JPS59266B2 - 霧化粒子の噴霧装置 - Google Patents

霧化粒子の噴霧装置

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JPS59266B2
JPS59266B2 JP49127910A JP12791074A JPS59266B2 JP S59266 B2 JPS59266 B2 JP S59266B2 JP 49127910 A JP49127910 A JP 49127910A JP 12791074 A JP12791074 A JP 12791074A JP S59266 B2 JPS59266 B2 JP S59266B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、霧化粒子の噴霧方法および装置に関し、詳し
くは、基質土に上記粒子の層を形成、もしくは粒子を被
覆する方法および装置に関する。
従来から、ペンキや金属などの物質を基質の表面に噴霧
して、この基質の美観を高めたり、この基質の耐久性を
増大したりしている。例えば、英国特許第1、262、
471号の霧化ノズルは、ガスジェット作用により流体
金属流れを霧化し、この粒子流れを基質上に噴霧してい
る。ところでこの種の粒子被覆では通常、基質に霧化粒
子を均一に被覆することが必要であるが、今までのとこ
ろ均一被覆は不可能であつた。その理由は、スプレーを
通る粒子配分が変化するためである。英国特許第1、2
62、471号では、ガスジェットもしくは粒子の飛行
方向に対して僅かに傾斜した適宜配置の面を用いて、霧
化粒子の流れの配分を変えることが開示してある。しか
しこの方法により、金属粒子の均一層を基質上に作りう
ることは示唆されていないし、実際に可能であるかどう
か判明していない。さて、基質上への一層均一な粒子配
分は、霧化粒子の流れに対し振動を与えることにより得
られることが、このたび明らかになつた。
本発明は、ガス霧化粒子の流れを作る装置と、このガス
霧化粒子の流れに対し第2のガス流れを導く装置と、こ
の第2のガス流れを変え作動中、ガス霧化粒子の流れを
偏向させかつこの粒子にほぼ単一面内における振動を与
える、反復循環作動する制御装置と、からなる霧化粒子
の噴霧装置を提供するものである。
本発明はまた、ガス霧化粒子の流れを作り出し、この霧
化粒子の流れに対し第2のガス流れを当て、前記ガス霧
化粒子の流れを偏向させ、かつこの流れにほぼ単一面内
における振動を与える、霧化粒子の噴霧方法を提供する
にある。
本発明はさらにまた、ガス霧化粒子の流れを作り出す装
置と、このガス霧化粒子の流れに対し複数の第2のガス
流れを当てる装置と、この第2のガス流れの流出量を変
えて作動中、ガス霧化粒子の流れを偏向させ、かつこの
流れにほぼ単一面内における振動を与える、反復循環作
動する流体制御装置と、からなる霧化粒子の噴霧装置を
提供するものである。
本発明の一実施例によれば、本装置はガス霧化粒子の流
れを生成するようになつた霧化ノズルと、この霧化ノズ
ルに近接して配置した第2のノズルと、第2のノズルに
圧力ガスを連続的に供給し作動中、第2のノズルから出
てくる第2のガス流れをガス霧化粒子の流れに当て、か
つこの流れにほぼ単一面内における振動もしくは揺動を
付与するようになつた、反復循環作動する流体制御装置
と、から構成されている。
ガス霧化粒子の流れは粒子流れの振動暑に対しほぼ直角
方向に動かされる基質上に向けられ、これにより、基質
表面には均一層が形成される。
所望により本発明は、不均一な材料層のある基質の被覆
にも適用されうる。本発明は霧化粒子の流れを形成する
ためガス霧化されうるどんな材料にも適用されうるし、
特にペンキ噴霧や金属噴霧のような方法に適している。
ガス霧化粒子は液体でも固体でもよいし、また一部液体
、一部固体でもよいO本発明は、基質表面にペンキその
他の材料を均一に塗付しうるが、以上金属噴霧に関して
本発明を説明する。
しかし、本発明は金属噴霧に制限されるものでないこと
に留意されたい。本発明の好ましい実施例では、液状あ
るいは溶融状金属は霧化ノズル内でガス流れにより直接
霧化される。
この種ノズルは例えば、ジニットの環状アレイに対して
軸方向に配置され、かつ出口から流出する液状もしくは
溶融状金属流れ上にガス流れを向けるように配置された
金属製送給出口からなつている。金属はまた、溶融状態
にするための酸素アセチレン炎あるいはアークプラズマ
のような熱源中へポウタあるいはワイヤを供することに
より間接的に霧化されてもよい。液体状もしくは溶融状
金属を霧化するために用いるガスは空気あるいはその他
適宜のガスでよい。
