JPS59201230A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高ぞ度記録特性の優れた垂直磁気記録媒体のｄ
ｉ青方法に関する。

従来１タリの、構成とその間現点 短波長記録有性の優れた磁気記録方式として、垂直磁気
記録方式が知られている。これは磁気記録媒体のハ莫面
に垂自方向の残留低化全利用するものである。したかっ
てこの方式においては、膜面のほぼ垂直方向に残留磁化
が残る垂直磁化膜が心安となる。垂直磁化膜としては、
　Ｃｏ　、Ｌ−Ｏｒを主成分とするいわゆるｃｏ　−Ｏ
ｒ垂直磁化膜が優れた特性を有している。Ｇｏ−Ｏｒ垂
直磁化膜はスパッタリング法や真空蒸庸法（イオンブレ
ーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化して膜
を堆積する方法も含む）により作製されるが、特に後者
の方法によれば非常に商い膜堆積速度が達成でき、置所
に通している。しかし以下に説明するように、実際に真
空蒸着法によりＧｏ　−Ｏｒ垂直磁化膜の作製を行なう
と、種々のしわが発生するという問題が発生した。しわ
が発生すると、磁気記録媒体として使用することは不可
能であり、なんらかの解決策が必要である。

真空蒸着法によりＧｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を作製する方
法としては、基板を円筒状キャンの周面に沿わせて走行
させつつ蒸着を行なう方法がもつとも優れている。第１
（２）を用いて、この方法について説明する。高分子材
料よりなるテープ状基板１は円筒状キャン２の周面に沿
って走行する。３は基板人１１１１１ローラ、４は基板
出側ローラであり、テープ状基板１を案内走行させるも
のであるｃ６は蒸発源、６はしやへい板である。以上の
ように構成された従来の真空蒸着製型の動作について以
下に説明する。基板入組１１０−ラ３により案内された
高分子材料よりなる基板１は、円筒状キャン２の回転に
従いその周面に沿って走行し、基板出側ローラ４により
巻取り側へ案内される。なお、円筒状キャンは周面温度
が３５０℃付近まで任意の温度に設定できるものである
。蒸発＃ｊ５はＧｏ　−Ｃｒ合金インニットを加熱蒸発
させる。しやへい板６により垂直入射に近い成分を有す
る蒸発原子のみが高分子材料よりなる基板１に刺着して
、Ｇｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を形成する。

しかし上記の構成にてＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を作製する
と、下記のような問題が発生する。Ｇｏ　−Ｃｒ垂直磁
化膜に１言号を記録再生すると、膜面に垂直方向の保磁
力Ｈｃ上の大きな膜程、高い再生出力が得られる。ＨＯ
工は蒸着時の基板温度Ｔｓｕｂが上昇するに従い高くな
る。Ｃｊｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を実用化するためには、
少なくとも４０００ｅのＨａ↓が必要であるが、そのた
めにはＴｓｕｂを１２σＣ以上にしなければならないこ
とが実験の結果間らかになりねより好ましくはＨａ上と
して８００００以上の値を壱する膜が必要であるが、こ
の場合にはＴｓｕｂは２００°Ｃ以上にしなければなら
ない。なお、蒸着時の基板温度Ｔｓｕｂ　とは、円筒状
キャンの周面の温度をいう。また高分子材料よりなる基
板としては、表面性、安定性、量産性等の点から考えて
、ポリエチレンテレフタレートフィルムあるいハホリア
ミド系のフィルムが適している。ところがこれらのフィ
ルムを用い、第１図に示されるような方法にて、円筒状
キャンの周面の温度を１２０°Ｃ以上として蒸漸全行な
うと、蒸着部で段状のしわが発生する。第２図にこの状
態を示す。７は波状のしわである。このような波状しわ
は、円筒状キャン２と基板１との接触が不充分な場合に
蒸着部で発生することが明らかになった。

そこでこれを防止する方法として、高分子材料よりなる
基板１の上に導体膜を形成して、この導体膜と円筒状キ
ャン２との間に電位差を設け、静電気的引力によって密
着させることが考えられる。

