JPS59197179A - 超高周波無線電波発生装置用電子ビ−ム注入装置 - Google Patents
超高周波無線電波発生装置用電子ビ−ム注入装置Info
- Publication number
- JPS59197179A JPS59197179A JP59068337A JP6833784A JPS59197179A JP S59197179 A JPS59197179 A JP S59197179A JP 59068337 A JP59068337 A JP 59068337A JP 6833784 A JP6833784 A JP 6833784A JP S59197179 A JPS59197179 A JP S59197179A
- Authority
- JP
- Japan
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- electron beam
- magnetic field
- electric field
- injection device
- electron
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/06—Electron or ion guns
- H01J23/075—Magnetron injection guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/02—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/88—Inductor
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Surgical Instruments (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超高周波無線電波発生装置用電子ビーム注入装
置に係る。特に1本発明は連続電場の作用下にあるサイ
クロイド状通路内の軸に沿って伝搬し、前記軸及び電場
に垂直欧靜磁場を受ける電子ビームの注入装置に係る。
置に係る。特に1本発明は連続電場の作用下にあるサイ
クロイド状通路内の軸に沿って伝搬し、前記軸及び電場
に垂直欧靜磁場を受ける電子ビームの注入装置に係る。
以上に記載の注入装置は、[超高周波用無線電波発生装
置」と題する本出願と同日に本出願人によυ出願された
新特許出願:新しいサイクロトロン共鳴メーザに特に使
用される。電子銃と集電極との間を伝搬する電子ビーム
と共鳴構造内部の高周波電磁場との間のサイクロトロン
型相互作用に基づくこれ等の発生装置において、電子ビ
ームは直流電場によシ生成される偏向速度の作用の下で
横方向磁場内のらせん経路に沿って伝搬し、前記注入装
置は共鳴構造内部に存在する高磁場と同じ磁場を受ける
電子銃によって形成される。
置」と題する本出願と同日に本出願人によυ出願された
新特許出願:新しいサイクロトロン共鳴メーザに特に使
用される。電子銃と集電極との間を伝搬する電子ビーム
と共鳴構造内部の高周波電磁場との間のサイクロトロン
型相互作用に基づくこれ等の発生装置において、電子ビ
ームは直流電場によシ生成される偏向速度の作用の下で
横方向磁場内のらせん経路に沿って伝搬し、前記注入装
置は共鳴構造内部に存在する高磁場と同じ磁場を受ける
電子銃によって形成される。
本発生装置に用いられる電子銃は2個の対向電極によ多
形成され、該電極の1つ、すなわち陽極は正のポテンシ
ャル下に置かれ、又他の電極、すなわちソールは負の、
又はゼロポテンシャルの下に置かれ、又陰極はソールの
面内に配置され、該ソールと同一のポテンシャルの下に
置かれ、これ等の電極の少なくとも1つは、電極間距離
が陰極状を有する。この種の電子銃を用い、はぼ一定の
回転半径rLのらせん経路に沿って伝搬する電子ビーム
を得るためには、陽極に印加されるべき電圧は電子ビー
ムのエネルギーを与える供給電圧よシ大きくなければな
らない。
形成され、該電極の1つ、すなわち陽極は正のポテンシ
ャル下に置かれ、又他の電極、すなわちソールは負の、
又はゼロポテンシャルの下に置かれ、又陰極はソールの
面内に配置され、該ソールと同一のポテンシャルの下に
置かれ、これ等の電極の少なくとも1つは、電極間距離
が陰極状を有する。この種の電子銃を用い、はぼ一定の
回転半径rLのらせん経路に沿って伝搬する電子ビーム
を得るためには、陽極に印加されるべき電圧は電子ビー
ムのエネルギーを与える供給電圧よシ大きくなければな
らない。
本発明は、新しい形の注入装置を提供することによりと
