JPS5927754B2 - ダイヤモンドの合成法 - Google Patents
ダイヤモンドの合成法Info
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- JPS5927754B2 JPS5927754B2 JP56204321A JP20432181A JPS5927754B2 JP S5927754 B2 JPS5927754 B2 JP S5927754B2 JP 56204321 A JP56204321 A JP 56204321A JP 20432181 A JP20432181 A JP 20432181A JP S5927754 B2 JPS5927754 B2 JP S5927754B2
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- gas
- substrate
- hydrogen gas
- hydrocarbon
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化学気相析出法によるダイヤモンドの合成法に
関する。
関する。
従来、気相析出法によるダイヤモンド合成法としては次
のような方法が知られている。
のような方法が知られている。
１）炭化水素を加熱した基板表面に導入し、その熱エネ
ルギーで熱分解して、遊離炭素を生成せしめて、ダイヤ
モンドを析出する化学気相析出法。
ルギーで熱分解して、遊離炭素を生成せしめて、ダイヤ
モンドを析出する化学気相析出法。
２）アーク放電とスパッタリングの技術を組合せて、炭
素の正イオンビームを生成せしめ、これを加速、さらに
集束して、基板表面に衝突させてダイヤモンドを析出さ
せるイオンビーム法。
素の正イオンビームを生成せしめ、これを加速、さらに
集束して、基板表面に衝突させてダイヤモンドを析出さ
せるイオンビーム法。
３）電極間に直流放電を発生し、放電中の高エネルギー
を持った電子を利用して炭化水素の化学結合を解き放す
と同時に励起状態の炭素原子を生成せしめ、基板表面に
ダイヤモンド析出する化学気相析出法。
を持った電子を利用して炭化水素の化学結合を解き放す
と同時に励起状態の炭素原子を生成せしめ、基板表面に
ダイヤモンド析出する化学気相析出法。
４）黒鉛、基板と水素ガスを封入し、黒鉛を高温部に基
板を低温部に設置し、水素ガスを熱的、あるいは放電に
よって、原子状水素を生成せしめ、不均化反応を利用し
て、基板表面にダイヤモンドを析出させる化学輸送法な
どがある。
板を低温部に設置し、水素ガスを熱的、あるいは放電に
よって、原子状水素を生成せしめ、不均化反応を利用し
て、基板表面にダイヤモンドを析出させる化学輸送法な
どがある。
前記１）の化学気相析出法は減圧下で１１００°Ｃ以下
の温度に加熱した基板表面で炭化水素を熱分解して、ダ
イヤモンド層を形成せしめるため、ダイヤモンドより安
定な黒鉛、非ダイヤモンド炭素の析出が避けられない。
の温度に加熱した基板表面で炭化水素を熱分解して、ダ
イヤモンド層を形成せしめるため、ダイヤモンドより安
定な黒鉛、非ダイヤモンド炭素の析出が避けられない。
これらはダイヤモンドの生成を阻害する。
従って周期的に析出の操作と酸素ガス、または水素ガス
を導入して、基板表面に析出した黒鉛、非ダイヤモンド
炭素を除去する操作を繰返して行うことが必璧である。
を導入して、基板表面に析出した黒鉛、非ダイヤモンド
炭素を除去する操作を繰返して行うことが必璧である。
また析出速度が遅く、基板がダイヤモンドに限定される
などの欠点がある。
などの欠点がある。
前記２）のイオンビーム法は常温で各種材料の基板表面
にダイヤモンドを析出することができる利点がある。
にダイヤモンドを析出することができる利点がある。
炭素の正イオンビームを発生する装置、およびその集束
装置が高価であり、放電持続に用いる不活性ガスの原子
が析出したダイヤモンド格子中に取り込まれるなどの欠
点がある。
装置が高価であり、放電持続に用いる不活性ガスの原子
が析出したダイヤモンド格子中に取り込まれるなどの欠
点がある。
前記３）の反応ガスの導入と同期して、周期的にプラズ
マを発生して、ダイヤモンドを合成する方法は、プラズ
マの密度を全域にわたって均一に保持することが困難で
ある。
マを発生して、ダイヤモンドを合成する方法は、プラズ
マの密度を全域にわたって均一に保持することが困難で
ある。
この密度の不均質により、ダイヤモンド以外に非ダイヤ
モンド炭素が析出する欠点がある。
モンド炭素が析出する欠点がある。
前記４）の化学輸送法は封管法であり、封管内で黒鉛と
原子状水素との反応によって生成した炭化水素を利用す
る方法であるため、連続操業することが困難である。
原子状水素との反応によって生成した炭化水素を利用す
る方法であるため、連続操業することが困難である。
また反応ガスの濃度、およびその比率、加熱温度等の合
成条件を独立して可変することができないなどの欠点を
有している。
成条件を独立して可変することができないなどの欠点を
有している。
本発明の方法は前記の従来法の欠点を改善せんとするも
のであり、反応ガスの濃度、およびその比率、加熱温度
、反応系の圧力、などの合成条件を独立して可変するこ
とが容易であり、基板表面に粒状ダイヤモンド、あるい
は膜状ダイヤモンドを安定して、合成する方法を提供す
るものである。
のであり、反応ガスの濃度、およびその比率、加熱温度
、反応系の圧力、などの合成条件を独立して可変するこ
とが容易であり、基板表面に粒状ダイヤモンド、あるい
は膜状ダイヤモンドを安定して、合成する方法を提供す
るものである。
本発明は水素ガスをマイクロ波無極電放電中を通過させ
た後炭化水素と混合した混合ガス、または炭化水素と水
素との混合ガスをマイクロ波無極電放電中を通過せしめ
た混合ガスを３００〜１３００℃に加熱した基板表面に
導入して、励起状態の炭化水素の熱分解によりダイヤモ
ンドを析出させる方法によって、前記目的を達成したも
