JPS59191315A - Formation of patterned permalloy layer - Google Patents
Formation of patterned permalloy layerInfo
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- JPS59191315A JPS59191315A JP6622883A JP6622883A JPS59191315A JP S59191315 A JPS59191315 A JP S59191315A JP 6622883 A JP6622883 A JP 6622883A JP 6622883 A JP6622883 A JP 6622883A JP S59191315 A JPS59191315 A JP S59191315A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非磁性基板上にパターン化されたパーマロイ
層を形成する方法に関し、特に、磁気薄膜回路装置にお
ける磁性層を形成する場合に適用して好適なものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for forming a patterned permalloy layer on a non-magnetic substrate, and is particularly suitable for application to forming a magnetic layer in a magnetic thin film circuit device. .
磁気薄膜回路装置における磁性層として、パー７１３１
層でなるものが提案されている。Par 7131 as a magnetic layer in a magnetic thin film circuit device
A structure consisting of layers has been proposed.
磁気薄膜回路装置における磁性層としてのパーマ［１イ
層を形成するにつぎ、従来は、非磁性基板上に、パター
ン化されるべきパーマロイ層を形成し、次に、そのパー
マロイ層上に、パターン化されたフォ１−レジストによ
るマスク層を形成し、しかる後、パターン化されるべき
ノクーマロイ層に対する、上記マスク層をマスクとした
化学エツチングをすることによって、パターン化された
パーマロイ層を形成するのを酋通としていた。Conventionally, after forming a permanent layer as a magnetic layer in a magnetic thin film circuit device, a permalloy layer to be patterned is formed on a non-magnetic substrate, and then a pattern is formed on the permalloy layer. A patterned permalloy layer is formed by forming a mask layer of a photoresist, and then chemically etching the nokumalloy layer to be patterned using the mask layer as a mask. He was an expert on the matter.
しかしながら、このような従来の方法の場合、パターン
化せられるべきパーマロイ層に対する、パターン化され
たマスク層をマスクとした化学エツチングを１兆工程に
おいて、パターン化されたパーマロイ層が、側方からエ
ツチングされたもの、すなわち所謂サイドエツチングさ
れたものとして得られるのを余儀なくされる。However, in the case of such a conventional method, when the permalloy layer to be patterned is chemically etched using the patterned mask layer as a mask, the patterned permalloy layer is etched from the side. In other words, it is forced to be obtained as a so-called side-etched product.
このため、パターン化されたパーマロイ層が、マスク層
のパターンよりもサイドエッチされた量だけ、−周り小
さなパターンを有するものとして形成される。Therefore, the patterned permalloy layer is formed to have a pattern that is smaller around the side by an amount that is side-etched than the pattern of the mask layer.
ところで、パターン化されたパーマロイ層は、マスク層
のパターンと同じパターンで得られるのが望ましい。Incidentally, it is desirable that the patterned permalloy layer be obtained in the same pattern as the pattern of the mask layer.
その理由は、マスク層を、形成せんとするパターン化さ
れたパーマロイ層の所期のパターンと同じパターンに形
成し置くだけで、パターン化きれたパーマロイ層を、所
期のパターンを有するものとして形成することが出来る
からである。The reason is that by simply forming a mask layer in the same pattern as the patterned permalloy layer to be formed, the patterned permalloy layer can be formed with the desired pattern. This is because it is possible to do so.
しかしながら、パターン化されたパーマロイ層が、マス
ク層のパターンよりもサイドエツチングされた量だ【プ
、−周り小さなパターンを有するものとして形成されて
も、上述した化学エツチングを行う工程において、サイ
ドエツチングされる量が予測されていれば、マスク層を
、予測されているサイドエツチングされる量を見込んで
、形成せんとするパターン化されたパーマロイ層の所期
のパターンよりも−周り大きなパターンに、予め形成し
ておくことにより、パターン化されたパーマロイ層を、
所期のパターンを有するものとして形成することが出来
る。However, even if the patterned permalloy layer is formed with a smaller pattern than the pattern of the mask layer, the amount of side etching will occur in the chemical etching process described above. If the amount of side etching is predicted, the mask layer is pre-circumscribed in a pattern that is larger in circumference than the intended pattern of the patterned permalloy layer to be formed, taking into account the expected amount of side etching. By forming a patterned permalloy layer,
It can be formed to have a desired pattern.
しかしながら、上述した従来の方法による場合、上述し
た化学エツチングをする工程において１．上述したサイ
ドエツチングされる最を予測するのが極めて困難であっ
た。However, in the case of the above-mentioned conventional method, in the above-mentioned chemical etching step, 1. It was extremely difficult to predict the extent of the side etching described above.
このため、上述した従来の方法の場合、）（ターン化さ
れたパーマロ−イ層を、所期のパターンを有するものと
して、再現性良く、微細に、高精度に形成するのが極め
て困難である、という欠点を有していた。For this reason, in the case of the conventional method described above, it is extremely difficult to form a turned permalloy layer with a desired pattern with good reproducibility, fineness, and high precision. It had the following drawbacks.
また、上述した従来の方法の場合、パターン化されたパ
ー７０４層が、その側面をしてパーマロイ層の主面に対
して垂直な面、または急峻に傾斜している面に形成され
、従って、パターン化されたパーマロイ層が、その側面
をしてパーマロイ層の主面に対して、非磁性基板側に到
るに従い外方に、比較的ゆるやかに傾斜している面に形
成されなかった。In addition, in the case of the above-mentioned conventional method, the patterned par 704 layer is formed with its side surface perpendicular to the main surface of the permalloy layer, or on a steeply inclined surface, and therefore, The patterned permalloy layer was not formed so that its side surfaces were relatively gently inclined outward toward the nonmagnetic substrate with respect to the main surface of the permalloy layer.
このため、上述した従来の方法の場合、非磁性基板上に
、パターン化されたパーマロイ層を形成して後、そのパ
ターン化されたパーマロイ層上に延長している配線層を
形成したり、パターン化されたパーマロイ層を覆ってい
る保護層を形成したり、パターン化されたパーマロイ層
」−に延長している絶縁層を形成し、その絶縁層、１−
に伯のパーマロイ層、配線層などを形成したりする場合
、その配線層や保護層や絶縁層などが、パターン化きれ
たパーマロイ層の側面の位置で切断して形成されたり、
大きな段差を有して形成されたりする、という欠点を有
していた。Therefore, in the conventional method described above, a patterned permalloy layer is formed on a non-magnetic substrate, and then a wiring layer is formed extending over the patterned permalloy layer, or a patterned permalloy layer is formed on the patterned permalloy layer. forming a protective layer overlying the patterned permalloy layer or forming an insulating layer extending over the patterned permalloy layer;
When forming a permanent permalloy layer, wiring layer, etc., the wiring layer, protective layer, insulating layer, etc. are cut at the side of the patterned permalloy layer.
It has the disadvantage that it may be formed with a large step.
