JPS59226195A - 炭素繊維束の電気メツキ方法 - Google Patents
炭素繊維束の電気メツキ方法Info
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- JPS59226195A JPS59226195A JP9865483A JP9865483A JPS59226195A JP S59226195 A JPS59226195 A JP S59226195A JP 9865483 A JP9865483 A JP 9865483A JP 9865483 A JP9865483 A JP 9865483A JP S59226195 A JPS59226195 A JP S59226195A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭素繊組束の電気メツキ方法に閉覆るものであ
る。更に詳しくは、炭素m維束に連続的に電気メッキを
行なうに当り、複数個の陰極を設は全電流を各々の陰極
に配分して、多段で電気メッキを行ない繊維束内部での
単uAtIi相互の接着のない炭素繊維束を得る方法に
関するものである。
る。更に詳しくは、炭素m維束に連続的に電気メッキを
行なうに当り、複数個の陰極を設は全電流を各々の陰極
に配分して、多段で電気メッキを行ない繊維束内部での
単uAtIi相互の接着のない炭素繊維束を得る方法に
関するものである。
近年炭素繊維を強化材とした炭素繊維強化複合材料の進
歩は目覚ましい。特に金属被覆炭素繊維は熱硬化性樹脂
、熱可塑性樹脂、ゴム等の非導電性母材の強化材として
用いた場合、それら複合材料の導電性が著しく向上する
。最近電子機器の発達・普及にともない電磁波障害、高
周波障害が大きな問題となってきており、それらの遮蔽
材として、金属被覆炭素繊維をフィラーとした複合材料
は機械特性及び成形性に優れたものとなる。
歩は目覚ましい。特に金属被覆炭素繊維は熱硬化性樹脂
、熱可塑性樹脂、ゴム等の非導電性母材の強化材として
用いた場合、それら複合材料の導電性が著しく向上する
。最近電子機器の発達・普及にともない電磁波障害、高
周波障害が大きな問題となってきており、それらの遮蔽
材として、金属被覆炭素繊維をフィラーとした複合材料
は機械特性及び成形性に優れたものとなる。
又この金属被覆炭素vA雑の被覆金属を母材とした場合
の炭素繊維強化金属系複合材料は軽聞椙造材料や導電材
料、摺動材料として優れIcものあ で覆る。
の炭素繊維強化金属系複合材料は軽聞椙造材料や導電材
料、摺動材料として優れIcものあ で覆る。
炭素uA維束に金属を被覆する方法に電気メツキ法があ
るが、従来炭素繊維束に電気メッキを行なう場合メッキ
速度が遅く、生産性に欠【プる問題があった。
るが、従来炭素繊維束に電気メッキを行なう場合メッキ
速度が遅く、生産性に欠【プる問題があった。
即ち炭素繊維の比抵抗は通常の金属の10−6Ω]C川
に対し101〜10−1 Ω−amと大きく、導電性が
悪く、電流密度を大きく出来ないためメしキ速皮を速く
することは困難であった。電流密度を大きくすると、炭
素繊維束の発熱や炭素繊維束表面に形成され1=被膜が
架橋し、炭素繊維束内部へのメッキが困難になり、炭素
繊維束表面と内部での被膜の膜厚の均一なものが得られ
ない等の問題がある。従って均一な膜厚の被膜を得るた
めには電流密度を小さくせざるを得ず生産性が低くなる
ことは避けられなかった。
に対し101〜10−1 Ω−amと大きく、導電性が
悪く、電流密度を大きく出来ないためメしキ速皮を速く
することは困難であった。電流密度を大きくすると、炭
素繊維束の発熱や炭素繊維束表面に形成され1=被膜が
架橋し、炭素繊維束内部へのメッキが困難になり、炭素
繊維束表面と内部での被膜の膜厚の均一なものが得られ
ない等の問題がある。従って均一な膜厚の被膜を得るた
めには電流密度を小さくせざるを得ず生産性が低くなる
ことは避けられなかった。
そこで、本発明は上記欠点を解決し生産性に優れた炭素
繊維束の電気メツキ方法を提案するものであるー。
繊維束の電気メツキ方法を提案するものであるー。
すなわち、炭素繊維束に連続的に電気メッキす。
るに当り、繊維束の走行方向に複数個の陰極を設()、
全・電流を各々の陰極での電流量がIn s≧In≧
in +。
全・電流を各々の陰極での電流量がIn s≧In≧
in +。
(Inはn番目陰極の電流量を表わt)の範囲になるよ
う配分し、多段で電気メッキを行なうことを特徴とする
炭素繊維束の電気メツキ方法である。
う配分し、多段で電気メッキを行なうことを特徴とする
炭素繊維束の電気メツキ方法である。
ここで炭素mMI束とは100本程度以上の単繊維の連
続繊維からなる炭素質繊維、黒鉛質繊維を言う。炭素m
