JPS59228228A - 表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マトリックス型表示パネルに関し、詳しくは
駆動用半導体アレイを一体化したマトリックス基板を用
いたマトリックス型液晶表示パネルに関するものである
。液晶による表示パネルは、次の利点をもっている。す
なわち、１、　受光型（パラシフＯ）ディスプレーで、
低電力消費でをンること； ２　低電圧で動作出来ること； ３　パネル型の構成にし易いとと； ４、　大型表示も可能であるとと： が利点として挙けられる。

これらの利点は、発光型（アクティブ）ディスプレーに
は見られないものである。

この様な液晶表示パネルの中でも、特開昭５０−１７５
９９号公報に開示された多数の画素をマトリックス駆動
する方式は、特に注目されている。

この方式の液晶表示パネルは、例えば第１図（ａ）に示
す様な構成となっている。

即ち、表示パネルを構成する基板（ガラス。

プラスチックフィルム等）が２〜ＩＯ本／ｍｍａ度の密
度で、駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦ’ｌ’；　Ｔｂ１
ｎ　Ｂ’ｉ１ｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔ□ｒ）をマトリック
ス配置したもので構成されている。

ＴＰＴとしてはいくつかの構造があるが、ここでは第１
図（ａ）に示す様なｒ−ト電極が基板側に形成されたス
タガー構造を例にとり述べる。

ＴＰＴは基板Ｓ上に形成されたケ゛−ト線１ａ。

ｌ　ａ／、　ｌ　ａｌｌ、・・・・・・を有し、該ｒ−
）線上に設けたｒ−ト電極１　、１’、　１”、　１’
°Ｚ、　、叩、　　（行電極→、該デート電極上に積層
された絶縁層５、前記デート電極上に絶縁層を介して形
成された薄膜牛導体層２．２／　、　２１′、　２１／
、・・・・・・、半導体の一端に接して設けたソース線
３．３’、・・・・・・　（列電極）、及び半導体の他
端に接して設けたドレイ／電極４１４’　＋　４”　ｌ
　４１′ｌ・・曲　（表示電極）等がら構成され、行電
極と列電極は透明又は金属の薄膜導電層によって形成さ
れている。

ＴＰＴの他の構造、即ち、ダート電極が基板とは反対側
に形成されたスタガー構造及びコプレーナ構造の３種類
についても同様の構成要素があり、層構成順序が異なる
のみである。

第１図（ｂ）は第１図（Ｂｉの矢印ＯＢ力方向ら眺めた
平面図で、マトリックス駆動回路の一部を示したもので
ある。

また、第２図は第１図Ｃｂ）を線分Ａ　Ａ’に沿って切
断した拡大断面図である。

第２図に於いて、７及びＳはガラス、プラスチックフィ
ルム等の基板、４Ｉｌ、４″１は前述のドレイン電極、
８は対向電極である。

４Ｆ　、　４１１　、　ｓ等には５ｎ０２　、　Ｉｎ２
Ｏ３、Ｉ’ｌ’Ｏ等の透明導電膜、あるいはＡｕ　、　
Ｐｄ等の金Ｆ４薄膜が用いられる。

１”、　ｌ”及ヒ３’、　３”’［ｔしぞれ、ｒ−）電
極及びソース電極で、Ａｔ　、　Ａｕ　、　Ａｇ　、　
Ｐｄ　、　Ｃｒ等の金属薄膜が用いられる。

５及び９は絶縁層で２１１　、２ｎｌはアモルファスシ
リコン、ポリシリコン＋　Ｃｄ８　、　Ｃｄ８ｅ等の薄
膜半導体、１０はシール部材、１１け液晶層である。

この様な表示パネルでは、（１）セルの動ｆ／Ｆ−特性
は液晶層の厚みに対する依存性が高く、表示パネル全体
の表示特性が、低下し易い。このため、良好な階調性あ
るいは高速応答性を得る為には、液晶層の厚さを一定面
積用上（例えば１〇−以上の範囲）に亘り、出来る限シ
薄く　（例えば数μｍ〜１０μｍ）且つ均一にする必要
がある。

又、この表示パネルでは（２）半導体駆動素子がマトリ
ックス配置された表示電極基板と対向電極基板の間隔を
シールスペーサーで保持しているだけであるために、１
）白黒表示の際には色むらや表示部分の位置ずれを生じ
る欠点があるーこと、１１）カラー表示の際【では色す
れと色むらを生じる欠点があることが挙げられている。