よって本発明は、上述した欠点のない、新規な、パター
ン化されたパーマロイ層を形成する方法を提案せんとす
るものである。The present invention therefore seeks to propose a new method for forming patterned permalloy layers, which does not have the above-mentioned disadvantages.
本発明者などは、第１図へに示すＪ：うな、後述する電
解エツチング時において、難エツチング性を呈する基板
１を予め用意し、そして、その非磁性基板１上に、第１
図Ｂに示すようｋ、パターン化されるべきパーマロイ層
３を、ぞれ自体は公知の方法によって形成し、次に、そ
のパターン化されるべきパーマロイ層３上に、第１図Ｃ
に示すように、パターン化された例えばフォトレジスト
でなるマスク層５を、パーマロイ層３上にフォトレジス
ト層を形成し、そのフォトレジスト層に対するフォトマ
スクを用いた露光、続く現像をなすという、それ自体は
公知の方法によって形成し、このようにして、非磁性基
板１上にパターン化されるべきパーマロイ層３が形成さ
れ、そのパーマロイ層３上にパターン化されたマスク層
５が形成されている、という基板体６を得た。The present inventors prepared in advance a substrate 1 exhibiting etching resistance during electrolytic etching, which will be described later, as shown in FIG.
A permalloy layer 3 to be patterned is formed as shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a patterned mask layer 5 made of, for example, a photoresist is formed on the permalloy layer 3, and the photoresist layer is exposed to light using a photomask, followed by development. The permalloy layer 3 to be patterned is formed on the nonmagnetic substrate 1 in this way, and the patterned mask layer 5 is formed on the permalloy layer 3. A substrate body 6 was obtained.
この場合、パーマロイ層３は、例えば、Ｎｉ７５〜８５
重量％と、Ｆｅ２５〜１５重量％とでなるＮｉ−Ｆｅ合
金層とし得る。In this case, the permalloy layer 3 is made of Ni75 to Ni85, for example.
% by weight and 25 to 15% by weight of Fe.
そして、上述した基板体６を、第２図に示すように、電
解液１１を収容しているＷ！１２内に、パーマロイ層３
が略々垂直面上に延長するように、浸漬させ、また、そ
の槽１２内に、例えば白金でなる電極１３を、基板体６
のパーマロイ層３と対向するように、浸漬させ、そして
、基板体６におけるパターン化されるべきパーマロイ層
３を、マスク層５によってマスクされていない領域にお
いて、直流電源１４の正極側に接続し、また、電極１３
を、直流電源１４の負極側に接続して、パーマロイ層３
に対する、マスク層５をマスクとした電解エツチングを
なした。Then, as shown in FIG. 2, the above-mentioned substrate body 6 is attached to a W! which accommodates an electrolytic solution 11. 12, permalloy layer 3
The substrate body 6 is immersed in the bath 12 so that it extends substantially vertically, and an electrode 13 made of, for example, platinum is placed in the bath 12.
and connect the permalloy layer 3 to be patterned on the substrate 6 to the positive electrode side of the DC power source 14 in the region not masked by the mask layer 5, so as to face the permalloy layer 3 of In addition, the electrode 13
is connected to the negative electrode side of the DC power supply 14, and the permalloy layer 3
Electrolytic etching was performed using mask layer 5 as a mask.
但し、この場合、電解液１１を、パーマロイ層３が上述
したｘｉ−Ｆｅ合金層でなる場合、３０〜６０％濃麿の
硝酸を溶質の主体としている水溶液、例えば、硝酸１容
量部と水２〜１５容量部とよりなる硝酸水溶液、または
、過硫酸アンモニウムを溶質の主体としＣいる水溶液と
した。However, in this case, when the permalloy layer 3 is made of the above-mentioned xi-Fe alloy layer, the electrolyte 11 is an aqueous solution containing 30 to 60% concentrated nitric acid as the main solute, for example, 1 part by volume of nitric acid and 2 parts by volume of water. An aqueous solution of nitric acid consisting of ~15 parts by volume or an aqueous solution containing ammonium persulfate as the main solute was prepared.
然るときは、パーマロイ層３のマスク層５によってマス
クされていない領域が陽極として作用し、また、電４ｆ
１．１３が陰極として作用して、パーマロイ層３が、マ
スク層５によってマスクされていない領域において、第
３図Ａに示すエツチングされていない状態から、第３図
Ｂで一般的に示すような、表面からユッチングされつつ
ある状態を経て、第３図Ｃで一般的に示Ｊように、全厚
さに亘ってエツチングされて、パターン化されたパーマ
ロイ層７が、マスク層５下に、側面をしてパーマロイ層
７の主面に対して、非磁性基板１側に到るに従い外方に
、比較的ゆるやかに傾斜している面として形成されるこ
とを確認するに到った。但し、この場合、電極１３を白
金でなるものとした。In such a case, the region of the permalloy layer 3 that is not masked by the mask layer 5 acts as an anode, and also serves as an anode.
1.13 acts as a cathode so that the permalloy layer 3, in the areas not masked by the masking layer 5, changes from the unetched state shown in FIG. , the patterned permalloy layer 7 is etched over its entire thickness, as shown generally in FIG. As a result, it was confirmed that the main surface of the permalloy layer 7 is formed as a surface that is relatively gently inclined outward toward the non-magnetic substrate 1 side. However, in this case, the electrode 13 was made of platinum.
また、本発明者などは、上述した電解エツチングを、パ
ターン化されるべきパーマロイ層３と電極１３との間に
接続している直流電源１４を直流定電流源とし、そして
パーマロイ層３の、マスク層５によってマスクされてい
ない領域と、電極１３との間の電圧Ｖ（ボルト）を、電
圧計１５を用いて測定しながら行った。In addition, the present inventors performed the above-mentioned electrolytic etching by using the DC power source 14 connected between the permalloy layer 3 to be patterned and the electrode 13 as a DC constant current source, and using a mask for the permalloy layer 3. The voltage V (volts) between the area not masked by the layer 5 and the electrode 13 was measured using a voltmeter 15.
然るときは、時間ｔ（分）に対する電圧■（ボルト）の
関係が、第４図に示すように、時点１ａまでの間におい
ては、電圧Ｖが時間【と共に僅かづつ上昇するが、時点
ｔａから電圧Ｖが急激に大になるものとして得られた。In such a case, the relationship between the voltage (volts) and the time t (minutes) is as shown in FIG. It was obtained that the voltage V suddenly increases from .
