JPS59228630A - 全固体型エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS59228630A JPS59228630A JP58104047A JP10404783A JPS59228630A JP S59228630 A JPS59228630 A JP S59228630A JP 58104047 A JP58104047 A JP 58104047A JP 10404783 A JP10404783 A JP 10404783A JP S59228630 A JPS59228630 A JP S59228630A
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- electrode
- film
- electrochromic
- anode side
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
このようなエレクトロクロミック現象を利用する電気化
学的発消色素子すなわちエレクトロクロミンク素子は、
例えば、数字表示素子、X−Yマトリクスディスプレイ
、光学シャッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その
材料で分類すると液体型と固体型に分けられるが、本発
明は特に全固体型のエレクトロクロミック素子に関する
ものである。
学的発消色素子すなわちエレクトロクロミンク素子は、
例えば、数字表示素子、X−Yマトリクスディスプレイ
、光学シャッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その
材料で分類すると液体型と固体型に分けられるが、本発
明は特に全固体型のエレクトロクロミック素子に関する
ものである。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミ、り素子の2つの構造例を第1図および第2図
に示す。これらの図は全固体型エレクトロクロミック素
子の一般的な構造を示す。
ロクロミ、り素子の2つの構造例を第1図および第2図
に示す。これらの図は全固体型エレクトロクロミック素
子の一般的な構造を示す。
第1図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
1の上に、透明導電体膜よシなる第1電極2、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層3、誘電体膜からな
る絶縁層4、導電体膜より成る第2電極5を順次積層し
てなるものである。
1の上に、透明導電体膜よシなる第1電極2、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層3、誘電体膜からな
る絶縁層4、導電体膜より成る第2電極5を順次積層し
てなるものである。
また、第2図に示すエレクトロクロミック素子は、第1
図に示す構造における絶縁層4と第2電極5との間に、
さらに、陰極側発色層でおる第2のエレクトロクロミッ
ク層6を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層4と第2電極5との間に、
さらに、陰極側発色層でおる第2のエレクトロクロミッ
ク層6を積層したものである。
上記の構造において、基板1は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、ま
た、その位置に関しても、第1電極2の下ではなく、第
2電極5の上にあってもよいし、目的に応じて(例えば
、保護カバーとするなどの目的で)両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて、第2電極5を透明導
電膜にしたυ、両側の電極とも透明導電膜にする必要が
ある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素子が
できる。絶縁層4は誘電体のみではなく、固体電解質等
のようなものでもよい。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、ま
た、その位置に関しても、第1電極2の下ではなく、第
2電極5の上にあってもよいし、目的に応じて(例えば
、保護カバーとするなどの目的で)両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて、第2電極5を透明導
電膜にしたυ、両側の電極とも透明導電膜にする必要が
ある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素子が
できる。絶縁層4は誘電体のみではなく、固体電解質等
のようなものでもよい。
透明導電膜としては、■TO膜(酸化インジウムIn2