前述の点から、液晶層の厚みを一定に保つ為に、液晶層
中に一定の粒径の不活性な部材を混入する方法等が知ら
れているが、広い表示面全体に亘シ均一に不活性部材を
混入させる事（は難へ かしぐ、また画像表示部分で液晶分子の配向状態を乱す
事があり、実用的な方法とはなり得ない。

本発明は前述の諸点に鑑みてなされたものであり、広い
表示面に亘シ、微小な基板間の間隙を一定に保持し、表
示の階調性と応答性に優れた電気光学装置、特に液晶表
示パネルを与える事を第１の目的としている。

また、本発明の別の目的は、画像表示部分で、液晶分子
の配列を乱す事をなくし、表示特性の優れた液晶表示パ
ネルを与える事にある。

さらに、本発明の別の目的は、白黒表示の場合では位置
ずれを、スカラー化の場合では色すれと色むらをそれぞ
れ防ぐ事により、表示特性の優れた液晶表示パネルを与
える事にある。

本発明者らは、前記目的に沿って鋭意検討を重ねて来た
ところ、少なくとも１つのシアン基をもつ液晶化合物の
層を保持するために用いたスペーサーが樹脂で形成され
た時、その樹脂中に含有する金属元素（例えば、ナトリ
ウム、カラ リウム、カリウムなどのアルカリ金属、カルタへ ウム、バリウム、マグネシウムなどのアルカリ土類金属
、アルミニウム、インジウムなどの■原曲型元素、チタ
ン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニ
ッケル、鉛などの遷移金属元素）が表示パネル、特にシ
アン基をもつ液晶の劣化を速めさせることが判明した。

従って、本発明は少なくとも１方に透明な導電性被膜を
設けた２枚の電極板の間に少なくとも１つのシアノ基を
有する液晶の層を備えた表示パネルであって、前記シア
ン基を有する液晶の層を保持するために金属元素の含有
率を５ｐｐｍ以下にした樹脂で形成した微細形状のスペ
ーサーを用いる点に特徴を有している。

本発明の好ましい具体例では、金属元素の−うち、アル
カリ金属の含有率を０．３ｐｐｍ以下、特に好ましくは
ナトリウムの含有率を帆２１）Ｉ）ｍ以下にしたフォト
レジスト樹脂で微細形状のスペーサーを形成することが
できる。

本発明の表示パネルは、例えば（１）多数のセグメント
を選択的に駆動するだめの行電極あるいは列電極自体を
非透光性部材として形成し、この非透光性部材に沿って
スペーサ部材を配置するとと；（２）半導体駆動素子を
設けた基板の対向基板側に行電極あるいは列電極に沿っ
て非透光性部材を形成し、この非透光性部材に沿ってス
ペーサ部材を配置することができる。又、スペーサ一部
材を形成する際ＫＩ／′：Ｌ、２枚の基板のうち少なく
とも一方の基板に固着させておくことが好ましい。この
態様については、第３図（ａ）〜（Ｃ）で明らかにする
。

第３図（ａ）は、本発明表示パネルの一例の斜視図であ
る。

即ち、行電極（又は列電極）自体を非透光性部材１２と
し、この上に絶縁層５を介して複数のスペーサ部材６　
、６’、　６”、　（５″１が設けられ、これらの厚み
が液晶層の層厚を決定している０第３図（ｂ）は、本発
明の表示パネルの別の態様を示す斜視図である。

即ち、液晶表示パネルの対向電極基板面に非透光性部材
１２を介してスペーサ部材６．６’。

６＋１　、６１１１．・・・・・・　が設けられ、これ
らの厚みが液晶層の層厚を決定している。

ここで、設けられた非透光性部材１２のパターン形状は
、スペーサ部材と同様の形状、ストライプ状、あるいは
、モずイク等のいずれの形状であっても良く、少なくと
も行電極あるいは列電極のラインに沿っていればよい。

第３図（Ｃ）は、本発明の表示パネルの別の態様を示す
斜視図である。

第３図（Ｃ）　において、液晶表示パネルの対向電極８
を設けた基板７に非透光性部材１２を形成し７、その上
を絶縁層９で被標し、さらに非透光性部材１２に沿って
スペーサ部材６．６’、６”。

