JPS5919325A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPS5919325A JPS5919325A JP12751182A JP12751182A JPS5919325A JP S5919325 A JPS5919325 A JP S5919325A JP 12751182 A JP12751182 A JP 12751182A JP 12751182 A JP12751182 A JP 12751182A JP S5919325 A JPS5919325 A JP S5919325A
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- etching
- wafer
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ドライエツチング方法に係り、特に段差部の
エツチングに好適なエツチング方法に関する。
エツチングに好適なエツチング方法に関する。
従来のエツチングでは、段差部のエツチングを行なう際
に、段差付近の被エツチング材の厚い部分を完全に取り
除くため、エツチング時間を平面部のエツチング時間の
２倍程度まで長く取る必要がおり、このために、平坦部
が過剰にエツチングされたｐ１マスク下のエツチングが
起きたりする欠点があった。
に、段差付近の被エツチング材の厚い部分を完全に取り
除くため、エツチング時間を平面部のエツチング時間の
２倍程度まで長く取る必要がおり、このために、平坦部
が過剰にエツチングされたｐ１マスク下のエツチングが
起きたりする欠点があった。
本発明の目的は、段差部のエツチングにおいて通常のド
ライエツチングで平坦部を取り除く工程と、そのエツチ
ングでは取シ除けない段差部のエツチング残りを第２の
エツチングによシ除くという２つの工程に分けて行なう
エツチング方法を提供することである。
ライエツチングで平坦部を取り除く工程と、そのエツチ
ングでは取シ除けない段差部のエツチング残りを第２の
エツチングによシ除くという２つの工程に分けて行なう
エツチング方法を提供することである。
段差部のエツチングでは、その段差付近の被エツチング
物厚さが、平坦部の約２倍程度となる。
物厚さが、平坦部の約２倍程度となる。
従って、平坦部膜厚以」二のエツチングを行なわないと
この部分が取如除けなかった。この様な段差部ハ、Ｓ
ｉプロセスにおいてはＡｔ配線等でみられ、配線等の方
向が、はぼ一定の方向となっていた。そこで、配線巾等
の減少を起さないでかつエツチング残シを取るには、直
線的にすすむイオンビームを配線に平行に斜め上から照
射すれば良いことを発見した。
この部分が取如除けなかった。この様な段差部ハ、Ｓ
ｉプロセスにおいてはＡｔ配線等でみられ、配線等の方
向が、はぼ一定の方向となっていた。そこで、配線巾等
の減少を起さないでかつエツチング残シを取るには、直
線的にすすむイオンビームを配線に平行に斜め上から照
射すれば良いことを発見した。
第１図（ａ） 、 （ｂ）に、段差部のエツチング形状
を示す。第１図（ａ）は、Ｓｉウニ・・−１上に薄い酸
化膜６を形成し、６上にゲート酸化膜２、配線用金属３
、マスク４を通常の工程によシつくったものである。こ
れを、ＣＣｌ４ガスを用いた高周波放電平行平板型エツ
チング装置により、平坦部の金属をとシ除くと第１図（
ｂ）となった。この図に示されるように、段差部付近に
５で示すエツチング残りが生じた。この状態では第２図
に示すように配線間３，３′が５により導通し素子は全
く動作しなくなってしまう。一方５をガくすには、さら
にドライエツチングをおこなう必要があり、これにより
マスク４下の金属層のエツチングと６の酸化膜のエツチ
ングがおきた。従って、配線寸法の減少、下地のエツチ
ングがおき、素子作成上問題となっていた。
を示す。第１図（ａ）は、Ｓｉウニ・・−１上に薄い酸
化膜６を形成し、６上にゲート酸化膜２、配線用金属３
、マスク４を通常の工程によシつくったものである。こ
れを、ＣＣｌ４ガスを用いた高周波放電平行平板型エツ
チング装置により、平坦部の金属をとシ除くと第１図（
ｂ）となった。この図に示されるように、段差部付近に
５で示すエツチング残りが生じた。この状態では第２図
に示すように配線間３，３′が５により導通し素子は全
く動作しなくなってしまう。一方５をガくすには、さら
にドライエツチングをおこなう必要があり、これにより
マスク４下の金属層のエツチングと６の酸化膜のエツチ
ングがおきた。従って、配線寸法の減少、下地のエツチ
ングがおき、素子作成上問題となっていた。
本発明は、サイドエツチングなくかつ小さな下地エツチ
ングしか起きないエツチング方法に関する。本発明の実
施例を以下に示す。通常のエツチングにより第１図（ｂ
）とし、この形状のウェハーを第３図に示すエツチング
装置にセットし第２のエツチングを行なった。第３図に
示したエツチング装置には、少なくとも２ヶ以上のイオ