の欠点を克服することを目的とする。
の欠点を克服することを目的とする。
本発明は更に共鳴構造におけるよシ小さな電子銃に磁場
が用いられることを可能にするものである。
が用いられることを可能にするものである。
本発明の注入装置は、連続電場の作用の下に軸に沿って
伝搬し、伝搬軸と電場に垂直な静磁場の作用を受け、又
伝搬軸に沿って配置された少なくとも1つの共鳴構造の
電磁場の作用を受ける電子ビームを用いた超高周波用無
線電波発生装置に供されるらせん状経路に沿って伝搬す
る電子ビームを注入するためのものである。本装置は弱
い磁場内に配置された電子銃と、漸進的に増加する磁場
内部に配置され、強磁場内部に配置された共鳴構造と電
子銃との間で磁場に垂直な面内に2つの成分を有する連
続電場を生成する装置とからなる。
伝搬し、伝搬軸と電場に垂直な静磁場の作用を受け、又
伝搬軸に沿って配置された少なくとも1つの共鳴構造の
電磁場の作用を受ける電子ビームを用いた超高周波用無
線電波発生装置に供されるらせん状経路に沿って伝搬す
る電子ビームを注入するためのものである。本装置は弱
い磁場内に配置された電子銃と、漸進的に増加する磁場
内部に配置され、強磁場内部に配置された共鳴構造と電
子銃との間で磁場に垂直な面内に2つの成分を有する連
続電場を生成する装置とからなる。
本発明の他の特徴及び利点は、本発明に従う注入装置を
有する超高周波用無線電波発生装置に関する2つの実施
例の説明によシ明らかになる。
有する超高周波用無線電波発生装置に関する2つの実施
例の説明によシ明らかになる。
第1a図に示した発生装置は実質的VC3つの部分、す
なわち、注入装置1と、共鳴構造2と、集電極3とから
なシ、全体はポテンシャルがゼロの真空容器4内部に配
置される。本発明によって、注入装置1はX方向に電子
ビームを発生させる電子銃5と、2方向成分がなく図の
面内に2成分E 及びE を有する電場Eを生成する装
置6とx y により形成される。注入装置1は図の面に垂直な、寸な
わち2方向の静磁場内に配置される。本発明に使用する
磁場は第1b図のI、■、■によシそれぞれ示されるよ
うに、電子銃5が低値の磁場B□の作用を受け、又、装
置6が値B工から共鳴構造2のレベルの磁場の大きさを
表わす値B3に漸進増加する磁場B2の作用を受ける。
なわち、注入装置1と、共鳴構造2と、集電極3とから
なシ、全体はポテンシャルがゼロの真空容器4内部に配
置される。本発明によって、注入装置1はX方向に電子
ビームを発生させる電子銃5と、2方向成分がなく図の
面内に2成分E 及びE を有する電場Eを生成する装
置6とx y により形成される。注入装置1は図の面に垂直な、寸な
わち2方向の静磁場内に配置される。本発明に使用する
磁場は第1b図のI、■、■によシそれぞれ示されるよ
うに、電子銃5が低値の磁場B□の作用を受け、又、装
置6が値B工から共鳴構造2のレベルの磁場の大きさを
表わす値B3に漸進増加する磁場B2の作用を受ける。
更に正確には、電子銃5は互いに相対する2つの平面電
極7,8からなシ、陽極と呼ばれるその1つ7は正のポ
テンシャルVを受け、又ソールと呼ばれる他の電極は2
つの部分8.8′で構成されて負のポテンシャルV。が
与えられ、一方、陰極9はフィラメント10によシ加熱
され、ソール8と同じポテンシャルV の作用を受ける
。この形の電子銃はX方向に、すなわちサイ夕日イド状
のらせん経路に伝搬する電子ビームを従来方法で与える
。図示実施例において、装置6は、例えば、 vo<v、 <v12<■18<V14< 。
極7,8からなシ、陽極と呼ばれるその1つ7は正のポ
テンシャルVを受け、又ソールと呼ばれる他の電極は2
つの部分8.8′で構成されて負のポテンシャルV。が
与えられ、一方、陰極9はフィラメント10によシ加熱
され、ソール8と同じポテンシャルV の作用を受ける
。この形の電子銃はX方向に、すなわちサイ夕日イド状
のらせん経路に伝搬する電子ビームを従来方法で与える
。図示実施例において、装置6は、例えば、 vo<v、 <v12<■18<V14< 。
のように直流ポテンシャルの下に配置された4個の電極
11.12.13.14によって形成される。
11.12.13.14によって形成される。
この領域では、以下に更に詳述するように、2成分E
及びEyを有する電場内に存在し、2方X 向の一様に増加する静磁場の作用を受けた電子は第1a
図に示したように回転半径が徐々に減少するらせん経路
に従う運動を惹起される。
及びEyを有する電場内に存在し、2方X 向の一様に増加する静磁場の作用を受けた電子は第1a
図に示したように回転半径が徐々に減少するらせん経路