さらに、本発明者などは、上述した時Ｆ＃Ｊｔに対する
電圧■の関係と、パーマロイ層３の、マスク層５によっ
てマスクされていない領域のエツチングの状態とを調べ
た結果、電圧■が時間ｔと共に僅かづつ上界している時
点［ａまでの間においでは、パーマロイ層３の、マスク
層５によっ゛Ｃマスクされていない領域が、時間ｔと共
に表面からエツチングされるが、時点１ａに達すれば、
パーマロイ層３の、マスク層５によってマスクされてい
ない領域が、その全厚さに亘ってエツチングされ、第３
図Ｃで一般的に示づように、パターン化されたパーマロ
イ層７が、その側面をしてパーマロイ層７の主面に対し
て、非磁性基板１側に到るに従い外方に、比較的ゆるや
かに傾斜している面として得られていることをＭ認する
に到った。Further, the present inventors investigated the relationship of the voltage (2) with respect to the time F#Jt mentioned above and the state of etching of the region of the permalloy layer 3 that is not masked by the mask layer 5, and found that the voltage (2) changes over the time t. Until time point [a], the area of permalloy layer 3 that is not masked by mask layer 5 is etched from the surface with time t, but by the time point 1a is reached, Ba,
The areas of the permalloy layer 3 that are not masked by the mask layer 5 are etched over their entire thickness, and the third
As generally shown in FIG. M recognized that the surface was obtained as a gently sloping surface.
なおさらに、本発明者などは、上述した電解エツチング
を、上述した電圧Ｖが、急激に大になる時点ｔＯ即ちパ
ーマロイ層３の、マスク層５によってマスクされていな
い領域が、その全厚さに亘ってエツチングされる時点ま
で行って、上述したパターン化されたパーマロイ層７を
形成する場合、そのパターン化されたパーマロイ層７が
、一般に、その側面をして、第３図Ｃでマスク層５の側
面より内側にあるものとして示されているように、サイ
ドエツチングされたものとして得られていることを確認
するに到った。Furthermore, the present inventors carried out the above-mentioned electrolytic etching at a point tO when the above-mentioned voltage V suddenly increases, that is, when the area of the permalloy layer 3 that is not masked by the mask layer 5 reaches its entire thickness. If the patterned permalloy layer 7 described above is etched to the point where it is etched across, the patterned permalloy layer 7 will generally be etched on its sides to form the mask layer 5 in FIG. 3C. We have now confirmed that the material is side-etched, as indicated by the fact that it is on the inside of the side surface.
また、本発明者などは、上述した電解エツチングを、パ
ターン化されるべきパーマロイ層３と電極１３との間に
接続している直流電源１４を直流定電圧源とし、そして
その直流定電圧源から、パーマロイ層３を通って流れる
電流Ｉ（ｍＡ）を、電流計１６を用いて測定しながら行
った。In addition, the present inventors performed the above-mentioned electrolytic etching by using the DC power source 14 connected between the permalloy layer 3 to be patterned and the electrode 13 as a DC constant voltage source, and , while measuring the current I (mA) flowing through the permalloy layer 3 using an ammeter 16.
然るとき巨、時間ｔ（分）に対する電流Ｉ（ｍＡ）の関
係が、第５図に示すように、時点１８′までの間におい
ては、電流■が時間ｔと共に僅かづつ減−少するが、時
点ｔａ′から電流Ｉが急激に小になるものとして得られ
た。At that time, the relationship between the current I (mA) and the time t (minutes) is as shown in Fig. 5. Until time 18', the current ■ decreases little by little with time t. , it was obtained that the current I suddenly decreases from time ta'.
さらに、本発明者などは、上述した時間［に対する電流
Ｉの関係と、パーマロイ層３の、マスク層５によってマ
スクされていない領域のエツチングの状態とを調べた結
果、電流Ｉが時間ｔと共に僅かづつ減少している時点ｔ
ａ′までの間においては、パーマロイ層３の、マスク層
５ににってマスクされていない領域が、時間ｔと共に表
面からエツチングされるが、時点ｔ＋１′に達すれば、
パーマロイ層３の、マスク層５によってマスクされてい
ない領域が、その全厚さに亘ってエツチングされ、第３
図Ｃで一般的に示すように、パターン化されたパーマロ
イ層７が、その側面をしてパーマロイ層７の主面に対し
て、非磁性基板１側に到るに従い外方に、比較的ゆるや
かに傾斜している面として得られていることを確認する
に到った。Furthermore, as a result of investigating the relationship of the current I with respect to the above-mentioned time and the etching state of the region of the permalloy layer 3 that is not masked by the mask layer 5, the present inventors have found that the current I changes slightly with time t. The time point t when it decreases by
Up to a', the area of the permalloy layer 3 that is not masked by the mask layer 5 is etched from the surface with time t, but when time t+1' is reached,
The areas of the permalloy layer 3 that are not masked by the mask layer 5 are etched over their entire thickness, and the third
As generally shown in FIG. We have confirmed that this is obtained as a surface that is inclined to .
なおさらに、本発明者などは、上述した電解エツチング
を、上述した電流Ｉが、急激に小になるｌ、！、点ｔ＠
′即ちパーマロイ層３の、マスク層５によってマスクさ
れていない領域が、その全厚さに０ってエツチングされ
る時点まで行って、上述したパターン化されたパーマロ
イ層７を形成する場合、そのパターン化されたパーマロ
イ層７が、一般に、その側面をして、第３図Ｃでマスク
層５の側面より内側にあるものとして示されているよう
に、サイドエツチングされたものとして得られているこ
とを確認するに到った。Furthermore, the present inventors have discovered that the above-mentioned electrolytic etching is performed in such a way that the above-mentioned current I suddenly decreases l,! , point t@
'That is, if the area of the permalloy layer 3 not masked by the mask layer 5 is etched through its entire thickness to form the patterned permalloy layer 7 described above, the pattern The etched permalloy layer 7 is generally obtained with its sides side etched, as shown in FIG. 3C as being inside the sides of the mask layer 5. I came to confirm this.
また、本発明者などは、上述した電解エツチングを、電
解液１１の温度Ｔ（℃）を一定温度Ｔｅ （℃）とし
て、直流電源１４から基板体６におけるパーマロイ層３
、及び電極１３を通って、電解液１１に流れる電流Ｉを
変え、従って、パーマロイ層３に流れる電流め密度Ｊ（
ｍＡ／ｃｍ’ ）を変えて、直流電源１４が直流低電
流源である場合、上述した電圧Ｖが、急激に大になる時
点１ａまで、また、直流電源１４が直流定電圧源である
場合、上述した電流Ｉが、急激に小になる時点ｔａ′ま
で、即ちパーマロイ層３の、マスク層５によってマスク
されていない領域が、その全厚さに亘ってエツチングさ
れる時点まで行って、上述したパターン化されたパーマ
ロイ層７を形成し、そして、そのパーマロイ層７がサイ
ドエツチングされている量即ちサイドエツチングＭＹ（
μｍ）を測定した。Further, the present inventors etched the permalloy layer 3 on the substrate body 6 from the DC power supply 14 by setting the temperature T (°C) of the electrolytic solution 11 to a constant temperature Te (°C).
, and changes the current I flowing through the electrolyte 11 through the electrode 13, so that the current density J(
mA/cm'), when the DC power supply 14 is a DC low current source, until the time point 1a when the voltage V mentioned above suddenly increases, and when the DC power supply 14 is a DC constant voltage source, The above-mentioned current I is carried out until the point ta' when it suddenly decreases, i.e. until the region of the permalloy layer 3 which is not masked by the mask layer 5 is etched over its entire thickness, and the above-mentioned etching is carried out. A patterned permalloy layer 7 is formed, and the amount by which the permalloy layer 7 is side etched, that is, the side etching MY (
μm) was measured.
