JPS5919417A - 表面波素子の製造法 - Google Patents
表面波素子の製造法Info
- Publication number
- JPS5919417A JPS5919417A JP57128783A JP12878382A JPS5919417A JP S5919417 A JPS5919417 A JP S5919417A JP 57128783 A JP57128783 A JP 57128783A JP 12878382 A JP12878382 A JP 12878382A JP S5919417 A JPS5919417 A JP S5919417A
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- JP
- Japan
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- piezoelectric substrate
- comb
- surface wave
- oxygen
- line electrodes
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面波素子特に高周波用表面波素子の製造法に
関する。
関する。
従来、表面波素子は、たとえば圧電性結晶板上にホトリ
ソグラフィ法で、ムｌ蒸着膜からなる櫛型電極を設けて
からチップ状の素子に分割することによって、得られて
いた。しかしながら、高層２ページ 波相の素子の場合、しばしば櫛型電極間の電気絶縁が悪
くなるという現象が見られ、その結果たとえばこの種の
素子で表面波フィルタを形成しても、その挿入損失が増
加して実用に供することができなかった。その原因の詳
細は明らかではないが、たとえばホトリソグラフィ法で
櫛型電極を設けるとき、圧電性基板の表面が汚染され、
その結果櫛型電極間の電気絶縁性が低下したためではな
いかと考えられる。この種の表面の汚染を除外するには
、従来、有機溶剤などによる洗浄、あるいは空気中での
加熱という方法が用いられていたが、必ずしもこれらの
方法は良好な結果を示すものではなかった。
ソグラフィ法で、ムｌ蒸着膜からなる櫛型電極を設けて
からチップ状の素子に分割することによって、得られて
いた。しかしながら、高層２ページ 波相の素子の場合、しばしば櫛型電極間の電気絶縁が悪
くなるという現象が見られ、その結果たとえばこの種の
素子で表面波フィルタを形成しても、その挿入損失が増
加して実用に供することができなかった。その原因の詳
細は明らかではないが、たとえばホトリソグラフィ法で
櫛型電極を設けるとき、圧電性基板の表面が汚染され、
その結果櫛型電極間の電気絶縁性が低下したためではな
いかと考えられる。この種の表面の汚染を除外するには
、従来、有機溶剤などによる洗浄、あるいは空気中での
加熱という方法が用いられていたが、必ずしもこれらの
方法は良好な結果を示すものではなかった。
本発明は、表面の汚染除去にプラズマ処理法を導入する
ことにより、この種の問題を解決した表面波素子の製造
法を与える。
ことにより、この種の問題を解決した表面波素子の製造
法を与える。
以下、図を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の方法の工程図である。同図（ム）に示
すようにまず圧電性基板１１上に櫛型電極１２を設けた
後、同図（Ｂ）に示すように圧電性基板１１３・−′−
ジ の電極形成面側に酸素イオン１３を照射する。
すようにまず圧電性基板１１上に櫛型電極１２を設けた
後、同図（Ｂ）に示すように圧電性基板１１３・−′−
ジ の電極形成面側に酸素イオン１３を照射する。
通常、このようなイオン照射は、結晶表面に損傷を与え
るとともに、たとえば櫛型電極表面を酸化させ、電極抵
抗を増加させるから、表面波素子の特性を劣化させるこ
とがあっても、改善する効果は少ないと考えられていた
。しかしながら、発明者らの検討結果によれば、このイ
オン照射により表面波素子の特性、たとえば櫛型電極間
の電気絶縁性が改善されることが判明した。
るとともに、たとえば櫛型電極表面を酸化させ、電極抵
抗を増加させるから、表面波素子の特性を劣化させるこ
とがあっても、改善する効果は少ないと考えられていた
。しかしながら、発明者らの検討結果によれば、このイ
オン照射により表面波素子の特性、たとえば櫛型電極間
の電気絶縁性が改善されることが判明した。
酸素イオンの照射には、たとえば電流密度が１００μＡ
／ｃ４〜１ｍＡ／ ｃ４程度の強さの酸素イオンビー
ムを用いてもよいが、工業的には、たとえば高周波スパ
ッタ装置を用いて、酸素雰囲気中で、いわゆるスパッタ
エツチングするのが望ましい。この場合、第２図に示す
ごとく、イオン照射すべき圧電性基板１１を、高周波ス
パッタ装置２０のターゲット２１上に配置し、かつスパ
ッタガスとして酸素を導入し、スパッタ放電を発生させ
ると、スパッタ放電により発生した酸素イオン１３が、
圧電性基板１１に照射される。この種のスパッタ装置２
０は、装置の構造がイオンビーム装置に比べて簡単で、
便利である。
／ｃ４〜１ｍＡ／ ｃ４程度の強さの酸素イオンビー
ムを用いてもよいが、工業的には、たとえば高周波スパ
ッタ装置を用いて、酸素雰囲気中で、いわゆるスパッタ
エツチングするのが望ましい。この場合、第２図に示す
ごとく、イオン照射すべき圧電性基板１１を、高周波ス
パッタ装置２０のターゲット２１上に配置し、かつスパ
ッタガスとして酸素を導入し、スパッタ放電を発生させ
ると、スパッタ放電により発生した酸素イオン１３が、
圧電性基板１１に照射される。この種のスパッタ装置２
０は、装置の構造がイオンビーム装置に比べて簡単で、
便利である。
以下本発明の一実施例について具体的に説明する。
圧電性基板として、表面をＺｎＯ圧電単結晶膜で被膜し