O,中に酸化錫S nO2をドータしたもの)やネサ膜
等が用いられる。陽極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層3は、従来、三酸化クロム(cr2o3)、水酸
化イリジウム(Ir(OH)2) 、水酸化ニッケル(
Nl(OH)2)等によって形成されている。誘電体か
らなる絶縁層4は、二酸化ジルコン(Z ro 2 )
、五酸化タンfi A/ (Ta205) 、酸化ケ
イ素(Sin、5in2)等に代表される酸化物、ある
いは7ツ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(
MgF2)等に代表されるフッ化物を用いて形成する。
O,中に酸化錫S nO2をドータしたもの)やネサ膜
等が用いられる。陽極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層3は、従来、三酸化クロム(cr2o3)、水酸
化イリジウム(Ir(OH)2) 、水酸化ニッケル(
Nl(OH)2)等によって形成されている。誘電体か
らなる絶縁層4は、二酸化ジルコン(Z ro 2 )
、五酸化タンfi A/ (Ta205) 、酸化ケ
イ素(Sin、5in2)等に代表される酸化物、ある
いは7ツ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(
MgF2)等に代表されるフッ化物を用いて形成する。
また、陰極側発色層であるエレクトロクロミック層6は
、酸化タングステン(WO2+W05 )、酸化モリブ
デン(Mo02 r MoOs ) 、五酸化バナジウ
ム(■205)等を用いて形成する。
、酸化タングステン(WO2+W05 )、酸化モリブ
デン(Mo02 r MoOs ) 、五酸化バナジウ
ム(■205)等を用いて形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第1電極2と第2電極5の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層6へのカ
チオンと電子のダブルインジェクシ冒ンによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、WO3を用いる場合には、次
の(1)式で表わされる酸化還元反応が起き着色する。
は、第1電極2と第2電極5の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層6へのカ
チオンと電子のダブルインジェクシ冒ンによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、WO3を用いる場合には、次
の(1)式で表わされる酸化還元反応が起き着色する。
WO,+ xH++ xe ’ニー HxWO,(1)
(1)式に従って、タングステンブロンズHxWO5Z
>”形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば
消色状態となる。(1)式のこの様な反応は、全固体型
エレクトロクロミック素子にお、いては、素子内部の絶
縁層によってプロトンH+が供給され着色する。
(1)式に従って、タングステンブロンズHxWO5Z
>”形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば
消色状態となる。(1)式のこの様な反応は、全固体型
エレクトロクロミック素子にお、いては、素子内部の絶
縁層によってプロトンH+が供給され着色する。
上述のエレクトロクロミック素子においては、従来、陽
極側発色層であるエレクトロクロミック層3は、水酸化
イリジウム(Ir(OH)2)、水酸化ニッケル(Nl
(OH)2)等の材料を反応性スノ(ツタ或いは陽極酸
化膜法によって形成している。
極側発色層であるエレクトロクロミック層3は、水酸化
イリジウム(Ir(OH)2)、水酸化ニッケル(Nl
(OH)2)等の材料を反応性スノ(ツタ或いは陽極酸
化膜法によって形成している。
本発明は、このようなエレクトロクロミック素子におい
て、陽極側発色層でおるエレクトロクロミック層を、従
来のものとは異な92種の材料の混合膜によって構成し
て、従来の陰極側発消色のみのタイプのものに比して優
れた応答速度および着色濃度の発色を得ることのできる
全固体型エレクトロクロミック素子を提供しようとする
ものでおる。
て、陽極側発色層でおるエレクトロクロミック層を、従
来のものとは異な92種の材料の混合膜によって構成し
て、従来の陰極側発消色のみのタイプのものに比して優
れた応答速度および着色濃度の発色を得ることのできる
全固体型エレクトロクロミック素子を提供しようとする
ものでおる。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子の特徴
とするところは、第1図に示すように導電体膜より成る