に従う運動を惹起される。
次に、電子ビームは共鳴構造2に注入され、ここで高周
波電磁場と相互作用する。共鳴構造2のレベルでは、真
空容器4はZ軸を有する円筒状をなし、その内部では静
磁場B8はほぼ一様である。
波電磁場と相互作用する。共鳴構造2のレベルでは、真
空容器4はZ軸を有する円筒状をなし、その内部では静
磁場B8はほぼ一様である。
共鳴構造2は2枚の球面鏡15.16によシそれ自体公
知の方法で形成され、該球面鏡は互いに対向し、距離H
が、nを整数、λを動作波長として、λ H≧ n□ を満足するように位置づけられる。
知の方法で形成され、該球面鏡は互いに対向し、距離H
が、nを整数、λを動作波長として、λ H≧ n□ を満足するように位置づけられる。
この場合、2枚の球面鏡15.16は「準光学的」共振
器を形成する。球面鏡の1つ、すなわち球面鏡15は導
波管18に接続されたオリフィス17を有する。この導
波管18は電磁エネルギーを外部に導くために用いられ
、該電磁エネルギーは、X方向に偏波した高周波電場と
共にX方向に定在波として出現する電磁波に電子ビーム
によって与えられたものである。真空容器4の円筒部分
内の電子ビームの伝搬を確保するために2枚の球面鏡1
5.16が先ず設けられ、次にグリッド19.20が設
けられ、該グリッドは、共振器の動作周波数では非反射
性であシ、且つ、h<H の関係を満足する距離りだけ隔置される。
器を形成する。球面鏡の1つ、すなわち球面鏡15は導
波管18に接続されたオリフィス17を有する。この導
波管18は電磁エネルギーを外部に導くために用いられ
、該電磁エネルギーは、X方向に偏波した高周波電場と
共にX方向に定在波として出現する電磁波に電子ビーム
によって与えられたものである。真空容器4の円筒部分
内の電子ビームの伝搬を確保するために2枚の球面鏡1
5.16が先ず設けられ、次にグリッド19.20が設
けられ、該グリッドは、共振器の動作周波数では非反射
性であシ、且つ、h<H の関係を満足する距離りだけ隔置される。
更に、2枚の球面鏡15及び16はそれぞれ接地及び負
のポテンシャルに結合され、これによってこれ等の接地
及び負のポテンシャルとの間にX方向に沿う電子ビーム
の偏向を可能にする連続電場E が生成される。
のポテンシャルに結合され、これによってこれ等の接地
及び負のポテンシャルとの間にX方向に沿う電子ビーム
の偏向を可能にする連続電場E が生成される。
真空容器40円筒部分は動作周波数に於いて吸収性の物
質21によシ被覆されることが好ましい。
質21によシ被覆されることが好ましい。
これによって寄生振動が除去される。これ等の物質は、
例えば、「carberloxJ (商標)からなる。
例えば、「carberloxJ (商標)からなる。
これ等のエネルギーを電磁場に付与する電子は次に集電
極3に向けて排除され、該集電極はxy面内にU字状の
断面を有する真空容器4の1部によって形成される。
極3に向けて排除され、該集電極はxy面内にU字状の
断面を有する真空容器4の1部によって形成される。
第2a図は、このとき増幅器を形成する、第1a図の発
生装置の改良装置を図示したものである。
生装置の改良装置を図示したものである。
本実施例においては、共鳴構造のみが改良され、他の部
分は前と同じである。
分は前と同じである。
新しい構造は2枚の平行平面板22.23からな9、該
平面板は、H′≧n主を満たす距離H′だけ互いに隔置
され、とれによってxy面内に少なくとも1つの高周波
電場成分を有する高周波進行波がX方向に導波される。
平面板は、H′≧n主を満たす距離H′だけ互いに隔置
され、とれによってxy面内に少なくとも1つの高周波
電場成分を有する高周波進行波がX方向に導波される。
進行波は入力導波管24を通して共鳴構造内に注入され
、電子ビームにより放出されたエネルギーを受けた後、
出力等波管25を通して排除される。一方、X方向に偏
向する電子ビームを得るために、2枚の平行板は分極さ
れ、これによシ、該平行板間にX方向の連続電場が生成
される。
、電子ビームにより放出されたエネルギーを受けた後、
出力等波管25を通して排除される。一方、X方向に偏
向する電子ビームを得るために、2枚の平行板は分極さ
れ、これによシ、該平行板間にX方向の連続電場が生成
される。
更にここで、X7面内の横断面に図示された全ての要素
は2方向に更に延在されるものである。
は2方向に更に延在されるものである。
この形の発生装置の上記の特徴はジャイロトロン型の軸
方向構造に関して利点を形成する。実際には、異なる要
素の2方向における大きさは多くの波長に対応し、集電
