JPS59228630A - 全固体型エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS59228630A JPS59228630A JP58104047A JP10404783A JPS59228630A JP S59228630 A JPS59228630 A JP S59228630A JP 58104047 A JP58104047 A JP 58104047A JP 10404783 A JP10404783 A JP 10404783A JP S59228630 A JPS59228630 A JP S59228630A
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- film
- electrochromic
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
このようなエレクトロクロミック現象を利用する電気化
学的発消色素子すなわちエレクトロクロミンク素子は、
例えば、数字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ
、光学シャッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その
材料で分類すると液体型と固体型に分けられるが、本発
明は特に全固体型のエレクトロクロミック素子に関する
ものである。
学的発消色素子すなわちエレクトロクロミンク素子は、
例えば、数字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ
、光学シャッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その
材料で分類すると液体型と固体型に分けられるが、本発
明は特に全固体型のエレクトロクロミック素子に関する
ものである。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミ、り素子の２つの構造例を第１図および第２図
に示す。これらの図は全固体型エレクトロクロミック素
子の一般的な構造を示す。
ロクロミ、り素子の２つの構造例を第１図および第２図
に示す。これらの図は全固体型エレクトロクロミック素
子の一般的な構造を示す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よシなる第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。
１の上に、透明導電体膜よシなる第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。
また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陰極側発色層でおる第２のエレクトロクロミッ
ク層６を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陰極側発色層でおる第２のエレクトロクロミッ
ク層６を積層したものである。
上記の構造において、基板１は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、ま
た、その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第
２電極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば
、保護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導
電膜にしたυ、両側の電極とも透明導電膜にする必要が
ある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素子が
できる。絶縁層４は誘電体のみではなく、固体電解質等
のようなものでもよい。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、ま
た、その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第
２電極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば
、保護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導
電膜にしたυ、両側の電極とも透明導電膜にする必要が
ある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素子が
できる。絶縁層４は誘電体のみではなく、固体電解質等
のようなものでもよい。
透明導電膜としては、■ＴＯ膜（酸化インジウムＩｎ２
Ｏ，中に酸化錫Ｓ ｎＯ２をドータしたもの）やネサ膜
等が用いられる。陽極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層３は、従来、三酸化クロム（ｃｒ２ｏ３）、水酸
化イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）２） 、水酸化ニッケル（
Ｎｌ（ＯＨ）２）等によって形成されている。誘電体か
らなる絶縁層４は、二酸化ジルコン（Ｚ ｒｏ ２ ）
