JPS5919326A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS5919326A JPS5919326A JP12755082A JP12755082A JPS5919326A JP S5919326 A JPS5919326 A JP S5919326A JP 12755082 A JP12755082 A JP 12755082A JP 12755082 A JP12755082 A JP 12755082A JP S5919326 A JPS5919326 A JP S5919326A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- gas
- wafer
- bell jar
- processing
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造工程の１つであるドライエツ
チングに使用して好適なプラズマ処理装置に関するもの
である。
チングに使用して好適なプラズマ処理装置に関するもの
である。
半導体ウェーハのドライエツチングには従来からプラズ
マを利用した処理装置が利用されており、第１図に示す
構成のものが一般に用いられている。
マを利用した処理装置が利用されており、第１図に示す
構成のものが一般に用いられている。
図において、■は処理室を構成するベルジャであり、そ
の内部下側には下部電極２を、上側には上部電極３を夫
々配置して内部を気密に保っている。
の内部下側には下部電極２を、上側には上部電極３を夫
々配置して内部を気密に保っている。
また、ベルジャｌの下部には排気口４を設け、ここから
真空引きすることによりベルジヤ１内部を真空に近い低
圧状態とし、かつベルジャ１−上部に設けたガス供給口
５から処理ガスを供給するようにしている。そして、前
記下部電極２上に半導体ウェーハＷを載置した上で、両
電極２．３間に高周波電源６を接続すれば、両電極間で
プラズマが発生されウェーハ表面のエツチング等のプラ
ズマ処理が施されるのである。
真空引きすることによりベルジヤ１内部を真空に近い低
圧状態とし、かつベルジャ１−上部に設けたガス供給口
５から処理ガスを供給するようにしている。そして、前
記下部電極２上に半導体ウェーハＷを載置した上で、両
電極２．３間に高周波電源６を接続すれば、両電極間で
プラズマが発生されウェーハ表面のエツチング等のプラ
ズマ処理が施されるのである。
しかしながら、従来のこの種のプラズマ処理装置では、
ベルジャｌ内へ供給する処理ガスを１箇所に設けたガス
供給口５から供給しているため、ベルジャ内における処
理ガスの濃度分布を均一に保持することは難かしく、し
たがってプラズマ処理をウェーハ全面に均一に行なわせ
ることが困難になるという問題がある。
ベルジャｌ内へ供給する処理ガスを１箇所に設けたガス
供給口５から供給しているため、ベルジャ内における処
理ガスの濃度分布を均一に保持することは難かしく、し
たがってプラズマ処理をウェーハ全面に均一に行なわせ
ることが困難になるという問題がある。
したがって本発明の目的はベルジャ内の処理ガス濃度の
均一化を図ってウェーハ表面等における処理の均一化を
達成することができるプラズマ処理装置を提供すること
にある。
均一化を図ってウェーハ表面等における処理の均一化を
達成することができるプラズマ処理装置を提供すること
にある。
この目的を達成するために本発明はウェーハを支持する
電極に対向配置した電極を中空に形成すると共にこの電
極表面に複数個のガス供給孔を形成し、処理ガスをこの
ガス供給口からベルジャ内に供給するよう構成すると共
に、ガス供給孔が直接ウェーハ表面に向けられないよう
に方向ずけて形成したものである。
電極に対向配置した電極を中空に形成すると共にこの電
極表面に複数個のガス供給孔を形成し、処理ガスをこの
ガス供給口からベルジャ内に供給するよう構成すると共
に、ガス供給孔が直接ウェーハ表面に向けられないよう
に方向ずけて形成したものである。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第２図は本発明装置の一実施例を示し、図において１０
はベース１１とキャップ１２とからなるベルジャであり
、内部を気密に保持できるよう構成すると共に、その下
部には排気口１３を設けてベルジャ１０内部を真空引き
することができる。
はベース１１とキャップ１２とからなるベルジャであり
、内部を気密に保持できるよう構成すると共に、その下
部には排気口１３を設けてベルジャ１０内部を真空引き
することができる。
前記ベルジャ１００内部下側には下部電極１４を配設し
て前記ベース１１の中央を貫通させた支持導体１５にて
略水平に支持し、その上面には被処理物であるウェーハ
Ｗを載置している。一方、前記下部電極１４の上方には