空気は金属にとつて適当ではあるが、空気の使用により
生ずる酸化量が噴霧された被覆の特性にとつて有害な場
合がある。この場合には、その金属に無反応なガスを用
いなければならない。含有酸化物を避けねばならないア
ルミニユウムの場合には窒素を用い、また鉄−ニツケル
ークローム合金の場合にはアルゴンを用いる。霧化ノズ
ルには広範囲のガス圧を適用することができる。
例えば霧化ノズルへの圧力を1ポンドP.s小以下にす
ることができ、また数百ポンドP.S,l5にもするこ
とができる。しかし0.5p.s.1〜1000p.s
.Iの範囲、例えば約100p.s.1位が好ましい。
ガス霧化粒子の流れを偏向させるのに用いられるガスは
、霧化ガスと同一であつても違つていてもよい。
霧化ガスの圧力が大きければ、霧化粒子の流れを偏向さ
せるに必要な第2のガス流れの圧力は相対的に大きくな
る。所与の配置に対し第2のガス流れの最大圧力は通常
、霧化ノズルのガス圧力と同一の大きさである。第2ノ
ズルの大きさ、個数および相対的形状寸法は変えること
ができ、そして一般に一個の第2ノズルを用いているが
、2個の第2のノズルを用い、これを霧化ノズルの各側
に配置するのが好ましい。
本発明の特に好ましい実施例では、1個の霧化ノズルと
この各側に配置した2個の第2のノズルが作動時、粒子
流れの振動面である単一面内に設けてある。霧化ノズル
は通常、基質上に配置してあり、粒子流れの振動はほぼ
垂直面内で生ずる。第2ノズルの角度、したがつてガス
霧化粒子の流れに対する第2のガス流れの角度は処理条
件によるが、第2のガス流れが直角で、かつ霧化粒子の
流れの偏向前の流出方向に向かう運動成分を有するよう
に配置されるべきである。
例えば第2のノズルは、第2のガス流れが粒子流れの偏
向前の流出方向に対向する運動成分を有するように配置
されるとよいし、この種配置は粒子流れの運動エネルギ
を小さくすることが望まれる場合に用いられるとよい。
しかして通常、第2のガス流れは粒子流れの偏向前の流
出方向の運動成分を有し、そして第2のノズルは、霧化
粒子の流れの偏向前の流出方向に対し30〜60粒の角
度で、かつ流れの全体方向において例えば45のの角度
でセツトされるのが好ましい。一般的に云えば、高い密
度の金属は密度の低いものよりも大量の偏向エネルギを
必要とする。
第2ノズルの角度およびこのノズルに与えるガス圧パル
スのタイミングを調節することにより、粒子流れの通路
に位置する基質表面への金属粒子の配分を実質的に均一
にすることができる。なお、基質の表面が不均一である
場合にも、第2ノズルの角度およびそれへのガス圧パル
スのタイミングを適切に選択する場合には、金属粒子を
基質表面に均一に配分することができる。第2ノズルと
しては列状の孔を有するものを使用するのが適切である
ことが判明した。
というのは、列状孔は長期間にわたつてそれらの大きさ
を維持しうるからである。しかし、第2のガス流れ用と
してスロツトを用いることができ、この場合には、ノズ
ル孔を簡単に調整できるという利点がある。この装置に
は、第2のガス流れを変えるため循環作用を繰り返すよ
うになつた制御装置が設けてある。
好ましい制御装置は流量制御装置であり、第2のガス流
れの供給時に変化サイクルを作り出す装置を含んでいる
。好ましい実施例では、第2のノズルには、同一供給源
からの圧力ガスが連続的に供給されるようになつている
。もつとも本発明では、違つたガスあるいは違つた圧力
を各第2ノズルに用いることも差支えない。霧化粒子の
流れに急速な振動を与えるため、第2のガスノズルにガ
ス供給装置を設けるのが好ましい。また、第2ノズルで
のガス圧の増加および減少は連続的な増減方法により行
なうことが好ましい(例えば、第2のガス流れを単なる
スイツチの開閉操作により増減することは好ましくない
)。前記ガス流れの増減の点から、本装置の大きさ、例
えばガス供給装置と第2ノズル間のパイプの長さおよび
孔などはガスの圧縮率を考えて選定されるべきである。
本発明の特に好適な実施例では、回転弁、例えば回転軸
あるいは回転板により作動される弁から、圧力ガスを第
2ノズルに供給している。回転弁の速度は所望通り変え
ることができる。例えば、霧化ノズルが移動基質の上方
に配置してある場合には、弁の回転速度、したがつて粒
子流れの振動頻度は基質の進行速度に適合するように変
えられる。粒子流れの半振動ごとに、金属粒子の層が基
質上におかれ、次いでその後の振動で別の層が重ねられ
る。一般に、最終コーテイングでは少なくとも所定厚さ
の2粒子層が形成され、かつかなり厚くなる。回転弁の
適切な作動速度は50〜5000r.p.mの範囲であ
り、通常の使用条件下では、100〜1000r.p.
