JPS5925284A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS5925284A JPS5925284A JP57135303A JP13530382A JPS5925284A JP S5925284 A JPS5925284 A JP S5925284A JP 57135303 A JP57135303 A JP 57135303A JP 13530382 A JP13530382 A JP 13530382A JP S5925284 A JPS5925284 A JP S5925284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- lens
- cap
- semiconductor element
- spherical lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 67
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 16
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 16
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 13
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 4
- WABPQHHGFIMREM-FTXFMUIASA-N lead-202 Chemical compound [202Pb] WABPQHHGFIMREM-FTXFMUIASA-N 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 3
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光半導体装置の４′１り造に関する。
一般に光半導体装置に於いては光半導体素子より発光し
た光をその伝送媒体上なる光フアイバ一端面に効率よく
集め九フーｒイバーでの結合出力を大きくすることなら
びに光ブｒイバーとの結合の際の結合位置調整の許Ｈ範
囲（以下トレランスと記す）を大きくし、調整を容易に
することが重要となる。
た光をその伝送媒体上なる光フアイバ一端面に効率よく
集め九フーｒイバーでの結合出力を大きくすることなら
びに光ブｒイバーとの結合の際の結合位置調整の許Ｈ範
囲（以下トレランスと記す）を大きくし、調整を容易に
することが重要となる。
この結合出力を大きくする為、光半導体素子より発光し
た光を集光し、光フアイバ一端面に入光させる目的で光
軸に垂直な面で屈折率に勾配をもたせたレンズ等が使用
されたりまた光ファイバーとの結合のトレランスを大き
くとる為、光半導体素子より発光した光を実質的に平行
光線にかえる目的で、球状レンズ等が使用されている。
た光を集光し、光フアイバ一端面に入光させる目的で光
軸に垂直な面で屈折率に勾配をもたせたレンズ等が使用
されたりまた光ファイバーとの結合のトレランスを大き
くとる為、光半導体素子より発光した光を実質的に平行
光線にかえる目的で、球状レンズ等が使用されている。
従来のこれらレンズの取付けられた光半導体装置の構造
としては、例えば光半導体素子をステムに固定した後、
中央部にガラスあるいはザファイア等よりなる光透過性
の窓部を有するキャップを封止した後、レンズを光半導
体装置外部に取付けた構造あるいは、光半導体素子をス
テムに固定した後、カラス、ザファイアあるいはルビー
等よりなる球状レンズを樹脂で光半導体素子土面に固定
した後、光透過性の窓部をイｊするキャップを封止した
オｊｑ造が多く採用されている。しかしながら、第１の
例のレンズをキャップの外部に取付りるｎ・Ｙ造の従来
の光半導体装置に於いては、光半導体素子とレンズの間
に取付りられるキャップで制限を受け、光半導体素子発
光面とレンズ入光端面間の距離を短かくすることができ
ない。この為、レンズの入党端面での結合損失が大きく
なり、結合効率を低下させるといった欠点をもっている
。また該レンズをキャップ外部に数句ける際、光半導体
素子の発光部とレンズの光軸を合わせる為の位置調整、
ならびにレンズの取付は作業が困難で手間がかかるとい
った欠点、ならびに光半導体装置の形状が大きくなると
いった欠点を有している。
としては、例えば光半導体素子をステムに固定した後、
中央部にガラスあるいはザファイア等よりなる光透過性
の窓部を有するキャップを封止した後、レンズを光半導
体装置外部に取付けた構造あるいは、光半導体素子をス
テムに固定した後、カラス、ザファイアあるいはルビー
等よりなる球状レンズを樹脂で光半導体素子土面に固定
した後、光透過性の窓部をイｊするキャップを封止した
オｊｑ造が多く採用されている。しかしながら、第１の
例のレンズをキャップの外部に取付りるｎ・Ｙ造の従来
の光半導体装置に於いては、光半導体素子とレンズの間
に取付りられるキャップで制限を受け、光半導体素子発
光面とレンズ入光端面間の距離を短かくすることができ
ない。この為、レンズの入党端面での結合損失が大きく
なり、結合効率を低下させるといった欠点をもっている
。また該レンズをキャップ外部に数句ける際、光半導体
