JPS5920468A - 蒸着方法 - Google Patents

蒸着方法

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JPS5920468A
JPS5920468A JP13082282A JP13082282A JPS5920468A JP S5920468 A JPS5920468 A JP S5920468A JP 13082282 A JP13082282 A JP 13082282A JP 13082282 A JP13082282 A JP 13082282A JP S5920468 A JPS5920468 A JP S5920468A
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JP
Japan
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electron beam
vapor deposition
vessel
acceleration voltage
evaporation
Prior art date
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Granted
Application number
JP13082282A
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English (en)
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JPS6147221B2 (ja
Inventor
Koichi Shinohara
紘一 篠原
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、金属薄膜型磁気記録媒体や、他の機能薄膜を
連続して長時間安定に生産するに適した蒸着方法に関す
る。
広幅の高分子成形物基板上に、Go 、 Co合金等を
酸素雰囲気中で斜め蒸着して、高密度記録に適した媒体
を製造する技術が、磁気テープの新しい製造技術として
注目されている。
これに用いられる蒸発方法としては、耐火物を容器とし
た、電子ビーム加熱式のものが良いとされている。
この方法で、連続して長尺ものへの蒸着を行う上で、当
然行われなければならない要件として、蒸発材料の補給
がある。
その場合、電子ビームの制御性の良さに着目して、供給
材料への電子ビームの照射と、蒸発溶湯面への照射とを
、偏向磁界を工夫することでひとつの電子ビーム発生器
で行う方法と、溶解供給専用に別に電子ビーム発生器を
設ける方法の2種類が、当然考えられる。
しかしこれらは、これまで具体的に実施された例がなく
、そこで本発明者が両者について実施したところ、前者
は、蒸発が不安定になることと、溶解供給位置が蒸発域
と溶解域とをひとつの電子ビームの走査で加熱すること
から、蒸発域の端部と極めて近くなシ、この結果スプラ
ッシュの影響を受け、ピンホールの多数の発生、または
基板に穴があくなど、磁気記録媒体の製造に不都合が生
じやすく、また、後者は設備コストの高くなる点と、溶
解専用の電子ビーム発生器の真空放電が蒸発用の電子ビ
ーム発生器の真空放電全誘発しやすいという欠点が明ら
かになった。
本発明は、後者の欠点をなくすためになされたもので、
その要旨とするところは、蒸発用の電子ビームの加速電
圧1Ev(KV〕とし、溶解供給用の電子ビームの加速
電圧kEM[:KV〕とすると、Ev−EM)5 (K
V)の関係を満たす条件で蒸発源を加熱し蒸発せしめる
ものである。
以下に具体的に本発明の実施例を図面を用い説明する。
〔実施例1〕 図に示すように円筒状キャン1(直径1 m、幅7oc
m)にre ッて6o m/min の速度で移動する
ポリエチレンテレフタレートフィルム基板2(厚さ1o
、ts μm )上に、2XIQTOrrの酸素雰囲気
中で、co s o%、N12o%の磁性層を最小入射
角46°で0.1μmの厚さに形成した。蒸発源容器3
はZrO2製で、内容積は2.54である。蒸着材料と
してGo 80%、Ni2O%からなる直径1.5mm
のワイヤ4を供給することとし、寸だ蒸発用の電子ビー
ム5の加速電圧EvをEv = 30 (KV”J、溶
解用の電子ビーム6の加速電圧EMkEM=20(KV
)とした。
なお図における7はスプラッシュの影響を抑制するだめ
の防着板、8は送り出し軸、9は巻取シ軸、10は中間
ローラーである。
蒸着長さは9000 mとし、6回実施した。
下表は、以上の実施例における放電状況をまとめて示す
ものである。
(以下余白) この表より、溶解用の放電頻度がスプラッシュの影響を
主として受けて多いのにもかかわらず、その放電の影響
を蒸発用の電子ビーム発生器は、殆んど受けてないこと
が理解される。
これに対して、Ev=3oKV 、EM=30KVで実
施しだ場合は、80%近い影響を受けた。
〔実施例2〕 実施例1におけるワイヤの代わりに、棒(直径、! 32mm)を供給材として用い、EV=40KV 。
ξ−3QKVで他の条件は実施例1と同じ条件と ゛し
実施した。その結果を下の表に示す。
一方Ev =401CV 、 ’Kw =40K V 
f実施スルト影響受けた放電は9o%あった。他の多く
の組み合わせで、影響を受ける率をまとめたところEV
−E、の値と強い相関性をもち、他の条件とはほとんど
相関性がなかった。
なお以上のことは、基本的な条件として、スプラッシュ
の少ない材料を用いることが当然性われた上でのことで
ある。
さて以上のことから、Ev−EMが5KV以上あれば、
蒸発側の放電のうち溶解側の影響を受けた放電の割合が
、10%以下に抑えられる。そして好1しくは10KV
以上の差をもたせることで、相互干渉をより抑制できる
といえる。
なおここで、蒸発用にしても、溶解用にしてもエネルギ
ー効率を良くするために、ビームを集束しやすい条件を
選択することになり、そこで勢い高い加速電圧を選ぶこ
とになり、結果的に放電が起った時には逆に放電のエネ
ルギーが大きくなシ、以上のことから複数台の電子ビー
ム発生器を隣接して用いると、相互干渉を誘発しやすい
ことに上述の条件範囲が存在しているものと考えられる
以上のように本発明によると蒸着を安定に行うことが可
能となる。
なお本発明は1例えばSlの蒸着、イオンブレーティン
グ等と組み合わせた他の材料の蒸着等においても充分そ
の効果を発揮するものである。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例において用いられた蒸着装置の要部
の斜視図である。 1・・・・・・円筒状キャン、2・・・・・・基板、3
・・・・・蒸発源容器、5・・・・・・蒸発用電子ビー
ム、6・・・・・・溶解用電子ビーム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名ン ) 315 グ(O )

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 移動中の基板の幅方向と平行な方向に長軸を有する容器
    中に供給された蒸着材料を溶解用の電子ビームの照射に
    より加熱溶解し、さらに、溶解した蒸着材料を蒸発用の
    電子ビームの照射により加熱蒸発せしめて上記基板上に
    蒸着膜を形成するに際し、上記溶解用の電子ビームの加
    速電圧iEM〔Kv〕、上記蒸発用の電子ビームの加速
    電圧をEvCKv〕とすると、Ev−EM>5 (KV
    :]の条件を満たすようにすることを特徴とする蒸着方
    法。
JP13082282A 1982-07-27 1982-07-27 蒸着方法 Granted JPS5920468A (ja)

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JP13082282A JPS5920468A (ja) 1982-07-27 1982-07-27 蒸着方法

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JP13082282A JPS5920468A (ja) 1982-07-27 1982-07-27 蒸着方法

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JPS5920468A true JPS5920468A (ja) 1984-02-02
JPS6147221B2 JPS6147221B2 (ja) 1986-10-17

Family

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JPH0214424A (ja) * 1988-06-30 1990-01-18 Sony Corp 磁気記録媒体の製造方法

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