JPS5927582A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS5927582A JPS5927582A JP57137702A JP13770282A JPS5927582A JP S5927582 A JPS5927582 A JP S5927582A JP 57137702 A JP57137702 A JP 57137702A JP 13770282 A JP13770282 A JP 13770282A JP S5927582 A JPS5927582 A JP S5927582A
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- Japan
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- disc
- transparent
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- Granted
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- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims abstract description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
□この発明は、光半導体装置と光フアイバケーブルとの
接続方法を改良した光半導体装置に関するものである。
接続方法を改良した光半導体装置に関するものである。
光半導体装置、とくに光トリガサイリスクのような大電
力光半導体装置では、光ファイバ等をとおしで、パッケ
ージ内部の光トリガサイリスクエレメントの受光部に光
を供給している。ところが、このような電力半導体装置
においては、その特性の維持のため内部エレメントを気
密封止する必要がある。したがって、前記光半導体装置
のパッケージの光入射部のレセプタについて、第１図及
び第２図に示されるような構造が考えられる。
力光半導体装置では、光ファイバ等をとおしで、パッケ
ージ内部の光トリガサイリスクエレメントの受光部に光
を供給している。ところが、このような電力半導体装置
においては、その特性の維持のため内部エレメントを気
密封止する必要がある。したがって、前記光半導体装置
のパッケージの光入射部のレセプタについて、第１図及
び第２図に示されるような構造が考えられる。
第１図は全体図で、第２図は第１図の主要部の部分図で
ある。
ある。
第１図において、５０はその上面にトリガ用の受光部５
１を廟する光トリガーシ°イリスタのベーシックエレメ
ント、３．１はそれぞれこのベーシックエレメント５０
の上、下面に設けられた陽極おＩＣ１＆電極、２はたと
えばアルミナセラミックス等の絶縁物でできたパーケー
ジで、上記電極をそれぞれに設けられたフランジ部３ａ
、ｌａを用い−もロー旬や溶括等の適当な方法で気密に
固定している。６ ＆；Ｊ、 −Ｉ： ｉｌｉ、−：パ
ッケージ２の１１１す而に設けられた穴２ａにロー刊等
の適当な方法で気密に固定さ゛ノｌだしセブタであ、す
、第２図に示すように、このし七ブタ６す、セラミック
ボディ２に気密に固着され、・リファイア円板７は該し
七ブタ６に気密にろう拐９によりろう刊されているため
に、パッケージ全体の気密性が保たれる。光フアイバケ
ーブル８から出た光をよ、透明なサファイア円板７を通
して、内部ライ、トガイド５に入射し、光トリガーリー
ｆリスタエレメント５０の受光部５１にｄ、とはれる。
１を廟する光トリガーシ°イリスタのベーシックエレメ
ント、３．１はそれぞれこのベーシックエレメント５０
の上、下面に設けられた陽極おＩＣ１＆電極、２はたと
えばアルミナセラミックス等の絶縁物でできたパーケー
ジで、上記電極をそれぞれに設けられたフランジ部３ａ
、ｌａを用い−もロー旬や溶括等の適当な方法で気密に
固定している。６ ＆；Ｊ、 −Ｉ： ｉｌｉ、−：パ
ッケージ２の１１１す而に設けられた穴２ａにロー刊等
の適当な方法で気密に固定さ゛ノｌだしセブタであ、す
、第２図に示すように、このし七ブタ６す、セラミック
ボディ２に気密に固着され、・リファイア円板７は該し
七ブタ６に気密にろう拐９によりろう刊されているため
に、パッケージ全体の気密性が保たれる。光フアイバケ
ーブル８から出た光をよ、透明なサファイア円板７を通
して、内部ライ、トガイド５に入射し、光トリガーリー
ｆリスタエレメント５０の受光部５１にｄ、とはれる。
ところが、゛す゛ファイアのＪｉ＋ｌ折率が１．７６と
空気の７１１（折率１と比べＣかなシ大きいため、端面
における反射損失が大きくなる。これを改善するだめに
、−Ｉ：、 Ｒｅリーフ゛）゛イア円板７の両面に反射
防止膜をつける方法が不発開基等によって考案されてい
る。この方法でたとえは、反射防止膜とじてＮｉ ｇ
Ｆ 、を蒸着ずれは、端面の反射損失が０．１６ｄｊ３
改着されることが明らかにされている。ところが、”す
゛ファイア円板７し１し七ブタ６の奥にとりつりられて
いるだめに、反射防止膜を均一に蒸着するのが困難で、