mが最適である。これに相応して、基質の適切な進行速
度は要求される堆積層の厚さにより毎分1〜100rn
nである。回転弁が好ましいが、公知の空気方法により
ガスを第2ノズルへ供給しかつ停止する他の装置を用い
ることもできる。第2のガス流れは実質的に単一面にあ
るガス霧化粒子の流れに振動を与える。
本発明の好適な実施例では、粒子流れは粒子流れの偏向
前の最初の流出方向に相当する中間位置のところで振動
する。
本発明では、噴霧堆積の広巾の層を固定式霧化ノズルに
より作ることができ、あるいは、例えば金属ワイヤフイ
ードを用いる手動噴霧の場合には、ノズルを動かせば、
最少の手運動により広巾の堆積が得られる。本発明は手
で保持する噴精装置にも適用できるが、固定式霧化ノズ
ルと、粒子層を基質上に堆積するように基質をノズルに
対して動かす装置と、を含む装置に用いるのに最適であ
る。
金属粒子の堆積層は例えば腐食防止膜として基質上に残
留させてもよいし、例えば金属シート、プレートあるい
はコイルの製造の際、剥離したり圧延したりしてもよい
。本発明は特に、英国特許第1,262,471号に記
載される金属のスプレーローリング方法にも適用できる
広巾のストリツプに噴霧堆積物を連続的もしくは半連続
的操作で被覆することが必要である場合には、2以上の
霧化ノズルを適当な粒子流れの重合体に並べて用いても
よいし、また互に連続して用いてもよい。ノズルは、例
えば同一軸により作動される回転弁から第2のガス流れ
を供給することにより、霧化粒子の流れが互にほぼ平行
に、かつ互に同一相にとどまるように配置されるとよい
。以下、本発明を図面により説明する。
本装置は溶融金属を収容する容器1を備え、この容器の
底部には霧化室3に通じる通路2が設けてある。
この通路2は第1の霧化ノズル4のところで終結してお
り、この霧化ノズル4は圧力下の窒素の供給源に連結さ
れた霧化ジニット5を備えている。ジニット5は12の
孔のある7/161径の環状アレイを備え、各孔は0.
0601径で、200の頂角をなしている。第2の偏向
ノズル6,6aが霧化ノズルに隣接して配置してあり、
回転弁7を介して圧力窒素の供給源に連結してある。第
2の偏向ノズルはそれぞれ列状配置の10個の孔からな
り、各孔は0.03Pの径を備え、列長さは5/81で
ある。弁は一面に扁平部9のある軸8を含み、この軸は
窒素入口11および出口12,13のついたシリンダ1
0内に回転自在に設けてある。出口は可撓性パイプ14
により第2ノズルに連結してある。霧化ノズルの下方に
は可動基質15が位置している。霧化室には排気口16
が設けてある。作動時、容器1からの溶融アルミニウム
は通路2(3′径)を通り抜けてジニット5から出てく
る窒素により霧化される。
窒素は801bs.p.s.1圧カジエツトへ供給され
る。軸8は480r.p.m.の速度で回転され、また
窒素は1201bs.p.s.1.圧で入口11を介し
て回転弁11を介して回転弁rの背後にある環状室11
aへ供給される。軸が回転すると、扁平部により、窒素
はまず環状室11aから出口12を通り、次いで左方の
第2ノズル6へと流出する。さらに軸が回転すると、窒
素の供給したがつて偏向ガス流れは中断する。次いでさ
らに軸が回転すると、窒素は出口13を流過し右方の偏
向ノズル6aへと流れる。これにより、霧化粒子の流れ
は垂直面内において左右に振動させられる。最後に、霧
化ノズルから121の距離をおいてスプレーの下方にあ
る基質表面に、振動粒子が衝突する。
スプレーにより被覆される基質表面の巾は約16Wであ
る。この基質表面は毎秒Pの速度で偏向ノズル面に対し
直角に移動しているので、振動粒子の横断ごとに基質表
面は約1W前進する。この方法では、表面を走査する金
属スプレーの作用により、基質表面上にアルミニウムの
均一堆積層を形成することができる。第2ノズルの角度
とガス圧パルスのタイミングは、基質表面への粒子の均
一な配分が得られるように設定されるべきである。
軸の扁平部の大きさおよび出口の位置は好ましくは、左
方偏向ノズルおよび右方偏向ノズルへの圧力適用間に適
当な間隔ができるように設けられるべきである。上記装
置では、扁平部は軸中心に対し97あの角度になつてい
る。回転弁の使用により、各ノズルへの圧力を徐々に増
加し減少することができるという利点がある。
というのは、ガス出口は、軸の扁平部が通りすぎるのに
したがつて徐々に被覆されたり、被覆をとかれたりする
からである。各第2ノズルでは、第2ノズル内に十分な