、五酸化タンｆｉ Ａ／ （Ｔａ２０５） 、酸化ケ
イ素（Ｓｉｎ、５ｉｎ２）等に代表される酸化物、ある
いは７ツ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（
ＭｇＦ２）等に代表されるフッ化物を用いて形成する。
Ｏ，中に酸化錫Ｓ ｎＯ２をドータしたもの）やネサ膜
等が用いられる。陽極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層３は、従来、三酸化クロム（ｃｒ２ｏ３）、水酸
化イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）２） 、水酸化ニッケル（
Ｎｌ（ＯＨ）２）等によって形成されている。誘電体か
らなる絶縁層４は、二酸化ジルコン（Ｚ ｒｏ ２ ）
、五酸化タンｆｉ Ａ／ （Ｔａ２０５） 、酸化ケ
イ素（Ｓｉｎ、５ｉｎ２）等に代表される酸化物、ある
いは７ツ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（
ＭｇＦ２）等に代表されるフッ化物を用いて形成する。
また、陰極側発色層であるエレクトロクロミック層６は
、酸化タングステン（ＷＯ２＋Ｗ０５ ）、酸化モリブ
デン（Ｍｏ０２ ｒ ＭｏＯｓ ） 、五酸化バナジウ
ム（■２０５）等を用いて形成する。
、酸化タングステン（ＷＯ２＋Ｗ０５ ）、酸化モリブ
デン（Ｍｏ０２ ｒ ＭｏＯｓ ） 、五酸化バナジウ
ム（■２０５）等を用いて形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクシ冒ンによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、ＷＯ３を用いる場合には、次
の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き着色する。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクシ冒ンによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、ＷＯ３を用いる場合には、次
の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き着色する。
ＷＯ，＋ ｘＨ＋＋ ｘｅ ’ニー ＨｘＷＯ，（１）
（１）式に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯ５Ｚ
＞”形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば
消色状態となる。（１）式のこの様な反応は、全固体型
エレクトロクロミック素子にお、いては、素子内部の絶
縁層によってプロトンＨ＋が供給され着色する。
（１）式に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯ５Ｚ
＞”形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば
消色状態となる。（１）式のこの様な反応は、全固体型
エレクトロクロミック素子にお、いては、素子内部の絶
縁層によってプロトンＨ＋が供給され着色する。
上述のエレクトロクロミック素子においては、従来、陽
極側発色層であるエレクトロクロミック層３は、水酸化
イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）２）、水酸化ニッケル（Ｎｌ
（ＯＨ）２）等の材料を反応性スノ（ツタ或いは陽極酸
化膜法によって形成している。
極側発色層であるエレクトロクロミック層３は、水酸化
イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）２）、水酸化ニッケル（Ｎｌ
（ＯＨ）２）等の材料を反応性スノ（ツタ或いは陽極酸
化膜法によって形成している。
本発明は、このようなエレクトロクロミック素子におい
て、陽極側発色層でおるエレクトロクロミック層を、従
来のものとは異な９２種の材料の混合膜によって構成し
て、従来の陰極側発消色のみのタイプのものに比して優
れた応答速度および着色濃度の発色を得ることのできる
全固体型エレクトロクロミック素子を提供しようとする
ものでおる。
て、陽極側発色層でおるエレクトロクロミック層を、従
来のものとは異な９２種の材料の混合膜によって構成し
て、従来の陰極側発消色のみのタイプのものに比して優
れた応答速度および着色濃度の発色を得ることのできる
全固体型エレクトロクロミック素子を提供しようとする
ものでおる。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子の特徴
とするところは、第１図に示すように導電体膜より成る
第１電極と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よシなる第
２電極を順次積層した全固体型エレクトロクロミック素
子、あるいは、第２図に示すように、上記の絶縁層と第
２電極の間にさらに陰極側発色層である第２のエレクト
ロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロクロ
ミック素子において、陽極側発色層でおるエレクトロク
