JPS59230034A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPS59230034A JPS59230034A JP58104905A JP10490583A JPS59230034A JP S59230034 A JPS59230034 A JP S59230034A JP 58104905 A JP58104905 A JP 58104905A JP 10490583 A JP10490583 A JP 10490583A JP S59230034 A JPS59230034 A JP S59230034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- pressure
- microwave
- chamber
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、プラズマ処理技術に関し、さらに詳しく述べ
ると、例えばポリプロピレン、ポリエチレン等の合成樹
脂からなる製品、すなわち、被処理物の表面を改質する
ためにプラズマ処理を実施するに際して、プラズマ処理
設備の運転を自動制御し、よって1品質の管理を計ろう
とするものである。
ると、例えばポリプロピレン、ポリエチレン等の合成樹
脂からなる製品、すなわち、被処理物の表面を改質する
ためにプラズマ処理を実施するに際して、プラズマ処理
設備の運転を自動制御し、よって1品質の管理を計ろう
とするものである。
従来技術
近年、自動車部品の材料が軽量でかつ意匠性C二優′r
した合成樹脂材料に移行しつつあることは周知の通りで
ある。ところで、比較的安価で容易(二人中可能なポリ
プロピレン、ポリエチレン等の合成樹脂材料は、それら
を例えば車両外板に使用しft場合、材料表面とその上
(二施される塗膜との密着性が悪いので、この技術分野
において不所望な層間剥離を発生することが屡々である
。かかる問題を解消する1手段として、m脂材料の表面
を改質し℃塗膜の密着性を良好ならしめる技術1例えば
2塗装前に樹脂材料の表面をグロー放電、コロナ放電、
ラジオ波放電、マイクロ波放電等C二曝してその材料の
表面をmrヒ(極性基の導入)するかもしくはエツチン
グ(いわゆるアンカー効果の向上)する技術が知られて
いる。このような技術はプラズマ処理技術と呼ばれてい
る。
した合成樹脂材料に移行しつつあることは周知の通りで
ある。ところで、比較的安価で容易(二人中可能なポリ
プロピレン、ポリエチレン等の合成樹脂材料は、それら
を例えば車両外板に使用しft場合、材料表面とその上
(二施される塗膜との密着性が悪いので、この技術分野
において不所望な層間剥離を発生することが屡々である
。かかる問題を解消する1手段として、m脂材料の表面
を改質し℃塗膜の密着性を良好ならしめる技術1例えば
2塗装前に樹脂材料の表面をグロー放電、コロナ放電、
ラジオ波放電、マイクロ波放電等C二曝してその材料の
表面をmrヒ(極性基の導入)するかもしくはエツチン
グ(いわゆるアンカー効果の向上)する技術が知られて
いる。このような技術はプラズマ処理技術と呼ばれてい
る。
プラズマ処理を行なう場合、その処理効果を向上させる
ため嘔二反応室を減圧して真空状態にすることが必要で
あり、この状態を維持するために。
ため嘔二反応室を減圧して真空状態にすることが必要で
あり、この状態を維持するために。
現在バッチ処理が主流になっている。一方、この処理技
術を大物でかつ複雑形状の樹脂材料部品を同時に多数個
表面処理しなければならない1例えば自動車部品の製造
という量産工程に導入する場合、短時間で真空状態にし
かつ1回の処理でより多数個の被処理物をプラズマ処理
することが必要である。この必要性を考慮して、最近、
プラズマ見積部分と反応室(すなわち、処理容器)とを
分離した形式のプラズマ処理設備が多く用いられている
。このような形式のプラズマ処理設備でな、処理容器外
のプラズマ発生部分(プラズマ発生炉と、そオtにm交
するプラズマ発生管の組み合わせ)においてプラズマを
発生させ、Cのプラズマを処理容器内へ輸送し、そして
容器内(=装備したシャワー管でプラズマを照射拡散す
る。
術を大物でかつ複雑形状の樹脂材料部品を同時に多数個
表面処理しなければならない1例えば自動車部品の製造
という量産工程に導入する場合、短時間で真空状態にし
かつ1回の処理でより多数個の被処理物をプラズマ処理
することが必要である。この必要性を考慮して、最近、
プラズマ見積部分と反応室(すなわち、処理容器)とを
分離した形式のプラズマ処理設備が多く用いられている
。このような形式のプラズマ処理設備でな、処理容器外
のプラズマ発生部分(プラズマ発生炉と、そオtにm交
するプラズマ発生管の組み合わせ)においてプラズマを
発生させ、Cのプラズマを処理容器内へ輸送し、そして
容器内(=装備したシャワー管でプラズマを照射拡散す
る。