なおこの導体膜としてパーマロイやＴ１を用いると、垂
直磁気記録媒体としての記録再生特性や配向性が向上す
る。第３図は上述のように、導体膜と円筒状キャン２と
の間に電位差を設けてＧｏ　−Ｏｒ膜を蒸着した場合の
状態を示す立体図である。８は高分子材料なる基板で、
表面（円筒状キャン２に接していない面）に導体膜が形
成されている。

導体膜と円筒状キャン２との間に印加する電圧としては
、直流電圧でもよいし、交流電圧でもよい。

上記の方法によれば、第３図に示されるように波状しわ
は消滅するが、基板８が円筒状キャン２に接する際に、
ラン゛ダムなしわ９が発生する。このランダムなしわ９
の発生する原因は次のように考えＧ′れる。基板８が円
筒状キャン２に接する際に、円筒状キャン２が高温のた
め、基板８が急激に加熱され変形を生じる。変形が修正
されない状態で電位差により円筒状キャン２に密着する
ため、基板８にはランダムなしわが発生する。

第４図は第３図のランダムなしわを改良することを試み
た装置の立体図である。第３図とほとんど同じであるが
、巣４図では基板入側ローラ３をニップローラ３′に変
更している。ニップローラの表面は一般にゴムで作られ
ている。表面に導体膜の形成された高分子材料よりなる
基板８は、円筒状キャン２に接し始める際にニップロー
ラ３′により円筒状キャン２に押さえつけられる。しか
しながら、この構成でも、円筒状キャン２の温度を高く
し、基板８と円筒状キャン２との間に電圧を印加して、
Ｇｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を作製すると、基板８が円筒状キ
ャン２に接触する際に、急激な加熱のため変形が発生し
これが修正される前に、ニップローラ３′にて押さえつ
けられるために、折じわ１０が発生する。

以上のように従来の構成では、Ｇｏ−１ｒ垂直磁化膜を
蒸着する際に、高分子材料よりなる基板にしわが発生し
、磁気記録媒体としては使用出来ないという問題点を有
していた。

発明の目的 Ｘ発明は上記のような問題点を解決するものであり、し
わのない良好な垂直磁気記録媒体を製造するだめの方法
を提供することを目的としているＯ発明の構成 本発明は１２０’Ｃ以上に昇？昌された円筒状キャンの
周面に清って走行しつつある、表面に導体膜の形成され
ている高分子材料よりなる基板上に、ＣｊｏとＯｒを主
成分とする垂直磁化膜を真空蒸着法により形成する際に
、上記円筒状キャンと上記導体膜との間に電位差を設け
、かつ上記基板を、上記円筒状キャンに接する前に上記
円筒状キャンの周面の温度をＴ（℃）としたとき　／２
−Ｔ（℃）の範囲内に周面の温度が設定された予備加熱
ローラに沿わせることにより昇温させ、かつ上記基板が
上記円筒状キャンに接し始める際にニップローラにて押
さえつけることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方
法であり１本発明の方法を用いることによりしわのない
垂直磁気記録媒体が得られる０ 実施例の説明 第５図を用いて不発明の説明を行なう。第５図は不発明
の央痙例を示す、真空蒸着装置内部の正面図である。１
１は予備加熱ローラであり、その周面が円筒状キャン２
の周面の温度のＡ以上かつイ以下の温度に設定されてい
る。予備加熱ローラを出た、表面に導体膜の形成されｆ
ｃ高分子材料よりなる基板８は、直ちにニップローラ３
′に浴って走行し、円筒状キャン２に押さえつけられる
。

なお、基板８が予備加熱ローラを出てニップローラぎに
入る捷での長さはできる限り短い方が好捷（−いが、真
空中では昇温された基板８から逃げる熱が少ないために
、この長さが多少長くても問題はない。−まだ、ニップ
ローラ３７は円筒状キャン２に接しているために、円筒
状キャンの局面の温度に近い温度になっている。１２は
基板８と円筒状キャン２との間に電位差を設けるために
、電源１３に接続された金属ローラである。１４はフリ
ーローラである。

第５図において、基板８は予備加熱ローラ１１にて加熱
され、昇温される。これにより従来基板８が円筒状キャ
ン２と接触する際に発生していた、急激な温度変化が原
因の基板変形が少なくなり、昇温された状態でニップロ
ーラ３′により円筒状キャン２に押さえつけると、しわ
の発生を防止できることが実験の結果間らかになった。

