物１，２のレーザでは、反射鏡を含ん
だ外部共振器型の半導体レーザとして発振する。
だ外部共振器型の半導体レーザとして発振する。
その結果、この構成で緩和振動が発生すればそれを抑止
する作用は、公報記載の発明のどこにも無いことは明確
である。これに対して、本発明では、レーザ発振は単体
の半導体レーザで行なわれ、その出力光の緩和振動を外
部の反射鏡で抑えようとするものである。以上より、本
発明は、前記公報記載の発明とは、その目的のみならず
、構成、機能、効果においても明確に異なる。
する作用は、公報記載の発明のどこにも無いことは明確
である。これに対して、本発明では、レーザ発振は単体
の半導体レーザで行なわれ、その出力光の緩和振動を外
部の反射鏡で抑えようとするものである。以上より、本
発明は、前記公報記載の発明とは、その目的のみならず
、構成、機能、効果においても明確に異なる。
次に図面を参照してこの発明を詳しく説明する。
第１図はこの発明の基本的な構成を示す。すなわち半導
体レーザ素子１の一方の出力側に光学的距離Ｌだけ離し
て反射鏡を設置したものである。光学的距離とは現実の
距離とその媒質の屈折率の積のことをさす。第２図は反
射鏡２による光の帰還の効果を示す。すなわち第２図ａ
は変調電流波形を、第２図ｂは反射鏡２がないときの半
導体レーザ素子１の他方の出力光３の波形を、第２図Ｃ
は反射鏡２による光の帰還があるときの出力光３の波形
をそれぞれ示す。光学的距離Ｌで折り返されることによ
り半導体レーザ素子１の一方の出力光４はＴ＝２Ｌ／Ｃ
（Ｃは真空中での光速）の時間だけ遅れて半導体レーザ
素子１に帰還される。Ｔを反射鏡２が無いときの振動の
周期Ｔ，よりも小さくすることにより第２図ｂに示す振
動の谷をうめるように帰還した光が働き、第２図ｃのよ
うに振動の周期および谷の落ち込みを減少させることが
でき、信号パルス電流に良く応答した出力光パルスが得
られ高速変調が可能になる。この場合振動の周期はほぼ
Ｔとなる。レーザ発振の立上りの時点では帰還されてく
る光はほとんどないので、レーザ発振の立上りは反射鏡
２が無いときとほぼ同じで高い波高値の出力光パルスが
出る。光の帰還がある場合にも波高値はほぼそのまま保
たれるので、信号出力が大きくなり、効率が増す。第３
図はこの発明の第一の実施例の斜視図を示す。半導体レ
ーザ素子１は電極兼用の銅製ヒートシンク６の上にスズ
で融着し、電流印加用引出線７がつけてある。ヒートシ
ンク６の上に半導体レーザ素子１の一方の共振器端面に
近接して中心からの距離の二乗にほぼ比例して減少する
屈折率分布を有する長さ３ＴＩｔＴＬ１中心の屈折率が
１．６の集束性光伝送体５を設置し、半導体レーザ素子
１の一方の出力光４をほぼ平行な光ビーム８に変換する
。光ビーム８は集束性光伝送体５から２０Ｔ１Ｌｍ離れ
て設置した反射率５０（Ｆｔ）の平面の反射鏡２により
折り返されて半導体レーザ素子１に帰還される。この実
施例では反射鏡２までの光学的距離は約２５關となり、
Ｔ＝０．１７＋１秒で、光の帰還が無いときのスパイク
状振動の周期Ｔ，＝０．８＋１秒よりも短かく選ばれて
いるので帰還した光の効果によりスパイク状振動の深い
谷が埋められて、信号電流波形に艮く応答した波形が得
られ、高速変調が可能になつた。自分自身から出た光の
帰還により半導体レーザの出力光の波形が改善される様
子は第２図に示したのとほぼ同じであつた。反射鏡２の
後方に設置した光検出器９により反射鏡２を通り抜けた
出力光強度を検出して、半導体レーザ素子１の劣化や周
囲温度の変化にともなう出力光強度の変動をおさえるた
めのモニタ出力が得られた。
体レーザ素子１の一方の出力側に光学的距離Ｌだけ離し
て反射鏡を設置したものである。光学的距離とは現実の
距離とその媒質の屈折率の積のことをさす。第２図は反
射鏡２による光の帰還の効果を示す。すなわち第２図ａ
は変調電流波形を、第２図ｂは反射鏡２がないときの半
導体レーザ素子１の他方の出力光３の波形を、第２図Ｃ
は反射鏡２による光の帰還があるときの出力光３の波形
をそれぞれ示す。光学的距離Ｌで折り返されることによ