第1電極と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よシなる第
2電極を順次積層した全固体型エレクトロクロミック素
子、あるいは、第2図に示すように、上記の絶縁層と第
2電極の間にさらに陰極側発色層である第2のエレクト
ロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロクロ
ミック素子において、陽極側発色層でおるエレクトロク
ロミック層を、水酸化コバルトに水酸化ニッケルを添加
した混合膜としたことにおる。
とするところは、第1図に示すように導電体膜より成る
第1電極と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よシなる第
2電極を順次積層した全固体型エレクトロクロミック素
子、あるいは、第2図に示すように、上記の絶縁層と第
2電極の間にさらに陰極側発色層である第2のエレクト
ロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロクロ
ミック素子において、陽極側発色層でおるエレクトロク
ロミック層を、水酸化コバルトに水酸化ニッケルを添加
した混合膜としたことにおる。
上記の水酸化コバルトと水酸化ニッケルの混合膜よ構成
るエレクトロクロミック層は反応性高周波イオンブレー
ティング法を用い形成される。その際蒸着材料としては
、金属コバル) (Co)金属ニッケルあるいはこれら
の酸化物、等の化合物を用い、混合ペレットや同時蒸着
等の方法にょシ、混合膜がつくられる。この場合混合膜
の水酸化コバルトと水酸化ニッケルの混合比は、水酸化
コバルト1に対し水酸化ニッケル1未満とするのが好ま
しい。
るエレクトロクロミック層は反応性高周波イオンブレー
ティング法を用い形成される。その際蒸着材料としては
、金属コバル) (Co)金属ニッケルあるいはこれら
の酸化物、等の化合物を用い、混合ペレットや同時蒸着
等の方法にょシ、混合膜がつくられる。この場合混合膜
の水酸化コバルトと水酸化ニッケルの混合比は、水酸化
コバルト1に対し水酸化ニッケル1未満とするのが好ま
しい。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子を製造
するのに使用される反応性高周波イオンブレーティング
装置の一例を第3図に示す。図中11は反応性イオンブ
レーティング装置本体、12は電子銃(E B j!ン
)、13は傘(基板ホルダー)、14はDCバイアスを
印加するDCバイアス源、15は高周波コイル(RFコ
イル)、16はH20蒸気を供給するH20蒸気供給源
、17は02Iスを供給するガスゲンベ、18および1
9はニードルパルプ、20は基板(被蒸着体)を示す。
するのに使用される反応性高周波イオンブレーティング
装置の一例を第3図に示す。図中11は反応性イオンブ
レーティング装置本体、12は電子銃(E B j!ン
)、13は傘(基板ホルダー)、14はDCバイアスを
印加するDCバイアス源、15は高周波コイル(RFコ
イル)、16はH20蒸気を供給するH20蒸気供給源
、17は02Iスを供給するガスゲンベ、18および1
9はニードルパルプ、20は基板(被蒸着体)を示す。
第3図に示す装置によってエレクトロクロミック素子を
製造する工程は次の通シでおる。
製造する工程は次の通シでおる。
先ず、基板1の上に適当な引き出し電極部およびリード
部を備えた第1電極2を形成し、これを第3図の装置内
に20で示す如く設置し、蒸着材料として金属コバルト
、金属ニッケルあるいはこれらの酸化物等の化合物を用
いH20蒸気供給源16からH20蒸気を装置内に導入
し、或いはH20蒸気供給源16からH20蒸気を導入
するとともに0□ガスがンベ17から02fスを導入し
て反応性イオンシレーティング方法によυ陽極側発色層
であるエレクトロクロミック層3を上記の第1電極2上
に形成する。次に、この膜の上に、真空蒸着方法によシ
絶縁層4を形成し、次に、該絶縁層4の上に第2電極5
の膜を形成しく第1図に示すエレクトロクロミック素子
の場合)、或いは該絶縁層4の上に、陰極側発色層であ
るエレクトロクロミック層6を真空蒸着法で形成した上
、第2電極5の膜を形成する(第2図に示すエレクトロ
クロミック素子の場合)。
部を備えた第1電極2を形成し、これを第3図の装置内
に20で示す如く設置し、蒸着材料として金属コバルト
、金属ニッケルあるいはこれらの酸化物等の化合物を用
いH20蒸気供給源16からH20蒸気を装置内に導入
し、或いはH20蒸気供給源16からH20蒸気を導入
するとともに0□ガスがンベ17から02fスを導入し
て反応性イオンシレーティング方法によυ陽極側発色層
であるエレクトロクロミック層3を上記の第1電極2上
に形成する。次に、この膜の上に、真空蒸着方法によシ
絶縁層4を形成し、次に、該絶縁層4の上に第2電極5
の膜を形成しく第1図に示すエレクトロクロミック素子