ン源が組み込まれておシ、その内２ケア、７′は各々ウ
ェハーに対し相対した位置に設置した。７．７′で、Ｃ
Ｃｌ４ガス等の塩化物ガス放電を行ガい、発生したプラ
ズマ中から陽イオンを引き出し、ウェハーに斜め方向か
ら照射した。イオンビーム１１の入射角は、エツチング
残りの量によるが、ウニ・・−に垂直な線に対し５°〜
６０°程度が通常好ましかった。また、上下関係を逆に
し、ウニ・・−を上方に、イオン源を下方にした配置で
は、汚染が少なく、よシ好ましい方法であった。さらに
ウェハーを紙面に対し、垂直方向に振動もしくはゆっく
りと運動させることは、５のエツチング残りの除去均一
性に優れた方法であった。斜め方向からエツチングを行
なうため、３の材料も斜めにエツチングされた。その量
は、従来のエツチングで得られたよりも少なくかつ角度
の制御性に優れていた。従って、再現性のよいテーパを
つけたエツチングとなり、次の段階で行なう膜形成のス
テップ被覆率が良くなるという長所があった。３の材料
としてＡｔ（膜厚＋ ５０００人）、２による段差３５
００人の場合、以下の条件により全くエツチング残りの
ない加工となった。第１段階のエツチングは、通常の高
周波放電平行平板型エツチング装置において、ＣＣｌ４
ガスを放電ガスとし真空度５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ
で１０分間処理し、その後、第３図に示す装置により
、ＣＣｔ４ＣＣ４ガスらのイオンビームを、真空度が５
Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ 、イオン電流量が１．０
ｍ Ａ ／ ｃｍ” 、イオン引出し電圧が６００ｅＶ
、入射角が３０°の条件で８分間試料に照射した。エツ
チング後に得られた試料形状には、２．３ともに２０°
程度のテーパがあり、その後の膜形成も良好であった。
ングしか起きないエツチング方法に関する。本発明の実
施例を以下に示す。通常のエツチングにより第１図（ｂ
）とし、この形状のウェハーを第３図に示すエツチング
装置にセットし第２のエツチングを行なった。第３図に
示したエツチング装置には、少なくとも２ヶ以上のイオ
ン源が組み込まれておシ、その内２ケア、７′は各々ウ
ェハーに対し相対した位置に設置した。７．７′で、Ｃ
Ｃｌ４ガス等の塩化物ガス放電を行ガい、発生したプラ
ズマ中から陽イオンを引き出し、ウェハーに斜め方向か
ら照射した。イオンビーム１１の入射角は、エツチング
残りの量によるが、ウニ・・−に垂直な線に対し５°〜
６０°程度が通常好ましかった。また、上下関係を逆に
し、ウニ・・−を上方に、イオン源を下方にした配置で
は、汚染が少なく、よシ好ましい方法であった。さらに
ウェハーを紙面に対し、垂直方向に振動もしくはゆっく
りと運動させることは、５のエツチング残りの除去均一
性に優れた方法であった。斜め方向からエツチングを行
なうため、３の材料も斜めにエツチングされた。その量
は、従来のエツチングで得られたよりも少なくかつ角度
の制御性に優れていた。従って、再現性のよいテーパを
つけたエツチングとなり、次の段階で行なう膜形成のス
テップ被覆率が良くなるという長所があった。３の材料
としてＡｔ（膜厚＋ ５０００人）、２による段差３５
００人の場合、以下の条件により全くエツチング残りの
ない加工となった。第１段階のエツチングは、通常の高
周波放電平行平板型エツチング装置において、ＣＣｌ４
ガスを放電ガスとし真空度５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ
で１０分間処理し、その後、第３図に示す装置により
、ＣＣｔ４ＣＣ４ガスらのイオンビームを、真空度が５
Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ 、イオン電流量が１．０
ｍ Ａ ／ ｃｍ” 、イオン引出し電圧が６００ｅＶ
、入射角が３０°の条件で８分間試料に照射した。エツ
チング後に得られた試料形状には、２．３ともに２０°
程度のテーパがあり、その後の膜形成も良好であった。
本発明は、Ａｔ等の配線材料には非常に良い方法であっ
た。さらに、ゲート金属であるＷや多結晶シリコンにつ
いても良好な結果かえられた。絶縁物についても同様で
あった。
た。さらに、ゲート金属であるＷや多結晶シリコンにつ
いても良好な結果かえられた。絶縁物についても同様で
あった。
本発明は、ＣａＡｓ等の■−■族化合物半導体の加工、
バブル材料表面弾性波素子にも好適であった。
バブル材料表面弾性波素子にも好適であった。
本発明は、エツチング工程を逆にしても有効であった。
まず、第１段階として第３図に示すイオンビームにより
エツチングし、その後、通常のドライエツチングでエツ
チングする。エツチング時間は、イオンエネルギー、被
エツチング材のｆｌｌ厚イオン電流量、放電時の真空度
に依存する。例えば、段差５０００人、Ａｔ膜厚（平坦
部； ３５００人）の場合には、ＣＣ６４を用いるイオ