紐束への全電流の配分は各々の陰極での電流量が In−、≧In≧ln+。
続繊維からなる炭素質繊維、黒鉛質繊維を言う。炭素m
紐束への全電流の配分は各々の陰極での電流量が In−、≧In≧ln+。
(Inはn番目陰極の電流量)
の範囲になるよう配分することが必要である。即ちメッ
キ浴入側に近い陰極の電流が次に設けられた陰極の電流
量より大きいが又は同じ電流にすることである。このよ
うに全電流量を配分することによって、メッキ浴出側に
近い炭素=m a *はど被膜の膜厚が厚く抵抗が小さ
くなってsN性が向上しているため、次の陰極の電流量
を小さいが同じにすれば、炭素Il雑束表面に形成され
た被膜が架橋することが無く炭素m紐束表面と内部での
被膜の膜厚の均一なものが得られ、更に生産性が向上す
る。
キ浴入側に近い陰極の電流が次に設けられた陰極の電流
量より大きいが又は同じ電流にすることである。このよ
うに全電流量を配分することによって、メッキ浴出側に
近い炭素=m a *はど被膜の膜厚が厚く抵抗が小さ
くなってsN性が向上しているため、次の陰極の電流量
を小さいが同じにすれば、炭素Il雑束表面に形成され
た被膜が架橋することが無く炭素m紐束表面と内部での
被膜の膜厚の均一なものが得られ、更に生産性が向上す
る。
一方、本発明とは逆に全電流を各々の陰極での電流量が
In −1< In < In +。
(In:n番目陰極の電流量)
の範囲になるよう配分した場合はメッキ浴出側に近い炭
素IJli維束程被膜の膜厚が厚く抵抗が小さくなって
導電性が向上しているのに加え、次の陰極の電流量が大
きいためにそれらの相乗効果により被膜が炭素繊維束表
面で架橋し炭素繊維束表面と内部での被膜の膜厚の均一
性が著しく損われる。
素IJli維束程被膜の膜厚が厚く抵抗が小さくなって
導電性が向上しているのに加え、次の陰極の電流量が大
きいためにそれらの相乗効果により被膜が炭素繊維束表
面で架橋し炭素繊維束表面と内部での被膜の膜厚の均一
性が著しく損われる。
本発明による電気メツキ方法は通常の電気メッキが可能
なCu、Ni1Cr、、Zn、、Cd。
なCu、Ni1Cr、、Zn、、Cd。
Pb、、Sn、△u SAg及びそれらの合金のメッキ
に使用出来る。
に使用出来る。
以下本発明を図面を用いて説明する。
第1図、第2図、第3図は本発明方法を行なう装置の実
施例を示J′概略図である。
施例を示J′概略図である。
第1図で炭素繊維束4は入側ニップローラー5を経て第
1陰極1からの通電によりメッキ浴9中のメッキゾーン
Iで電気メッキが行なわれ、次に第1陰極1を経てメッ
キゾーン■で更に第2陰極で各々電気メッキが行なわれ
る。これを繰返しながら炭素繊維束4は電気メッキが行
なわれ出側ニップローラ=6を通り水洗、乾燥後巻取ら
れる。第1陰極1は第2図のようにメッキ浴9の入側ニ
ップローラー5′と共通或いは第1図のように独立して
設けるが、第3図のようにメッキ浴9を複数個設は各々
に陰極を配してもよい。メッキ浴9が1つで陰極が複数
の場合陽極金m8は第1図のように1つでも第2図のよ
うに陰極の数と同じでもよい。
1陰極1からの通電によりメッキ浴9中のメッキゾーン
Iで電気メッキが行なわれ、次に第1陰極1を経てメッ
キゾーン■で更に第2陰極で各々電気メッキが行なわれ
る。これを繰返しながら炭素繊維束4は電気メッキが行
なわれ出側ニップローラ=6を通り水洗、乾燥後巻取ら
れる。第1陰極1は第2図のようにメッキ浴9の入側ニ
ップローラー5′と共通或いは第1図のように独立して
設けるが、第3図のようにメッキ浴9を複数個設は各々
に陰極を配してもよい。メッキ浴9が1つで陰極が複数
の場合陽極金m8は第1図のように1つでも第2図のよ
うに陰極の数と同じでもよい。
各陰極に配分する電流毎はメッキ浴出側に近い炭素繊維
束程メッキされることにより導電性が向上し抵抗が小さ
くなっているため、電流が流れ易いので各回路に抵抗を
入れて前の陰極から与えられる電流量より小さいが同じ
になるように調整する。第1陰極1から通電された炭素
繊維束4はメッキ浴9中のメッキゾーン1で電気メッキ
が行なわれ、一旦メツキ液γ外に持ち出され第2電極2
から再度通電される。この時の炭素繊維束4は前のゾー
ンの炭素繊維束4に比べ導電性が向上し抵抗が小さくな
っているため、メッキゾーン■ではメッキゾーンIの場
合よりも電気メッキが行なわれ易く、電流量を同じか小
さくする必要がある。
束程メッキされることにより導電性が向上し抵抗が小さ
くなっているため、電流が流れ易いので各回路に抵抗を
入れて前の陰極から与えられる電流量より小さいが同じ
になるように調整する。第1陰極1から通電された炭素
繊維束4はメッキ浴9中のメッキゾーン1で電気メッキ