の場合)、或いは該絶縁層4の上に、陰極側発色層であ
るエレクトロクロミック層6を真空蒸着法で形成した上
、第2電極5の膜を形成する(第2図に示すエレクトロ
クロミック素子の場合)。
本発明によれば、従来の陰極側発消色のみのタイプのエ
レクトロクロミック素子と較べて応答速度、発色効率お
よび寿命を改善することができる。
レクトロクロミック素子と較べて応答速度、発色効率お
よび寿命を改善することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例1
厚み0.8mのガラy、 (Cornlng 7059
)の基板1上に、適浩な引き出し電極部及びリード部を
備えた、ITO膜よ9成る第1電極2を形成し、蒸着材
料に金属コバルトと金属ニッケルを用い、上記の第1電
極2上に、反応性高周波イオングレーティング方法によ
シ、同時蒸着し、陽極側発色層である、第1のエレクト
ロクロミック層3を形成した。
)の基板1上に、適浩な引き出し電極部及びリード部を
備えた、ITO膜よ9成る第1電極2を形成し、蒸着材
料に金属コバルトと金属ニッケルを用い、上記の第1電
極2上に、反応性高周波イオングレーティング方法によ
シ、同時蒸着し、陽極側発色層である、第1のエレクト
ロクロミック層3を形成した。
条件として、H20蒸気を4.OX 10−’ Tor
r iで導入し、蒸着速度を各k 1.OX/’see
オヨ(1,0,7X/see I:した。膜厚は15
00Xであった。これによシ、第1電極2上に、水酸化
コバルトと水酸化ニッケルの混合膜よ9成る第1のエレ
クトロクロミック層3が形成された。
r iで導入し、蒸着速度を各k 1.OX/’see
オヨ(1,0,7X/see I:した。膜厚は15
00Xであった。これによシ、第1電極2上に、水酸化
コバルトと水酸化ニッケルの混合膜よ9成る第1のエレ
クトロクロミック層3が形成された。
この膜の上に、真空蒸着方法により、絶縁体層4として
Ta205の層を3000に付けた。この時の真空度は
2. OX I F5Torr 、蒸着速度は8X/s
ecであった。さらに、これらの膜の上に、陰極発色層
である、第2のエレクトロクロミック層6としてWO2
層を、真空蒸着方法にょシ、4000X付け、次に第2
電極5として半透明Au膜を3001付けた。
Ta205の層を3000に付けた。この時の真空度は
2. OX I F5Torr 、蒸着速度は8X/s
ecであった。さらに、これらの膜の上に、陰極発色層
である、第2のエレクトロクロミック層6としてWO2
層を、真空蒸着方法にょシ、4000X付け、次に第2
電極5として半透明Au膜を3001付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第1,2電極間に、2.2V印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔODで0.3に達するまでに30
0 m5ecであった。
素子を、第1,2電極間に、2.2V印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔODで0.3に達するまでに30
0 m5ecであった。
実施例2
厚み0.8 mのガラス(Corning 7059
)の基板1上に、適当な引き出し電極部及びリード部を
備えたITO膜よ9成る第1電極2を形成し、蒸着材料
に金属コバルトと金属ニッケルの混合ペレット(混合比
1:0.6)を用い、上記の第1電極2上に、反応性高
周波イオンブレーティング方法によシ、陽極側発色層で
ある、エレクトロクロミック層3を形成した。
)の基板1上に、適当な引き出し電極部及びリード部を
備えたITO膜よ9成る第1電極2を形成し、蒸着材料
に金属コバルトと金属ニッケルの混合ペレット(混合比
1:0.6)を用い、上記の第1電極2上に、反応性高
周波イオンブレーティング方法によシ、陽極側発色層で
ある、エレクトロクロミック層3を形成した。
条件として、H20蒸気を3.OX 10−’ Tor
rまで導入し、且つ0□ガスを4.OX 10”−’
Torrまで導入し、蒸着速度を0.8 i/seeと
した。膜厚は100OXであった。これによって、第1
電極2上に水酸化コバルトと水酸化ニッケルの混合膜よ
9成るエレクトロクロミック層が形成された。
rまで導入し、且つ0□ガスを4.OX 10”−’
Torrまで導入し、蒸着速度を0.8 i/seeと
した。膜厚は100OXであった。これによって、第1
電極2上に水酸化コバルトと水酸化ニッケルの混合膜よ
9成るエレクトロクロミック層が形成された。
この膜の上に、真空蒸着方法にょシ、絶縁体層4として
Ta205の層を3000X付けた。この時の真空度は
2.OX 10−5Torr 、蒸着速度は8X/se
cであった。さらに、これらの膜の上に、第2電極5と
して半透明Au膜を300X付けた。
Ta205の層を3000X付けた。この時の真空度は