６″１・・・・・・を前記絶縁層９の上に配置した基板
を一示している。この基板を薄膜半導体２．２’、２″
。

２１１１、・・・・・・、行電極１ａ、ｌａ’、・・・
・・・と列電極３゜３′・・・・・・を設けた基板５と
対向させる際、前述の非透光性部材１２は行電極１ａ、
ｌａ’、・・・・・・（あるいは列電極３，３′・・・
・・・）のラインに沿って配置される。従って、この時
スペーサ一部６，６′。

６″　６ｊｌ、・・・・・・は表示面の非透光性区域に
配置された態様になすことができる。

なお、第３図（ａ）　〜（ｃ）における第１図（ａ）　
、　（ｂ）および第２図と同−何役は、同一部材を表わ
している。

前述の非透光性部材１２はＡ／−、Ｃｒ、　ＭＯ等の金
属薄膜あるいは着色性有機物のいずれによって形成され
ていても良い。この際、スペーサ部材５　＋、　（３／
　、　５ｎ　、　６Ｎ＋　、　、、、、、、は、行電極
１ａ。

１　ａ’・・・・・・　（あるいは列電極３．３’、・
・・・・・）の上に絶縁層５を介して固着されている。

第４図（ａ）は、第３図（ａ）又ｉｉ：（ｂ）に示す表
示パネルの平面図であり、第４図ら）は第４図（ａ）の
線分Ｂ−Ｂ’に沿う断面図である。

本発明の表示パネルで用いる前述の如きスペーサーは、
フォトレジストによって形成されている。フォトレジス
トとしては、ゴム系フォトレゾスト好ましくは環化ポリ
イソプレン系フォトレジストや環化ポリブタジェン系フ
ォトレジストなどのゴム系フォトレゾストを用いること
が適している０環化ポリイソプレン系フオトレジストの
具体例としては、米国イーストマン・コダック社製のｒ
　Ｍｉｃｒｏ　Ｒｅ５ｉｓｔ　７４７　Ｊ、ｒ　Ｍｉｃ
ｒｏ　Ｒｅ５ｉｓｔ　７　ａ　２　Ｊ、東京応化工業（
株）製のｒ　ＯＭＲ−８３ｊ、ｒＯＭ几−８５」や日本
合成ゴム（株）製のｒＪｓＲＣＩＲ７０１Ｊなどを挙げ
ることができ、又、環化ポリブタジェン系レジストとし
ては、日本合成ゴム（株）製のｒＪｓＩ（ＣＢＲ−Ｍ９
０１１などを挙げることかできる。

本発明で用いるフォトレジストは、ネガ型あるいはポジ
型の何れであってもよい。特に、ゴム系フォトレジスト
を用いて形成したスペーサーを有する表示パネルは、他
のフォトレゾスートにより形成したスペーサーを有する
表示パネルに較べ、高信頼性にすることができる。

特に、ゴム系ホトレジストは、アルカリ含有率及び金属
元素含有率を前述゛の範囲内に抑えた場合には、この範
囲を越えた含有率のフォトレジストを用いた表示パネル
に較へ、高信頼性にする事が出来る。

これらのフォトレジストは、紫外線、遠紫外線あるいは
電子線を照射し、その徒所定の現像液（例えば、キシレ
ンなど）で現像することによって照射部あるいは非照射
部を除去した後、所定の硬化条件（加熱）で硬化させて
所望のスペーサーを形成することができる。又、フォト
レジストは、１方の電極基板あるいは両方の電浸 極基板の上に浸漬塗布法、スピンナー塗布法、ローラー
塗布法などでの公知塗布法によって被膜形成され、その
後所定の乾燥条件下で乾燥される。

本発明の表示パネルで用いるスペーサーは、一般に数μ
〜士数μの膜厚で形成することができ、好ましくは６μ
〜１５μ程度の膜厚で形成することが望ましい。

本発明の表示パネルで用いる液晶には、特に誘電率異方
性の太きいものが好ましく、具体的には下記一般式（１
１〜（６）で示されるシアン基を有する液晶化合物を単
独又は組合ぜて用いることができる。