素子の発光部とレンズの光軸を合わせる為の位置調整、
ならびにレンズの取付は作業が困難で手間がかかるとい
った欠点、ならびに光半導体装置の形状が大きくなると
いった欠点を有している。
また第２の例の光半導体装置に於いては、小さな光半導
体素子上に球状１／ンズが樹脂等により直接取付けられ
ている為球状レンズの固定が不安定で、かつ取付強度が
弱い為、球状レンズの脱落を生じ易いといった欠点を有
している。また、このような従来の光半導体装置に於い
ては、球状レンズを光半導体素子上に取付ける際にレン
ズが光半導体素子、ならびに光半導体素子の電極と外部
導出リードとを電気的に接続している金属細線と接触し
、光半導体素子を破壊したり、金属細線の断線、変形を
生じ易いといった欠点を有している。
体素子上に球状１／ンズが樹脂等により直接取付けられ
ている為球状レンズの固定が不安定で、かつ取付強度が
弱い為、球状レンズの脱落を生じ易いといった欠点を有
している。また、このような従来の光半導体装置に於い
ては、球状レンズを光半導体素子上に取付ける際にレン
ズが光半導体素子、ならびに光半導体素子の電極と外部
導出リードとを電気的に接続している金属細線と接触し
、光半導体素子を破壊したり、金属細線の断線、変形を
生じ易いといった欠点を有している。
本発明は、従来の光半導体装置のかかる欠点を除去し、
結合出力に優れ、かつ光ファイバーとの結合が容易で信
頼度の高い光半２？・Ｉ体装置を提供することを目的と
するものであるっ即ち、本発明はレンズをキャップに直
接気密封止したことを特徴とするものである。
結合出力に優れ、かつ光ファイバーとの結合が容易で信
頼度の高い光半２？・Ｉ体装置を提供することを目的と
するものであるっ即ち、本発明はレンズをキャップに直
接気密封止したことを特徴とするものである。
このような本発明の光半導体装置、に於ては、キャップ
の側壁を形成する壁部利に直接レンズを、ガラス、ある
いはろう、ｌＡ等により強固にかつ、気密に数句けるこ
とができる為、レンズをキャップの外部で取付けた従来
の光半導体装置に比較し、光半導体素子発光面とレンズ
入光端面間距離を短かくできる。これにより、レンズの
入光端面での結合損失を少なくすることができ、結合効
率を高めることができる。また光半導体素子発光部とレ
ンズの光軸を合わせる為の位置調整も、キャップを数句
ける際にステムとの位置調整により容易にできる。かつ
、レンズはキャップの壁部月に直接取付けられている為
、光半導体装置を小型化できる。
の側壁を形成する壁部利に直接レンズを、ガラス、ある
いはろう、ｌＡ等により強固にかつ、気密に数句けるこ
とができる為、レンズをキャップの外部で取付けた従来
の光半導体装置に比較し、光半導体素子発光面とレンズ
入光端面間距離を短かくできる。これにより、レンズの
入光端面での結合損失を少なくすることができ、結合効
率を高めることができる。また光半導体素子発光部とレ
ンズの光軸を合わせる為の位置調整も、キャップを数句
ける際にステムとの位置調整により容易にできる。かつ
、レンズはキャップの壁部月に直接取付けられている為
、光半導体装置を小型化できる。
このように本発明によれば、従来の第１例の半導体装置
の有していた結合損失が大きく、レンズの取付は位置調
整が困難で、光半導体装置が大きくなるといった欠点を
除去し、結合出力に優れ、レンズの位置調整が容易で、
しかも小型の光半導体装置を提供することが可能となる
。
の有していた結合損失が大きく、レンズの取付は位置調
整が困難で、光半導体装置が大きくなるといった欠点を
除去し、結合出力に優れ、レンズの位置調整が容易で、
しかも小型の光半導体装置を提供することが可能となる
。
また、本発明によれば１球状レンズを光半導体素子上に
直接取付けた第２例の従来の光半導体装置に比較し、球
状レンズはキャップの側壁を形成する壁部材に、ガラス
あるいはろう材等により強固にかつ、気密に数句りるこ
吉ができ、また球状レンズはキャップの壁部材で支持さ
れている為、球状レンズを光半導体素子ならびに金属細
線と接触することなく、光半導体上部に配置することが
できる。この為、本発明によれは、従来の光半導体装置
の有していた球状レンズが脱落したり、球状レンズ取付
の際光半導体素子を破壊したり、金属細線の断線、変形
を生じ易いといった欠点を除去し、光ファイバーとの結
合のトレランスの大きい（ｉ頼度の高い光半導体装置を
提供することが可能となる。
直接取付けた第２例の従来の光半導体装置に比較し、球
状レンズはキャップの側壁を形成する壁部材に、ガラス
あるいはろう材等により強固にかつ、気密に数句りるこ
吉ができ、また球状レンズはキャップの壁部材で支持さ
れている為、球状レンズを光半導体素子ならびに金属細
線と接触することなく、光半導体上部に配置することが
できる。この為、本発明によれは、従来の光半導体装置
の有していた球状レンズが脱落したり、球状レンズ取付
の際光半導体素子を破壊したり、金属細線の断線、変形
を生じ易いといった欠点を除去し、光ファイバーとの結
合のトレランスの大きい（ｉ頼度の高い光半導体装置を
提供することが可能となる。
次に本発明を更に詳＃Ｉ１１に説明する為、従来の半導
体装置（前述の第２例）ならびに本発明の光半導体装置
の一実施例につき図面を参照して説明する。
体装置（前述の第２例）ならびに本発明の光半導体装置
の一実施例につき図面を参照して説明する。