然るとぎは、電解液１１の温度Ｔ（℃）をパラメータと
する電流密度Ｊに対する上述したサイドエツチングｆａ
Ｙの関係が、一般に、第６図に示すように得られた。The reason is that the above-mentioned side etching fa with respect to the current density J with the temperature T (°C) of the electrolytic solution 11 as a parameter.
The relationship for Y was generally obtained as shown in FIG.
なお、第６図に示されてい′る温度ＴＩ 、及びＴ２は
、Ｔ＋＜１−＋なる関係を有する。Note that the temperatures TI and T2 shown in FIG. 6 have a relationship of T+<1-+.
よって、第６図に示す測定結果から、電解液１・１の温
度Ｔを一定温度Ｔｅ（℃）とした場合、電流密度Ｊを人
と寸れば、上述したサイト１ツヂング吊Ｙが小になるこ
とを確認するに到った。Therefore, from the measurement results shown in Fig. 6, if the temperature T of the electrolyte 1.1 is a constant temperature Te (°C), and the current density J is reduced to the human level, the above-mentioned site 1 tsuging suspension Y becomes smaller. I have come to confirm that this is the case.
また、このように電流密度Ｊが人になるように、電解液
１１に流れる電流を大とすれば、サイドエツチングｆｆ
１Ｙが小どなるものとして得られるのは、電流密度Ｊを
大と覆れば、パーマロイ層３と電極１３との間の電界強
度が、主としで、パーマロイ層３と電極１３とを結ぶ方
向に関し、他の方向に比し格段的に強くなり、このため
、パーマロイ層３のマスク層５によってマスクされてい
ない領域が厚さ方向にエツチングされる速度と、面方向
にエツチングされる速度との比が大になるからであるこ
とも確認するに到った。Furthermore, if the current flowing through the electrolytic solution 11 is increased so that the current density J becomes equal to the current density J, the side etching ff
1Y is small because if the current density J is large, the electric field strength between the permalloy layer 3 and the electrode 13 is mainly in the direction connecting the permalloy layer 3 and the electrode 13. , becomes much stronger than in other directions, and for this reason, the ratio of the etching speed in the thickness direction of the area not masked by the mask layer 5 of the permalloy layer 3 to the etching speed in the planar direction is We have also confirmed that this is because .
さらに、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ（ｍＡ／Ｃｍ’
、）どした場合、電解液１１の温度Ｔを低くすれば、上
述したサイドエツチングＭＹが小になることを確認する
に到った。Furthermore, the current density J is changed to a constant current density Je (mA/Cm'
, ), it has been confirmed that by lowering the temperature T of the electrolytic solution 11, the above-mentioned side etching MY can be reduced.
なおさらに、上述したサイドエツチングＭＹを同じ値で
得るにつき、電解液１１の温度Ｔを高くすれば、これに
応じて電流密度Ｊを人にすればよいことも確認するに到
った。Furthermore, it has been confirmed that in order to obtain the above-mentioned side etching MY at the same value, if the temperature T of the electrolytic solution 11 is increased, the current density J can be adjusted accordingly.
また、第６図に示す測定結果から、上述したサイドエツ
チングｉｌＹの値が零になるときの、電解液１１の温度
Ｔ （℃）に対する電流密度Ｊの関係が、第７図に示す
ように、温度Ｔ１及びＴ２である場合において、電流密
度ＪがそれぞれＪｌ及びＪ２の値で得られること、及び
上述したように、電解液１１の温度Ｔを一定とした場合
、電流密度Ｊを大とすれば、上述したサイドエツチング
ＭＹが小になることから、上述した電解エツチングを、
電解液１１の温度Ｔを一定温度Ｔｅ （℃）にし、ま
た電流密度Ｊを、Ｔｅ ＝ａ ’ Ｊｅ ＋ｂ
・・・・・・・・・・・・・・・（１ａ）ａ −（（
Ｔ＋ １−＋ ） ／ （、） 、
−Ｊ １ ） ）×（１±０．１）
・・・・・・・・・・・・・・・（１１１）１’ｌ−（
（Ｔ＋ Ｊｌ Ｔ＋ Ｊｌ ）／ （Ｊｌ−Ｊｉ）
ｘ（１±０．１）
・・・・・・・・・・・・（１Ｃ）
で与えられる電流密度Ｊｅ （ｍ Ａ／ｃｍｊ ）以
上の電流密度にして行えば、上述したパターン化された
パーマロイ層７が、第８図に示づように、上述したサイ
ドエツチングＩＣＹが略々零であるものとして形成され
る、ことも確認するに到った。Furthermore, from the measurement results shown in FIG. 6, the relationship between the current density J and the temperature T (°C) of the electrolytic solution 11 when the value of the side etching ilY becomes zero is as shown in FIG. When the temperatures are T1 and T2, the current density J is obtained by the values of Jl and J2, respectively, and as mentioned above, if the temperature T of the electrolytic solution 11 is constant, if the current density J is increased, , since the above-mentioned side etching MY becomes small, the above-mentioned electrolytic etching is
The temperature T of the electrolytic solution 11 is set to a constant temperature Te (°C), and the current density J is set as Te = a' Je +b (1a) a - ((
T+ 1-+) / (,),
-J1))×(1±0.1) ・・・・・・・・・・・・・・・(111)1'l-(
(T+ Jl T+ Jl)/ (Jl-Ji)
x (1±0.1) ・・・・・・・・・・・・(1C) If the current density is higher than the current density Je (mA/cmj), the above-mentioned patterned It has also been confirmed that the permalloy layer 7 is formed so that the above-mentioned side etching ICY is approximately zero, as shown in FIG.
さらに、電解液１１の温度に対する電流密度Ｊの関係が
、第７図に示すように得られること、及び、上述したよ
うに、電流密度Ｊを一定電流密瓜Ｊｅ （ｍ Ａ／ｃ
ｍ’ ）とした場合、電解液１１の温度１を低くすれば
、上述したサイドエツチングＩＹが小になることから、
上述した電解エツチングを、電流密度Ｊを一定電流密度
Ｊ、ｅ（ＩＩＩ Ａ／Ｃｍ’ ）にし、また電解液１１
の温度Ｔを、
Ｔｅ ＝ａ −Ｊｅ 十ｂ
・・・・・・・・・・・・・・・（２ａ）ａ−（（Ｔ２
Ｔ＋ ）／ （Ｊｌ Ｊｌ ＞’）×（１±０．１
）
・・・・・・・・・・・・・・・（２ｂ）ｂ−（（Ｔ＋
Ｊｌ ＴＩ Ｊｌ ）／ （Ｊｌ−Ｊｌ））Ｘ（“
１±０．１）
・・・・・・−・・・・・・（２Ｃ）
で与えられる温度Ｔｅ（℃）以下の温度にして行えば、
上述したパターン化されたパーマロイ層７が、第８図に
示すように、上述したサイドエツチングＭＹが略々零で
あるものとして形成されることも確認するに到った。Furthermore, the relationship between the current density J and the temperature of the electrolytic solution 11 is obtained as shown in FIG.
m'), if the temperature 1 of the electrolytic solution 11 is lowered, the above-mentioned side etching IY will be reduced.