ところで、プラズマ処理効果を評価する手段としては、
周知の通り、X!51元電子分元法(ESCAルフーリ
エ変換赤外分光法(FT−IR)等の地面分析法、ある
いは、最も簡便な方法として、被処理物表面の水ヌレ性
を定量評価することからなる接触角測定法がある。これ
らの方法は、いずれも。
周知の通り、X!51元電子分元法(ESCAルフーリ
エ変換赤外分光法(FT−IR)等の地面分析法、ある
いは、最も簡便な方法として、被処理物表面の水ヌレ性
を定量評価することからなる接触角測定法がある。これ
らの方法は、いずれも。
プラズマ処理C:より被処理物の最上層(数lθ〜数1
0OAの膜厚月二生成した例えば−〇H。
0OAの膜厚月二生成した例えば−〇H。
\
、C=O、−NHC=O等の親水性基の量を評価するも
ので、極めて有効な処理効果評価手段である。
ので、極めて有効な処理効果評価手段である。
このような評価手段を使用してプラズマ処理設備の運転
の自動制御ができかつひいてはプラズマ処理の品質管理
ができることが望ましいというものの、実際(二は不可
能である。なぜなら、プラズマ処理の品質は例えば処理
容器内の減圧既、処理ガス社、放電出力等の処理東件に
依存する(ユも拘らず、上記した評価手段はプラズマ処
理後の製品を計測するだけのものであり、捷た。評価に
時間を要することから、連続生産ラインの設備運転管理
技術1例えばプラズマの発生状態と、その時の品質を、
その都度管理して、不都合を最小限に抑えるという魚で
、適していないからである。
の自動制御ができかつひいてはプラズマ処理の品質管理
ができることが望ましいというものの、実際(二は不可
能である。なぜなら、プラズマ処理の品質は例えば処理
容器内の減圧既、処理ガス社、放電出力等の処理東件に
依存する(ユも拘らず、上記した評価手段はプラズマ処
理後の製品を計測するだけのものであり、捷た。評価に
時間を要することから、連続生産ラインの設備運転管理
技術1例えばプラズマの発生状態と、その時の品質を、
その都度管理して、不都合を最小限に抑えるという魚で
、適していないからである。
発明の目的
本発明の目的は、プラズマ処理を実施するに際して、プ
ラズマ発生状態を定量的にかつ連続的に評価して、プラ
ズマ処理設備の運転を連続的に管理・制御するとともシ
ュ。設備運転(処理)中の処理品質も連続的に管理でき
、よって、品質の不都合を最小限に抑えることのできる
ような設備運転の管理・制御技術を提供することにある
。
ラズマ発生状態を定量的にかつ連続的に評価して、プラ
ズマ処理設備の運転を連続的に管理・制御するとともシ
ュ。設備運転(処理)中の処理品質も連続的に管理でき
、よって、品質の不都合を最小限に抑えることのできる
ような設備運転の管理・制御技術を提供することにある
。
発明の構成
上記した目的は1本発明によれば、ラジオ波。
マイクロ波等の高周波を利用したプラズマ処理を実施す
るζ二当り、処理容器内の圧力を真空計にて連続的に計
測検知して監視することと、プラズマ発生状態をプラズ
マ発生炉における高周波の入反射電力の形で連続的に計
測検知して監視することとを組み合わせることによりプ
ラズマ処理設備の運転を自動制御することによって達成
することができる。
るζ二当り、処理容器内の圧力を真空計にて連続的に計
測検知して監視することと、プラズマ発生状態をプラズ
マ発生炉における高周波の入反射電力の形で連続的に計
測検知して監視することとを組み合わせることによりプ
ラズマ処理設備の運転を自動制御することによって達成
することができる。
本発明によれば、計測検知した圧力と高周波の入反射電
力をそれぞれ設備運転制御出力毎号として設備の運転機
構に織り込む。
力をそれぞれ設備運転制御出力毎号として設備の運転機
構に織り込む。
ここで、1人反射電力1とは、プラズマ発生状態の良否
を定量的に計測する代表値であって、プラズマ発生炉に
入射される亀カ値2そしてプラズマ発生炉から反射され
る亀カ値を指す。かかる入反射電力を計測検知する場合
、プラズマ発生炉から10m以内、好ましくは5m以内
の距離においてそれを行なうのが有利である。
を定量的に計測する代表値であって、プラズマ発生炉に
入射される亀カ値2そしてプラズマ発生炉から反射され
る亀カ値を指す。かかる入反射電力を計測検知する場合
、プラズマ発生炉から10m以内、好ましくは5m以内
の距離においてそれを行なうのが有利である。
実施例
次に、マイクロ波放電によるプラズマ処理を例にとって
、添付の図面を参照しながら本発明を詳説する。
、添付の図面を参照しながら本発明を詳説する。
第1A図及び第1B図は、それぞれ、マイクロ波放電プ
ラズマ処理装置の概要を示す平面図及び側面図である。
ラズマ処理装置の概要を示す平面図及び側面図である。
図中の1は処理容器であり、その内部、すなわち、処理
室は12で示される。
室は12で示される。
処理室12へのプラズマの導入は次のよう(二して行な
う:先ず、マイクロ波発振機2でマイクロ波に2生させ
