JPS5928350A - 樹脂封止型半導体装置用金型 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用金型Info
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- JPS5928350A JPS5928350A JP13831482A JP13831482A JPS5928350A JP S5928350 A JPS5928350 A JP S5928350A JP 13831482 A JP13831482 A JP 13831482A JP 13831482 A JP13831482 A JP 13831482A JP S5928350 A JPS5928350 A JP S5928350A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title abstract description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/37—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings
- B29C45/372—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings provided with means for marking or patterning, e.g. numbering articles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置用金型の改良に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は異なった品種であっても
同じ外形寸法ｔもつものは同一金型で樹脂封止され１品
名や製造口νトの区別は樹脂封止後にインクで捺印する
ことによって区別されていた。しかし、このような方法
では捺印とインクの乾燥に多大な工数を必要とする欠点
があった。また、取り扱い中に捺印面が他の物と接触す
ると捺印が不鮮明になったシ判読できなくなったジする
欠点があった。また、捺印時に封止樹脂の表面が帯電し
、累子が静電破壊を起こして歩留が低下する欠点があっ
た。このような欠点奮解決するためには金型のキャビテ
イ面に直接商標１品名、製造ロット番号を刻めば樹脂封
止と同時に形成された封止樹脂面の凹凸によってこれら
商標９品名、製造ロット番号が識別されるので上述した
捺印に起因する欠点は全て解決されるが、逆に品名毎に
あるいけ製造ロフト番号毎に金型を作製しなければなら
ず製造原価が非常に高くなるのでこのような方法は実用
的ではなかった。
同じ外形寸法ｔもつものは同一金型で樹脂封止され１品
名や製造口νトの区別は樹脂封止後にインクで捺印する
ことによって区別されていた。しかし、このような方法
では捺印とインクの乾燥に多大な工数を必要とする欠点
があった。また、取り扱い中に捺印面が他の物と接触す
ると捺印が不鮮明になったシ判読できなくなったジする
欠点があった。また、捺印時に封止樹脂の表面が帯電し
、累子が静電破壊を起こして歩留が低下する欠点があっ
た。このような欠点奮解決するためには金型のキャビテ
イ面に直接商標１品名、製造ロット番号を刻めば樹脂封
止と同時に形成された封止樹脂面の凹凸によってこれら
商標９品名、製造ロット番号が識別されるので上述した
捺印に起因する欠点は全て解決されるが、逆に品名毎に
あるいけ製造ロフト番号毎に金型を作製しなければなら
ず製造原価が非常に高くなるのでこのような方法は実用
的ではなかった。
本発明の目的は異なった商標１品名、！！！造ロシト番
号であっても同じ外形寸法をもつものは同一金型で樹脂
封止でき、かつ、これら商標９品名。
号であっても同じ外形寸法をもつものは同一金型で樹脂
封止でき、かつ、これら商標９品名。
製造ロット番号？樹脂封止と同時に形成して従来の捺印
工程？全て無くすことによって捺印に起因する欠点全会
て解決した半導体装置？製造できる金型を提供すること
？目的とする。
工程？全て無くすことによって捺印に起因する欠点全会
て解決した半導体装置？製造できる金型を提供すること
？目的とする。
上記目的を達成するため本発明は、キャビティの主面（
従来の捺印される面〕の全面又は一部に金Ｗ衣面の側か
ら取ｐ付けおよび取りはずしが可能な刻印？１個又は複
数個設けたこと？第一の特徴とする。第二に、該刻印に
は商標１品名、製造ロッ）ｆ表わす番号や記号が咳刻印
表面の凸部又は凹部によって刻まれていることを特徴と
する。
従来の捺印される面〕の全面又は一部に金Ｗ衣面の側か
ら取ｐ付けおよび取りはずしが可能な刻印？１個又は複
数個設けたこと？第一の特徴とする。第二に、該刻印に
は商標１品名、製造ロッ）ｆ表わす番号や記号が咳刻印
表面の凸部又は凹部によって刻まれていることを特徴と
する。
第三に、刻印の熱膨張率は金型の熱膨張率よりも犬キ＜
、刻印は室温から金型の使用温度に達するまでの熱膨張
によりて金型に取り付けられること葡特徴とする。
、刻印は室温から金型の使用温度に達するまでの熱膨張
によりて金型に取り付けられること葡特徴とする。
以下５本発明？図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例ケ示す金型の断面図である。キ
ャビティ１３の主面に凹部１２’（１１−設け。
ャビティ１３の主面に凹部１２’（１１−設け。
その凹部１２に刻印］ｌが取ν付けられている。
第２図は第１図の刻印１１の平面図であシ、商標２５、
品名２６およびロット番号２７が刻まれている。この刻
印１１の金型１４への取ジ伺は方法は刻印１１が室温か
ら金をの使用温度（約１６０〜１７０°Ｃ）に達するま
での熱膨張奮利用して取り付ける方法が最も良い。丁な
わ、ぢ、まず刻印１１の熱膨張重金金型１４の熱膨張率
よりも大きくする。次に刻印１１の室温での太きさは金
型の凹部１２の金型使用温度での太キ式よりも小さくし
、刻印１１の金型使用温度での大きさくすなわち熱膨張