のである。
た後炭化水素と混合した混合ガス、または炭化水素と水
素との混合ガスをマイクロ波無極電放電中を通過せしめ
た混合ガスを３００〜１３００℃に加熱した基板表面に
導入して、励起状態の炭化水素の熱分解によりダイヤモ
ンドを析出させる方法によって、前記目的を達成したも
のである。
本発明の方法の原理を示すと、黒鉛が熱力学的に安定な
温度、圧力でダイヤモンドを合成するためには、個々に
分離した炭素原子を生成せしめること、これらの炭素原
子が励起状態にあること、この励起状態がダイヤモンド
の核を形成するまで持続すること等の条件を満たすこと
が必要である。
温度、圧力でダイヤモンドを合成するためには、個々に
分離した炭素原子を生成せしめること、これらの炭素原
子が励起状態にあること、この励起状態がダイヤモンド
の核を形成するまで持続すること等の条件を満たすこと
が必要である。
また炭化水素の熱分解で生成した遊離炭素からダイヤモ
ンドを成長させるためにはＳＦ３の結合を生じせしめる
に充分な反応エネルギーを遊離炭素に供給することが必
要である。
ンドを成長させるためにはＳＦ３の結合を生じせしめる
に充分な反応エネルギーを遊離炭素に供給することが必
要である。
本発明の方法においては、水素ガスをマイクロ波無極放
電中を通過せしめた後、炭化水素と混合、または炭化水
素と水素ガスとを混合した後、マイクロ波無極放電中を
通過せしめて励起状態の炭化水素、励起状態または原子
状態の水素を生成せしめる。
電中を通過せしめた後、炭化水素と混合、または炭化水
素と水素ガスとを混合した後、マイクロ波無極放電中を
通過せしめて励起状態の炭化水素、励起状態または原子
状態の水素を生成せしめる。
この励起状態の炭化水素が加熱された基板表面で熱分解
した時に生成する遊離炭素原子にＳＰ３結合を起すに充
分な反応エネルギーを供給する。
した時に生成する遊離炭素原子にＳＰ３結合を起すに充
分な反応エネルギーを供給する。
また励起状態または原子状態の水素は黒鉛および非ダイ
ヤモンド炭素を成長させる原因となるＳＦ３．ＳＰ結合
を持った核と反応し、これをＳＰ３結合に変換、あるい
は炭化水素を生成し、ダイヤモンドが成長する面の清浄
化の作用をする。
ヤモンド炭素を成長させる原因となるＳＦ３．ＳＰ結合
を持った核と反応し、これをＳＰ３結合に変換、あるい
は炭化水素を生成し、ダイヤモンドが成長する面の清浄
化の作用をする。
本発明の方法においては安定に放電を持続させルタめマ
イクロ波無極放電を採用した。
イクロ波無極放電を採用した。
直流放電の場合は電極を利用するため、長時間連続して
放電の発生は電極が損傷を受けるため困難である。
放電の発生は電極が損傷を受けるため困難である。
また数拾メガヘルツ以下の周波数による無極放電の発生
は糸の圧力に強く依存する。
は糸の圧力に強く依存する。
マイクロ波無極放電は糸の圧力の依存度を軽減すること
ができる。
ができる。
数拾メガヘルツでは炭化水素にダイヤモンドを析出する
に充分な励起状態を与えるには不充分である。
に充分な励起状態を与えるには不充分である。
使用する混合ガスの炭化水素と水素ガスとの混合比率は
広い範囲に変更し得られるが黒鉛、非ダイヤモンド炭素
の析出を防止する観点から、その上限は１０以下である
ことが望ましい。
広い範囲に変更し得られるが黒鉛、非ダイヤモンド炭素
の析出を防止する観点から、その上限は１０以下である
ことが望ましい。
粒状ダイヤモンドを合成するには約０．０１以下、膜状
ダイヤモンドを析出するには０．１以上であることが望
ましい。
ダイヤモンドを析出するには０．１以上であることが望
ましい。
基板温度は析出したダイヤモンドが黒鉛に逆転移する現
象を防止し、また励起状態の炭化水素が基板表面で熱分
解を起すに必要な温度であることを必要とするので、３
００〜１３００℃であることが望ましい。
象を防止し、また励起状態の炭化水素が基板表面で熱分
解を起すに必要な温度であることを必要とするので、３
００〜１３００℃であることが望ましい。
特に５００〜１０００°Ｃが好ましい。
無極型放電を発生する管内の圧力は、放電を安定に維持
するために０．０５〜４００ Ｔｏｒｒの範囲がよい。
するために０．０５〜４００ Ｔｏｒｒの範囲がよい。
本発明の方法は開管法であるため炭化水素と水素ガスと
の混合比率、ガスの流速、基板温度、ならびにマイクロ
波発振機の出力を調整することによって、励起状態の炭
化水素、水素、原子状態の水素の生成量などを独立に制
御することができるので、核形成速度を制御することが
容易である。
の混合比率、ガスの流速、基板温度、ならびにマイクロ
波発振機の出力を調整することによって、励起状態の炭
化水素、水素、原子状態の水素の生成量などを独立に制
御することができるので、核形成速度を制御することが
容易である。
この核形成速度を制御することにより粒状ダイヤモンド
、あるいは膜状ダイヤモンドを容易に合成し得る。
、あるいは膜状ダイヤモンドを容易に合成し得る。
次に本発明の方法を実施する装置の態様を示すと第１図
、第２図に示す通りである。
、第２図に示す通りである。
第１図は水素ガスをマイクロ波無極電放電中を通過せし
めた後、炭化水素ガスと混合する方法であり、第２図は
炭化水素と水素ガスとの混合ガスをマイクロ波無極放電
中を通過せしめる方式である。
めた後、炭化水素ガスと混合する方法であり、第２図は
炭化水素と水素ガスとの混合ガスをマイクロ波無極放電
中を通過せしめる方式である。
第１図、第２図において、１は炭化水素ガス供給装置、
２は水素ガス供給装置、３はマイクロ波発振機、４はウ
ェーブガイド、５は反応室、６は排気装置である。
２は水素ガス供給装置、３はマイクロ波発振機、４はウ
ェーブガイド、５は反応室、６は排気装置である。
５の析出室には基板７を支持する支持台８が設置され、
第１図においては抵抗加熱炉９にて基板を加熱している
。
第１図においては抵抗加熱炉９にて基板を加熱している
。
第２図においてはハロゲンランプから発する光を集光す