、このマイクロ波をマイクロ波反射電波を系外へ分離す
るためのアイソレータ3に送り、さら(二、入反射重力
を測定するための〕(ツーモニター検出部41反射電力
を最小(ニするためのスリースタブチューナー5を経て
、導波管]6−1〜3によってプラズマ発生炉6−1〜
3に伝送する。プラズマ発生炉内では、プランジャーの
位置を予め調整すること(二よりマイクロ波の屯界強匿
が最も強くなるようにコントロールすることができる。
う:先ず、マイクロ波発振機2でマイクロ波に2生させ
、このマイクロ波をマイクロ波反射電波を系外へ分離す
るためのアイソレータ3に送り、さら(二、入反射重力
を測定するための〕(ツーモニター検出部41反射電力
を最小(ニするためのスリースタブチューナー5を経て
、導波管]6−1〜3によってプラズマ発生炉6−1〜
3に伝送する。プラズマ発生炉内では、プランジャーの
位置を予め調整すること(二よりマイクロ波の屯界強匿
が最も強くなるようにコントロールすることができる。
一方、プラズマ出処理ガス(ここでは酸素ガス)を圧縮
封入したガスポンベ16−1.2を用意し。
封入したガスポンベ16−1.2を用意し。
そのパルプ14の開閉により℃流量計15−1 。
2の指示にもとづ(適切量の酸素ガスをガス供給用ナイ
ロン製ガスチューブ13−1〜3によってプラズマ発生
管7−1〜3に供給するープラズマ発生管は1図示され
る通り1発生炉6−1〜3と直交する。処理ガスが内部
を通過するこの発生管は石英管である。ここでは、管と
管などを接続するため(ニテフロン(フルオロカーボン
樹脂の商品名)製のコネクタ、すなわち、フロロコネク
タを使用した。
ロン製ガスチューブ13−1〜3によってプラズマ発生
管7−1〜3に供給するープラズマ発生管は1図示され
る通り1発生炉6−1〜3と直交する。処理ガスが内部
を通過するこの発生管は石英管である。ここでは、管と
管などを接続するため(ニテフロン(フルオロカーボン
樹脂の商品名)製のコネクタ、すなわち、フロロコネク
タを使用した。
プラズマ発生管7−1〜3でプラズマを発生させ、この
プラズマをプラズマ輸送費8で分岐・輸送後、プラズマ
導入口9−1〜9を経てプラズマ照射用ガラス製シャワ
ー管10−1〜9(二送り2ここから被処理物(図示せ
ず)上に噴射する。ここで、処理室12は、プラズマ処
理中でも真空に保つため、処理室排気用真空ポンプ(図
示せず)ζ二接続した排気口11−1〜9から連続的(
二排気されるよう(二できている。
プラズマをプラズマ輸送費8で分岐・輸送後、プラズマ
導入口9−1〜9を経てプラズマ照射用ガラス製シャワ
ー管10−1〜9(二送り2ここから被処理物(図示せ
ず)上に噴射する。ここで、処理室12は、プラズマ処
理中でも真空に保つため、処理室排気用真空ポンプ(図
示せず)ζ二接続した排気口11−1〜9から連続的(
二排気されるよう(二できている。
本例の場合1図示しないけれども、数百kVの高電圧を
発することが可能なテスジーコイルをプラズマ発生管7
−1〜3上C二配置し、その高亀圧放K(二より処理ガ
スを予備励起することが好ましい。
発することが可能なテスジーコイルをプラズマ発生管7
−1〜3上C二配置し、その高亀圧放K(二より処理ガ
スを予備励起することが好ましい。
なぜなら、こうすることによつt、処理ガス導入系を損
傷することなく、安定してプラズマ比ガスを処理容器内
(二6人することができるからである。
傷することなく、安定してプラズマ比ガスを処理容器内
(二6人することができるからである。
次に1本発明方法の好ましい一例ケ第2図のプラズマ処
理装置の自動運転フローチャートをあわせて参照しなが
ら説明する:処t!p室12(二被処卵物(図示せず)
を載置し、室内を真空排気する。
理装置の自動運転フローチャートをあわせて参照しなが
ら説明する:処t!p室12(二被処卵物(図示せず)
を載置し、室内を真空排気する。
この真空排気は、真空ポンプ(図示せず)により、室内
の圧力がRr足の圧力P1に達するまで行なう。
の圧力がRr足の圧力P1に達するまで行なう。
真空計(図示せず)で圧力P1の検知後、ガスパルプ1
4を開けてボンベ16−1.2内の酸素ガスを処理容器
1に導入する。この酸素ガスの導入に当って流量計15
−1.2によりPJi定流針となるように酸素ガスの流
出をコントロールし、流量のコントロールされたガスを
ガスチューブ13−1〜31発生管7−1〜3を介して
容器l内へ流し込む。
4を開けてボンベ16−1.2内の酸素ガスを処理容器
1に導入する。この酸素ガスの導入に当って流量計15
−1.2によりPJi定流針となるように酸素ガスの流
出をコントロールし、流量のコントロールされたガスを
ガスチューブ13−1〜31発生管7−1〜3を介して
容器l内へ流し込む。
酸素ガスの導入によりて処理室12の圧力が上昇する。
室内の圧力が所定の減圧状態(すなわち。
処理圧)P2になったのを再び真空計で検知後、マイク
ロ波発振機2(二よりマイクロ波を発振させ。