極における電流密度と、(lワー密度とは制限されるが
、一定の陰極電圧に対して非常に大きな電流が得られる
ことを可能にする。
方向構造に関して利点を形成する。実際には、異なる要
素の2方向における大きさは多くの波長に対応し、集電
極における電流密度と、(lワー密度とは制限されるが
、一定の陰極電圧に対して非常に大きな電流が得られる
ことを可能にする。
第2b図は、第1b図と同じものであシ、静磁場BのX
方向における変化を表わす。磁場は、例えば、超伝導コ
イルによシ従来公知の方法で生成される。
方向における変化を表わす。磁場は、例えば、超伝導コ
イルによシ従来公知の方法で生成される。
ここで、第1a図及び第2a図に示した2つの実施例の
動作、特に、本発明の目的を与える注入装置の動作を説
明する。
動作、特に、本発明の目的を与える注入装置の動作を説
明する。
注入装置の動作は以下に簡単に説明する公知の原理に基
づくものである。
づくものである。
すなわち、電子がゆつくシと変化する軸方向磁場の作用
を受ける時、電子の伝搬経路は電気力線管の回シをまわ
シ、又、電子ビームの回転半径をrL2 として、 Br ’ = cste (1)を満
たすいわゆる「断熱」動作条件が与えられることを示す
ことが出来る。
を受ける時、電子の伝搬経路は電気力線管の回シをまわ
シ、又、電子ビームの回転半径をrL2 として、 Br ’ = cste (1)を満
たすいわゆる「断熱」動作条件が与えられることを示す
ことが出来る。
又、非一様磁場内の横方向注入の場合にも同様の性質が
存在することを示すととも出来る。
存在することを示すととも出来る。
従って、xy面内では、磁場成分B2はX及びyの関数
であシ、理論的には R=、rフッ扁ニー5−のみの関数である。しかしなが
ら、電子の軌道半径に対して大きな寸法のシステムに対
しては、方程式(1)はなお有効なことを示すことが出
来る。
であシ、理論的には R=、rフッ扁ニー5−のみの関数である。しかしなが
ら、電子の軌道半径に対して大きな寸法のシステムに対
しては、方程式(1)はなお有効なことを示すことが出
来る。
一方、xy面内では、座標X(t)、y(t)を有する
電子軌道の中心は、BがB に対応するとして、方程式 に従って運動する。
電子軌道の中心は、BがB に対応するとして、方程式 に従って運動する。
本発明の注入装置lにおいては、弱い磁場領域B□内に
配置された電子銃5は、前記磁場の最大値を与える中央
領域に向けて前進し該磁場に垂直に運動する電子ビーム
を生成する。らせん経路に沿う電子の前進は、該らせん
経路の領域内に配置され、又、電子に偏向速度を与える
均一連続電場を電極間に発生させる適轟なポテンシャル
の作用下に置かれた電極によシ保証される。
配置された電子銃5は、前記磁場の最大値を与える中央
領域に向けて前進し該磁場に垂直に運動する電子ビーム
を生成する。らせん経路に沿う電子の前進は、該らせん
経路の領域内に配置され、又、電子に偏向速度を与える
均一連続電場を電極間に発生させる適轟なポテンシャル
の作用下に置かれた電極によシ保証される。
次に、電子ビームは、装置6の領域内で、B方向の漸進
的に増加する磁場の作用を受ける。更に、電極11.1
2.13.14の種々のポテンシャルが選択され、これ
によって、X及びX方向に成分を有する電場が生成され
、又、」ム〉0として次の方程式 が満足され、従って電子ビームはX方向に伝搬する。
的に増加する磁場の作用を受ける。更に、電極11.1
2.13.14の種々のポテンシャルが選択され、これ
によって、X及びX方向に成分を有する電場が生成され
、又、」ム〉0として次の方程式 が満足され、従って電子ビームはX方向に伝搬する。
この場合、電子ビームは、増加する磁場領域内で、らせ
ん伝搬路に従わされ、該伝搬路の半径は、電場成分Ey
が第1b図及び第2b図に示されたX方向に沿って変化
するB7と同様に増加する場合方程式(1)によって一
定偏向速度でX方向に徐々に減少する。実際には、方程
式(5)によシ与えられる条件によシ、横方向偏向は除
去され、又、よシ小さなり領域に向けて、すなわち、電
子銃に向けて回転速度を付与された電子を通常は反撥す
る増加磁場に電子が侵入することが許容される。
ん伝搬路に従わされ、該伝搬路の半径は、電場成分Ey
が第1b図及び第2b図に示されたX方向に沿って変化
するB7と同様に増加する場合方程式(1)によって一
定偏向速度でX方向に徐々に減少する。実際には、方程
式(5)によシ与えられる条件によシ、横方向偏向は除
去され、又、よシ小さなり領域に向けて、すなわち、電
子銃に向けて回転速度を付与された電子を通常は反撥す