The above-mentioned electrolytic etching is carried out by setting the current density J to a constant current density J,e (III A/Cm') and using an electrolytic solution 11
The temperature T of is Te = a −Je 1 b ・・・・・・・・・・・・・・・(2a) a−((T2
T+ )/(Jl Jl ＞')×(1±0.1
) ・・・・・・・・・・・・・・・(2b)b−((T+
Jl TI Jl )/ (Jl-Jl))X(“
1±0.1) ・・・・・・−・・・・・・(2C) If the temperature is below the temperature Te (℃) given by
It has also been confirmed that the above-described patterned permalloy layer 7 is formed with the above-mentioned side etching MY being approximately zero, as shown in FIG.
また、本発明者などは、パターン化されるべきパーマロ
イ層３を、Ｎｉ ７５〜８５重量％と、Ｆｅ２５〜１５
重量％とでなるＮｉ−Ｆｅ合金層にして、それに対する
上述した電解エツチングを、電解液１１を硝！！２１容
量部と、水２〜１５容量部とよりなる硝酸水溶液とした
場合、上述した（１ａ）〜（１Ｇ）式及び（２ａ）〜（
２Ｃ）におけるａの値がｒ３Ｊ、ｂの値が「１５」であ
ることも確認づるに到った。In addition, the present inventors have determined that the permalloy layer 3 to be patterned contains 75 to 85% by weight of Ni and 25 to 15% by weight of Fe.
% by weight, and then electrolytically etched it as described above, using the electrolyte 11 as a Ni-Fe alloy layer. ! In the case of a nitric acid aqueous solution consisting of 21 parts by volume and 2 to 15 parts by volume of water, the above-mentioned formulas (1a) to (1G) and (2a) to (
It was also confirmed that the value of a in 2C) is r3J and the value of b is "15".
以上で、非磁性基板１上に形成されたパーマロイ層３に
対重る、マスク層５をマスクどした電解エツチングを行
うことによって、パーマロイ層３から、一般的に、第３
図Ｃに示すように、パターン化されたパーマロイ層７が
、その側面をしてパーマロイ層７の主面に対して、非磁
性基板１側に到るに従い外方に、比較的ゆるやかに傾斜
しＣいる面として形成されることが明らかとなった。As described above, by performing electrolytic etching with the mask layer 5 overlapping the permalloy layer 3 formed on the nonmagnetic substrate 1 as a mask, the permalloy layer 3 is generally etched into a third layer.
As shown in Figure C, the side surface of the patterned permalloy layer 7 is relatively gently inclined outward toward the nonmagnetic substrate 1 side with respect to the main surface of the permalloy layer 7. It has become clear that it is formed as a C-shaped surface.
上述においては、非磁性基板１上に、パターン化される
べきパーマロイ層３を、直接形成し、そして、そのパー
マロイ層３に対する、マスク層５をマスクとした電解エ
ツチングを行うことによって、そのパーマロイ層３から
、パターン化されたパーマロイ層７が形成されることを
述べた。In the above, the permalloy layer 3 to be patterned is directly formed on the nonmagnetic substrate 1, and the permalloy layer 3 is electrolytically etched using the mask layer 5 as a mask. 3, a patterned permalloy layer 7 is formed.
しかしながら、本発明者などは、非磁性基板１上に、パ
ターン化されるべきパーマロイ層３を、直接形成するの
ではなく、パーマロイ層３とは異なる材料の導電性層を
介して形成し、そして、そのパーマロイ層３に対する、
上述したマスク層５をマスクとした電解エツチングを行
うことによっても、そのパーマロイ層３から、上述した
と同様のパターン化されたパーマロイ層７が形成される
ことを確認した。However, the present inventors did not directly form the permalloy layer 3 to be patterned on the non-magnetic substrate 1, but formed it via a conductive layer made of a material different from the permalloy layer 3, and , for the permalloy layer 3,
It has been confirmed that a patterned permalloy layer 7 similar to that described above can be formed from the permalloy layer 3 by performing electrolytic etching using the above-described mask layer 5 as a mask.
すなわち、本発明者などは、第９図Ａに示すような、第
１図Ａで上述したと同様の非磁性基板１を予め用意し、
そして、その非磁性基板１上に、第９図Ｂに示すように
、パターン化されるべき第１図Ｂで上述したと同様のパ
ーマロイ層３を、そのパーマロイ層３とは異なる材料で
なる導電性層４を介して形成し、次に、そのパターン化
されるべきパーマロイ層３上に、第９図Ｃに示すように
、第１図Ｃに示すと同様に、パターン化された例えばフ
ォトレジストでなるマスク層５を、パーマロイ層３上に
フォトレジスト層を形成し、そのフォトレジスト層に対
するフォトマスクを用いた露光、続く現像をなすという
、それ自体は公知の方法によって形成し、このようにし
Ｃ１非磁性基板１上にパターン化されるべきパーマロイ
層３が、それとは異なるＩＪ Ｆ４でなる導電性層４を
介して形成され、イのパ・−７１コイ層３上にパターン
化されたマスク層５が形成されている、という基板体６
を得た。That is, the present inventors prepared in advance a nonmagnetic substrate 1 as shown in FIG. 9A, similar to that described above in FIG. 1A,
Then, on the non-magnetic substrate 1, as shown in FIG. 9B, a permalloy layer 3 similar to that described above in FIG. Then, on the permalloy layer 3 to be patterned, as shown in FIG. 9C, a patterned, e.g. The mask layer 5 made of A permalloy layer 3 to be patterned on a C1 non-magnetic substrate 1 is formed via a conductive layer 4 made of IJF4, which is different from the permalloy layer 3, and a mask patterned on the A-71 coi layer 3. A substrate body 6 on which a layer 5 is formed.
I got it.
この場合、導電性層４は、高融点金属でなるＴｉ層とし
得る。In this case, the conductive layer 4 may be a Ti layer made of a high melting point metal.
そして、上述した第９図Ｃに示すような基板体６を、図
示はないが、第２図で上述したと同様に、第２図で上述
したと同様の電解液１１内に浸透させて、パーマロイ層
３に対する、マスク層５をマスクとする電解エツチング
をなしたところ、第２図で上述したと同様に、パーマロ
イ層３が、マスク層５によってマスクされていない領域
において、第１０図Ａに示すエツチングされていない状
態から、第１０図Ｂで一般的に示すような、表面からエ
ツチングされつつある状態を経て、第１Ｑ図Ｃに示すよ
うに・、全厚さに亘ってエツチングされて、パターン化
きれたパーマロイ層７が、マスク層５下に、側面をして
パーマロイ層７の主面に対して、非磁性基板側に到るに
従い外方に、比較的ゆるやかに傾斜している面として形
成される、ことを確認覆るに到った。Then, although not shown, the substrate body 6 as shown in FIG. 9C described above is infiltrated into the same electrolytic solution 11 as described above in FIG. 2 in the same manner as described above in FIG. When the permalloy layer 3 was electrolytically etched using the mask layer 5 as a mask, the permalloy layer 3 was etched in the area not masked by the mask layer 5 as shown in FIG. 10A, as described above in FIG. From the unetched state shown in FIG. The patterned permalloy layer 7 has a side surface below the mask layer 5 that is relatively gently inclined outward toward the non-magnetic substrate side with respect to the main surface of the permalloy layer 7. As it is formed, it has come to be confirmed that it is overturned.