り半導体レーザ素子１の一方の出力光４はＴ＝２Ｌ／Ｃ
（Ｃは真空中での光速）の時間だけ遅れて半導体レーザ
素子１に帰還される。Ｔを反射鏡２が無いときの振動の
周期Ｔ，よりも小さくすることにより第２図ｂに示す振
動の谷をうめるように帰還した光が働き、第２図ｃのよ
うに振動の周期および谷の落ち込みを減少させることが
でき、信号パルス電流に良く応答した出力光パルスが得
られ高速変調が可能になる。この場合振動の周期はほぼ
Ｔとなる。レーザ発振の立上りの時点では帰還されてく
る光はほとんどないので、レーザ発振の立上りは反射鏡
２が無いときとほぼ同じで高い波高値の出力光パルスが
出る。光の帰還がある場合にも波高値はほぼそのまま保
たれるので、信号出力が大きくなり、効率が増す。第３
図はこの発明の第一の実施例の斜視図を示す。半導体レ
ーザ素子１は電極兼用の銅製ヒートシンク６の上にスズ
で融着し、電流印加用引出線７がつけてある。ヒートシ
ンク６の上に半導体レーザ素子１の一方の共振器端面に
近接して中心からの距離の二乗にほぼ比例して減少する
屈折率分布を有する長さ３ＴＩｔＴＬ１中心の屈折率が
１．６の集束性光伝送体５を設置し、半導体レーザ素子
１の一方の出力光４をほぼ平行な光ビーム８に変換する
。光ビーム８は集束性光伝送体５から２０Ｔ１Ｌｍ離れ
て設置した反射率５０（Ｆｔ）の平面の反射鏡２により
折り返されて半導体レーザ素子１に帰還される。この実
施例では反射鏡２までの光学的距離は約２５關となり、
Ｔ＝０．１７＋１秒で、光の帰還が無いときのスパイク
状振動の周期Ｔ，＝０．８＋１秒よりも短かく選ばれて
いるので帰還した光の効果によりスパイク状振動の深い
谷が埋められて、信号電流波形に艮く応答した波形が得
られ、高速変調が可能になつた。自分自身から出た光の
帰還により半導体レーザの出力光の波形が改善される様
子は第２図に示したのとほぼ同じであつた。反射鏡２の
後方に設置した光検出器９により反射鏡２を通り抜けた
出力光強度を検出して、半導体レーザ素子１の劣化や周
囲温度の変化にともなう出力光強度の変動をおさえるた
めのモニタ出力が得られた。
半導体レーザ素子１のもう一方の出力光３は何の制約も
うけずに他の光学系、例えば光フアイバ等へ結合するこ
とができるのは言うまでもない。光の帰還時間Ｔとして
はスパイク状振動の周期Ｔ１よりも短かければ出力光波
形は改善されるが、最も望ましい波形を得るためには、
ＴＴｌＴｌが一≦Ｔ≦−の範囲になければならないこと
がわかつているので、この発明を実施する上ではＴがこ
の範囲に入るように反射鏡までの光学的距離を設定する
ことが望ましい。
うけずに他の光学系、例えば光フアイバ等へ結合するこ
とができるのは言うまでもない。光の帰還時間Ｔとして
はスパイク状振動の周期Ｔ１よりも短かければ出力光波
形は改善されるが、最も望ましい波形を得るためには、
ＴＴｌＴｌが一≦Ｔ≦−の範囲になければならないこと
がわかつているので、この発明を実施する上ではＴがこ
の範囲に入るように反射鏡までの光学的距離を設定する
ことが望ましい。
第４図はこの発明の第二の実施例の断面図を示す。
これは長さ３Ｔｎｍの集束性光伝送体５と、長さが１６
ｍｕで一方の端面にＳｉＯ２とＴｉＯ２の多層膜を蒸着
により形成した反射膜１１を有する円柱ガラス１０とを
半導体レーザ素子１の片方の出力側に近接してヒートシ
ンク６上に設置したものである。集束性光伝送体５と円
柱ガラス１０の屈折率はともに約１．６で光学的距離は
約３０ｍｍとなり、Ｔ＝０．２＋１秒で、スパイク状振
動の周期ＴｌＯ．８＋１秒よりも小さく、光出力３のス
パイク状振動は実用上問題ない程度におさえられ、高速
変調が可能になつた。第５図はこの発明の第三の実施例
の斜視図を示す。
ｍｕで一方の端面にＳｉＯ２とＴｉＯ２の多層膜を蒸着
により形成した反射膜１１を有する円柱ガラス１０とを
半導体レーザ素子１の片方の出力側に近接してヒートシ
ンク６上に設置したものである。集束性光伝送体５と円
柱ガラス１０の屈折率はともに約１．６で光学的距離は
約３０ｍｍとなり、Ｔ＝０．２＋１秒で、スパイク状振