たサファイア基板を用いた。１ず、基板上に、通常のホ
トリソグラフィ工程で、ポジティブ型レジストの櫛型パ
ターンを形成した。この上に−ＡＩ膜を蒸着した後、有
機溶剤としてのアセトンでリフトオフし、Ａｌ蒸着膜か
らなる一対の櫛型電極を形成した。櫛型電極の巾は２μ
ｍとした。
たサファイア基板を用いた。１ず、基板上に、通常のホ
トリソグラフィ工程で、ポジティブ型レジストの櫛型パ
ターンを形成した。この上に−ＡＩ膜を蒸着した後、有
機溶剤としてのアセトンでリフトオフし、Ａｌ蒸着膜か
らなる一対の櫛型電極を形成した。櫛型電極の巾は２μ
ｍとした。
このときの櫛型電極間の直流抵抗は１００Ωであった。
この櫛型電極を設けた基板を、高周波スパッタ装置のタ
ーゲット上に置き、５Ｘ１０ Ｔｏｒｒの酸素中で３
分間スパッタエツチングした。この結果、櫛型電極間の
直流抵抗は１ＭΩ以上になるとともに、良好な表面波の
励起特性が上記櫛型電極において確認された。これによ
り、ギガヘルツ帯の低損失表面波フィルタ（挿入損（６
ｄＢ）を実現できた。
ーゲット上に置き、５Ｘ１０ Ｔｏｒｒの酸素中で３
分間スパッタエツチングした。この結果、櫛型電極間の
直流抵抗は１ＭΩ以上になるとともに、良好な表面波の
励起特性が上記櫛型電極において確認された。これによ
り、ギガヘルツ帯の低損失表面波フィルタ（挿入損（６
ｄＢ）を実現できた。
５べ一７′
以上の実施例においては、圧電性基板として、ＺｎＯ圧
電単結晶膜を被膜したサファイア基板について述べたが
、圧電性基板材料として、水晶。
電単結晶膜を被膜したサファイア基板について述べたが
、圧電性基板材料として、水晶。
ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３のような酸化物圧電単結晶
、ＰＺＴ（商品名）、ＰＬＺＴと称せられる酸化物圧電
セラミックスを使用した場合も、酸素イオンの照射によ
り特性を改善することができた。また、酸素イオンの照
射法として、イオンビーム法およびスパッタエツチング
法について述べたが、要するに酸素イオンを基板表面に
照射できる方法であればよく、いわゆるプラズマエツチ
ング装置を用いても同様の効果が得られる。
、ＰＺＴ（商品名）、ＰＬＺＴと称せられる酸化物圧電
セラミックスを使用した場合も、酸素イオンの照射によ
り特性を改善することができた。また、酸素イオンの照
射法として、イオンビーム法およびスパッタエツチング
法について述べたが、要するに酸素イオンを基板表面に
照射できる方法であればよく、いわゆるプラズマエツチ
ング装置を用いても同様の効果が得られる。
この種の技術は、ギガヘルツ帯における信号処理デバイ
スの形成をはじめ、オプトエレクトロニクス用の各種デ
バイス、たとえば音響光学デバイスなどの形成に応用で
きる。
スの形成をはじめ、オプトエレクトロニクス用の各種デ
バイス、たとえば音響光学デバイスなどの形成に応用で
きる。
第１図（Ａ） 、 （Ｂ）は本発明にかかる表面波素子
の製造法の基本プロセスを示す図、第２図は酸素イオン
の照射方法の一例を説明するための図である〇６ページ １１・・・・・・圧電性基板、１２・・・・・・櫛型電
極、１３・・・・・酸素イオン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 −８５−
の製造法の基本プロセスを示す図、第２図は酸素イオン
の照射方法の一例を説明するための図である〇６ページ １１・・・・・・圧電性基板、１２・・・・・・櫛型電
極、１３・・・・・酸素イオン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 −８５−
Claims (1)
- （１）圧電性基板上に櫛型電極を設けた後、上記圧電性
基板を酸素イオンで照射することを特徴とする表面波素
子の製造法。 い）スパッタ装置のターゲット上に≠←圧電性基板を配
置し、かつスパッタガスとして酸素を導入し、スパッタ
放電により発生させた酸素イオンを上記圧電性基板に照
射することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表
面波素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128783A JPS5919417A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 表面波素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128783A JPS5919417A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 表面波素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919417A true JPS5919417A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14993344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128783A Pending JPS5919417A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 表面波素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919417A (ja) |
-
1982
- 1982-07-22 JP JP57128783A patent/JPS5919417A/ja active Pending
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