また、本発明者などは、いま述べた電解エツチングを、
基板体６が第３図Ｃで上述した基板体である場合で上述
したと同様に、パーマロイ層３と電極１３との間に接続
している直流電源１４を直流定電流源とし、そしてパー
マロイ層３と電極１３との間の電圧■を測定しながら行
なう場合、時間ｔに対する電圧■の関係が第４図で上述
したと同様に得られ、また、第４図で上述した時点ｔａ
に達すれば、一般的に第１０図Ｃに示すパーマロイ層７
が得られ、きらに、そのパーマロイ層７が、一般に、そ
の側面をしてサイドエッチされたものとして得られる、
ことを確認するに到った。In addition, the inventors of the present invention et al.
In the same way as described above when the substrate body 6 is the substrate body described above in FIG. 3 and the electrode 13, the relationship between the voltage (2) and the time t can be obtained in the same way as described above in FIG.
, the permalloy layer 7 shown in FIG.
is obtained, and the permalloy layer 7 is generally obtained with its sides etched.
I have come to confirm this.
さらに、本発明者などは、上述した電解エツチングを、
基板体６が第３図Ｃで上述した基板体である場合で上述
したと同様に、パーマ［コイ層３と電極１３との間に接
続している直流電源１４を直流定電圧源とし、そして、
パーマロイ層３を通って流れる電流Ｉを測定しながら行
なう場合、時間ｔに対する電流■の関係が第５図で上述
したと同様に得られ、また第５図で上述した時点ｔａ’
に達すれば、一般的に第１０図Ｃに示すパーマロイ層
７が得られ、さらに、そのパーマロイ層７が、一般に、
その側面をしてサイドエッチされたものとして得られる
、ことを確認するに到った。Furthermore, the present inventors have discovered that the above-mentioned electrolytic etching
In the same way as described above when the substrate body 6 is the substrate body described above in FIG. ,
If this is carried out while measuring the current I flowing through the permalloy layer 3, the relationship of the current ■ with respect to the time t is obtained in the same manner as described above in FIG.
When the permalloy layer 7 is reached, the permalloy layer 7 generally shown in FIG. 10C is obtained, and the permalloy layer 7 generally has
I came to confirm that the sides were obtained as if the sides had been etched.
また、本発明者などは、上述した電解エツチングを、電
解液１１の温度−［を一定温度Ｔｅとして、パーマロイ
層３に流れる電流Ｉを変えて、直流電源１４が直流定電
流源である場合、上述し・た時点ｔａまで、直流定電圧
源である場合、上述した時点ｔａ’ まで行ってパーマ
ロイ層７を形成するようにし、そして、この場合、電解
液１１の温度をパラメータとする電流密度Ｊに対するパ
ーマロイ層７の側面のサイドエツチング量Ｙの関係を測
定したところ、一般に第６図及び第７図で上述したと同
様の結果が得られ、また、電解液１１の温度Ｔを一定温
度Ｔｅにした状態で電流密度Ｊを、上述した（１ａ）〜
（１ｃ）式で与えられる電流密度Ｊｅ以上の電流密度に
して行なえば、または、電流密度Ｊを一定電流密度Ｊｅ
にした状態で電解液１１の温度Ｔを、上述した（２ａ）
〜（２ｃ）式で与えられる湿度Ｔｅ以下の温度にして行
なえば、第１１図に示すように、上述したサイドエツチ
ングｆｆ１Ｙが略々零であるものとして形成される、こ
とも確認するに到った。Further, the present inventors performed the above-mentioned electrolytic etching by setting the temperature of the electrolytic solution 11 -[ to a constant temperature Te, and changing the current I flowing through the permalloy layer 3, so that when the DC power source 14 is a DC constant current source, In the case of a DC constant voltage source, the permalloy layer 7 is formed up to the above-mentioned time ta until the above-mentioned time ta', and in this case, the current density J with the temperature of the electrolytic solution 11 as a parameter is When the relationship between the side etching amount Y of the side surface of the permalloy layer 7 and In this state, the current density J is changed from (1a) to
If the current density is set to a current density higher than the current density Je given by equation (1c), or the current density J is set to a constant current density Je
The temperature T of the electrolytic solution 11 in the state of
It has also been confirmed that if etching is carried out at a temperature below the humidity Te given by equation (2c), the side etching described above is formed with the side etching ff1Y being approximately zero, as shown in FIG. Ta.
さらに、本発明などは、上述した電解エツチングによっ
て、上述したパターン（Ｌ’されたパーマロイ層７が形
成されるとき、導電性層４が露呈して電解液１１に触れ
るが、導電性層４がパーマロイ層３とは異なる材料でな
るので、その材料を、パーマロイ層３と電＠１１１との
兼合で、適当に選定すれば、導電性層４が電解液１１に
触れても、導電性層４は実質的にエツチングされず、従
って、上述したようにパターン化されたパーマロイ層７
が形成されるとき、導電性層４は、非磁性基板１上に、
実質的にエツチングされないで残っているため、パター
ン化されたパーマロイ層７が形成されるとぎに、パーマ
ロイ層３の一部が、一般的に、第１０図Ｃに符号８を付
して点線図示しているＪ：うに、導電性層４の露呈して
いる領域′上に、アイランド状に薄く残らんとしても、
そのアイランド８が、導電性層４を介し、次で、パーマ
［］−コイ層の直流電源１４に一端に連結されている部
を介して、直流電源１４の一端に、電気的に連結されて
いるので、そのアイランド８が、電解エツチングされ、
従って、パターン化されたパーマロイ層７を、導電性層
４が露呈する領域上に上述したアイランド８を実質的に
残すことなしに、形成することができる、ことを確認す
るに到った。Furthermore, in the present invention, when the permalloy layer 7 having the above-mentioned pattern (L') is formed by the above-mentioned electrolytic etching, the conductive layer 4 is exposed and touches the electrolyte 11; Since it is made of a different material from the permalloy layer 3, if the material is appropriately selected to be compatible with the permalloy layer 3 and the electrolyte 111, even if the conductive layer 4 comes into contact with the electrolyte 11, the conductive layer will remain intact. 4 is not substantially etched and therefore the permalloy layer 7 patterned as described above.
is formed, the conductive layer 4 is formed on the non-magnetic substrate 1,
Having remained substantially unetched, once the patterned permalloy layer 7 is formed, a portion of the permalloy layer 3 is generally indicated by the dotted line at 8 in FIG. 10C. Shown J: Even if it does not remain thin like an island on the exposed area of the conductive layer 4,
The island 8 is electrically connected to one end of the DC power source 14 via the conductive layer 4 and then through the part of the perm[]-coi layer connected to the DC power source 14 at one end. Therefore, the island 8 is electrolytically etched,
Therefore, it has been confirmed that the patterned permalloy layer 7 can be formed without substantially leaving the above-mentioned islands 8 on the areas where the conductive layer 4 is exposed.