ロミック層を、水酸化コバルトに水酸化ニッケルを添加
した混合膜としたことにおる。
とするところは、第１図に示すように導電体膜より成る
第１電極と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よシなる第
２電極を順次積層した全固体型エレクトロクロミック素
子、あるいは、第２図に示すように、上記の絶縁層と第
２電極の間にさらに陰極側発色層である第２のエレクト
ロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロクロ
ミック素子において、陽極側発色層でおるエレクトロク
ロミック層を、水酸化コバルトに水酸化ニッケルを添加
した混合膜としたことにおる。
上記の水酸化コバルトと水酸化ニッケルの混合膜よ構成
るエレクトロクロミック層は反応性高周波イオンブレー
ティング法を用い形成される。その際蒸着材料としては
、金属コバル） （Ｃｏ）金属ニッケルあるいはこれら
の酸化物、等の化合物を用い、混合ペレットや同時蒸着
等の方法にょシ、混合膜がつくられる。この場合混合膜
の水酸化コバルトと水酸化ニッケルの混合比は、水酸化
コバルト１に対し水酸化ニッケル１未満とするのが好ま
しい。
るエレクトロクロミック層は反応性高周波イオンブレー
ティング法を用い形成される。その際蒸着材料としては
、金属コバル） （Ｃｏ）金属ニッケルあるいはこれら
の酸化物、等の化合物を用い、混合ペレットや同時蒸着
等の方法にょシ、混合膜がつくられる。この場合混合膜
の水酸化コバルトと水酸化ニッケルの混合比は、水酸化
コバルト１に対し水酸化ニッケル１未満とするのが好ま
しい。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子を製造
するのに使用される反応性高周波イオンブレーティング
装置の一例を第３図に示す。図中１１は反応性イオンブ
レーティング装置本体、１２は電子銃（Ｅ Ｂ ｊ！ン
）、１３は傘（基板ホルダー）、１４はＤＣバイアスを
印加するＤＣバイアス源、１５は高周波コイル（ＲＦコ
イル）、１６はＨ２０蒸気を供給するＨ２０蒸気供給源
、１７は０２Ｉスを供給するガスゲンベ、１８および１
９はニードルパルプ、２０は基板（被蒸着体）を示す。
するのに使用される反応性高周波イオンブレーティング
装置の一例を第３図に示す。図中１１は反応性イオンブ
レーティング装置本体、１２は電子銃（Ｅ Ｂ ｊ！ン
）、１３は傘（基板ホルダー）、１４はＤＣバイアスを
印加するＤＣバイアス源、１５は高周波コイル（ＲＦコ
イル）、１６はＨ２０蒸気を供給するＨ２０蒸気供給源
、１７は０２Ｉスを供給するガスゲンベ、１８および１
９はニードルパルプ、２０は基板（被蒸着体）を示す。
第３図に示す装置によってエレクトロクロミック素子を
製造する工程は次の通シでおる。
製造する工程は次の通シでおる。
先ず、基板１の上に適当な引き出し電極部およびリード
部を備えた第１電極２を形成し、これを第３図の装置内
に２０で示す如く設置し、蒸着材料として金属コバルト
、金属ニッケルあるいはこれらの酸化物等の化合物を用
いＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を装置内に導入
し、或いはＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を導入
するとともに０□ガスがンベ１７から０２ｆスを導入し
て反応性イオンシレーティング方法によυ陽極側発色層
であるエレクトロクロミック層３を上記の第１電極２上
に形成する。次に、この膜の上に、真空蒸着方法によシ
絶縁層４を形成し、次に、該絶縁層４の上に第２電極５
の膜を形成しく第１図に示すエレクトロクロミック素子
の場合）、或いは該絶縁層４の上に、陰極側発色層であ
るエレクトロクロミック層６を真空蒸着法で形成した上
、第２電極５の膜を形成する（第２図に示すエレクトロ
クロミック素子の場合）。
部を備えた第１電極２を形成し、これを第３図の装置内
に２０で示す如く設置し、蒸着材料として金属コバルト
、金属ニッケルあるいはこれらの酸化物等の化合物を用
いＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を装置内に導入
し、或いはＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を導入
するとともに０□ガスがンベ１７から０２ｆスを導入し
て反応性イオンシレーティング方法によυ陽極側発色層
であるエレクトロクロミック層３を上記の第１電極２上
に形成する。次に、この膜の上に、真空蒸着方法によシ
絶縁層４を形成し、次に、該絶縁層４の上に第２電極５
の膜を形成しく第１図に示すエレクトロクロミック素子
の場合）、或いは該絶縁層４の上に、陰極側発色層であ
るエレクトロクロミック層６を真空蒸着法で形成した上
、第２電極５の膜を形成する（第２図に示すエレクトロ
クロミック素子の場合）。
本発明によれば、従来の陰極側発消色のみのタイプのエ
レクトロクロミック素子と較べて応答速度、発色効率お
よび寿命を改善することができる。
レクトロクロミック素子と較べて応答速度、発色効率お
よび寿命を改善することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
厚み０．８ｍのガラｙ、 （Ｃｏｒｎｌｎｇ ７０５９