第１図は従来の光半導体装置の縦断面図である。
第２図は本発明の光半導体装置の一実施例を示す縦断面
図である。
図である。
第１図に於いて、１００はステムで、ステムベース１０
１に外部導出リード１０２がガラス１０３で気密封着さ
れている。光半導体素子１０４は前記ステムベース１０
１の中央に固定され、該光半導体素子１０４の電極（図
示せず）は、前記外部導出リード１０２と金ｊｆ４δ］
ｌ線１０５で電気的に接続されている。前記光半導体素
子１０４上に例えば、ルビー、サファイア、あるいはガ
ラスよりなる球形のレンズ１０６が樹脂１０７で取付け
られ、しかる後、中央にガラスあるいはサファイア等の
光透過性の窓部１０８を有するキャップ１０９が前記ス
テムベース１０１に装置内部が気密になるよう数句けら
れている。
１に外部導出リード１０２がガラス１０３で気密封着さ
れている。光半導体素子１０４は前記ステムベース１０
１の中央に固定され、該光半導体素子１０４の電極（図
示せず）は、前記外部導出リード１０２と金ｊｆ４δ］
ｌ線１０５で電気的に接続されている。前記光半導体素
子１０４上に例えば、ルビー、サファイア、あるいはガ
ラスよりなる球形のレンズ１０６が樹脂１０７で取付け
られ、しかる後、中央にガラスあるいはサファイア等の
光透過性の窓部１０８を有するキャップ１０９が前記ス
テムベース１０１に装置内部が気密になるよう数句けら
れている。
このような従来の光半導体装置に於ては、小さな光半導
体素子１０４上に、球状をしたレンズ１０６を樹脂１０
７て直接数句けている為、球状レンズ１０６の固定が不
安定で球状レンズ１０６が脱落し易いといった欠点を有
していた。また球状レンズ１０６を光半導１本素子１０
４上に取付ける際に、球状レンズ１０６が光半導体素子
１０４ならびに金属細線１０５に接触し、光半導体素子
１０４を破壊したり金ＢＧ ＋？ｌｌ］線１０５線断０
５変形を生じ易いといった欠点を有している。
体素子１０４上に、球状をしたレンズ１０６を樹脂１０
７て直接数句けている為、球状レンズ１０６の固定が不
安定で球状レンズ１０６が脱落し易いといった欠点を有
していた。また球状レンズ１０６を光半導１本素子１０
４上に取付ける際に、球状レンズ１０６が光半導体素子
１０４ならびに金属細線１０５に接触し、光半導体素子
１０４を破壊したり金ＢＧ ＋？ｌｌ］線１０５線断０
５変形を生じ易いといった欠点を有している。
本発明は従来の光半導体装置のかかる欠点を除去するこ
とを目的とするものである。
とを目的とするものである。
次に本発明の光半導体装置の一実施例につき、図面を参
照して説明する。
照して説明する。
第２図に於いて、２００はステムで、外部導出リード２
０２がガラス２０３で気密封着されたステムベース２０
１の中央に光半導体素子２０４が固定されている。該光
半導体素子２０４の電イ距示ぜず）は、前記外部導出リ
ード２０２と、金属細線２０５で電気的に接続され、し
かる後中火にカラス、サファイア、あるいはルビー等よ
りなる球状レンズ２０６をガラス２１０等で気密封着し
てなるキャップ２０９が前記ステムベース２０１上に装
置内部が気密になるよう取付けられている。
０２がガラス２０３で気密封着されたステムベース２０
１の中央に光半導体素子２０４が固定されている。該光
半導体素子２０４の電イ距示ぜず）は、前記外部導出リ
ード２０２と、金属細線２０５で電気的に接続され、し
かる後中火にカラス、サファイア、あるいはルビー等よ
りなる球状レンズ２０６をガラス２１０等で気密封着し
てなるキャップ２０９が前記ステムベース２０１上に装
置内部が気密になるよう取付けられている。
このような本発明の光半導体装置に於ては、キャップ２
０９の側壁を形成する壁部材２１１に球状レンズ２０６
をガラス２１０等で、強固にかつ気密に取付けることが
でき、また球状レンズ２０６はキャップ２０９の壁部月
２１１で支持されている為、キャップ２０９をステムベ
ース２０１に取付ける際、球状レンズ２０６が光半導体
素子２０４ならびに金属δ［１１線２０５と接触するの
を防止できる。
０９の側壁を形成する壁部材２１１に球状レンズ２０６
をガラス２１０等で、強固にかつ気密に取付けることが
でき、また球状レンズ２０６はキャップ２０９の壁部月
２１１で支持されている為、キャップ２０９をステムベ
ース２０１に取付ける際、球状レンズ２０６が光半導体
素子２０４ならびに金属δ［１１線２０５と接触するの
を防止できる。
このように本発明の光半導体装置によれば、従来の光半
導体装置が有していた、球状レンズ１０６の脱落、樹脂
１０７による装置内部の汚損１球レンズ１０６取付けの
際に光半導体素子１０４の破壊、ならびに金属細線１０
６の断線、変形を生じ易いといった欠点を除去し、光フ
ァイバーとの結合のトレランスの大きな、信頼度の高い
光半導体装置を容易に提供することが可能である。
導体装置が有していた、球状レンズ１０６の脱落、樹脂
１０７による装置内部の汚損１球レンズ１０６取付けの
際に光半導体素子１０４の破壊、ならびに金属細線１０
６の断線、変形を生じ易いといった欠点を除去し、光フ
ァイバーとの結合のトレランスの大きな、信頼度の高い
光半導体装置を容易に提供することが可能である。
以上本発明の実施例として、光半導体発光装置への適用
例につき説明したが、本発明は発光・受光装置の別なく