歩留シけ３０％稈度であった。また、サファイア円板７
に反射防止膜をつけた後、レセプタ６にろう伺する方法
も考えられるが、ろう刊の際の高熱で反射防止膜の損傷
をひきおこす問題が残された。
空気の７１１（折率１と比べＣかなシ大きいため、端面
における反射損失が大きくなる。これを改善するだめに
、−Ｉ：、 Ｒｅリーフ゛）゛イア円板７の両面に反射
防止膜をつける方法が不発開基等によって考案されてい
る。この方法でたとえは、反射防止膜とじてＮｉ ｇ
Ｆ 、を蒸着ずれは、端面の反射損失が０．１６ｄｊ３
改着されることが明らかにされている。ところが、”す
゛ファイア円板７し１し七ブタ６の奥にとりつりられて
いるだめに、反射防止膜を均一に蒸着するのが困難で、
歩留シけ３０％稈度であった。また、サファイア円板７
に反射防止膜をつけた後、レセプタ６にろう伺する方法
も考えられるが、ろう刊の際の高熱で反射防止膜の損傷
をひきおこす問題が残された。
本発明は前述のような欠点を解消するためになされたも
のであシ、詳細は以下に記す。第３図は第２図と同じ箇
所の部分図である。ただし、１０は“す゛ファイア円板
７とほぼ径の等しい透明円板で、ｉＢｔ透明接着樹脂、
１２は反射防止膜である。
のであシ、詳細は以下に記す。第３図は第２図と同じ箇
所の部分図である。ただし、１０は“す゛ファイア円板
７とほぼ径の等しい透明円板で、ｉＢｔ透明接着樹脂、
１２は反射防止膜である。
第３図に示すように、まずレセプタ６にサファイア円板
７をろう拐９によシろう刊しておく。そこに、あらかじ
めその一方の面に反射防止膜１２をコートした透明円板
１０に、その他方の面に透明な接着樹脂１１をコートし
て、第３図の矢印に示される方向にレセプタ６の中に挿
入し、−リファイア円板７とはシ合せる。以上が本発明
の要旨であるＯ 以下は本実施例をもとに効果を詳糠する。本実施例では
萌配透明円板ｌＯにＪ１１目ノｌ率１，４５の石英ガラ
ス、透明［’ｉ樹脂１１にレンズ貼シ合ぜ用の屈」）ｉ
ｌｉ、５５の樹脂、反射防止膜１２にＲＩ目１１率１．
３８のＭｇＦ、を用いた。なお・す“ファイア円板７の
屈折率ｔＪ土述のように１．７６である。一般的に屈折
率口０ の（１￥、質からｔ＋６の媒少１に光が入射す
る場合、その境界面での光の透過率°ＩＱ１次の１うに
の場合について、空気中より・リファイア円板の媒質７
中に光Ｉ−が入射する時の透３（ｔ＋ｉ率′ｌ゛をｆｉ
ｔ ：）９シ・てみると、（ａ）の矯１合９２．４％、
（ｂ） （７，） ：ｌｊＪ 合９６ 、０％。
７をろう拐９によシろう刊しておく。そこに、あらかじ
めその一方の面に反射防止膜１２をコートした透明円板
１０に、その他方の面に透明な接着樹脂１１をコートし
て、第３図の矢印に示される方向にレセプタ６の中に挿
入し、−リファイア円板７とはシ合せる。以上が本発明
の要旨であるＯ 以下は本実施例をもとに効果を詳糠する。本実施例では
萌配透明円板ｌＯにＪ１１目ノｌ率１，４５の石英ガラ
ス、透明［’ｉ樹脂１１にレンズ貼シ合ぜ用の屈」）ｉ
ｌｉ、５５の樹脂、反射防止膜１２にＲＩ目１１率１．
３８のＭｇＦ、を用いた。なお・す“ファイア円板７の
屈折率ｔＪ土述のように１．７６である。一般的に屈折
率口０ の（１￥、質からｔ＋６の媒少１に光が入射す
る場合、その境界面での光の透過率°ＩＱ１次の１うに
の場合について、空気中より・リファイア円板の媒質７
中に光Ｉ−が入射する時の透３（ｔ＋ｉ率′ｌ゛をｆｉ
ｔ ：）９シ・てみると、（ａ）の矯１合９２．４％、
（ｂ） （７，） ：ｌｊＪ 合９６ 、０％。
（Ｃ）の場合９６．９％となる。ここで（Ｃ）＾明の実
施例のケースであシ、（ａ） 、 （ｂ）は従来のり・
−スである。
施例のケースであシ、（ａ） 、 （ｂ）は従来のり・
−スである。
なお、上記実施１ｕ１１でシＪ、透明円板１０．透明接
着！’ＩＱ脂１１９反射防ｔＬ１．ｌ＊ １２を−それ
ぞれ、石英円板。
着！’ＩＱ脂１１９反射防ｔＬ１．ｌ＊ １２を−それ
ぞれ、石英円板。
屈１Ｊｊ率１．５５のレンズ接矯用樹脂、Ｍ ｇ Ｆ
２と限定したが、これらに限られることはなく、透明円
板。
２と限定したが、これらに限られることはなく、透明円
板。
透明接陪樹脂９反射防止膜の屈折率をそれぞれ、奮’１
＋ ”２＋ ”８とすれば ｎｓ＜ ｎ、（ｎ２＜１．７６ （す７７ イ／ 円板
（１）屈折率）となる組合ぜであれば本発明の効果は著
しい。また」二記の組合せ以外でも、全体としての光の
透過率が、反射防止膜をつけない時の透過率よセも向−
トーシていれば本発明の目的は達せられる。
＋ ”２＋ ”８とすれば ｎｓ＜ ｎ、（ｎ２＜１．７６ （す７７ イ／ 円板
（１）屈折率）となる組合ぜであれば本発明の効果は著
しい。また」二記の組合せ以外でも、全体としての光の
透過率が、反射防止膜をつけない時の透過率よセも向−
トーシていれば本発明の目的は達せられる。
以上のように、本発明によれば、サファイア円板に直接
反射防止膜をコートする代りに、すでに−面に反射防止
膜を他面に透明接着用４ψＩ脂を貼シイリけた透明円板
をサファイア円板に貼υ刊けるようにしたので、トラブ
ルのない均一な反射防止膜の形成がＤＪ能とな、す、し
７かも光透過率を向上させることも可能となる効果が得
られた。