ロ波発振機2(二よりマイクロ波を発振させ。
このマイクロ波をアイソレータ3.パワーモニター検出
部4.スリースタブチューナー5.導波管]6−1〜3
を介して発生6−1〜3内へ伝送する。なお、発生炉内
では、プランジャーの位置調整によって、マイクロ波の
電界強度が最も強くなるように予め調整し℃おく、2お
、このマイクロ波発振と同時1;、放電補助用テスラー
コイル(図示せず)も、タイマー制御によって約1秒間
にわfcって作動させ、高圧ケーブル先端から約400
〜500 kVの高電圧で放電させる。この放電により
、プラズマ発生管内?流れるg素ガスが、その程度こそ
マイクロ波放電(二よる電離(プラズマ状態)よりは数
段力るというものの、電離され、そして電子を生成する
。この電離され7’(酸素ガスは。
部4.スリースタブチューナー5.導波管]6−1〜3
を介して発生6−1〜3内へ伝送する。なお、発生炉内
では、プランジャーの位置調整によって、マイクロ波の
電界強度が最も強くなるように予め調整し℃おく、2お
、このマイクロ波発振と同時1;、放電補助用テスラー
コイル(図示せず)も、タイマー制御によって約1秒間
にわfcって作動させ、高圧ケーブル先端から約400
〜500 kVの高電圧で放電させる。この放電により
、プラズマ発生管内?流れるg素ガスが、その程度こそ
マイクロ波放電(二よる電離(プラズマ状態)よりは数
段力るというものの、電離され、そして電子を生成する
。この電離され7’(酸素ガスは。
輸送距離が短かいために、その電離状態を失活すること
なしにマイクロ波による強電界領域へ供給され、生成さ
れfc社子がトリ力′となって瞬時のうちC二尚エネル
ギーを有するプラズマ比状態となる。
なしにマイクロ波による強電界領域へ供給され、生成さ
れfc社子がトリ力′となって瞬時のうちC二尚エネル
ギーを有するプラズマ比状態となる。
換言すると、電離された酸素カスはマイクロ波放電状態
となり、マイクロ波反射電力は最小になる。
となり、マイクロ波反射電力は最小になる。
プラズマ比され7”c酸素ガスは1次いで、プラズマ給
送管8.プラズマ導入口9−1〜97al−介して処理
容器1内のシャワー管10−1〜9に送られ、ここから
被処理物へシャワー拡散される。
送管8.プラズマ導入口9−1〜97al−介して処理
容器1内のシャワー管10−1〜9に送られ、ここから
被処理物へシャワー拡散される。
本例では、マイクロ波の発振と同時;二、その発振時間
がンイマ(図示せず)(二より制御される。
がンイマ(図示せず)(二より制御される。
さら(二、マイクロ波の発振の結果として発生せしめら
れるプラズマの発生状態が、これもまた図示しないが、
プラズマ監視装置(二より連続的C二管理される。この
監視装置C:より、プラズマ発生状態C二不都合が発生
した場合にはマイクロ波発振が繰り返される。そして、
このマイクロ波発振が3回(=わたって繰り返されても
プラズマの発生が所定の状態(二連り、ない時(すなわ
ち、 Noの時)、lF報が発せられるとともに、プラ
ズマ処理装置の運転が停止される。一方、プラズマの発
生が所定の状態で所定の時間にわたって保持された場合
、マイクロ波発振が停止されると同時に、ガスバルブ1
4が閉状態(=なり、真空ポンプも停止して処理が完了
する。なシ、これらの制御系をタイムチャートで示すと
、第3図の通りである。
れるプラズマの発生状態が、これもまた図示しないが、
プラズマ監視装置(二より連続的C二管理される。この
監視装置C:より、プラズマ発生状態C二不都合が発生
した場合にはマイクロ波発振が繰り返される。そして、
このマイクロ波発振が3回(=わたって繰り返されても
プラズマの発生が所定の状態(二連り、ない時(すなわ
ち、 Noの時)、lF報が発せられるとともに、プラ
ズマ処理装置の運転が停止される。一方、プラズマの発
生が所定の状態で所定の時間にわたって保持された場合
、マイクロ波発振が停止されると同時に、ガスバルブ1
4が閉状態(=なり、真空ポンプも停止して処理が完了
する。なシ、これらの制御系をタイムチャートで示すと
、第3図の通りである。
第4図(二は2本発明1ニプラズマ発生状態の計測検知
方法の一例である入反射市、カ測定用パワーモニタが示
される。マイクロ波発据機(図示せず)から発振された
マイクロ波は、パワーモニタ50内を矢印へから矢印B
の方向に、そしてさらに導波管(図示せず)(′″−よ
りプラズマ発生炉に伝達される。一方、プラズマ発生C
ユ使用されなかったマイクロ波は、プラズマ発生炉で反
射さオt、上記とは反対に矢印Bから矢印Aの方向に伝
達され、アイソレータを経て系外(二分離される。入t
jt力値及び反射m力値は1図示される通り、パワーモ
ニタ50に付属のメータ5゛1から読み取る。
方法の一例である入反射市、カ測定用パワーモニタが示
される。マイクロ波発据機(図示せず)から発振された
マイクロ波は、パワーモニタ50内を矢印へから矢印B
の方向に、そしてさらに導波管(図示せず)(′″−よ
