JPS59231816A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS59231816A JPS59231816A JP10581183A JP10581183A JPS59231816A JP S59231816 A JPS59231816 A JP S59231816A JP 10581183 A JP10581183 A JP 10581183A JP 10581183 A JP10581183 A JP 10581183A JP S59231816 A JPS59231816 A JP S59231816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- processing chamber
- high vacuum
- valve
- preliminary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング装置に係り、特に複数の真
空室を有するエツチング装置の短時間での排気に好適な
ドライエツチング排気装置に関するものである。
空室を有するエツチング装置の短時間での排気に好適な
ドライエツチング排気装置に関するものである。
第１図、第２図は、従来の試料処理室および搬送予備室
を有するドライエツチング装置の一例を示す、ｆｉ１図
において、処理室１は粗引きラインを有する高真空排気
系と、カス圧を調整しながら排気するエツチング排気系
とを有し、試料の搬入。
を有するドライエツチング装置の一例を示す、ｆｉ１図
において、処理室１は粗引きラインを有する高真空排気
系と、カス圧を調整しながら排気するエツチング排気系
とを有し、試料の搬入。
搬出のための予備室２，３は、それぞれ独自の排気系を
有している。
有している。
このようなドライエツチング装置の排気手順としては、
バルブ１３を開放し、低真空ポンプ６によって処理室ｌ
をＩ Ｆ’ Ｔｏｒｒ台の圧力１こ粗引きした後、バル
ブ１３を閉じ、バルブ１４を開放して高真空ポンプ８お
よび低真空ポンプ６により、処理室１内を１０１〜１０
”” Ｔｏｒｒ台の高真空に排気する。
バルブ１３を開放し、低真空ポンプ６によって処理室ｌ
をＩ Ｆ’ Ｔｏｒｒ台の圧力１こ粗引きした後、バル
ブ１３を閉じ、バルブ１４を開放して高真空ポンプ８お
よび低真空ポンプ６により、処理室１内を１０１〜１０
”” Ｔｏｒｒ台の高真空に排気する。
一方、搬入予備室２は、試料装着後、まず、バルブ９を
開放し、低真空ポンプ６によってスロー排気を行い、１
０〜Ｉ Ｔｏｒｒ 程度にまで排気した後１こバルブ
９を閉じ、バルブ１０を開放して予備室２内を１０””
Ｔｏｒｒ台まで排気する。搬出予備室３も同様にして
排気される。
開放し、低真空ポンプ６によってスロー排気を行い、１
０〜Ｉ Ｔｏｒｒ 程度にまで排気した後１こバルブ
９を閉じ、バルブ１０を開放して予備室２内を１０””
Ｔｏｒｒ台まで排気する。搬出予備室３も同様にして
排気される。
次に、処理室１と搬入予備室２とを隔離するゲートバル
ブ４を開き、試料を処理室１内に搬入した後、再びゲー
トバルブ４を閉じる。その後、バルブ１４を閉じ、エツ
チングガスな処理室ｌに導入しながらバルブ稔を開き、
低真空ポンプ６によって排気を行いながら可変コンダク
タンスバルブ５で圧力調整を行い、エツチングを実行す
る。
ブ４を開き、試料を処理室１内に搬入した後、再びゲー
トバルブ４を閉じる。その後、バルブ１４を閉じ、エツ
チングガスな処理室ｌに導入しながらバルブ稔を開き、
低真空ポンプ６によって排気を行いながら可変コンダク
タンスバルブ５で圧力調整を行い、エツチングを実行す
る。
エツチングが完了するとガスの導入を停止し、バルブ１
２を閉じてバルブ１４を開放し、再び処理室１内を高真
空に排気する。その後、処理室１と搬入、搬出予備室２
，３を隔離するゲートバルブ４を開き、エツチングを終
了した試料を搬出し、新しい試料を処理室１内に搬入し
て再びゲー トバルブ４を閉じる。
２を閉じてバルブ１４を開放し、再び処理室１内を高真
空に排気する。その後、処理室１と搬入、搬出予備室２
，３を隔離するゲートバルブ４を開き、エツチングを終
了した試料を搬出し、新しい試料を処理室１内に搬入し
て再びゲー トバルブ４を閉じる。