なお予備加熱ローラの周面の温度が円筒状キャンの周面
の温度の〃未満の場合にはしわが発生した。

また、予備加熱ローラの周面の温度が、円筒状キャンの
馬面の温度以下である場合には、前者に接する際にしわ
が入っても、後者に接する際にそのしわは消、或したが
、円筒状キャンの周面の温度を越える場合には、前者に
接する際に入ったしわが、蒸着後も残ってしまった。

次に不発明の第１の具体的な実施例について説明する。

第６図に示されるような真空蒸着装置にて厚み１８μｍ
のポリエチレンテレフタレートフィルム上に膜厚５００
人のＴｉ膜を蒸着し、さらにその上に膜厚２０００人の
ｃｏ−ｃｒ垂直磁化膜を蒸着した。Ｔ１膜蒸着の際には
、円筒状キャン２の周面の温度を室温に設定したので、
しわは入らなかった。Ｔ１膜の上にさらにＧｏ−Ｃｒ垂
直磁化膜を蒸Ｎｆるｌ：Ｑ、に（・づ１、円筒状キャン
２の周面の湿度を１４０°Ｃ１予備加熱ローラ１１の周
側面の７品度を８０℃とり、＠、＃１３により金属ロー
ラ１２に一２００Ｖの電圧を印加した。このようにして
蒸着すると、しわは捷ったく発生しなかった。

またＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜（７）ＨＣＬは５１００ｅと
なっており、優れた短波長記録再生特性を示した８以上
に対して、予１＋ｉｉｉ力１１熱ローラ１１の周面の温
度を￥渦（２６°ｃ）ｖｉし、てＧｏ−Ｃａｘ膜を蒸着
すると、第４図に示されるような折じわが発生した。

次に不発明の第２の具体的な実施例について説明する。

第６図に示されるような真空蒸着装置にて厚み９μｍの
ポリアミドフィルム上に膜厚２０００への１パーマロイ
膜を蒸着し、さらにその上に膜厚１００ｏ人のＧｏ−Ｃ
ｒ垂直磁化膜を蒸着した。パーマロイ膜蒸着の際には、
円筒状キャン２の周面の温度を室温に設定したので、し
わは入うナかった。パーマロイ膜の上にさらにＧｏ　−
Ｃｒ垂＠磁化膜を蒸着する際には、円筒状キャン２の周
面の温度を２３０℃、予備加熱ローラ１１の周面の温度
を１５０℃とし、電源１３［より金属ロー２１２に一２
００Ｖの電圧を印カロした。得られた垂直磁気記録媒体
において、しわは皆無であった。またＣｏ−Ｃｒ垂＠磁
化膜１７）　ＨＣＬば８４００８となっており、優れた
短彼長記録再生特性を示した。

発明の効果 本発明の方法によれば、従来、高分子材料より成る基板
上にＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を蒸着する際に生じていた、
しわを完全に除去するととが可能であり、しわのない垂
直磁気記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はＣｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を作製するための従来
の真空蒸着装置内部の正面図、第２図、第３図および第
４１区は立体図である。第５図は本発明の詳細な説明す
るだめの真空蒸着装置内部の正面図である。 １・・・・・・高分子材料よりなる基板、２・・・・・
円筒状キャン、３′・・・・・・ニッグローラ、５・・
・・・・蒸発源、８・・・・・表面に導体膜の形成され
た高分子材料よりなる基板、１１・・・・予備加熱ロー
ラ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第　２　図 第３図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １２０℃以上に昇温された円筒状キャンの周面に沿って
   走行しつつある、表面に導体膜の形成された高分子材料
   よりなる基板上に、ＧＯとＯｒを主成分とする垂直磁化
   膜を真空蒸着法により形成する際に、上記円筒状キャン
   と上記導体膜との間に電位差を設け、かつ上記基板を、
   上記内油状キャンに接する前に、上記円筒状キャンの周
   面の渦、Ｔ 度をＴ（℃）としたとき、局面Ｃ晶度か／２〜Ｔ（’０
   の範囲内に設定された予備加熱ローラに渚わせることに
   より昇温させ、かつ上記基板が上記円筒状キャンに接し
   始める際にニップローラにて押さえつけることを特徴と
   する垂直磁気記録媒体の製造方法。