反射防止膜をコートする代りに、すでに−面に反射防止
膜を他面に透明接着用４ψＩ脂を貼シイリけた透明円板
をサファイア円板に貼υ刊けるようにしたので、トラブ
ルのない均一な反射防止膜の形成がＤＪ能とな、す、し
７かも光透過率を向上させることも可能となる効果が得
られた。
第１図１は光半導体装置の全体を示す断面図、第２図は
従来の光半導体装置の一部を示す断面図、第３図は本発
明の光半導体装置の一部を示す断面図、第４図は本発明
の詳細な説明するだめの図である。 １・・・陽極電極、２・・・セラミックボディ、３・・
・陰極相、極１．４２・すＩＣ１：半°漕イ本−エーリ
ーブ−１５・・・内部ライトガイド、６・・・しけブタ
、７・・・ツファイア円板、８・・・光フアイバクープ
ル、９・・・ろう利、１０・・・透明円板（石英円板）
、１１・・・透明接ｆｌＮ樹脂、１２・・・ル射防」］
−膜、５０・・・光トリガーリイリスクエレメント二←
光州６炉休啼１−） ０ 代 胛 入 葛 野 イ１ −第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正外（自発） 特許庁長官殿 １、 ｌ（イ′１の表示 特願昭５７−１３７
７０２号２、発明の名称 光半専体装１− ３、補正をする者 代表者 片 ＩＩ＋ 仁 八 部 （２）明細書をつぎのとおり訂正する。 第４図
従来の光半導体装置の一部を示す断面図、第３図は本発
明の光半導体装置の一部を示す断面図、第４図は本発明
の詳細な説明するだめの図である。 １・・・陽極電極、２・・・セラミックボディ、３・・
・陰極相、極１．４２・すＩＣ１：半°漕イ本−エーリ
ーブ−１５・・・内部ライトガイド、６・・・しけブタ
、７・・・ツファイア円板、８・・・光フアイバクープ
ル、９・・・ろう利、１０・・・透明円板（石英円板）
、１１・・・透明接ｆｌＮ樹脂、１２・・・ル射防」］
−膜、５０・・・光トリガーリイリスクエレメント二←
光州６炉休啼１−） ０ 代 胛 入 葛 野 イ１ −第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正外（自発） 特許庁長官殿 １、 ｌ（イ′１の表示 特願昭５７−１３７
７０２号２、発明の名称 光半専体装１− ３、補正をする者 代表者 片 ＩＩ＋ 仁 八 部 （２）明細書をつぎのとおり訂正する。 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１外部よりの光入力をパッケージ内に導入するレセ
プタと、気密封止のために前記レセプタにろう伺された
ザファイア円板とを廟する光半導体装置において、前記
ザファイア円板とｔ′！！は等しい径を持ちそふ一方の
円面に反射防止膜がコートされその他方の円面に透明接
着樹脂゛がコートされた透明円板を備え、該導間円板の
透明接着樹脂をコートした面と前記゛す゛ファイア円板
のパッケージの外側に向いたＴｒＩｉとを向い合せて貼
シ合せたことを／ｌ’＋−徴とする光半導体装置。 （２）前記透明円板、透明接着樹脂１反射防止膜の屈４
７ｒ率ｆｌ’１ ＋ ＩＮ”２ 、１１３を
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137702A JPS5927582A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137702A JPS5927582A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927582A true JPS5927582A (ja) | 1984-02-14 |
| JPS6259909B2 JPS6259909B2 (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=15204815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57137702A Granted JPS5927582A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300765A (ja) * | 1987-08-08 | 1988-12-07 | Oohiro Seisakusho:Kk | 美顔用蒸気発生装置 |
-
1982
- 1982-08-06 JP JP57137702A patent/JPS5927582A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300765A (ja) * | 1987-08-08 | 1988-12-07 | Oohiro Seisakusho:Kk | 美顔用蒸気発生装置 |
| JPH0323067B2 (ja) * | 1987-08-08 | 1991-03-28 | Oohiro Seisakusho Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6259909B2 (ja) | 1987-12-14 |
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