これに対向して上部電極１６を配設し、前記キャップ１
２を貫通した支持導体１７にて支持している。この上部
電極１６は厚肉の円板状に形成すると共に内部は中空に
形成してガス室１８を形成し、パイプ状に形成した前記
支持導体１７を介してこのガス室１８を図外のガス供給
源に連通接続している。また、前記上部電極１６の電極
表面（下面）には複数個のガス供給孔１９を前記ガス室
１８に開設しガス室１８内のガスをこのガス供給孔１９
を通して噴出し得るようにしている。そして、この場合
ガス供給孔１９は第３図に拡大図示するように電極中心
に対して外方に向くように開設しており、ガス供給孔１
９から噴出されるガスが下部電極１４の表面、換言すれ
ばウェーハＷに直接当射されないようになっている。
て前記ベース１１の中央を貫通させた支持導体１５にて
略水平に支持し、その上面には被処理物であるウェーハ
Ｗを載置している。一方、前記下部電極１４の上方には
これに対向して上部電極１６を配設し、前記キャップ１
２を貫通した支持導体１７にて支持している。この上部
電極１６は厚肉の円板状に形成すると共に内部は中空に
形成してガス室１８を形成し、パイプ状に形成した前記
支持導体１７を介してこのガス室１８を図外のガス供給
源に連通接続している。また、前記上部電極１６の電極
表面（下面）には複数個のガス供給孔１９を前記ガス室
１８に開設しガス室１８内のガスをこのガス供給孔１９
を通して噴出し得るようにしている。そして、この場合
ガス供給孔１９は第３図に拡大図示するように電極中心
に対して外方に向くように開設しており、ガス供給孔１
９から噴出されるガスが下部電極１４の表面、換言すれ
ばウェーハＷに直接当射されないようになっている。
なお、前記各電極１４．１６間には夫々支持導体１５．
１７を通して高周波電力２０を供給している。
１７を通して高周波電力２０を供給している。
以上の構成によれば、排気口１３からベルジャ１０内を
真空引きする一方、図外のガス源から上部電極１６内の
ガス室１８に処理ガスを供給すれば、処理ガスはガス供
給孔１９から夫々ベルジャ１０内に噴出され、ベルジャ
内は処理ガス雰囲気とされる。更にこれと同時に両電極
１４．１６間に高周波電力を供給すれば、両電極１４．
１６間にプラズマが発生されウェーハＷの表面に所定の
エツチング処理を行なうことになる。そしてこのとき、
処理ガスは上部電極１６の表面の全域からベルジャ内に
噴出されるので、ベルジャ内におけるガスの流動を活発
化してガス濃度分布を均一なものとし、ウェーハ面での
処理の均一化を実現する。また、このとき、各ガス供給
孔１９から噴出されるガスはウェーハＷの表面には直接
当射されることがないので、ガス中に混入している異物
がウェーハＷの表面に当射されることもなく、異物がウ
ェーハ表面に付着することが防止できると共に異物の当
射によりウェーハ表面に傷が生じることもない。これに
より、異物が原因とされるウェーハのプラズマ処理の歩
留低下を防止し、効率のよいプラズマ処理を可能にする
のである。
真空引きする一方、図外のガス源から上部電極１６内の
ガス室１８に処理ガスを供給すれば、処理ガスはガス供
給孔１９から夫々ベルジャ１０内に噴出され、ベルジャ
内は処理ガス雰囲気とされる。更にこれと同時に両電極
１４．１６間に高周波電力を供給すれば、両電極１４．
１６間にプラズマが発生されウェーハＷの表面に所定の
エツチング処理を行なうことになる。そしてこのとき、
処理ガスは上部電極１６の表面の全域からベルジャ内に
噴出されるので、ベルジャ内におけるガスの流動を活発
化してガス濃度分布を均一なものとし、ウェーハ面での
処理の均一化を実現する。また、このとき、各ガス供給
孔１９から噴出されるガスはウェーハＷの表面には直接
当射されることがないので、ガス中に混入している異物
がウェーハＷの表面に当射されることもなく、異物がウ
ェーハ表面に付着することが防止できると共に異物の当
射によりウェーハ表面に傷が生じることもない。これに
より、異物が原因とされるウェーハのプラズマ処理の歩
留低下を防止し、効率のよいプラズマ処理を可能にする
のである。
ここで、本実施例では所謂シングル方式のプラズマ処理
装置について説明しているが、多数枚のウェーハを同時
に処理するバッジ方式の装置にも同様に実施することが
できる。また、上部電極側にウェーハを支持する構成の
処理装置においても同様に実施できる。更に、前述した
エツチング処理以外の処理にも適用できることは言うま
でもない。
装置について説明しているが、多数枚のウェーハを同時
に処理するバッジ方式の装置にも同様に実施することが
できる。また、上部電極側にウェーハを支持する構成の
処理装置においても同様に実施できる。更に、前述した
エツチング処理以外の処理にも適用できることは言うま
でもない。
以上のように本発明のプラズマ処理装置によれば、ウェ
ーハを支持する電極に対向配置した電極に設けるガス供
給孔を直接ウェーハ表面に向かないように方向づけて形