一般式 （１） Ｒ２；アルキル基 ”４　ｐアルキル基 （５） Ｒ５ｐアルキル基 （６） ”６　ｙアルキル基 前述のＲ１−Ｒ６で表わされるアルキル基の具体例とし
ては、炭素原子数１〜１５の系列のアルキル基、好まし
いアルキル基としては、エチル、ｎ　、０ロピル、ｎ−
ブチル、ｎ−７ミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−へブチル、ｎ
−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ　−ｆシルを挙けることが
できる。

前記一般式（１）〜（６）で表わされる液晶の具体例は
、下記のとおりである。

一般式（１）で表わされる液晶 １−（１） １−（２） Ｉ（ １ ｌ−（３） Ｉ−（４） Ｉ　−（５） Ｉｔ　−（１） Ｉ［−（２） ＩＩ−（３） ）１ １１−（４） ｎ　−（５） 一般式（３）で表わされる液晶 ｍ−（１１ １ＩＩ−（２） １−（３） Ｉ［１−（４） ■−（５） 一般式（４）で表わされる液晶 ＩＶ−（１） ！Ｖ−（２） ＩＶ−（３） ＩＶ−（４） ＩＶ−（５） 一般式（５）で表わされる液晶 Ｖ−（２） Ｖ−（３） Ｖ　−（４） 前記一般式（６）で表わされる液晶 Ｖｌ−（１） １（ Ｖｉ−（２） Ｖｌ−（３） Ｍ−（４） −Ｔ 又、本発明の表示パネルで用いる液晶としては、前記以
外のネマチック液晶、コレステリック液晶又はスメツク
チック液晶を組合せて用いることができる。仁の際ネマ
チック液晶の誘電異方性は正又は負であってもよい。

本発明の表示パネルを作成する際、（１）前述のフォト
レジストを表示電極基板の上に設け、しかる後所定の露
光と現像を施した後、第３図（ａ）に示す如く行電極（
および／又は列電極）の上にスペーサーを形成する方法
、（２）前述のフォトレゾストを対向電極基板の上に設
け、しかる後所定の露光と現像を施した後、第３図（ｂ
）に示す如く表示電極基板に形成した行電極（および／
又は列電極）に沿ってスペーサーを形成する方法、ある
いは（３）表示電極基板と対向電極基板の上に前述のフ
ォトレゾストを設け、しかる後所定の露光と現像を施し
た後、第３図（Ｃ）に示す如く行電極（および／又は列
電極）の上にあるいはそれに沿ってスペーサーを形成す
る方法を用いることができる。

絶縁層５としては、絶縁性無機材料あるいは有機材料を
所定のパターンのマスクを用いて蒸着またはスパッタリ
ング等により形成しても良いし、あるいは塗布後パター
ン化しても良い。

絶縁性の無機化合物としては、酸化ケイ素、酸化チタン
、酸化セリウム等の金属酸化物；窒化シリコン等の窒化
物等が挙けられる。

絶縁性の有機樹脂としては、シリコン樹脂、ゴム系樹脂
等を挙げる事が出来る。

第５図は、行電極１ａ、ｌａ’、・・・・・・と列電極
３　、３’、　３”、・・・・・・の上にスペーサ部材
６−１゜６’−１、６’　−１・・・・・・と６−２　
、６’−２、６’−３・・・・・・を設ける例の平面図
である。

６−１　、６’−１、６”−１、６”−１は行電極上に
設けたスペーサ部材であり、６−２．６’−２，６“−
２，６”−２は列電極上に設けたスペーサ部材を示す。

例えは、典型的な例として、０．５ルのガラス基板を用
い、１２当り１個のスペーサ部材を設ける事によシ、４
μｍの均一な間隙を有する表示面積１ｏｏｉの表示パネ
ルが得られる。

尚、第４図ら）から、明らかな様に列電極（３゜３′、
３″　３１１等）上にスペーサ部材を形成すると極めて
微小な間隙でも対向する電極８との接触によるショート
を防止する事が出来る。

液晶層の厚みを一定に保持出来るならばセグメントを構
成する各ドレイン電極（４，４’、４”。

４”１等）毎に上記のスペーサ部材を必ずしも設ける必
要はない。

本発明の表示パネルで用いる半導体駆動回路の等価回路
は、第６図で示され、その駆動法としては、例えば行電
極１ａ、ｌａ’、・・・・・・に走査信号を順次印加す
る。走査信号が印加されたＴＰＴは導通状態となる。こ
の時これと直交する列電極３．３’、３”、・・・・・
・に画像信号を与えると、この電圧又は電荷がドレイン
電極４．４’、４″。