りプラズマ発生炉に伝達される。一方、プラズマ発生C
ユ使用されなかったマイクロ波は、プラズマ発生炉で反
射さオt、上記とは反対に矢印Bから矢印Aの方向に伝
達され、アイソレータを経て系外(二分離される。入t
jt力値及び反射m力値は1図示される通り、パワーモ
ニタ50に付属のメータ5゛1から読み取る。
プラズマ放1状態の良し悪しは、第5図(:示さオLる
よう(二、パワーモニタのメータirhら読み敗った入
Itv1.力値と反射゛電力値で判断することができる
。入射電力は常(ニー足であるけれども、プラズマ放置
状態が不良の場合(二は入射電力と反射電力がほぼ同じ
値ン示す。これは、マイクロ波がプラズマ放電に使用さ
れず、その殆んどすべ℃がプラズマ発生炉で反射さオt
たことを意味する。−万、プラズマ放゛亀が正常な場合
C二は2図の左のグラフから判るように1反射電力が極
めて小である。入射Yh力と反射電力の18J(1目(
:みえ℃差があることは、当然のことながら、マイクロ
波がほぼ完全(−プラズマ放71に使用さオtたことを
意味する。
よう(二、パワーモニタのメータirhら読み敗った入
Itv1.力値と反射゛電力値で判断することができる
。入射電力は常(ニー足であるけれども、プラズマ放置
状態が不良の場合(二は入射電力と反射電力がほぼ同じ
値ン示す。これは、マイクロ波がプラズマ放電に使用さ
れず、その殆んどすべ℃がプラズマ発生炉で反射さオt
たことを意味する。−万、プラズマ放゛亀が正常な場合
C二は2図の左のグラフから判るように1反射電力が極
めて小である。入射Yh力と反射電力の18J(1目(
:みえ℃差があることは、当然のことながら、マイクロ
波がほぼ完全(−プラズマ放71に使用さオtたことを
意味する。
以上のことから2反射電力の上限値(例えば第5図のグ
ラフのラインL)Y管理すること(二より。
ラフのラインL)Y管理すること(二より。
プラズマ処理設備の通続運転管理が可能となる。
また、パワーモニタ50は、先C二も述べたけれども1
反射m力値の安定的計測を保証するため、プラズマ発生
炉から10m以内、好ましくはS at以内のところに
配置する。
反射m力値の安定的計測を保証するため、プラズマ発生
炉から10m以内、好ましくはS at以内のところに
配置する。
以上、プラズマ状態監視機病を入反射魅力測定法を例(
二とっ′C説明してきたけれども1本発明を実施する場
合にはその他の方法、例えばプラズマ発光強度法、イオ
ン電流測定法等もまた本発明の範囲を逸脱しない限り(
二おいて利用し得るということが理解されるであろう。
二とっ′C説明してきたけれども1本発明を実施する場
合にはその他の方法、例えばプラズマ発光強度法、イオ
ン電流測定法等もまた本発明の範囲を逸脱しない限り(
二おいて利用し得るということが理解されるであろう。
発明の効果
本発明によれば、先ず、プラズマ処理設備の自動運転が
可能6二なる。すなわち、プラズマの発生状態を連続的
に、そして定散的に測定することができるので、処理設
備の自動運転制御及びその時の品質管理が可能口なる。
可能6二なる。すなわち、プラズマの発生状態を連続的
に、そして定散的に測定することができるので、処理設
備の自動運転制御及びその時の品質管理が可能口なる。
本発明によれば、したがって、プラズマ処理時の品質の
不都合を最小限(二抑えることができる。
不都合を最小限(二抑えることができる。
gIA図及び第1B図は、それぞれ、マイクロ波放電プ
ラズマ処理装置の概要を示す平面図及びf副面図、 第2図は、プラズマ処理装置の自動運転のフローチャー
ト、 第3図は、プラズマ処理装置の自動運転の制御系のタイ
ムチャート。 第4図は、本発明において使用し得る入反射電力測定用
パワーモニタの概要を示す斜視図、そし℃ 第5図は2プラズマ放電時及び放電不良時のそれぞれの
へ反射亀カを示したグラフである。 図中、lは処理容器、2はマイクロ波発振機。 6−1〜3はプラズマ発生炉、7−1〜3はプラズマ発
生管、12は処理室、16−1.2は処理ガスボンベ、
50は入反射亀カ測定用パワーモニタ、そして51はメ
ータである。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 1)幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第1A図 詰2図 第4図 第5図
ラズマ処理装置の概要を示す平面図及びf副面図、 第2図は、プラズマ処理装置の自動運転のフローチャー
ト、 第3図は、プラズマ処理装置の自動運転の制御系のタイ
ムチャート。 第4図は、本発明において使用し得る入反射電力測定用
パワーモニタの概要を示す斜視図、そし℃ 第5図は2プラズマ放電時及び放電不良時のそれぞれの
へ反射亀カを示したグラフである。 図中、lは処理容器、2はマイクロ波発振機。 6−1〜3はプラズマ発生炉、7−1〜3はプラズマ発
生管、12は処理室、16−1.2は処理ガスボンベ、