成しているので、ベルジャ内でのガス濃度分布の均一化
を図ってプラズマ処理の均一化を実現すると共に、ウェ
ーハ表面への異物の付着を防止する等して処理歩留の向
上を実現することができるという効果を奏する。
ーハを支持する電極に対向配置した電極に設けるガス供
給孔を直接ウェーハ表面に向かないように方向づけて形
成しているので、ベルジャ内でのガス濃度分布の均一化
を図ってプラズマ処理の均一化を実現すると共に、ウェ
ーハ表面への異物の付着を防止する等して処理歩留の向
上を実現することができるという効果を奏する。
第１図は従来の処理装置の概略断面図、第２図は本発明
の処理装置の全体断面図、第３図はその一部の拡大図で
ある。 １０・・・ベルジャ、１３・・・排気口、１４・・・下
部電極、１６・・・上部電極、１８・・・ガス室、１９
・・・ガス供給孔、２０・・・高周波電源。 第 １ 図
の処理装置の全体断面図、第３図はその一部の拡大図で
ある。 １０・・・ベルジャ、１３・・・排気口、１４・・・下
部電極、１６・・・上部電極、１８・・・ガス室、１９
・・・ガス供給孔、２０・・・高周波電源。 第 １ 図
Claims (1)
- １、処理室内に一対の対向する電極を設け、処理室内に
処理ガスを供給する一方で、被処理物を支持した一方の
電極と他方の電極との間に高周波電力を供給するように
したプラズマ処理装置において、前記他方の電極を中臣
に形成すると共にその電極表面には複数個のガス供給孔
を設けて処理ガスをこれらガス供給孔から処理室内に噴
出し得るよう構成し、かつ前記各ガス供給孔は前記被処
理物に直接向かないように方向づけて形成したことを特
徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12755082A JPS5919326A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12755082A JPS5919326A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919326A true JPS5919326A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14962777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12755082A Pending JPS5919326A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919326A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180114A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質膜の堆積方法および堆積装置 |
| EP0210605A2 (en) * | 1985-07-25 | 1987-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Plasma processing method and apparatus |
| JPH0340427A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH05275384A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-22 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP12755082A patent/JPS5919326A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180114A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質膜の堆積方法および堆積装置 |
| EP0210605A2 (en) * | 1985-07-25 | 1987-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Plasma processing method and apparatus |
| JPH0340427A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH05275384A (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-22 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
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