・・・・・・へ供給される。順次この走査信号を隣接の
行電極に移動させ、各行のＴ　Ｆ　’Ｉ’がオンになっ
た状態でその行のドレイン電極群へ電圧が供給されて、
行電極を一周させた時、全絵素に対し画像信号が供給さ
れる。この列電極へ供給する電圧は、ドレイン電極群の
実効電圧を稼ぐためには各絵素へ順次信号を送る点順次
走査でなく、線順次走査によって行うことが好ましい。

即ち、行オン状態の行のドレイン電極全部へ一時に信号
を与える方式である。

この様に行電極に信号が入力されている間に限って、こ
れらの電極マトリックスの交点のうち選択されだ列電極
とドレイン電極の間が導通し、ドレイン電極と対向電極
８との間に電圧が印加される。この印加電圧により液晶
分子の配列状態が変化して、表示がなされる０ 本発明の効果は大別して、次のとおりである。

１、　本発明で用いるフォトレゾスト、特にゴム系フォ
トレジストにより形成したスペーサ部材が、従来の表示
パネルに較べ大面積に亘り基板間の間隙を保持する事が
出来るへ ２、　本発明で用いるフォトレジスト、特にゴム系フォ
トレジストにより形成したスペーサ部材が、表示パネル
の非透光性部材に沿って設けているので、画像表示面で
液晶分子の配列を乱さない様にする事が出来、しかも電
極基板として可撓性電極基板（プラスチック電極基板）
を用いることが可能となる。

３　本発明で用いるフォトレジスト、特にゴム系フォト
レジストにより形成したスペーサ部材が表示パネルの非
透光性部材に沿って点在して設けられているので、半導
体駆動素子がマトリックス配置された表示基板と対向電
極基板を組合せた際にも位置ずれが防止出来る。

即ち、画像表示部分に閂し、白黒表示では位置ずれを、
カラー化では色すれと色むらを防ぐ事が出来る。

４、　本発明で用いるゴム系フォトレジストにより形成
したスペーサ部材が該フォトレジスト中のアルカリ含有
率、ナトリウム含有率及び金属元素含有率を規制されて
いるので、該フォトレジスト中のアルカリ分含有率、ナ
トリウム分含有率及び金属元素含有率を規制しなかった
場合に較べ極めて高い信頼性を得る事が出来る。

従来の方法では、上記第１の効果の点に対し、１、　周
辺部のみに設けたシール部材（第２図１０）が基板間の
間隙を一定に保持するスペーサ部材として機能すると同
時に、液晶を充填する為のシール部材の機能を持つ必要
があるのでシール部材の材料選択に制約を受は易いとと
； ２、　基板を薄くすると基板の変形が起こり易く、例え
ば４〜１０μｍの微小な基板間の間隙を保持する事がほ
とんど不可能であること；３　シール部材の変形が起こ
り易いので、基板間の間隙が１つのセルの基板面内で部
分的に不均一になって表示特性のムラを生じ易く、各表
示セルレで於いて基板間の間隙がばらつき易いこと等の
欠点が生じていたか、本発明Ｖこよれば、上記いずれの
欠点も同時に解決出来る。

従来の方法では、上記第２の効果に対し、表示面に設け
たスペーサ部材により、該スペーサを設けた部分の液晶
分子の配列に多少の乱れが生じ、表示面の画像が多少見
苦しくなる事があった。

本発明では上記の欠点を解決する事が出来る。

又、第３の効果に対して、従来の方法ではプラスチック
電極板を使用することが困難であったが、本発明ではこ
れを解決することができる。

さらに、本発明では階調性と応答性に優れた表示を得る
ことができる利点を有している。

本発明表示パネルでは、投影型、透過型及び反射型のい
ずれの型式にしても良い。

その表示モートゝについても、動的散乱モーｒ（ＤＳＭ
）、ライスティド・ネマティック（ＴＮ）、相転移型、
垂直−水平配向効果型（ＤＡＰ）、ハイブリッド・ネマ
ティック（Ｉ４ＡＮ）等のいずれの型式が選択されても
良い。

