JPS59199520A - ポリシロキサンハイドライドの製造方法 - Google Patents
ポリシロキサンハイドライドの製造方法Info
- Publication number
- JPS59199520A JPS59199520A JP58072462A JP7246283A JPS59199520A JP S59199520 A JPS59199520 A JP S59199520A JP 58072462 A JP58072462 A JP 58072462A JP 7246283 A JP7246283 A JP 7246283A JP S59199520 A JPS59199520 A JP S59199520A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysiloxane hydride
- hydride
- polysiloxane
- silanol
- halogen
- Prior art date
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- Pending
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- Silicon Compounds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はポリシロキサンハイドライドの製造方法、特に
その末端が水素還元されて安定であり、かつ４１機基を
全く含まないポリシロキサンハイドライドの製造方法に
関する。
その末端が水素還元されて安定であり、かつ４１機基を
全く含まないポリシロキサンハイドライドの製造方法に
関する。
（ｂ） 技術の背景
絶林暎、特に層間絶縁膜を樹脂コーティング法によって
形成する樹脂絶縁法は、例えば化学気相成長法（ＣＶＤ
法）によって形成された二酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜
等に比較して、表面の平坦な絶縁膜が容易に形成できる
特徴を有している０この）ｔＡ ｌ’ｒｉｌ Ｍｔ：縁
膜として用いるコーテイング１旬月旨に対しては、高い
耐熱性、無機膜との斬れた密着性及び良好な平坦化効果
（レベリング１ター）なとか吸水される。これらの要求
に対応する目的をもって、ポリイミド系樹脂、アルキル
基を含むポリシロキサン系樹脂等が既に提供されている
が、更に耐熱性を向上させるためにアルキル基を含まな
いポリシバイドｌフジエンシロキサン等のポリシロキサ
ンハイドライドが注目されている。
形成する樹脂絶縁法は、例えば化学気相成長法（ＣＶＤ
法）によって形成された二酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜
等に比較して、表面の平坦な絶縁膜が容易に形成できる
特徴を有している０この）ｔＡ ｌ’ｒｉｌ Ｍｔ：縁
膜として用いるコーテイング１旬月旨に対しては、高い
耐熱性、無機膜との斬れた密着性及び良好な平坦化効果
（レベリング１ター）なとか吸水される。これらの要求
に対応する目的をもって、ポリイミド系樹脂、アルキル
基を含むポリシロキサン系樹脂等が既に提供されている
が、更に耐熱性を向上させるためにアルキル基を含まな
いポリシバイドｌフジエンシロキサン等のポリシロキサ
ンハイドライドが注目されている。
（ｃ）従来技術と問題点
ポリジハイドロジヱンシロキサン（ＨＯ−（ＩＩ２Ｓｉ
Ｏ）ｎ−Ｈ）は末端すなわちα、ω位にシラノール基（
−ＯＨ）を有している。このシラノール基は不安定であ
ってゲル化すなわち意図しない３次元架橋を起し易いた
めに、このシラノール基を他の基に置換するシリル化が
行なわれる０しかしながら従来のシリル化剤はメチル基
（−ＣＨ，）等の有機基を含み、その重合度が低い場合
は無（タポリマーとしての特徴が強く（ｌなわれて、耐
夕′・性の低下或いは形成された絶縁膜中にピンホール
を発生する要因となる。
Ｏ）ｎ−Ｈ）は末端すなわちα、ω位にシラノール基（
−ＯＨ）を有している。このシラノール基は不安定であ
ってゲル化すなわち意図しない３次元架橋を起し易いた
めに、このシラノール基を他の基に置換するシリル化が
行なわれる０しかしながら従来のシリル化剤はメチル基
（−ＣＨ，）等の有機基を含み、その重合度が低い場合
は無（タポリマーとしての特徴が強く（ｌなわれて、耐
夕′・性の低下或いは形成された絶縁膜中にピンホール
を発生する要因となる。
この問題点に対処するために、本願発明者は先に府なｆ
ｔｈｓｓ７−１９３２９６号によって、短時間で重合度
の商いポリジハイドロジェンシロキサンを得る製造方法
を提供している。
ｔｈｓｓ７−１９３２９６号によって、短時間で重合度
の商いポリジハイドロジェンシロキサンを得る製造方法