）の基板１上に、適浩な引き出し電極部及びリード部を
備えた、ＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形成し、蒸着材
料に金属コバルトと金属ニッケルを用い、上記の第１電
極２上に、反応性高周波イオングレーティング方法によ
シ、同時蒸着し、陽極側発色層である、第１のエレクト
ロクロミック層３を形成した。
）の基板１上に、適浩な引き出し電極部及びリード部を
備えた、ＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形成し、蒸着材
料に金属コバルトと金属ニッケルを用い、上記の第１電
極２上に、反応性高周波イオングレーティング方法によ
シ、同時蒸着し、陽極側発色層である、第１のエレクト
ロクロミック層３を形成した。
条件として、Ｈ２０蒸気を４．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒ
ｒ ｉで導入し、蒸着速度を各ｋ １．ＯＸ／’ｓｅｅ
オヨ（１，０，７Ｘ／ｓｅｅ Ｉ：した。膜厚は１５
００Ｘであった。これによシ、第１電極２上に、水酸化
コバルトと水酸化ニッケルの混合膜よ９成る第１のエレ
クトロクロミック層３が形成された。
ｒ ｉで導入し、蒸着速度を各ｋ １．ＯＸ／’ｓｅｅ
オヨ（１，０，７Ｘ／ｓｅｅ Ｉ：した。膜厚は１５
００Ｘであった。これによシ、第１電極２上に、水酸化
コバルトと水酸化ニッケルの混合膜よ９成る第１のエレ
クトロクロミック層３が形成された。
この膜の上に、真空蒸着方法により、絶縁体層４として
Ｔａ２０５の層を３０００に付けた。この時の真空度は
２． ＯＸ Ｉ Ｆ５Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は８Ｘ／ｓ
ｅｃであった。さらに、これらの膜の上に、陰極発色層
である、第２のエレクトロクロミック層６としてＷＯ２
層を、真空蒸着方法にょシ、４０００Ｘ付け、次に第２
電極５として半透明Ａｕ膜を３００１付けた。
Ｔａ２０５の層を３０００に付けた。この時の真空度は
２． ＯＸ Ｉ Ｆ５Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は８Ｘ／ｓ
ｅｃであった。さらに、これらの膜の上に、陰極発色層
である、第２のエレクトロクロミック層６としてＷＯ２
層を、真空蒸着方法にょシ、４０００Ｘ付け、次に第２
電極５として半透明Ａｕ膜を３００１付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１，２電極間に、２．２Ｖ印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔＯＤで０．３に達するまでに３０
０ ｍ５ｅｃであった。
素子を、第１，２電極間に、２．２Ｖ印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔＯＤで０．３に達するまでに３０
０ ｍ５ｅｃであった。
実施例２
厚み０．８ ｍのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９
）の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリード部を
備えたＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形成し、蒸着材料
に金属コバルトと金属ニッケルの混合ペレット（混合比
１：０．６）を用い、上記の第１電極２上に、反応性高
周波イオンブレーティング方法によシ、陽極側発色層で
ある、エレクトロクロミック層３を形成した。
）の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリード部を
備えたＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形成し、蒸着材料
に金属コバルトと金属ニッケルの混合ペレット（混合比
１：０．６）を用い、上記の第１電極２上に、反応性高
周波イオンブレーティング方法によシ、陽極側発色層で
ある、エレクトロクロミック層３を形成した。
条件として、Ｈ２０蒸気を３．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒ
ｒまで導入し、且つ０□ガスを４．ＯＸ １０”−’
Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度を０．８ ｉ／ｓｅｅと
した。膜厚は１００ＯＸであった。これによって、第１
電極２上に水酸化コバルトと水酸化ニッケルの混合膜よ
９成るエレクトロクロミック層が形成された。
ｒまで導入し、且つ０□ガスを４．ＯＸ １０”−’
Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度を０．８ ｉ／ｓｅｅと
した。膜厚は１００ＯＸであった。これによって、第１
電極２上に水酸化コバルトと水酸化ニッケルの混合膜よ
９成るエレクトロクロミック層が形成された。
この膜の上に、真空蒸着方法にょシ、絶縁体層４として
Ｔａ２０５の層を３０００Ｘ付けた。この時の真空度は
２．ＯＸ １０−５Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は８Ｘ／ｓｅ