る赤外線集中照射炉１０で加熱を行っている。
る赤外線集中照射炉１０で加熱を行っている。
１２，１３．１４は水素ガス、炭化水素ガスの流量なら
びに装置内の圧力を調整するコックである。
びに装置内の圧力を調整するコックである。
１５は排気口である反応室５内の支持上に基板７を設置
した後、排気装置６を作動して、装置内を減圧すると共
にコック１２，１３．１４を調整して、水素ガスの流量
ならびに装置内の圧力を所定の値に保持する。
した後、排気装置６を作動して、装置内を減圧すると共
にコック１２，１３．１４を調整して、水素ガスの流量
ならびに装置内の圧力を所定の値に保持する。
次に抵抗加熱炉９により、基板を所定の温度に保持する
。
。
赤外線集中照射炉の場合はハロゲンランプ１１に流れる
電流を調整して基板温度を制御する。
電流を調整して基板温度を制御する。
次にマイクロ波発振機を作動し、マイクロ波無極電放電
を発生せしめると共に、予め流量調整した炭化水素ガス
を導入する。
を発生せしめると共に、予め流量調整した炭化水素ガス
を導入する。
実施例 １
モリブデンを基板とし、反応ガスとしてメタンガスと水
素ガスを用いる。
素ガスを用いる。
排気装置を作動し、反応系を減圧にする。
次に水素ガスを毎分１ｏｏｃｃの流量で供給すると共に
コック１２．１３を調整して、反応系内の圧力をＱ、５
Ｔｏｒｒに調整する。
コック１２．１３を調整して、反応系内の圧力をＱ、５
Ｔｏｒｒに調整する。
マイクロ波発振機によって無極電放電を発生する。
次に基本温度を９００℃に上昇せしめると共に、メタン
ガスを毎分２０ＣＣの流量で供給し、前記の無極電放電
中を通過した水素ガスと混合し、加熱基板上に導入する
。
ガスを毎分２０ＣＣの流量で供給し、前記の無極電放電
中を通過した水素ガスと混合し、加熱基板上に導入する
。
３時間析出を行い、基板表面に１μｍ程度のダイヤモン
ドの析出層を得た。
ドの析出層を得た。
実施例 ２
シリコンウェハーを基板とし、反応ガスとしてメタンガ
スと水素ガスを用いる。
スと水素ガスを用いる。
排気装置を作動し、反応系を減圧にする。
次に水素ガス、炭化水素ガスを各々毎分ｔ ｏ ｏｃｃ
ｙ ｉ ｏｃｃで供給すると共にコック１２．１３を調
整して、反応系内の圧力を０．ＩＴｏｒｒに調整する。
ｙ ｉ ｏｃｃで供給すると共にコック１２．１３を調
整して、反応系内の圧力を０．ＩＴｏｒｒに調整する。
次に基板温度を７００℃に上昇せしめると共に、マイク
ロ波発振機によって無極電放電を発生する。
ロ波発振機によって無極電放電を発生する。
３時間析出を行い、基板表面に２μｍ程度のダイヤモン
ド粒子の析出を得た。
ド粒子の析出を得た。
第１図、第２図は本発明の方法を実施する合成装置の態
様を示す。 １・・・・・・炭化水素ガス供給装置、２・・・・・・
水素ガス供給装置、３・・・・・・マイクロ波発振機
４ ｓａ＋ｌｌｌ＋’ウェーブガイド、５・・・・・・
反応室、６・・・・・・排気装置、７・・・・・・基板
、８・・・・・・支持台、９・・・・・−加熱炉、１ｏ
・・・・・・赤外線集中照射炉、１１・・・・・史ロゲ
ンランプ、１２．１３，１４・・・・・・コック、１５
・・聞排気口。
様を示す。 １・・・・・・炭化水素ガス供給装置、２・・・・・・
水素ガス供給装置、３・・・・・・マイクロ波発振機
４ ｓａ＋ｌｌｌ＋’ウェーブガイド、５・・・・・・
反応室、６・・・・・・排気装置、７・・・・・・基板
、８・・・・・・支持台、９・・・・・−加熱炉、１ｏ
・・・・・・赤外線集中照射炉、１１・・・・・史ロゲ
ンランプ、１２．１３，１４・・・・・・コック、１５
・・聞排気口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 水素ガスをマイクロ波無極電放電中を通過させた後
炭化水素と混合した混合ガス、または炭化水素と水素ガ
スとの混合ガスをマイクロ波無極電放電中を通過させた
混合ガスを、３００〜１３００℃に加熱した基板表面に
導入し、炭化水素の熱分解によりダイヤモンドを析出さ
せることを特徴とするダイヤモンドの合成法。 ２ 炭化水素と水素ガスとの混合比率が１００〜０．０
０１の範囲である特許請求の範囲第１項記載のダイヤモ
ンドの合成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204321A JPS5927754B2 (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | ダイヤモンドの合成法 |
| US06/442,506 US4434188A (en) | 1981-12-17 | 1982-11-17 | Method for synthesizing diamond |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204321A JPS5927754B2 (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | ダイヤモンドの合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110494A JPS58110494A (ja) | 1983-07-01 |
| JPS5927754B2 true JPS5927754B2 (ja) | 1984-07-07 |
Family
ID=16488545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56204321A Expired JPS5927754B2 (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | ダイヤモンドの合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927754B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19543722A1 (de) * | 1994-11-25 | 1996-05-30 | Kobe Steel Ltd | Verfahren zur Herstellung von Substraten zur Bildung einkristalliner Diamantfilme durch chemisches Aufdampfen |