を提供している。
該発明は、一般式Ｈ２Ｓ ｉ （ＯＲ）２で表わされ、
式中ＩＬかアルキル基であるジアルコキシシランを出発
物質とし、その加水分解において生成する一価の脂肪族
アルコール（ＲＯＨ）を除去しながら縮重合させること
を特徴とする。該発明によって、該発明次＾１（の製造
方法に比較して１合度の高いポリジハイドロジエンシロ
キサンが得られて、耐熱性が向上しかつピンホールも減
少した絶縁膜が得られている。
式中ＩＬかアルキル基であるジアルコキシシランを出発
物質とし、その加水分解において生成する一価の脂肪族
アルコール（ＲＯＨ）を除去しながら縮重合させること
を特徴とする。該発明によって、該発明次＾１（の製造
方法に比較して１合度の高いポリジハイドロジエンシロ
キサンが得られて、耐熱性が向上しかつピンホールも減
少した絶縁膜が得られている。
しかしながら絶縁膜として更に高い耐熱性が要求されて
、そのシリル基にメチル基等の有機基を含まないポリジ
ハイドロジェンシロキサンが必要とされるに到った。
、そのシリル基にメチル基等の有機基を含まないポリジ
ハイドロジェンシロキサンが必要とされるに到った。
この要求はポリジハイドロジェンシロキサンのみならず
、ポリハイドロシルセスキオキサン（ＨＯ（ＨＳ ｉ
０１．＋ｌ ）ｎ Ｈ）等の他のポリシロキサンハイ
ドライドについても有機基を含まないシリル基による安
定化が要求されている。
、ポリハイドロシルセスキオキサン（ＨＯ（ＨＳ ｉ
０１．＋ｌ ）ｎ Ｈ）等の他のポリシロキサンハイ
ドライドについても有機基を含まないシリル基による安
定化が要求されている。
（ｄ） 発明の目的
本発明はポリシロキサンハイドライドに関して、末端す
なわちα、ω位を無機シリル基によって安定化する製造
方法を提供することを目的とする０（ｅ） 発明の構
成 本発明の前記目的は、α位及びω位にシラノール基、ア
ルコキシル基又はハロゲンを有するポリシロキサンハイ
ドライドを水素化リチウムアルミニウムを用いて還元し
て、前記α位及びω位のシラノール基、アルコキシル基
又はハロゲンを水素に置換する製造方法により達成され
る。
なわちα、ω位を無機シリル基によって安定化する製造
方法を提供することを目的とする０（ｅ） 発明の構
成 本発明の前記目的は、α位及びω位にシラノール基、ア
ルコキシル基又はハロゲンを有するポリシロキサンハイ
ドライドを水素化リチウムアルミニウムを用いて還元し
て、前記α位及びω位のシラノール基、アルコキシル基
又はハロゲンを水素に置換する製造方法により達成され
る。
（ｆ）発明の実施例
既に説明した如くジアルコキシシランを出発物質とし、
或いはジクロロシラン、トリアルコキシシラン、トリク
ロロシラン等を出発物質として加水分ｔｍを行なうこと
によって、シラノール末端、アルコキシ末端又はハロゲ
ン末端のポリシロキサン／Ｘイドライドが得られる。
或いはジクロロシラン、トリアルコキシシラン、トリク
ロロシラン等を出発物質として加水分ｔｍを行なうこと
によって、シラノール末端、アルコキシ末端又はハロゲ
ン末端のポリシロキサン／Ｘイドライドが得られる。
このポリシロキサンハイドライドについて、例えば ２
（ＨＯ（ＨＪｉＯ）ｎ Ｈ）＋Ｈ４ＬｉＡＪ＝ ２
（Ｈ３Ｓ ｔｏ （ＨＪ １Ｏ）ｎ−ｚ Ｓ ＩＨ
ｓ ）十ＬｉＯＨ＋ＡＡ’ （ＯＨ）ｓ の如く、水素化リチウムアルミニウム（Ｈ４ＬｔＡ／３
）によってその末端を還元し水素■に置換することによ
って、目的とする安定化が達成される。
（ＨＯ（ＨＪｉＯ）ｎ Ｈ）＋Ｈ４ＬｉＡＪ＝ ２
（Ｈ３Ｓ ｔｏ （ＨＪ １Ｏ）ｎ−ｚ Ｓ ＩＨ
ｓ ）十ＬｉＯＨ＋ＡＡ’ （ＯＨ）ｓ の如く、水素化リチウムアルミニウム（Ｈ４ＬｔＡ／３
）によってその末端を還元し水素■に置換することによ
って、目的とする安定化が達成される。
水素化リチウムアルミニウムによる還元は通常エーテル
中で行なう・しかしながら標準大気圧において沸点が３
４．６ （℃）であるジエチルエーテル、或いは９０．
５ （’Ｃ）であるジプロピルエーテル等は重合温ｇが
制約されるので、沸点が１４２．４Ｃ℃）であるジブチ
ルエーテル等を用いる。
中で行なう・しかしながら標準大気圧において沸点が３
４．６ （℃）であるジエチルエーテル、或いは９０．
５ （’Ｃ）であるジプロピルエーテル等は重合温ｇが
制約されるので、沸点が１４２．４Ｃ℃）であるジブチ
ルエーテル等を用いる。
またＡｉｌ記例においては、趙元反応の結果水酸化リチ
ウム（ＬｉＯＨ）が生成される０勉アルカリの存在下で
は５ｉ−Ｈ結合が分解し易いので還元実ＭＩ＋直（１に
例えば希酢酸水溶ＲＬ ’８によっＣ中和し洗Ｕするこ
とが必要である０なお同様に生成される水酸化アルミニ
ウムは有機溶媒には溶解ぜすエーテル中で沈殿するため
に問題はない０ 前記洗ｄ）後にも水酸化リチウム、水σグ化アルミニウ