2.OX 10−5Torr 、蒸着速度は8X/se
cであった。さらに、これらの膜の上に、第2電極5と
して半透明Au膜を300X付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第1,2電極間に、2.2V印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔoDで0.3に達するまでに35
0m5ecであった。
素子を、第1,2電極間に、2.2V印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔoDで0.3に達するまでに35
0m5ecであった。
実施例3
厚み0.8mnのガラス(Corning 7059)
の基板1上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備
えたITO膜よ9成る第1電極2を形成し、蒸着材料に
酸化コバルトと水酸化ニッケルを用い、上記の第1電極
2上に、反応性高周波イオンシレーティング方法によシ
、陽極側発色層である、第1のエレクトロクロミック層
3を形成した。
の基板1上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備
えたITO膜よ9成る第1電極2を形成し、蒸着材料に
酸化コバルトと水酸化ニッケルを用い、上記の第1電極
2上に、反応性高周波イオンシレーティング方法によシ
、陽極側発色層である、第1のエレクトロクロミック層
3を形成した。
条件として、H20蒸気を5 X 10−’ Torr
tで導入し、蒸着速度を各々1.01/5T1c、お
よび0.7X/secとした。膜厚は1600Xであっ
た。これによシ第1電極2上に水酸化コバルトと水酸化
ニッケルの混合膜よ9成る第1のエレクトロクロミック
層が形成された。
tで導入し、蒸着速度を各々1.01/5T1c、お
よび0.7X/secとした。膜厚は1600Xであっ
た。これによシ第1電極2上に水酸化コバルトと水酸化
ニッケルの混合膜よ9成る第1のエレクトロクロミック
層が形成された。
この膜の上に、真空蒸着方法によシ、絶縁体層4として
Ta205の層を3000X付けた。この時の真空度は
2. OX 10−5Torr s蒸着速度は81/s
ecであった。さらに、これらの膜の上に、陰極発色層
である、第2のエレクトロクロミック層6としてWO,
層を、真空蒸着方法によ、Q4000X付け、次に第2
電極5として半透明Au膜を300Xζ付7砂、た。
Ta205の層を3000X付けた。この時の真空度は
2. OX 10−5Torr s蒸着速度は81/s
ecであった。さらに、これらの膜の上に、陰極発色層
である、第2のエレクトロクロミック層6としてWO,
層を、真空蒸着方法によ、Q4000X付け、次に第2
電極5として半透明Au膜を300Xζ付7砂、た。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第1,2電極間に、2,2v印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔQDで0.3に達するまでに40
0 m5ecであった。
素子を、第1,2電極間に、2,2v印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔQDで0.3に達するまでに40
0 m5ecであった。
実施例4
厚み0.8mのガラス(Cornlng 7059 )
の基板l上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備
えたITO膜よ9成る第1電極2を形成した。
の基板l上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備
えたITO膜よ9成る第1電極2を形成した。
蒸着材料に、金属コパル) (Co)と金属ニッケル(
Ni )を用い上記の第1電極2上に、反応性高周波イ
オンシレーティング方法によシ、同時蒸着し、陽極側発
色層である、第1のエレクトロクロ匹り層3を形成した
。
Ni )を用い上記の第1電極2上に、反応性高周波イ
オンシレーティング方法によシ、同時蒸着し、陽極側発
色層である、第1のエレクトロクロ匹り層3を形成した
。
条件として、H20蒸気を5.5 X 10−’Tor
rまで導入し、蒸着速度を各k O,6X/see 、
0.8 X/seeとした。
rまで導入し、蒸着速度を各k O,6X/see 、
0.8 X/seeとした。
このときの膜厚は1200Xであった。
この様にして、第1電極2上に水酸化コバルトと水酸化
ニッケルよ9成る第1のエレクトロクロミック層3が形
成された。
ニッケルよ9成る第1のエレクトロクロミック層3が形
成された。
この膜の上に、真空蒸着法によシ、絶縁体層4としてT
a205の層を3000X付けた。さらに、これらの膜