| DE19543723A1 (de) * | 1994-11-25 | 1996-05-30 | Kobe Steel Ltd | Verfahren zur Herstellung einkristalliner Diamantfilme |
| JP2005310963A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | National Institute For Materials Science | ダイヤモンド紫外光センサー素子 |
| JP2005310964A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | National Institute For Materials Science | ダイヤモンド紫外光トランジスター |
| WO2009099233A1 (ja) | 2008-02-07 | 2009-08-13 | National Institute For Materials Science | ダイヤモンド紫外線センサー素子とその製造方法、紫外線センサー装置、ダイヤモンド単結晶の処理方法 |
| US7768091B2 (en) | 2004-11-25 | 2010-08-03 | National Institute For Materials Science | Diamond ultraviolet sensor |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60112699A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-19 | Nec Corp | ダイヤモンドの製造方法 |
| JPS60122796A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-07-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの気相合成法 |
| JPS60204695A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 |
| JPS60231498A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-18 | Hitachi Ltd | ダイヤモンド低圧合成法 |
| SE453474B (sv) * | 1984-06-27 | 1988-02-08 | Santrade Ltd | Kompoundkropp belagd med skikt av polykristallin diamant |
| JPS61209990A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-18 | Nec Corp | ダイヤモンドの気相合成法 |
| JPH0637348B2 (ja) * | 1985-04-25 | 1994-05-18 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド気相合成装置 |
| DE3546113A1 (de) * | 1985-12-24 | 1987-06-25 | Santrade Ltd | Verbundpulverteilchen, verbundkoerper und verfahren zu deren herstellung |
| US5270029A (en) * | 1987-02-24 | 1993-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Carbon substance and its manufacturing method |
| NO881723L (no) * | 1987-04-22 | 1988-10-24 | Idemitsu Petrochemical Co | Fremgangsmaate og innretning for fremstilling av diamanter. |
| JPS6461396A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Idemitsu Petrochemical Co | Synthesis of diamond and installation therefor |
| US6224952B1 (en) | 1988-03-07 | 2001-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrostatic-erasing abrasion-proof coating and method for forming the same |
| US5190824A (en) | 1988-03-07 | 1993-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrostatic-erasing abrasion-proof coating |
| DE68928245T2 (de) * | 1988-12-27 | 1997-12-11 | Canon Kk | Durch elektrisches Feld lichtemittierende Vorrichtung |