ムなどの不純物が微鈑に残存するために、濃縮後に、例
えばアセトニ） ＩＪル及びトルエンを用いて沈殿及び
再溶解を反復実施して精製する。
ウム（ＬｉＯＨ）が生成される０勉アルカリの存在下で
は５ｉ−Ｈ結合が分解し易いので還元実ＭＩ＋直（１に
例えば希酢酸水溶ＲＬ ’８によっＣ中和し洗Ｕするこ
とが必要である０なお同様に生成される水酸化アルミニ
ウムは有機溶媒には溶解ぜすエーテル中で沈殿するため
に問題はない０ 前記洗ｄ）後にも水酸化リチウム、水σグ化アルミニウ
ムなどの不純物が微鈑に残存するために、濃縮後に、例
えばアセトニ） ＩＪル及びトルエンを用いて沈殿及び
再溶解を反復実施して精製する。
以下更に具体的にポリハイドロジエンンロキサンにかか
る本発明の実施例について説明する０還流管、撹拌棒、
温度計及び漏斗を設けた四つ目フラスコに、ジェトキシ
シラン１２（ロ）（０１モル）、メチルイソブチルケト
ン５４■、及びジブチルエーテル５４面を採取し、温度
５〔℃〕程度以下に氷冷しつつ、水１８１１ｇ） （１
モル）を滴下する。
る本発明の実施例について説明する０還流管、撹拌棒、
温度計及び漏斗を設けた四つ目フラスコに、ジェトキシ
シラン１２（ロ）（０１モル）、メチルイソブチルケト
ン５４■、及びジブチルエーテル５４面を採取し、温度
５〔℃〕程度以下に氷冷しつつ、水１８１１ｇ） （１
モル）を滴下する。
滴下後溶温を３５Ｃ℃）として９０分間常圧で攪拌を続
ける〇 次いで漏斗を取去り、ドライアイス冷却エタノールを収
容したデユワ−瓶をトラップとする紙圧系に接続し、出
力５０〔朋Ｈｇ）程度において、浴温３５ （”Ｃ）で
１３．５時間線重合を進行させる０・ξの後′ｇ圧に戻
した後に水素化リチウムアルミニ・ツム１０１ｇＪを窒
素雰囲気中で、４５別して先に説明したシリル化４行な
う。水ζＲ化ウリチウム１（殉酢酸水溶敵で中和、洗浄
し、濃絹後アセトニトリル及びトルエンを用いて沈殿及
び再溶解を３回繰返して、精製された末端が水系よりな
るポリジハイドロシェンシロキサンヲ得ル。
ける〇 次いで漏斗を取去り、ドライアイス冷却エタノールを収
容したデユワ−瓶をトラップとする紙圧系に接続し、出
力５０〔朋Ｈｇ）程度において、浴温３５ （”Ｃ）で
１３．５時間線重合を進行させる０・ξの後′ｇ圧に戻
した後に水素化リチウムアルミニ・ツム１０１ｇＪを窒
素雰囲気中で、４５別して先に説明したシリル化４行な
う。水ζＲ化ウリチウム１（殉酢酸水溶敵で中和、洗浄
し、濃絹後アセトニトリル及びトルエンを用いて沈殿及
び再溶解を３回繰返して、精製された末端が水系よりな
るポリジハイドロシェンシロキサンヲ得ル。
また本発明により末端が水系よりなるポリハイドロシル
セスキオキサン以外ることは、列えは前ム己実ｈ【１８
し１ｊと同様の四つロフラスコにトリクロルシラン１３
．６ｃｇＪ（０，１モル）、メチルイソブチルケトン６
１２眩、及びジブチルエーテル６１．２［！１．１を採
取して、前記実施向と同様の方法を実施することにより
−Ｃ可能である。
セスキオキサン以外ることは、列えは前ム己実ｈ【１８
し１ｊと同様の四つロフラスコにトリクロルシラン１３
．６ｃｇＪ（０，１モル）、メチルイソブチルケトン６
１２眩、及びジブチルエーテル６１．２［！１．１を採
取して、前記実施向と同様の方法を実施することにより
−Ｃ可能である。
以上説明した実施向はシラノール末端の例であるが、ア
ルコキシル末端或いはハロゲン末端の場合にも同様に本
発明によって末端の水系置換を行ない、＝ｈ基を含まな
いシリル化を行なうことができる。また本発明は前記ポ
リハイドロジエンシロ千ザン、或いはポリハイドロシル
セスキオキサン以外のポリシロキサンハイドライドにも
同様に適用することができる。
ルコキシル末端或いはハロゲン末端の場合にも同様に本
発明によって末端の水系置換を行ない、＝ｈ基を含まな
いシリル化を行なうことができる。また本発明は前記ポ
リハイドロジエンシロ千ザン、或いはポリハイドロシル
セスキオキサン以外のポリシロキサンハイドライドにも
同様に適用することができる。
（ｇ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によって、有機基を全く金談ず、
かつ末端が安定化されたポリシロキサンハイドライドが
提供され、このポリシロキサンハイドライドを用いて樹
脂コーティング法によって一表面の平坦性に優れ、かつ
耐熱性等の特性については化学気相成長法等と同等な酸
化シリコン絶縁膜を容易に形成することが可能となる。
かつ末端が安定化されたポリシロキサンハイドライドが
提供され、このポリシロキサンハイドライドを用いて樹
脂コーティング法によって一表面の平坦性に優れ、かつ
耐熱性等の特性については化学気相成長法等と同等な酸
化シリコン絶縁膜を容易に形成することが可能となる。
：ｉゴ弓 」
ｌ
Claims (1)