50は入反射亀カ測定用パワーモニタ、そして51はメ
ータである。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 1)幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第1A図 詰2図 第4図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被処理物をプラズマ処理する方法であって。 処理容器内の圧力を真空計にて連続的に計測検知して監
視することと、プラズマ発生状態をプラズマ発生炉にお
ける高周波の入反射電力の形で連続的:二計測検知し℃
監視することとを組み合わせてプラズマ処理設備の運転
の自動制御を行なうことを特徴とするプラズマ処理方法
。 2、計測検知した圧力を設備運転制御出力信号として設
備の運転機構C二線り込む、特許請求の範囲第1項(二
記載の方法。 3、計測検知した高周波の入反射電力を設備運転制御出
力信号として設備の運転機構に織り込む。 特許請求の範囲第1項に記載の方法。 4、前記入反射電力をプラズマ発生炉から10m以内の
距離C二おいて計測検知する。特許請求の範囲第1項に
記載の方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58104905A JPS59230034A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | プラズマ処理方法 |
AU29217/84A AU544534B2 (en) | 1983-06-14 | 1984-06-08 | Plasma coating |
US06/619,174 US4576692A (en) | 1983-06-14 | 1984-06-11 | Method for controlling the operation of a microwave-excited oxygen plasma surface treatment apparatus |
DE8484106753T DE3463001D1 (en) | 1983-06-14 | 1984-06-13 | A method for controlling the operation of a microwave-excited oxygen plasma surface treatment apparatus |
EP84106753A EP0129199B1 (en) | 1983-06-14 | 1984-06-13 | A method for controlling the operation of a microwave-excited oxygen plasma surface treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58104905A JPS59230034A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59230034A true JPS59230034A (ja) | 1984-12-24 |
JPH0254374B2 JPH0254374B2 (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=14393138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58104905A Granted JPS59230034A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59230034A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59230033A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-24 | Toyota Motor Corp | プラズマ処理方法 |
JPS6289737A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-04-24 | Nippon Medical Supply Corp | プラスチツクチユ−ブの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59230033A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-24 | Toyota Motor Corp | プラズマ処理方法 |
-
1983