| JPH02208601A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Seiko Instr Inc | 光学用窓材及びその製造方法 |
| US5087434A (en) * | 1989-04-21 | 1992-02-11 | The Pennsylvania Research Corporation | Synthesis of diamond powders in the gas phase |
| US5110579A (en) * | 1989-09-14 | 1992-05-05 | General Electric Company | Transparent diamond films and method for making |
| EP0423498B1 (en) * | 1989-09-20 | 1995-08-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of and apparatus for synthesizing hard material |
| AU634601B2 (en) * | 1989-12-11 | 1993-02-25 | General Electric Company | Single-crystal diamond of very high thermal conductivity |
| CA2030049A1 (en) * | 1989-12-11 | 1991-06-12 | Thomas R. Anthony | Single-crystal diamond of very high thermal conductivity |
| JPH04358410A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子及びその製造方法 |
| JP3163606B2 (ja) * | 1993-01-29 | 2001-05-08 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| UA81614C2 (ru) * | 2001-11-07 | 2008-01-25 | Карнеги Инститьюшн Ов Вашингтон | Устройство для изготовления алмазов, узел удержания образца (варианты) и способ изготовления алмазов (варианты) |
| WO2007015431A1 (ja) | 2005-08-01 | 2007-02-08 | National Institute For Materials Science | ダイヤモンド紫外光センサー |
| GB201319117D0 (en) * | 2013-10-30 | 2013-12-11 | Element Six Technologies Us Corp | Semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD Diamond with improved near-substrate thermal conductivity |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP56204321A patent/JPS5927754B2/ja not_active Expired
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19543722A1 (de) * | 1994-11-25 | 1996-05-30 | Kobe Steel Ltd | Verfahren zur Herstellung von Substraten zur Bildung einkristalliner Diamantfilme durch chemisches Aufdampfen |
| DE19543723A1 (de) * | 1994-11-25 | 1996-05-30 | Kobe Steel Ltd | Verfahren zur Herstellung einkristalliner Diamantfilme |
| DE19543722C2 (de) * | 1994-11-25 | 1998-02-19 | Kobe Steel Ltd | Verfahren zur Herstellung von für die Gasphasenabscheidung einkristalliner Diamantschichten geeigneten Substraten |
| JP2005310963A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | National Institute For Materials Science | ダイヤモンド紫外光センサー素子 |
| JP2005310964A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | National Institute For Materials Science | ダイヤモンド紫外光トランジスター |
| US7768091B2 (en) | 2004-11-25 | 2010-08-03 | National Institute For Materials Science | Diamond ultraviolet sensor |
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| Publication number | Publication date |
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