動の周期ＴｌＯ．８＋１秒よりも小さく、光出力３のス
パイク状振動は実用上問題ない程度におさえられ、高速
変調が可能になつた。第５図はこの発明の第三の実施例
の斜視図を示す。
第三の実施例では第二の実施例で用いた円柱ガラス１０
のかわりに、中心部の屈折率が周辺よりも大きい光フア
イバ１２を用い、集束性光伝送体５の長さを４．５ｍｍ
１こすることによつて半導体レーザ素子１の片方の出力
光を集束して光フアイバ１２に結合している。光フアイ
バ１２の一方の端面には反射膜１１がつけてあることは
第二の実施例と同様である。この実施例でもＴをスパイ
ク振動の周期Ｔ１よりも小さくすることにより、光出力
のスパイク状振動がおさえられ高速変調が実現できた。
光フアイバ１２は可撓性に富むために丸めて例えば半導
体レーザ素子１のパツケジ内へ入れてしまうことも可能
である。以上、代表的な実施例について説明したが、こ
の発明では半導体レーザ素子はひとつで済むので、例え
ば同一の装置内に半導体レーザ素子を複数個用いる場合
に較べて装置の信頼性が増す。
のかわりに、中心部の屈折率が周辺よりも大きい光フア
イバ１２を用い、集束性光伝送体５の長さを４．５ｍｍ
１こすることによつて半導体レーザ素子１の片方の出力
光を集束して光フアイバ１２に結合している。光フアイ
バ１２の一方の端面には反射膜１１がつけてあることは
第二の実施例と同様である。この実施例でもＴをスパイ
ク振動の周期Ｔ１よりも小さくすることにより、光出力
のスパイク状振動がおさえられ高速変調が実現できた。
光フアイバ１２は可撓性に富むために丸めて例えば半導
体レーザ素子１のパツケジ内へ入れてしまうことも可能
である。以上、代表的な実施例について説明したが、こ
の発明では半導体レーザ素子はひとつで済むので、例え
ば同一の装置内に半導体レーザ素子を複数個用いる場合
に較べて装置の信頼性が増す。
また帰還させる光強度はわずかで良いので反射鏡等の設
置は容易である。この発明は以上の代表的な実施例の他
にいくつかの変形が考えられる。
置は容易である。この発明は以上の代表的な実施例の他
にいくつかの変形が考えられる。
反射鏡２へ向う出力光４を集束するために用いた集束性
光伝送体５は、レンズ等の他の光集束素子で置き換えて
も良い。また反射鏡２は必ずしも平面鏡でなくても良く
光を半導体レーザ素子１へ帰還できれば、例えば球面鏡
であつても良い。また球面鏡であればそれ自体集束作用
を持つので他の光集束素子を特に用いなくても良い。さ
らに実施例では反射鏡２（あるいは反射膜１１）と半導
体レーザ素子１の共振器端面との光学的距離は固定した
が、これは一定である必要はなく、例えば反射鏡２を調
整台上に設置して光学的距離を可変にし、出力光波形が
最良になるように調節できるようにすることも可能であ
る。
光伝送体５は、レンズ等の他の光集束素子で置き換えて
も良い。また反射鏡２は必ずしも平面鏡でなくても良く
光を半導体レーザ素子１へ帰還できれば、例えば球面鏡
であつても良い。また球面鏡であればそれ自体集束作用
を持つので他の光集束素子を特に用いなくても良い。さ
らに実施例では反射鏡２（あるいは反射膜１１）と半導
体レーザ素子１の共振器端面との光学的距離は固定した
が、これは一定である必要はなく、例えば反射鏡２を調
整台上に設置して光学的距離を可変にし、出力光波形が
最良になるように調節できるようにすることも可能であ
る。
第１図はこの発明の基本的な構成図、第２図はこの発明
の効果を説明するための図、第３図はこの発明の第一の
実施例の斜視図、第４図はこの発明の第二の実施例の断
面図、第５図はこの発明の第三の実施例の斜視図をそれ
ぞれあられす。 なお図において、１は半導体レーザ素子、２は反射鏡、
３および４は半導体レーザ素子１の出力光、５は集束性
光伝送体、６はヒートシンク、７は電流印加用引出線、
８は光ビーム、９は光検出器、１０は円柱ガラス、１１
は反射膜、１２は光フアイバ をそれぞれあられす。
の効果を説明するための図、第３図はこの発明の第一の
実施例の斜視図、第４図はこの発明の第二の実施例の断