ンビームエツチングでは、真空度５ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒ 、イオン電流量１．０ ｍ Ａ ／ｃｍ ” 、
引き出し電圧−５００Ｖで２０分間エツチングし、その
後、高周波放電平行平板型エツチング装置によりＣＣｔ
、ガス０．０８ＴＯｒｒにおいて７分間エツチングを行
なった。
エツチングし、その後、通常のドライエツチングでエツ
チングする。エツチング時間は、イオンエネルギー、被
エツチング材のｆｌｌ厚イオン電流量、放電時の真空度
に依存する。例えば、段差５０００人、Ａｔ膜厚（平坦
部； ３５００人）の場合には、ＣＣ６４を用いるイオ
ンビームエツチングでは、真空度５ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒ 、イオン電流量１．０ ｍ Ａ ／ｃｍ ” 、
引き出し電圧−５００Ｖで２０分間エツチングし、その
後、高周波放電平行平板型エツチング装置によりＣＣｔ
、ガス０．０８ＴＯｒｒにおいて７分間エツチングを行
なった。
図は本発明の実施例を示し、第１図（ａ）、 （ｂ）は
ウェハー断面図、第２図はウェハーの斜視図、第３図は
エツチング装置の模式図である。 １・・・８ｉウエハー、２・・・ゲート絶縁膜、３・・
・配線用金属、４・・・マスク、５・・・エツチング残
り、６・・・酸化膜、’Ｉ、’ｌ’・・・イオン源、８
・・・真空槽、９・・・試料、１０・・・試料台、１１
・・・イオンビーム。 代理人 弁理士 薄田利幸
ウェハー断面図、第２図はウェハーの斜視図、第３図は
エツチング装置の模式図である。 １・・・８ｉウエハー、２・・・ゲート絶縁膜、３・・
・配線用金属、４・・・マスク、５・・・エツチング残
り、６・・・酸化膜、’Ｉ、’ｌ’・・・イオン源、８
・・・真空槽、９・・・試料、１０・・・試料台、１１
・・・イオンビーム。 代理人 弁理士 薄田利幸
Claims (1)
- １、半導体素子製造工程において、段差部の加工を通常
のドライエツチングと斜め入射イオンビームによるエツ
チングの２段階で行なうことを特徴とするエツチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12751182A JPS5919325A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12751182A JPS5919325A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919325A true JPS5919325A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14961803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12751182A Pending JPS5919325A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919325A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4595452A (en) * | 1985-03-11 | 1986-06-17 | Oerlikon-Buhrle U.S.A. Inc. | Method and apparatus for plasma etching |
| CN106033786A (zh) * | 2015-03-13 | 2016-10-19 | 聚日（苏州）科技有限公司 | 太阳能电池的制造方法 |
| JP2020026547A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP12751182A patent/JPS5919325A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4595452A (en) * | 1985-03-11 | 1986-06-17 | Oerlikon-Buhrle U.S.A. Inc. | Method and apparatus for plasma etching |
| CN106033786A (zh) * | 2015-03-13 | 2016-10-19 | 聚日（苏州）科技有限公司 | 太阳能电池的制造方法 |
| JP2020026547A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| US11512388B2 (en) | 2018-08-10 | 2022-11-29 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
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