第２図に示した従来例１こおいては、処理室１はガス圧
を調整しながら排気するエツチング排気系を有し、予備
室２，３はそれぞれ粗引きラインを備えた高真空排気系
を有している。
を調整しながら排気するエツチング排気系を有し、予備
室２，３はそれぞれ粗引きラインを備えた高真空排気系
を有している。
このような装置においては、搬入予備室２に試料装着後
、まず、ゲートバルブ４を開放し、バルブ９を開けて１
０〜Ｉ Ｔｏｒｒ 程度までスロー排気を行った後、バ
ルブ９を閉じてバルブ１０を開け、低真空ポンプ６によ
る粗引き （１０−２Ｔｏｒｒ台）を行う。粗引き完了
後、バルブ１０を閉じてバルブ１４を開け、高真空ポン
プ８および低真空ポンプ６ｆこよって処理室ｌおよび予
備室２，３の高真空排気（１０−６〜１０−’ Ｔｏｒ
ｒ台）を行い、排気の間に試料を処理室１に移送する。
、まず、ゲートバルブ４を開放し、バルブ９を開けて１
０〜Ｉ Ｔｏｒｒ 程度までスロー排気を行った後、バ
ルブ９を閉じてバルブ１０を開け、低真空ポンプ６によ
る粗引き （１０−２Ｔｏｒｒ台）を行う。粗引き完了
後、バルブ１０を閉じてバルブ１４を開け、高真空ポン
プ８および低真空ポンプ６ｆこよって処理室ｌおよび予
備室２，３の高真空排気（１０−６〜１０−’ Ｔｏｒ
ｒ台）を行い、排気の間に試料を処理室１に移送する。
その後にゲートバルブ４を閉じて処理室ｌにエツチング
ガスを導入し、バルブ１２を開けて可変コンダクタンス
バルブ５．低真空ポンプ６によって圧力調整を行いなが
らエツチングを実行する。エツチング終了後は再びゲー
トバルブ４を開け、予備室２，３．処理室１の高真空排
気を行いながら試料の交換を行う。
ガスを導入し、バルブ１２を開けて可変コンダクタンス
バルブ５．低真空ポンプ６によって圧力調整を行いなが
らエツチングを実行する。エツチング終了後は再びゲー
トバルブ４を開け、予備室２，３．処理室１の高真空排
気を行いながら試料の交換を行う。
以上のような従来のドライエツチング装置において、第
１図に示す例では、処理室が予備室よりも高真空となる
ために、ゲートバルブの開放時にガスが予備室から処理
室に向って流入し、微小なでは、前記の問題は解決され
ているが、予備室を通して処理室の高真空排気を行うた
めに排気時間が長（かかり、スループットの低下を招い
ている。
１図に示す例では、処理室が予備室よりも高真空となる
ために、ゲートバルブの開放時にガスが予備室から処理
室に向って流入し、微小なでは、前記の問題は解決され
ているが、予備室を通して処理室の高真空排気を行うた
めに排気時間が長（かかり、スループットの低下を招い
ている。
また、いずれの例も各真空室にそれぞれ排気系を設けて
いるため、ポンプ、配管、バルブが多数必要となり、ス
ペース、メインテナンス等の面から構造が複雑であった
。
いるため、ポンプ、配管、バルブが多数必要となり、ス
ペース、メインテナンス等の面から構造が複雑であった
。
本発明の目的は、従来の装置が傅する前記の不具合な問
題を除去し、簡略なＭ４造の排気装置によって、汚染が
少く、短時間で真空排気が可能なドライエツチング装置
を提供することにある。
題を除去し、簡略なＭ４造の排気装置によって、汚染が
少く、短時間で真空排気が可能なドライエツチング装置
を提供することにある。
本発明は、処理室と搬送予備室とから成るドライエツチ
ング装置に、常に高真空に打［気さｉｔでいる高真空室
を設け、各室と高真空室とをバルブを介して接続するこ
とにより、一つの排気系によって複数の真空室の排気を
可能にすると共に、バルブの切換え看こより瞬時に低真
空から高真空に排気することを可能にしたものである。
ング装置に、常に高真空に打［気さｉｔでいる高真空室
を設け、各室と高真空室とをバルブを介して接続するこ
とにより、一つの排気系によって複数の真空室の排気を
可能にすると共に、バルブの切換え看こより瞬時に低真
空から高真空に排気することを可能にしたものである。
以下、本発明裔こよるドライエツチング装置の一実施例
を第３図着こより説明する。
を第３図着こより説明する。
袋層は処理室１．搬入予備室２．搬出予備室３の三つの
真空室から成り、それぞれの予備室２゜３はゲートバル
ブ４醤こよって処理室１に接続されている。処理室ｌは
、可変コンダクタンスバルブ５、低真空ポンプ６により
構成されるエツチング終了後系な有する。