有効でかつ、レンズのＩ質、形状等により何ら制限を受
けるものではなく、特許請求範囲に記す、全ての光半導
体装置に及ぶことは明らかであろう。
例につき説明したが、本発明は発光・受光装置の別なく
有効でかつ、レンズのＩ質、形状等により何ら制限を受
けるものではなく、特許請求範囲に記す、全ての光半導
体装置に及ぶことは明らかであろう。
第１図は従来の光半導体装置の縦断面図であり、第２図
は本発明の光半導体装置の一実施例を示す縦断面図であ
る。
は本発明の光半導体装置の一実施例を示す縦断面図であ
る。
Claims (1)
- 光半導体素子が搭載されたステムにキャップを気密封止
してなる光半導体装置において、前記キャップの外壁を
形成する壁部材に、レンズが気密封止されていることを
特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135303A JPS5925284A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135303A JPS5925284A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925284A true JPS5925284A (ja) | 1984-02-09 |
Family
ID=15148553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57135303A Pending JPS5925284A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925284A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63226979A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPH0245657U (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-29 | ||
| DE10224710A1 (de) * | 2002-06-04 | 2004-01-08 | Schott Glas | Verfahren zur hermetischen Gehäusung von optischen Bauelementen sowie verfahrensgemäß hergestellte optische Bauelemente |
| KR100822340B1 (ko) | 2007-04-09 | 2008-04-16 | 충남대학교산학협력단 | 전기적으로 격리된 금속 포스트를 갖춘 금속판을 이용하는반도체 발광장치의 제조 방법 |
| EP3101699A1 (fr) * | 2015-06-02 | 2016-12-07 | Radiall | Module optoelectronique pour liaison optique sans contact, modules multivoies associes, systeme d'interconnexion, procede de realisation et de connexion a une carte associes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50153655A (ja) * | 1974-05-30 | 1975-12-10 | ||
| JPS56110274A (en) * | 1980-02-04 | 1981-09-01 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous device and its manufacture |
-
1982
- 1982-08-03 JP JP57135303A patent/JPS5925284A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50153655A (ja) * | 1974-05-30 | 1975-12-10 | ||
| JPS56110274A (en) * | 1980-02-04 | 1981-09-01 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous device and its manufacture |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63226979A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JPH0245657U (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-29 | ||
| DE10224710A1 (de) * | 2002-06-04 | 2004-01-08 | Schott Glas | Verfahren zur hermetischen Gehäusung von optischen Bauelementen sowie verfahrensgemäß hergestellte optische Bauelemente |