後の大きさ）は金型の凹部１２の金型使用温度での大き
さよりも大きくなるように刻印１１と金型の凹部１２と
の大きさの関係ケ定める。
品名２６およびロット番号２７が刻まれている。この刻
印１１の金型１４への取ジ伺は方法は刻印１１が室温か
ら金をの使用温度（約１６０〜１７０°Ｃ）に達するま
での熱膨張奮利用して取り付ける方法が最も良い。丁な
わ、ぢ、まず刻印１１の熱膨張重金金型１４の熱膨張率
よりも大きくする。次に刻印１１の室温での太きさは金
型の凹部１２の金型使用温度での太キ式よりも小さくし
、刻印１１の金型使用温度での大きさくすなわち熱膨張
後の大きさ）は金型の凹部１２の金型使用温度での大き
さよりも大きくなるように刻印１１と金型の凹部１２と
の大きさの関係ケ定める。
このようにすると刻印１１荀凹部１２に収納する時点で
は刻印１１の方が小さいから容易に収納で＠、その後直
ちに刻印１１は金型使用温度に達するから熱膨張によっ
て凹部１２に固定される。取りはずしは冷たい空気上刻
印１１に吹きつけると瞬間的に刻印１１の温度が下がる
ので容易に取りはずしかできる。このような構造にすれ
ば商標。
は刻印１１の方が小さいから容易に収納で＠、その後直
ちに刻印１１は金型使用温度に達するから熱膨張によっ
て凹部１２に固定される。取りはずしは冷たい空気上刻
印１１に吹きつけると瞬間的に刻印１１の温度が下がる
ので容易に取りはずしかできる。このような構造にすれ
ば商標。
品名、製造ロット番号が変わるたびに刻印１１’に取り
換えるだけで捺印工程の不必要な半導体装置を同一金型
で容易に製造でき、従来の捺印に起因する欠点全会て無
くすことができる。刻印１１は熱膨張によって凹部１２
に十分に固定されているので樹脂封止後半導体装置を金
型から取りはずす際に刻印１１がはずれることはなかっ
た。また刻印１１と凹部１２との接触する側面の平面度
ヲ十分に上げることによりてこの接触面にレジンフラッ
シュが発生することはなかった。刻印１１は第３図に示
すように商標部分３５１品名部分３６゜製造ロット番号
部分３７に分割し、更に製造ロット番号も各々分割する
ことによって必要な部分のみケ取り換えることができる
。ｔた１分割された刻印はｉ４図に示すように更に外側
を枠４８で囲むことによって容易に金型に取り付けるこ
とができる。この場合、金型１４と枠４８と分割された
刻印４１との熱膨張率の関係はこの頴番に太きくし、ま
ず室温と金型使用温度との中間温度で枠４８と分割され
た刻印４１とｉｌつに固足し２次にその全体の刻印４０
を金型の凹部１２に取り付ける方法が良い。
換えるだけで捺印工程の不必要な半導体装置を同一金型
で容易に製造でき、従来の捺印に起因する欠点全会て無
くすことができる。刻印１１は熱膨張によって凹部１２
に十分に固定されているので樹脂封止後半導体装置を金
型から取りはずす際に刻印１１がはずれることはなかっ
た。また刻印１１と凹部１２との接触する側面の平面度
ヲ十分に上げることによりてこの接触面にレジンフラッ
シュが発生することはなかった。刻印１１は第３図に示
すように商標部分３５１品名部分３６゜製造ロット番号
部分３７に分割し、更に製造ロット番号も各々分割する
ことによって必要な部分のみケ取り換えることができる
。ｔた１分割された刻印はｉ４図に示すように更に外側
を枠４８で囲むことによって容易に金型に取り付けるこ
とができる。この場合、金型１４と枠４８と分割された
刻印４１との熱膨張率の関係はこの頴番に太きくし、ま
ず室温と金型使用温度との中間温度で枠４８と分割され
た刻印４１とｉｌつに固足し２次にその全体の刻印４０
を金型の凹部１２に取り付ける方法が良い。
本発明の金型は必ずしも商標１品名、製造ロフト番号の
全て？取り換え可能な刻印にする必要はなく１例えば商
標は金型のキャビテイ面に直接刻んでもよい。また、刻
印１１ｉ取シ付けた後のキャビテイ面は必ずしも同一平
面でなくても良く。
全て？取り換え可能な刻印にする必要はなく１例えば商
標は金型のキャビテイ面に直接刻んでもよい。また、刻
印１１ｉ取シ付けた後のキャビテイ面は必ずしも同一平
面でなくても良く。
例えば刻印１１が多少用ていても良い。また、商標９品
名、製造ロット番号は刻印の凹部で形成しても凸部で形
成しても良い。
名、製造ロット番号は刻印の凹部で形成しても凸部で形
成しても良い。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す刻印が取り付けられた金
型を示す断面図である。第２図は刻印の平面図、第３図
は分割された刻印の平面図、第４図は分割された刻印が
枠によって囲まれて全体として１つの刻印を形成してい
る平面図である。 尚、図において、１１，３１．４１・・・・・・刻印、
１２・・・・・・金型の凹部、１３・・・・・・キャビ
ティ、１４・・・・・・金型、２５・・・・・・商標％
２６・・・・・・品名、２７・・・・・・製造ロフト
番号、３５．３６．３７．４５．４６゜４７・・・・・
・分割された刻印、４８・・・・・・枠、４０・・・・
・・枠と分割され之刻印が１つに合わさった刻印である
も 茅 １ 図 半２侶
型を示す断面図である。第２図は刻印の平面図、第３図
は分割された刻印の平面図、第４図は分割された刻印が
枠によって囲まれて全体として１つの刻印を形成してい
る平面図である。 尚、図において、１１，３１．４１・・・・・・刻印、
１２・・・・・・金型の凹部、１３・・・・・・キャビ
ティ、１４・・・・・・金型、２５・・・・・・商標％
２６・・・・・・品名、２７・・・・・・製造ロフト
番号、３５．３６．３７．４５．４６゜４７・・・・・
・分割された刻印、４８・・・・・・枠、４０・・・・
・・枠と分割され之刻印が１つに合わさった刻印である
も 茅 １ 図 半２侶
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＜１） 樹脂封止型半導体装置用金型において、キャ
ビティの主面の全面又は一部に金型表面の側から取り付
けおよび取シはすしが可能な刻印に１個又は複数個設け
たことｔ特徴とする樹脂封止型半導体装置用金型。 （２）該刻印には商標、又は品名、又は製造ロフトを表