真空室から成り、それぞれの予備室２゜３はゲートバル
ブ４醤こよって処理室１に接続されている。処理室ｌは
、可変コンダクタンスバルブ５、低真空ポンプ６により
構成されるエツチング終了後系な有する。
処理室１．予備室２，３に比べて大容量の高真空室７は
、大型の高真空ポンプ８を備え、常時１Ｏ−６Ｔｏｒｒ
台程度の高真空に保たれており、処理室１、予備室２．
３とはそれぞれ１ないし数本の配管によってバルブ９〜
１１を介して接続されている。
、大型の高真空ポンプ８を備え、常時１Ｏ−６Ｔｏｒｒ
台程度の高真空に保たれており、処理室１、予備室２．
３とはそれぞれ１ないし数本の配管によってバルブ９〜
１１を介して接続されている。
エツチング処理を行う場合には、搬入予備室２に試着を
装着し、小口径の配管のバルブ９を開放してＪＯ〜Ｉ
Ｔｏｒｒ程度までスロー排気を行った後、バルブ９を閉
じ、大口径配管のバルブ１０を開放すると、搬入予備室
２は瞬時にして１０−’ Ｔｏｒｒ台まで排気される。
装着し、小口径の配管のバルブ９を開放してＪＯ〜Ｉ
Ｔｏｒｒ程度までスロー排気を行った後、バルブ９を閉
じ、大口径配管のバルブ１０を開放すると、搬入予備室
２は瞬時にして１０−’ Ｔｏｒｒ台まで排気される。
同様にして搬出予備室３．処理室ｌも排気を行うことが
可能である。各室が高真空に排気された後、ゲートバル
ブ４を開けて搬送機構１７によって試料を処理室１に移
送し、ゲートバルブ４を閉じ、バルブ１５を囲けてガス
ユニット１６から処理室ｌ内にガスを導入し、バルブ１
２を開放して可変コンダクタンスバルブ５．低真空ポン
プ６によって圧力調整を行いながらエツチングを行う。
可能である。各室が高真空に排気された後、ゲートバル
ブ４を開けて搬送機構１７によって試料を処理室１に移
送し、ゲートバルブ４を閉じ、バルブ１５を囲けてガス
ユニット１６から処理室ｌ内にガスを導入し、バルブ１
２を開放して可変コンダクタンスバルブ５．低真空ポン
プ６によって圧力調整を行いながらエツチングを行う。
エツチング終了後はバルブ１２を閉じ、バルブ１１を開
いて速かに処理室１を高真空排気した後、バルブ１１を
閉じる。この間、搬入予備室２．搬出予備室３は、大気
開放、新試料の補充、処理済ウェーハの取出しを行い、
再び前記手順に従ってバルブ１０を開放し、高真空排気
状態としておく。この状態でゲートバルブ４を開放し、
排送機構１７によって処理済試料の搬出予備室３への搬
出と、新試料の搬入予備室２から処理室１への搬入を行
い、再びゲートバルブ４を閉じて次のエツチング処理に
移る。
いて速かに処理室１を高真空排気した後、バルブ１１を
閉じる。この間、搬入予備室２．搬出予備室３は、大気
開放、新試料の補充、処理済ウェーハの取出しを行い、
再び前記手順に従ってバルブ１０を開放し、高真空排気
状態としておく。この状態でゲートバルブ４を開放し、
排送機構１７によって処理済試料の搬出予備室３への搬
出と、新試料の搬入予備室２から処理室１への搬入を行
い、再びゲートバルブ４を閉じて次のエツチング処理に
移る。
本実施例によれば、常に排気の流れを処理室ｌから予備
室２，３に流入する方向とすることにより、塵埃による
汚染を防止することができると共］ に、真空排気時間を短縮することができ、スループット
向上を図ることができる。
室２，３に流入する方向とすることにより、塵埃による
汚染を防止することができると共］ に、真空排気時間を短縮することができ、スループット
向上を図ることができる。
以上述べたように本発明によれば、処理室、搬送予備室
の高真空排気が短時間で行えるため、スループットを向
上させることができると共に、エツチング処理後の高真
空排気時間を従来よりも長（取れるようになるため、残
渣や生成物によるダメージを低下させることができる。
の高真空排気が短時間で行えるため、スループットを向
上させることができると共に、エツチング処理後の高真
空排気時間を従来よりも長（取れるようになるため、残
渣や生成物によるダメージを低下させることができる。
また、排気時間を犠牲にすることなく、予備室を通じて
処理室を排気することができるため、塵埃による処理室
の汚染を低減することができる。更にまた、装置の排気
系の構成を高真空排気系とエツチング排気系の２系統に
まとめることが可能となり、装置の簡略化ならびに操作