また、本発明者などは、上述したようにパターン化され
たパーマロイ層７を形成して後、導電性層４に対するマ
スク層５またはパターン化されたパーマロイ層７をマス
クとした、上述した電解エツチング以外の、それ自体は
公知の種々のエツチング、例えばリアクティブイオンエ
ッ≠ング、プラズマエツチングなどのドライエツチング
、さらにはエツチング液を用いたウェットエツチングを
行えば、第１２図及び第１３図に示すように、導電性層
４から、パターン化された導電性層１０が、パターン化
されたパーマロイ層７下に形成され、そして、この場合
、導電性層４を十分薄い厚さにＣておけば、エツチング
がウェットエツチングであっても、パターン化された導
電性層１０が、殆んどサイドエツチングされていないも
のとして得られる、ことを確認するに到った。Further, the present inventors et al. formed the patterned permalloy layer 7 as described above, and then performed the above-described electrolytic etching using the mask layer 5 or the patterned permalloy layer 7 as a mask for the conductive layer 4. If various types of etching, which are known per se, such as dry etching such as reactive ion etching and plasma etching, or wet etching using an etching solution are performed, the result will be as shown in FIGS. 12 and 13. Then, from the conductive layer 4, a patterned conductive layer 10 is formed under the patterned permalloy layer 7, and in this case, if the conductive layer 4 is made to have a sufficiently thin thickness C. It has been confirmed that even if the etching is wet etching, the patterned conductive layer 10 can be obtained with almost no side etching.
また、本発明者などは、上述したようにパターン化され
た導電性層１０を形成すれば、上述したパターン化され
たパーマロイ層７を形成する工程にＪ３いて、導電性層
４上に、上述したパーマロイ層３によるアイランド８が
残っても、導電性層４がエツチングされることによって
、それと共に除去される、ことも確認するに到つｌこ
。The present inventors also believe that if the patterned conductive layer 10 is formed as described above, the patterned permalloy layer 7 described above is formed on the conductive layer 4 in step J3. It was also confirmed that even if the islands 8 caused by the etched permalloy layer 3 remain, they are removed together with the conductive layer 4 by etching.
.
以上にもとづき、本発明者などは、特許請求の範囲に記
載している発明を、本発明による発明どして提案するに
到った。Based on the above, the present inventors have proposed the invention described in the claims as an invention according to the present invention.
以上で、本発明によるパターン化されたパーマロイ層を
形成する方法が明らかとなった。The method of forming a patterned permalloy layer according to the invention has now been clarified.
このような本発明による方法によれば、パターン化され
るべきパーマロイ層に対（る、パターン化されたマスク
層をマスクとした電解エツチングをづ゛る工程において
、形成されるパターン化されたパーマロイ層のサイドエ
ツチング聞Ｙを、前述したところから明らかなように、
電解液の温度Ｔと電流密度Ｊとによって、予測すること
ができる。According to the method according to the present invention, the patterned permalloy layer formed in the electrolytic etching process using the patterned mask layer as a mask is applied to the permalloy layer to be patterned. As is clear from the above, the side etching depth of the layer is
It can be predicted based on the temperature T of the electrolytic solution and the current density J.
このため、本発明によるパターン化されたパーマロイ層
を形成する方法によれば、パターン化されるべきパーマ
ロイ層上にパターン化されたマスク層を形成する工程に
おいて、そのパターン化されたマスクを、予測されるサ
イドエツチングＩＹを見込んで形成することにより、パ
ターン化されたパーマロイ層を、所期のパターンを有す
るものとして、再現性良く、微細に、高精度に、容易に
形成することが出来る、という特徴を有する。Therefore, according to the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention, in the step of forming a patterned mask layer on the permalloy layer to be patterned, the patterned mask is By taking into account the side etching IY that will occur, it is possible to easily form a patterned permalloy layer with a desired pattern with good reproducibility, fineness, and high precision. Has characteristics.
また、本発明によるパターン化されたパーマロイ層を形
成する方法によれば、上述したパーマロイ層に対する電
解エツチングをする工程において、その電解エツチング
を、電解液の温度Ｔを一定温度Ｔｅ （℃）にし、電
流密度Ｊを、上述した（１ａ）〜（１Ｃ）式で与えられ
る電流密度Ｊｅ （ＩＩＩ Ａ／ｃｍ’ ）以上の電
流密度にして行えば、または、電流密度Ｊを一定電流密
度Ｊｅ （ｍ Ａ／ｃｍ” ）にし、電解液の温度Ｔ
を、上述した（２ａ）〜（２Ｃ）式で与えられる温度Ｔ
ｅ、（”Ｃ）以下の温度にして行えば、パターン化され
たパーマロイ層が、サイドエツチング…Ｙが略々零であ
るものとして形成される。Further, according to the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention, in the step of electrolytically etching the permalloy layer described above, the electrolytic etching is performed by setting the temperature T of the electrolytic solution to a constant temperature Te (° C.), If the current density J is set to a current density equal to or higher than the current density Je (III A/cm') given by the above-mentioned formulas (1a) to (1C), or the current density J is set to a constant current density Je (m A /cm”), and the temperature of the electrolyte T
is the temperature T given by equations (2a) to (2C) above.
If carried out at a temperature below e, ("C), a patterned permalloy layer is formed with side etching...Y of approximately zero.
このため、本発明によるパターン化されたパーマロイ層
を形成する方法によれば、パターン化されたマスク層を
形成する工程において、そのマスク層を、形成せんとす
るパターン化されたパーマロイ層の所期のパターンと同
じパターンに形成し、また、上述した電解エツチングの
工程において、上述しＩＣ電解エツチングの工程におい
て、電解液の温度Ｔを一定温度Ｔｅとするとぎ、電流密
度Ｊを上述した（１ａ）〜（１Ｃ）式で与えられる電流
密度Ｊｅ以上の電流密度にし、または、電流密度Ｊを定
電流密度Ｊｅどするとき、電解液の温度丁を上述した（
２ａ）へ（２ｃ、）式で与えられる温度Ｔｅ以下の温度
にすることににつで、パターン化されたパーマ［」イ層
を、所期のパターンを有Ｊ”るものとして、再現性良く
、微細に、高精度に、容易に形成することができるとい
う特徴を有する。Therefore, according to the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention, in the step of forming a patterned mask layer, the mask layer is applied to the desired area of the patterned permalloy layer to be formed. In addition, in the above-mentioned electrolytic etching process, assuming that the temperature T of the electrolytic solution is a constant temperature Te, the current density J is as described above (1a). When the current density is higher than the current density Je given by the equation (1C), or when the current density J is set to a constant current density Je, the temperature of the electrolyte is set as above (
By setting the temperature to below the temperature Te given by equation (2c,) to 2a), the patterned perm layer is made to have the desired pattern with good reproducibility. It has the characteristics that it can be formed finely, with high precision, and easily.