これらのうちいずれの型式で表示を行なうかにより、適
当な液晶分子の初期配列状態及び光学的検知手段（偏光
板、λ／４板、反射板等）が適宜設けられる。

本発明の表示パネルは、薄型化・コンパクト化された表
示パネルとして各種パネル・ディスプレー；例えば、時
計・計算機等の表示板、小型テレビ、ビデオカメラ用モ
ニタ及びファインダ等に好適に応用出来る。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

実施例１゜ 第１図（ａ）に示す半導体駆動回路を設けたガラス基板
を用意した。この半導体駆動回路は、アモルファスシリ
コン半導体、アルミニウムソース電極、アルミニウムソ
−ス電極とＩＴＯ）ｌ’レイン電極を有し、アルミニウ
ムソ−ス電極とアモルファスシリコン半導体は、チツ化
シリコン膜で相互に絶縁されている。

この様なガラス基板の上に酸化ケイ素を１０００＾の膜
厚で蒸着して絶縁膜を形成した後に、一方向にラビング
処理した。その後フォトレジスト脂として東京応化（抹
）製の”ＯＭＲ−８３”をスざンナー塗布した後、乾燥
した。次いで、所定マスクを通してフォトレジスト樹脂
の表面に露光を施した後、現像およびリンスを順に施し
て第３図（ａ）に示す様なスペーサーを形成した。

次いで、エポキシ系接着剤をガラス基板の周辺部にスク
リーン印刷により塗布した後、ラビング方向が先のラビ
ング方向と直交する様に対向電極板を重ね合せ、抽定の
硬化条件のもとてエポキシ系接着剤を硬化させて、セル
を作成した。このセル中に下記組成の液晶化合物を注入
してサンプル１となる液晶表示パネルを作成した０ 液晶組成物 １−（３）　　　　　　　１２．５　ｗｔ％１−（４）
　　　　　　　ｉ　２．５　ｖｔ％ＩＩ　　（４）　　
　　　　　　５．９ｗｔ％ｍ　−（３）　　　　　　　
２０．□　ｗｔ％１［−（４）　　　　　　　２０．Ｏ
ｗｔ％ｍ　−（５）　　　　　　、　２０．０　ｗｔ％
Ｖ　　（１）　　　　　　　　５．０ｗｔ％Ｖ　　（３
）　　　　　　　　５．Ｑｗｔ％この液晶表示パネルを
作成した時に用いたフォトレジスト樹脂”ＯＭＲ−８３
”の金属元素含有率を原子吸光分光分析装置である（株
）日立製の”１７０−５０　”で測定したところ、”Ｏ
ＭＲ−８３”の固形分中の金属元素含有率け５１）１）
ｍ以下であることが判明した。又、同様の方法でアルカ
リ金属含有率とナトリウム含有率を測定したところ、そ
れぞれ０．３　ｐｐｍ以下、０．２１）Ｉ）ｍ以下であ
った。又、サンプル１の表示パネルの耐久性を１２２°
Ｃで２気圧下でＰ、Ｃ，Ｔ（Ｐｒｅｓｓｍｅ　Ｃｏｏｋ
ｅｒ　Ｔｅ５ｔ　）により消費電流を測定したところ、
第７図の曲線Ａとなった。

比較実験として、前述のサンプル１を作成した時に用い
た”ＯＭＲ−ｓ３”Ｖｃ代えて、富士薬品（株）製の’
＝　Ｆ　Ｓ　Ｒ’″、同社製の“ＹＳ”と前述の’０Ｍ
Ｒ−８３”に微量のナトリウムを加えた変性”　ＯＭＲ
−８３”を用いたほかは、全く同様の方法でサンプル２
、サンプル３とサンプル４を作成した。

”ＦＳ）も″、”　ｙ　ｓ　”および変性”　ＯＭ　Ｒ
−８３”を前記と同様の測定法により金属元素、アルカ
リ金属およびナトリウムの含有率を測定したところ、下
表のとおりであった。

フォトレジスト　　金属元素　　アルカリ金属　すトリ
ウムｙｓ（サンプル２）　　　　２７００　　　　　　
５００　　　　　　２００ＦＳＲ（サンソウレ３）　　
　２８００　　　　　１５００　　　　　１０００この
比較用サンプル２，３と４をそれぞれ前述と同様の方法
で消費電流を測定したところ、それぞれ第７図の曲線Ｂ
、ＣとＤとなった。