圧力が得られるまで、徐々に増加するガス圧が霧化粒子
の流れに徐々に大きくなる偏向力を加える。同時に、軸
扁平部の後端が相当する出口を通ると、圧力は減退しか
つ偏向力は減少する。本装置の出口は環状になつている
が、均一な噴霧層、特に外輪のみの噴霧層を得る場合な
どに、他の形状の出口、例えば三角形状の出口を用いる
こともできる。本装置において、単一の第2ノズルを霧
化粒子流れのいずれかの側に用いても一般に、満足な結
果が得られる。しかし、例えば霧化金属粒子の流れに対
し違つた角度で突出し、かつ同一面にあり、そしてそれ
ぞれ独立にガスを供給されている2以上のノズルを各側
に用いることもできる。本発明によれば、作動中、金属
の堆積層の配分に対して、十分な制御が可能になる。
例えば主霧化ノズルに供給される圧力に相応して第2の
ノズルに供給されるガス圧を、霧化室の外側から制御す
ることができる。また回転弁の速度を必要に応じ変える
ことができる。同様に、第2ノズルの角度あるいは位置
を作動中、自由に変えることができるようにそれを配置
することもできる。さらに走査方法により、液体金属粒
子を基質表面土で急速に冷却させることもできる。とい
うのは、粒子の第1の堆積層は、走査流れの復帰前に基
質温度近くまで冷却され、それから第1層上に他の層が
堆積されるからである。実施例では、基質土のアルミニ
ウム層は、アルミシートを形成するため、剥離されてか
ら圧延されてもよいし、保護膜として残されてもよい。
さらに例えば、アルミ被覆の軟鋼を作るため、堆積され
た状態にしておくか、あるいは圧延状態にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
図は本発明に係わる装置の側面略図である。 1・・・・・・容器、2・・・・・・通路、3・・・・
・・霧化室、4・・・・・・霧化ノズル、5・・・・・
・ジニット、6,6a・・・・・・偏向ノズル、7・・
・・・・回転弁、8・・・・・・軸、9・・・・・・偏
平部、10・・・・・・シリンダ、 15・・・・・・基質。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1のガス霧化粒子の流れを生成する装置と、第2
    のガス流を1対のノズルを通して上記第1のガス霧化粒
    子の流れに向つて吹付けるために、上記第1のガス霧化
    粒子の偏向される前の流れ方向の運動成分を持つように
    第1のガス霧化粒子の流れに対向する両側に傾斜して配
    置された1対のノズルと、上記1対の第2のガス流の速
    度を交互にかつ連続的に変化させる装置とから構成され
    て、上記第1のガス霧化粒子の流れを基質の走査方向に
    対し直角をなす単一平面内で実質上揺動することを特徴
    とする霧化粒子の噴霧装置。
JP49127910A 1973-11-06 1974-11-06 霧化粒子の噴霧装置 Expired JPS59266B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB5143773A GB1455862A (en) 1973-11-06 1973-11-06 Spraying atomised particles
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JPS50129439A JPS50129439A (ja) 1975-10-13
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JP49127910A Expired JPS59266B2 (ja) 1973-11-06 1974-11-06 霧化粒子の噴霧装置

Country Status (7)

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US (1) US3970249A (ja)
JP (1) JPS59266B2 (ja)
CA (1) CA1040684A (ja)
DE (1) DE2452684A1 (ja)
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GB (1) GB1455862A (ja)
IT (2) IT1024750B (ja)

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