わす番号又は記号が該刻印表面の凸部又は凹部によって
刻まれていることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項記載の樹脂封止型半導体装置用金型。 （３）被刻印の熱膨張率は該金型の熱膨張率よりも大き
く、該刻印は熱膨張によって該金型に取り付けられる構
造であることｔ特徴とする特許請求の範囲第（１）項又
は第（２）項記載の樹脂封止型半導体装置用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13831482A JPS5928350A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 樹脂封止型半導体装置用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13831482A JPS5928350A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 樹脂封止型半導体装置用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928350A true JPS5928350A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15218991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13831482A Pending JPS5928350A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 樹脂封止型半導体装置用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928350A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02205042A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-14 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用樹脂封止金型 |
| US5153052A (en) * | 1987-11-27 | 1992-10-06 | Nifco, Inc. | Double-shot molded resin article |
| EP0756925A1 (en) * | 1995-08-04 | 1997-02-05 | Matsushita Electronics Corporation | Resin sealing die, resin-sealed-type semiconductor device and method of manufacturing the device |
| WO1997031394A1 (en) * | 1996-02-22 | 1997-08-28 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP0935287A3 (en) * | 1998-02-09 | 2000-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Molding die and marking method for semiconductor devices |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP13831482A patent/JPS5928350A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5153052A (en) * | 1987-11-27 | 1992-10-06 | Nifco, Inc. | Double-shot molded resin article |
| JPH02205042A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-14 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用樹脂封止金型 |
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| US5817208A (en) * | 1995-08-04 | 1998-10-06 | Matsushita Electronics Corporation | Resin sealing die, resin-sealed-type semiconductor device and method of manufacturing the device |
| WO1997031394A1 (en) * | 1996-02-22 | 1997-08-28 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6144108A (en) * | 1996-02-22 | 2000-11-07 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| EP0935287A3 (en) * | 1998-02-09 | 2000-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Molding die and marking method for semiconductor devices |
| US6270712B1 (en) | 1998-02-09 | 2001-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Molding die and marking method for semiconductor devices |
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