ｃであった。さらに、これらの膜の上に、第２電極５と
して半透明Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
Ｔａ２０５の層を３０００Ｘ付けた。この時の真空度は
２．ＯＸ １０−５Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は８Ｘ／ｓｅ
ｃであった。さらに、これらの膜の上に、第２電極５と
して半透明Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１，２電極間に、２．２Ｖ印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔｏＤで０．３に達するまでに３５
０ｍ５ｅｃであった。
素子を、第１，２電極間に、２．２Ｖ印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔｏＤで０．３に達するまでに３５
０ｍ５ｅｃであった。
実施例３
厚み０．８ｍｎのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９）
の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備
えたＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形成し、蒸着材料に
酸化コバルトと水酸化ニッケルを用い、上記の第１電極
２上に、反応性高周波イオンシレーティング方法によシ
、陽極側発色層である、第１のエレクトロクロミック層
３を形成した。
の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備
えたＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形成し、蒸着材料に
酸化コバルトと水酸化ニッケルを用い、上記の第１電極
２上に、反応性高周波イオンシレーティング方法によシ
、陽極側発色層である、第１のエレクトロクロミック層
３を形成した。
条件として、Ｈ２０蒸気を５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ
ｔで導入し、蒸着速度を各々１．０１／５Ｔ１ｃ、お
よび０．７Ｘ／ｓｅｃとした。膜厚は１６００Ｘであっ
た。これによシ第１電極２上に水酸化コバルトと水酸化
ニッケルの混合膜よ９成る第１のエレクトロクロミック
層が形成された。
ｔで導入し、蒸着速度を各々１．０１／５Ｔ１ｃ、お
よび０．７Ｘ／ｓｅｃとした。膜厚は１６００Ｘであっ
た。これによシ第１電極２上に水酸化コバルトと水酸化
ニッケルの混合膜よ９成る第１のエレクトロクロミック
層が形成された。
この膜の上に、真空蒸着方法によシ、絶縁体層４として
Ｔａ２０５の層を３０００Ｘ付けた。この時の真空度は
２． ＯＸ １０−５Ｔｏｒｒ ｓ蒸着速度は８１／ｓ
ｅｃであった。さらに、これらの膜の上に、陰極発色層
である、第２のエレクトロクロミック層６としてＷＯ，
層を、真空蒸着方法によ、Ｑ４０００Ｘ付け、次に第２
電極５として半透明Ａｕ膜を３００Ｘζ付７砂、た。
Ｔａ２０５の層を３０００Ｘ付けた。この時の真空度は
２． ＯＸ １０−５Ｔｏｒｒ ｓ蒸着速度は８１／ｓ
ｅｃであった。さらに、これらの膜の上に、陰極発色層
である、第２のエレクトロクロミック層６としてＷＯ，
層を、真空蒸着方法によ、Ｑ４０００Ｘ付け、次に第２
電極５として半透明Ａｕ膜を３００Ｘζ付７砂、た。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１，２電極間に、２，２ｖ印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔＱＤで０．３に達するまでに４０
０ ｍ５ｅｃであった。
素子を、第１，２電極間に、２，２ｖ印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔＱＤで０．３に達するまでに４０
０ ｍ５ｅｃであった。
実施例４
厚み０．８ｍのガラス（Ｃｏｒｎｌｎｇ ７０５９ ）
の基板ｌ上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備
えたＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形成した。
の基板ｌ上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備
えたＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形成した。
蒸着材料に、金属コパル） （Ｃｏ）と金属ニッケル（
Ｎｉ ）を用い上記の第１電極２上に、反応性高周波イ
オンシレーティング方法によシ、同時蒸着し、陽極側発
色層である、第１のエレクトロクロ匹り層３を形成した
。
Ｎｉ ）を用い上記の第１電極２上に、反応性高周波イ
オンシレーティング方法によシ、同時蒸着し、陽極側発
色層である、第１のエレクトロクロ匹り層３を形成した
。
条件として、Ｈ２０蒸気を５．５ Ｘ １０−’Ｔｏｒ
ｒまで導入し、蒸着速度を各ｋ Ｏ，６Ｘ／ｓｅｅ 、
０．８ Ｘ／ｓｅｅとした。
ｒまで導入し、蒸着速度を各ｋ Ｏ，６Ｘ／ｓｅｅ 、