- α位及びω位にシラノール基、アルコキシル基又はハロ
ゲンを有するポリシロキサンハイドライドを水素化リチ
ウムアルミニウムを用いて還元シて、前記（１位及びω
位のシラノール基、アルつキシル基又はハロゲンを水素
に置換することを特徴とするポリシロキサンハイドライ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072462A JPS59199520A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | ポリシロキサンハイドライドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072462A JPS59199520A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | ポリシロキサンハイドライドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59199520A true JPS59199520A (ja) | 1984-11-12 |
Family
ID=13489989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58072462A Pending JPS59199520A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | ポリシロキサンハイドライドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59199520A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5041591A (en) * | 1989-08-10 | 1991-08-20 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Organopolysiloxane and method for its preparation |
| WO2008035820A1 (fr) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Jsr Corporation | Composition de résine de silicone et procédé de formation d'une isolation de tranchée |
| JP2008101206A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-05-01 | Jsr Corp | シリコーン樹脂、シリコーン樹脂組成物およびトレンチアイソレーションの形成方法 |
| JP2008266119A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-11-06 | Jsr Corp | シリコーン樹脂、シリコーン樹脂組成物およびトレンチアイソレーションの形成方法 |
-
1983
- 1983-04-25 JP JP58072462A patent/JPS59199520A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5041591A (en) * | 1989-08-10 | 1991-08-20 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Organopolysiloxane and method for its preparation |
| WO2008035820A1 (fr) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Jsr Corporation | Composition de résine de silicone et procédé de formation d'une isolation de tranchée |
| JP2008101206A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-05-01 | Jsr Corp | シリコーン樹脂、シリコーン樹脂組成物およびトレンチアイソレーションの形成方法 |
| JP2008266119A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-11-06 | Jsr Corp | シリコーン樹脂、シリコーン樹脂組成物およびトレンチアイソレーションの形成方法 |
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