面図、第５図はこの発明の第三の実施例の斜視図をそれ
ぞれあられす。 なお図において、１は半導体レーザ素子、２は反射鏡、
３および４は半導体レーザ素子１の出力光、５は集束性
光伝送体、６はヒートシンク、７は電流印加用引出線、
８は光ビーム、９は光検出器、１０は円柱ガラス、１１
は反射膜、１２は光フアイバ をそれぞれあられす。
Claims (1)
- １ 信号電流の印加によつてスパイク状振動を伴つた出
力光を放出する半導体レーザ素子と、その少なくとも一
方の出力側に設置され前記出力光の少なくとも一部を前
記スパイク状振動の周期よりも短かい時間のうちに前記
半導体レーザ素子に帰還させる手段とよりなる高速変調
が可能な半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50059005A JPS5941316B2 (ja) | 1975-05-17 | 1975-05-17 | 高速変調が可能な半導体レ−ザ装置 |
| US05/685,915 US4079339A (en) | 1975-05-17 | 1976-05-12 | Light self-injecting semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50059005A JPS5941316B2 (ja) | 1975-05-17 | 1975-05-17 | 高速変調が可能な半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51134593A JPS51134593A (en) | 1976-11-22 |
| JPS5941316B2 true JPS5941316B2 (ja) | 1984-10-05 |
Family
ID=13100725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50059005A Expired JPS5941316B2 (ja) | 1975-05-17 | 1975-05-17 | 高速変調が可能な半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941316B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5214389A (en) * | 1975-07-14 | 1977-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
| JPS5740528Y2 (ja) * | 1977-01-21 | 1982-09-06 | ||
| JPS53149779A (en) * | 1978-04-06 | 1978-12-27 | Sharp Corp | Preventive structure from transition vibration of semiconductor laser element |
| JPS5680193A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
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| JPS4991386A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-31 | ||
| JPS4997582A (ja) * | 1973-01-18 | 1974-09-14 |
-
1975
- 1975-05-17 JP JP50059005A patent/JPS5941316B2/ja not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51134593A (en) | 1976-11-22 |
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