が行なわれ、一旦メツキ液γ外に持ち出され第2電極2
から再度通電される。この時の炭素繊維束4は前のゾー
ンの炭素繊維束4に比べ導電性が向上し抵抗が小さくな
っているため、メッキゾーン■ではメッキゾーンIの場
合よりも電気メッキが行なわれ易く、電流量を同じか小
さくする必要がある。
以下同様にして全電流を配分する。
このようにして全電流を各々の陰極での電流量が
1n−t≧ln≧l n + 。
(Inはn番目の陰極での電流量)
の範囲になるよう配分することにより架橋現象が無く炭
素繊維束表面と内部での被膜の膜厚が均一なものが得ら
れ、且つ生産性が飛躍的に向上する。
素繊維束表面と内部での被膜の膜厚が均一なものが得ら
れ、且つ生産性が飛躍的に向上する。
以下本発明を実施例および比較例について説明する。
実施例
直径7μの単繊維12000本からなる炭素m維束を2
段階で連続的にニッケルメッキを行なった。メッキ浴組
成は硫酸ニッケル15h/ Q 、塩化アンモニウム1
5Q/Q、硼酸15a/Q、の普通浴でメッキ液のP[
−1は6,0、温度は25℃である。
段階で連続的にニッケルメッキを行なった。メッキ浴組
成は硫酸ニッケル15h/ Q 、塩化アンモニウム1
5Q/Q、硼酸15a/Q、の普通浴でメッキ液のP[
−1は6,0、温度は25℃である。
全電流は第1陰極に5A、第2陰極に4Aの配分で行な
った。炭素li維束の走行速瓜は25cm/min 、
メッキ浴滞在時間は4分である。
った。炭素li維束の走行速瓜は25cm/min 、
メッキ浴滞在時間は4分である。
こうして得られたニッケル被膜炭素繊維束を走査型電子
顕微鏡で観察したところ、炭素繊維束表面、内部ともに
単繊維1本1本がニッケルで均一に被覆されており、ニ
ッケル膜厚は0.27〜0.32μであった。
顕微鏡で観察したところ、炭素繊維束表面、内部ともに
単繊維1本1本がニッケルで均一に被覆されており、ニ
ッケル膜厚は0.27〜0.32μであった。
比較例
全電流の配分を第1陰極4△、第2陰極5Aの他は実施
例と同一条件で炭素繊維束に連続的にニッケルメッキを
行なった。この・噛合は炭素繊維束内部、表面でのニッ
ケル膜厚は0.12〜0.45μとバラツキが)1常に
大きく、また数本ないし数10本がまとめてメッキされ
るいわゆる架橋現象が観察された。
例と同一条件で炭素繊維束に連続的にニッケルメッキを
行なった。この・噛合は炭素繊維束内部、表面でのニッ
ケル膜厚は0.12〜0.45μとバラツキが)1常に
大きく、また数本ないし数10本がまとめてメッキされ
るいわゆる架橋現象が観察された。
また1段階メッキ法で実施例で得られたものと同じ炭素
繊維束内部、表面とも、単繊維1本1本が均一にニッケ
ル被覆されているものを得るだめには全電流を5A、炭
素繊維束の走行速成を12cm/minと半分以下にし
なければならなかった。
繊維束内部、表面とも、単繊維1本1本が均一にニッケ
ル被覆されているものを得るだめには全電流を5A、炭
素繊維束の走行速成を12cm/minと半分以下にし
なければならなかった。
′ 4、図面の簡単な説明
v81図、第2図、第3図は本発明方法を行なう装置の
一実施例を示す概略図である。
一実施例を示す概略図である。
1:第1陰極、2:第2陰極、3:第3陰極、4:炭素
繊維束5:入側ニップローラー、5−:入側ニップロー
ラー兼第1陰(か、6:出側ニップローラー、7:メッ
キ液、8:陽極金属、9:メッキ浴 1、II、■はメッキゾーンを示す。
繊維束5:入側ニップローラー、5−:入側ニップロー
ラー兼第1陰(か、6:出側ニップローラー、7:メッ
キ液、8:陽極金属、9:メッキ浴 1、II、■はメッキゾーンを示す。
特許出願人 東邦ベスロン林式会社
代理人弁理士 土 居 三 部
第1図
第?図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 炭素繊維束に連続的に電気メッキするに当り、繊維束の
走行方向に複数個の陰極を設け、全電流を各々の陰極で
の電流mが In−、≧In≧(11+。 (111はn番目陰極の電流用を表わす)の範囲になる
よう配分し、多段で電気メッキを行なうことを特徴とす
る炭素繊維束の電気メツキ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9865483A JPS59226195A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 炭素繊維束の電気メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9865483A JPS59226195A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 炭素繊維束の電気メツキ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59226195A true JPS59226195A (ja) | 1984-12-19 |