、メインテナンス性の向上を図ることができる。
処理室を排気することができるため、塵埃による処理室
の汚染を低減することができる。更にまた、装置の排気
系の構成を高真空排気系とエツチング排気系の２系統に
まとめることが可能となり、装置の簡略化ならびに操作
、メインテナンス性の向上を図ることができる。
第１図、第２図は、従来のドライエツチング装置の一例
を示す系統図、第３図は本発明によるドライエツチング
装置の一実施例を示す系統図である。 １・・・・・・処理室、２・・・・・搬入予備室、３・
・・・・・搬出予備室、４・・・・・・ゲートバルブ、
５・・・・・・可変コンダクタンスバルブ、６・・・・
・・低真空ポンプ、７・・・・・高真空室、８・・・・
・・高真空ポンプ、９〜１５・・・・・・バルブ、１６
・・・・・・ガスユニット、］７・・・・・・搬送機構
代理人 弁理士 高 橋 明 天 才１図 ｆｚ図
を示す系統図、第３図は本発明によるドライエツチング
装置の一実施例を示す系統図である。 １・・・・・・処理室、２・・・・・搬入予備室、３・
・・・・・搬出予備室、４・・・・・・ゲートバルブ、
５・・・・・・可変コンダクタンスバルブ、６・・・・
・・低真空ポンプ、７・・・・・高真空室、８・・・・
・・高真空ポンプ、９〜１５・・・・・・バルブ、１６
・・・・・・ガスユニット、］７・・・・・・搬送機構
代理人 弁理士 高 橋 明 天 才１図 ｆｚ図
Claims (1)
- １ 試料処理室と該試料処理室に試料を搬入、搬出する
ための搬送予備室とを備えたドライエツチング装置にお
いて、常時高真空に排気されている高真空室を設け、該
高真空室と前記試料処理室および各搬送予備室とをそれ
ぞれバルブを介して接続したことを特徴とするドライエ
ツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10581183A JPS59231816A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10581183A JPS59231816A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231816A true JPS59231816A (ja) | 1984-12-26 |
Family
ID=14417479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10581183A Pending JPS59231816A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231816A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03135022A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理装置 |
| JPH04116125U (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-16 | 株式会社芝浦製作所 | 半導体製造装置 |
| JP2018186172A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP10581183A patent/JPS59231816A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03135022A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理装置 |
| JPH04116125U (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-16 | 株式会社芝浦製作所 | 半導体製造装置 |
| JPH085545Y2 (ja) * | 1991-03-29 | 1996-02-14 | 株式会社芝浦製作所 | 半導体製造装置 |
| JP2018186172A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
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