| DE10224710B4 (de) * | 2002-06-04 | 2005-12-08 | Schott Ag | Verfahren zur hermetischen Gehäusung von optischen Bauelementen sowie verfahrensgemäß hergestellte optische Bauelemente |
| KR100822340B1 (ko) | 2007-04-09 | 2008-04-16 | 충남대학교산학협력단 | 전기적으로 격리된 금속 포스트를 갖춘 금속판을 이용하는반도체 발광장치의 제조 방법 |
| EP3101699A1 (fr) * | 2015-06-02 | 2016-12-07 | Radiall | Module optoelectronique pour liaison optique sans contact, modules multivoies associes, systeme d'interconnexion, procede de realisation et de connexion a une carte associes |
| FR3037190A1 (fr) * | 2015-06-02 | 2016-12-09 | Radiall Sa | Module optoelectronique pour liaison optique sans contact mecanique, ensemble de modules, systeme d'interconnexion, procede de realisation et de connexion a une carte associes |
| US10337913B2 (en) | 2015-06-02 | 2019-07-02 | Radiall | Optoelectronic module for a contactless free-space optical link, associated multichannel modules, associated interconnection system, method of production and connection to a board |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4733094A (en) | Bidirectional optoelectronic component operating as an optical coupling device | |
| US4270134A (en) | Light-emitting semiconductor device | |
| JPS59101882A (ja) | 光半導体装置 | |
| US4529907A (en) | Light emitting display device | |
| US20060176539A1 (en) | Optical scanner package and method of manufacturing the same | |
| JPS6220716B2 (ja) | ||
| KR19990035849A (ko) | 광전자 트랜스듀서 및 이 광전자 트랜스듀서를 제조하는 방법 | |
| US4933729A (en) | Photointerrupter | |
| US5105237A (en) | Semiconductor light-emitting device with partial encapsulation | |
| JPS5831735B2 (ja) | コウガクテキハンドウタイソウチ | |
| JPS5925284A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH02118607A (ja) | 光結合回路 | |
| JPH0792335A (ja) | 光ファイバの気密封止部構造 | |
| JPH05175614A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS60153184A (ja) | 受光素子 | |
| JPH11346006A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH059689Y2 (ja) | ||
| JPS61253872A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JPS584836B2 (ja) | 光半導体素子パッケ−ジ | |
| JPS6322690Y2 (ja) | ||
| JPH02297988A (ja) | 光半導体装置を用いた光結合系 | |
| JP2570280B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2940497B2 (ja) | 光半導体モジュール | |
| JPS63244781A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS6260277A (ja) | 半導体発光装置 |