JPH0321672B2 JPH0321672B2 (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=14225491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9865483A Granted JPS59226195A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-02 | 炭素繊維束の電気メツキ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59226195A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006055952A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Asahi Diamond Industrial Co Ltd | 超長尺工具の製造装置および製造方法 |
WO2006132397A1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Fujifilm Corporation | Plating method, light-transmitting electrically-conductive film and light-transmitting electromagnetic wave shield film |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5243770A (en) * | 1975-10-04 | 1977-04-06 | Nitsukuu Kogyo Kk | Method of treating high temperature exhaust gas containing tar mist, e tc. |
-
1983
- 1983-06-02 JP JP9865483A patent/JPS59226195A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5243770A (en) * | 1975-10-04 | 1977-04-06 | Nitsukuu Kogyo Kk | Method of treating high temperature exhaust gas containing tar mist, e tc. |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006055952A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Asahi Diamond Industrial Co Ltd | 超長尺工具の製造装置および製造方法 |
WO2006132397A1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Fujifilm Corporation | Plating method, light-transmitting electrically-conductive film and light-transmitting electromagnetic wave shield film |
JP2006336099A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Fujifilm Holdings Corp | めっき処理方法、透光性導電性膜、及び透光性電磁波シールド膜 |
US8097143B2 (en) | 2005-06-06 | 2012-01-17 | Fujifilm Corporation | Plating method, light-transmitting electrically-conductive film and light-transmitting electromagnetic wave shield film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0321672B2 (ja) | 1991-03-25 |
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