る増加磁場に電子が侵入することが許容される。
次に、上記注入装置を用いることによシ、共振構造の入
力部において、強い横方向磁場内でX方向にらせん経路
に沿って伝搬する電子ビームが与えられ、ここに電子の
回転速度は、eを電子の電により与えられる電子の相対
論的換算エネルギーとして、 Cm□ γ によって与えられ、かくして、共振構造2における所望
の相互作用を得ることが出来る。
力部において、強い横方向磁場内でX方向にらせん経路
に沿って伝搬する電子ビームが与えられ、ここに電子の
回転速度は、eを電子の電により与えられる電子の相対
論的換算エネルギーとして、 Cm□ γ によって与えられ、かくして、共振構造2における所望
の相互作用を得ることが出来る。
本注入装置を用いることによシ次の利点、−よシ大きな
電流とパワーを与える2@に沿って大きな断面を有する
電子ビームの発生が可能、−電子銃に向けて電子が反射
されることがない、−電子の偏向速度が異なる平行板に
印加された電圧によシ正確に調節される、 などを得ることが出来る。図において、同一の装置要素
は同一の参照番号を付する。
電流とパワーを与える2@に沿って大きな断面を有する
電子ビームの発生が可能、−電子銃に向けて電子が反射
されることがない、−電子の偏向速度が異なる平行板に
印加された電圧によシ正確に調節される、 などを得ることが出来る。図において、同一の装置要素
は同一の参照番号を付する。
第1a図は本発明による注入装置からなる超高周波無線
電波発生装置の、磁場に垂直な面内における、概略断面
図、 第1b図は伝搬軸に沿っての印加磁場の変化を示す曲線
図、 第2a図は発生装置の他の実施例の第1a図に類似の概
略断面図、第2b図は第1b図の曲線に類似の曲線図、
である。 1・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・注入装置、2・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・共振構造、3・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・集電極、4 ・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・真空
容器、5・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・電子銃、6・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・電場発生装置、7.8.8
’・・・・・・・・・・・・・・平面電極、9・・・
・・・・・・・・・・・・曲・・・・・・・・陰 極
、10・・・・・・・・・・・・・・・・曲・・・曲
フィラメント、11.12,13.14・・・・・・・
・・・・・電 極、15.16・・・・・・・・・・
・・・・・・曲・球面鏡、17・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・オリフィス、18・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・導波管、19.20 ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・グリッド、23.24.25・・・・
・・・・・・・・・・・・・・導波管。 出願人トムソンーセエスエフ
電波発生装置の、磁場に垂直な面内における、概略断面
図、 第1b図は伝搬軸に沿っての印加磁場の変化を示す曲線
図、 第2a図は発生装置の他の実施例の第1a図に類似の概
略断面図、第2b図は第1b図の曲線に類似の曲線図、
である。 1・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・注入装置、2・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・共振構造、3・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・集電極、4 ・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・真空
容器、5・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・電子銃、6・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・電場発生装置、7.8.8
’・・・・・・・・・・・・・・平面電極、9・・・