の上に、陰極側発色層である、第1エレクトロクロミッ
ク層6としてWO2層を、真空蒸着方法によ、9400
OX付け、次に第2電極5として半透明Au膜を300
X付けた。
a205の層を3000X付けた。さらに、これらの膜
の上に、陰極側発色層である、第1エレクトロクロミッ
ク層6としてWO2層を、真空蒸着方法によ、9400
OX付け、次に第2電極5として半透明Au膜を300
X付けた。
この様にして製作したエレクトロクロミック素子を、第
1,2電極間に、2.2V印加して駆動したところ、着
色濃度がΔODで0.4に達するまでに380 m5e
cであった。
1,2電極間に、2.2V印加して駆動したところ、着
色濃度がΔODで0.4に達するまでに380 m5e
cであった。
第1図および第2図は、本発明に係る全固体型エレクト
ロクロミック素子の2つの例を示す断面図、第3図は本
発明素子を製造するに使用される反応性イオンブレーテ
ィング装置を示す概略図である。 1・・・基板、 2・・・第1電極、3・・・
エレクトロクロミック層、 4・・・絶縁層、 5・・・第2電極、6・・・
エレクトロクロミック層、 11・・・反応性イオンブレーティング装置の本体、1
2・・・電子銃(EBガン)、 13・・・傘(基板ホルダー)、 14・・・DCバイアス源、 15・・・高周波:+イル(RFコイル)、16・・・
H20蒸気供給源、17・・・02ガスデンペ、18.
19・・・ニードルバルブ、 20・・・基板(被蒸着体)。
ロクロミック素子の2つの例を示す断面図、第3図は本
発明素子を製造するに使用される反応性イオンブレーテ
ィング装置を示す概略図である。 1・・・基板、 2・・・第1電極、3・・・
エレクトロクロミック層、 4・・・絶縁層、 5・・・第2電極、6・・・
エレクトロクロミック層、 11・・・反応性イオンブレーティング装置の本体、1
2・・・電子銃(EBガン)、 13・・・傘(基板ホルダー)、 14・・・DCバイアス源、 15・・・高周波:+イル(RFコイル)、16・・・
H20蒸気供給源、17・・・02ガスデンペ、18.
19・・・ニードルバルブ、 20・・・基板(被蒸着体)。
Claims (1)
- 導電体膜よ9成る第1電極と、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、誘
電体膜よシなる第2電極を順次積層し、或いは上記の絶
縁層と第2電極の間にさらに陰極側発色層である第2の
エレクトロクロミック層を積層してなる全固体型エレク
トロクロミック素子において、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層を水酸化コバルトと水酸化ニッケル
の混合膜としたことを特徴とした全固体型エレクトロク
ロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58104047A JPS59228630A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58104047A JPS59228630A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59228630A true JPS59228630A (ja) | 1984-12-22 |
Family
ID=14370299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58104047A Pending JPS59228630A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59228630A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998014824A1 (de) * | 1996-10-01 | 1998-04-09 | Flachglas Aktiengesellschaft | Elektrochromer spiegel und verfahren zum herstellen eines elektrochromen spiegels |
-
1983
- 1983-06-10 JP JP58104047A patent/JPS59228630A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998014824A1 (de) * | 1996-10-01 | 1998-04-09 | Flachglas Aktiengesellschaft | Elektrochromer spiegel und verfahren zum herstellen eines elektrochromen spiegels |
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