０．８ Ｘ／ｓｅｅとした。
このときの膜厚は１２００Ｘであった。
この様にして、第１電極２上に水酸化コバルトと水酸化
ニッケルよ９成る第１のエレクトロクロミック層３が形
成された。
ニッケルよ９成る第１のエレクトロクロミック層３が形
成された。
この膜の上に、真空蒸着法によシ、絶縁体層４としてＴ
ａ２０５の層を３０００Ｘ付けた。さらに、これらの膜
の上に、陰極側発色層である、第１エレクトロクロミッ
ク層６としてＷＯ２層を、真空蒸着方法によ、９４００
ＯＸ付け、次に第２電極５として半透明Ａｕ膜を３００
Ｘ付けた。
ａ２０５の層を３０００Ｘ付けた。さらに、これらの膜
の上に、陰極側発色層である、第１エレクトロクロミッ
ク層６としてＷＯ２層を、真空蒸着方法によ、９４００
ＯＸ付け、次に第２電極５として半透明Ａｕ膜を３００
Ｘ付けた。
この様にして製作したエレクトロクロミック素子を、第
１，２電極間に、２．２Ｖ印加して駆動したところ、着
色濃度がΔＯＤで０．４に達するまでに３８０ ｍ５ｅ
ｃであった。
１，２電極間に、２．２Ｖ印加して駆動したところ、着
色濃度がΔＯＤで０．４に達するまでに３８０ ｍ５ｅ
ｃであった。
第１図および第２図は、本発明に係る全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの例を示す断面図、第３図は本
発明素子を製造するに使用される反応性イオンブレーテ
ィング装置を示す概略図である。 １・・・基板、 ２・・・第１電極、３・・・
エレクトロクロミック層、 ４・・・絶縁層、 ５・・・第２電極、６・・・
エレクトロクロミック層、 １１・・・反応性イオンブレーティング装置の本体、１
２・・・電子銃（ＥＢガン）、 １３・・・傘（基板ホルダー）、 １４・・・ＤＣバイアス源、 １５・・・高周波：＋イル（ＲＦコイル）、１６・・・
Ｈ２０蒸気供給源、１７・・・０２ガスデンペ、１８．
１９・・・ニードルバルブ、 ２０・・・基板（被蒸着体）。
ロクロミック素子の２つの例を示す断面図、第３図は本
発明素子を製造するに使用される反応性イオンブレーテ
ィング装置を示す概略図である。 １・・・基板、 ２・・・第１電極、３・・・
エレクトロクロミック層、 ４・・・絶縁層、 ５・・・第２電極、６・・・
エレクトロクロミック層、 １１・・・反応性イオンブレーティング装置の本体、１
２・・・電子銃（ＥＢガン）、 １３・・・傘（基板ホルダー）、 １４・・・ＤＣバイアス源、 １５・・・高周波：＋イル（ＲＦコイル）、１６・・・
Ｈ２０蒸気供給源、１７・・・０２ガスデンペ、１８．
１９・・・ニードルバルブ、 ２０・・・基板（被蒸着体）。
Claims (1)
- 導電体膜よ９成る第１電極と、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、誘
電体膜よシなる第２電極を順次積層し、或いは上記の絶
縁層と第２電極の間にさらに陰極側発色層である第２の
エレクトロクロミック層を積層してなる全固体型エレク
トロクロミック素子において、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層を水酸化コバルトと水酸化ニッケル
の混合膜としたことを特徴とした全固体型エレクトロク
ロミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58104047A JPS59228630A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58104047A JPS59228630A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228630A true JPS59228630A (ja) | 1984-12-22 |
Family
ID=14370299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58104047A Pending JPS59228630A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59228630A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998014824A1 (de) * | 1996-10-01 | 1998-04-09 | Flachglas Aktiengesellschaft | Elektrochromer spiegel und verfahren zum herstellen eines elektrochromen spiegels |
-
1983
- 1983-06-10 JP JP58104047A patent/JPS59228630A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998014824A1 (de) * | 1996-10-01 | 1998-04-09 | Flachglas Aktiengesellschaft | Elektrochromer spiegel und verfahren zum herstellen eines elektrochromen spiegels |
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