・・・・・・・・・・・・曲・・・・・・・・陰 極
、10・・・・・・・・・・・・・・・・曲・・・曲
フィラメント、11.12,13.14・・・・・・・
・・・・・電 極、15.16・・・・・・・・・・
・・・・・・曲・球面鏡、17・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・オリフィス、18・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・導波管、19.20 ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・グリッド、23.24.25・・・・
・・・・・・・・・・・・・・導波管。 出願人トムソンーセエスエフ
Claims (3)
- (1) 連続電場の作用と電子ビームの伝搬軸(X)
及び前記電場に垂直な静磁場の作用との下で、らせん経
路内の軸に沿って伝搬する電子ビームを注入するための
、弱い磁場内に配置された電子銃と、電子ビームの伝搬
軸に沿って漸増する磁場(Bz)内に配置されて前記磁
場に垂直な面内に2成分(EX、Ey)を有する連続電
場をこの領域内に生成する手段とからなる電子ビーム注
入装置。 - (2)前記手段は、2個づつで互いに対面する少なくと
も4個の電極によ多形成され、且つ、−−F > o
として方程式 を満足するように選択されたポテンシャル下に置かれる
、特許請求の範囲第1項に記載の電子ビーム注入装置。 - (3)電場成分Eyの変化は、増大する磁場領域内で−
l=一定 となるように選択される、特許請求の範囲第
2項に記載の電子ビーム注内装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8305604 | 1983-04-06 | ||
FR8305604A FR2544128B1 (fr) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | Dispositif d'injection d'un faisceau d'electrons pour generateur d'ondes radioelectriques pour hyperfrequences |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59197179A true JPS59197179A (ja) | 1984-11-08 |
Family
ID=9287567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59068337A Pending JPS59197179A (ja) | 1983-04-06 | 1984-04-05 | 超高周波無線電波発生装置用電子ビ−ム注入装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4567402A (ja) |
EP (1) | EP0124396B1 (ja) |
JP (1) | JPS59197179A (ja) |
DE (1) | DE3469102D1 (ja) |
FR (1) | FR2544128B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3863661D1 (de) * | 1987-03-03 | 1991-08-22 | En Physique Des Plasmas Centre | Hochleistungs-gyrotron zur erzeugung elektromagnetischer millimeter- oder submillimeterwellen. |
FR2625836B1 (fr) * | 1988-01-13 | 1996-01-26 | Thomson Csf | Collecteur d'electrons pour tube electronique |
FR2672730B1 (fr) * | 1991-02-12 | 1993-04-23 | Thomson Tubes Electroniques | Dispositif convertisseur de modes et diviseur de puissance pour tube hyperfrequence et tube hyperfrequence comprenant un tel dispositif. |
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