- 1983-06-14 JP JP58104905A patent/JPS59230034A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59230033A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-24 | Toyota Motor Corp | プラズマ処理方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59230033A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-24 | Toyota Motor Corp | プラズマ処理方法 |
JPH0254373B2 (ja) * | 1983-06-14 | 1990-11-21 | Toyota Jidosha Kk | |
JPS6289737A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-04-24 | Nippon Medical Supply Corp | プラスチツクチユ−ブの製造方法 |
JPH055251B2 (ja) * | 1985-06-27 | 1993-01-21 | Nippon Medeikaru Sapurai Kk |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0254374B2 (ja) | 1990-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0129199B1 (en) | A method for controlling the operation of a microwave-excited oxygen plasma surface treatment apparatus | |
KR100329810B1 (ko) | 이온빔을 이용한 재료의 표면처리장치 | |
US6059935A (en) | Discharge method and apparatus for generating plasmas | |
EP1509332B2 (en) | Application of a coating forming material onto at least one substrate | |
AU603397B2 (en) | Apparatus and method for plasma treatment of resin material | |
JPS59230034A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JPS59230035A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JPS59230033A (ja) | プラズマ処理方法 | |
EP0152511B1 (en) | Apparatus and method for plasma treatment of resin material | |
JPH0129141B2 (ja) | ||
JPS59189130A (ja) | プラズマ処理方法 | |
US6764550B2 (en) | Apparatus for evaluating plasma polymerized polymer layer using UV spectrometer | |
JPH033700B2 (ja) | ||
JPS59155440A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS60258234A (ja) | プラスチック管内面のプラズマ処理装置及び方法 | |
JP2000173935A (ja) | プラズマ処理装置、及びガス供給方法 | |
JPS59103341A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS59125621A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPS6446916A (en) | Vacuum thin-film formation device | |
JPS60217244A (ja) | プラズマ前処理を伴う塗装法における塗膜の付着強度管理方法及び装置 | |
JPS608049A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JPS6289737A (ja) | プラスチツクチユ−ブの製造方法 | |
JPS5986633A (ja) | プラズマ処理を施す方法および装置 | |
JPS608048A (ja) | プラズマ処理方法 | |
Izumi et al. | Investigation about the Change of Surface with Time on Modifying the Plastic Surface by Cold Plasma and Its Reduction Method |