下表のとおりの結果が得られた。

サンプル　　　　　　配　　　向　　　性１（本発明）
　　　良　　　　　　　良　　　　　　　良２（比較例
）　乱れ発生　　　乱れ発生　　　乱れ発生３（〃）　
　乱れ発生　　　乱れ発生　　　乱れ発生４（〃）　　
　　良　　　　　乱れ発生　　　乱れ発生

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、表示パネルで用いていた基板の斜視図
で、第１図（ｂ）はその平面図である０第２図は、従来
の表示パネルの断面図である。 第３図（ａ）、第３図（ｂ）および第３図（ｃ）は、本
発明の表示パネルの斜視図である。第４図（ａ）は、本
発明の表示パネルの平面図で、第４図（ｂ）はそのＢ−
Ｂ’断面図である。第５図は、本発明の表示パネルの別
の態様を示す平面図である。第６図は、本発明の表示パ
ネルに用いる半導体駆動回路の等価回路を示す説明図で
ある。第７　Ｐ＋は、実施例１で用いたサンプル１〜４
の消費電流特性を示す説明図である。 １　ａ　　＋　　１　ａ’　＋・・・・・・　：ケ８−
ト線、１　　、　１’　　、　　１”　　。 １”Ｉ、・・・・・・：ｒ″′−ト電極（行電極）、２
．２’。 ２１　、２１１．・・・・・・：薄膜半導体、３　、３
’　、　３”、−３″１゜・・・・・・　：ソース綜（
列電極）　、４　、４’、　４”、　４−・・・・・・
ニドレイン電極、５，９：絶縁層、６．６’。 ６１　、６１１．・・・・・・、　６−１　、６’−１
、６”−１，６″Ｉ−１、・・・・・・、　６−２　、
６’−２、６’−２、６”−２。 ・・・・・・ニスペーサ部材、７．Ｓ：基板、８：対向
電極、１０：シール部材、１１：液晶層、１２：非透光
性部材。 特許出願人　　キャノン株式会社 手続補正書（自発） 昭和５８年８月と６日 特許庁長官　若杉和夫　　殿 １、事件の表示 昭和５８年　特許軸　　第　１０３１７４　　　号２、
発明の名称 表示パネル ３　補正をする者 事件との関係　　　　　　　特許出願人性　所　東京都
大田区下丸子３−３０−２５、補正の対象 図　　　　　面 ６、補正の内容 （１）図面の第７図を別紙添付の第７図に訂正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一対の電極板の間に少なくとも１つのシアノ基を
   有する液晶化合物を備えた表示パネルにおいて、前記一
   対の電極板の間隔が金属元素の含有率を５１）ｌ）ｍ以
   下とした樹脂によって形成された微細形状のスペーサー
   で保持されていることを特徴とする表示パネル。 （２）　　前記スペーサーがアルカリ金属元素の含有率
   を０．３　ｐｐｍ以下とした樹脂によって形成された微
   細形状を有する特許請求の範囲第１項記載の表示パネル
   ○ （３）　　前記スペーサーがナトリウム元素の含有率を
   ０．２　ｐｐｍ以下とした樹脂によって形成された微細
   形状を有する特許請求の範囲第１項記載の表示パネル。 （４）　　前記樹脂がフォトレジスト樹脂である特許請
   求の範囲第１項記載の表示パネル〇 （５）　前記フォトレジスト樹脂がゴム系フォトレジス
   ト樹脂である特許請求の範囲第４項記載の表示パネル。 （６）前記液晶化合物が下記一般式（１）〜（６）で表
   わされる液晶化合物である特許請求の範囲第１項記載の
   表示パネル。 （１） Ｒ工ｐｃＮ （Ｒ□は、アルキル基を表わす。） （２） （３） Ｒ３（）（洲ＣＮ （Ｒｓは、アルキル基を表わす。） （４） （Ｒ４は、アルキル基を表わす。） リ （几５は、アルキル基′ｆｆ：表わす。）（６） （Ｒ・６け、アルキル基を表わす。） （７）前記一対の電極板のうち一方の電極板が行及び列
   電極を有する半導体駆動回路を設けた基板である特許請
   求の範囲第１項記載の表示パネル。