ざらに、本発明によるパターン化されたパーマロイ層を
形成する方法によれば、パターン化されるべきパーマロ
イ層に対する電解エツチングを、直流電源として直流定
電流源を用いて行なう場合、その電解エツチングをする
工程における、その電解エツチングの終了時点が、陽極
としてのパターン化されるべきパーマロイ層と、これに
対する陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点に対
応しているので、上述した電解エツチングを、陽極とし
てのパターン化されるべきパーマロイ層と、これに対す
る陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点まで行う
三とによって、パターン化されたパーマロイ層を、所期
のパターンを有するものとして、より再現性良く、微細
に、高精度に、容易に形成することができる。In general, according to the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention, when the permalloy layer to be patterned is electrolytically etched using a direct current constant current source as a direct current power source, In the process, the end point of the electrolytic etching corresponds to the point at which the voltage between the permalloy layer to be patterned as an anode and the cathode electrode increases rapidly, so that the electrolytic etching described above to the point where the voltage between the permalloy layer to be patterned as an anode and the cathode electrode increases suddenly, thereby forming the patterned permalloy layer into the desired pattern. As a result, it can be easily formed with better reproducibility, fineness, and high precision.
なおさらに、本発明によるパターン化されたパーマロイ
層を形成する方法によれば、パターン化されるべきパー
マロイ層に対する電解エツチングを、直流電源として直
流定電流源を用いて行なう場合、上述した、陽極として
のパターン化されるべぎバーマロ。イ層と、これに対す
る陰極電極との間の電圧が急激に大になる時点を、種々
の電圧検出器によって、容易に検出し得、また、その電
圧検出器の出力によって、陽極としてのパーマロイ層と
、これに対する陰極電極との間に接続している直流定電
流源をＡノにしたり、直流定電流源と、陽極どしてのパ
ーマロイ層または陰極電極との間の線路を切断したりＪ
るという簡易な手段によって、上述し７ｊ電解エツチン
グを、陽極としてのパターン化されるべきパーマロイ層
と、これに対重る陰極電極との間の電圧が急激に大にな
る時点で、直ちに且つ容易に終了させることができる。Furthermore, according to the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention, when electrolytic etching is performed on the permalloy layer to be patterned using a DC constant current source as the DC power source, the above-mentioned anode can be used as an anode. Begibarmaro patterned. The point at which the voltage between the A layer and the corresponding cathode electrode increases rapidly can be easily detected by various voltage detectors, and the output of the voltage detector can be used to detect the permalloy layer as an anode. The DC constant current source connected between this and the cathode electrode may be set to A, or the line between the DC constant current source and the permalloy layer as an anode or the cathode electrode may be cut.
The above-described electrolytic etching can be carried out immediately and easily by the simple means of can be terminated.
また、本発明によるパターン化されたパーマロイ層を形
成する方法によれば、パターン化されるべきパーマロイ
層に対する電解エツチングを、直流電源として直流定電
圧源を用いて行なう場合、その電解エツチングをする工
程における、その電解エツチングの終了時点が、直流定
電圧源から、陽極としてのパターン化されるべきパーマ
ロイ層を通って流れる電流が急激゛に小になる時点に対
応しているので、上述した電解エツチングを、直流定電
圧源から、陽極としてのパターン化されるべきパーマロ
イ層を通って流れる電流が急激に小になる時点まで行う
ことによって、パターン化されたパーマロイ層を、所期
のパターンを有するものとして、より再現性良く、微細
に、高精度に、容易に形成することができる。Further, according to the method of forming a patterned permalloy layer according to the present invention, when the permalloy layer to be patterned is electrolytically etched using a DC constant voltage source as a DC power source, the electrolytic etching step is performed. The end point of the electrolytic etching in corresponds to the point in time when the current flowing from the DC constant voltage source through the permalloy layer to be patterned as an anode suddenly becomes smaller. from a DC constant voltage source until the point at which the current flowing through the permalloy layer to be patterned as an anode suddenly decreases, thereby converting the patterned permalloy layer into one with the desired pattern. As a result, it can be easily formed with better reproducibility, fineness, and high precision.
なおさらに、本発明によるパターン化されたパーマロイ
層を形成する方法によれば、パターン化されるべきパー
マロイ層に対する電解エツチングを、直流電源として直
流定電圧源を用いて行なう場合、直流定電圧源から、上
述した陽極としてのパターン化されるべきパーマロイ層
を通って流れる電流が急激に小になる時点を、種々の電
流検出器によって、容易に検出し得、また、その電流検
出器の出力によって、陽極としてのパーマロイ層と、こ
れに対する陰極電極との間に接続している直流定電圧源
をオフにしたり、直流定電圧源と、陽極としてのパーマ
ロイ層または陰極電極との間の線路を切断したりすると
いう簡易な手段によって、上述した電解エツチングを、
直流定電圧源から、陽極としてのパターン化されるべき
パーマロイ層を通って流れる電流が急激に小になる時点
で、直ちに且つ容易に終了させることができる。Furthermore, according to the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention, when electrolytically etching the permalloy layer to be patterned using a DC constant voltage source as the DC power source, , the point at which the current flowing through the permalloy layer to be patterned as the anode described above suddenly decreases can be easily detected by various current detectors, and by the output of the current detector, Turn off the DC constant voltage source connected between the permalloy layer as an anode and the corresponding cathode electrode, or cut the line between the DC constant voltage source and the permalloy layer as an anode or the cathode electrode. The above-mentioned electrolytic etching can be carried out by a simple method of
It can be terminated immediately and easily at the point at which the current flowing from the DC constant voltage source through the permalloy layer to be patterned as anode suddenly decreases.
従って、本発明によるパターン化されたパーマロイ層を
形成する方法によれば、上述した本発明の特徴を、確実
、容易に発揮することができる、という特徴を有する。Therefore, the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention is characterized in that the above-described features of the present invention can be reliably and easily exhibited.
また、本発明によるパターン化されたパーマロイ層を形
成する方法において、パターン化されるべきパーマロイ
層が、非磁性基板上に、導電性層を介して形成されてい
る場合、そのパターン化メれるべきパーマロイ層に対し
て電解エツチングづる工程において、パーマロイ層が、
非磁性基板上に、導電性層上において、アイランド状に
残らんとしても、それが電解７ツチン グされ、また、
たとえ、パーマロイ層に対して電解エツチングする工程
において、パーマロイ層が、非磁性基板上に、導電性層
上において、アイランド状に残ったとしても、それが、
導電性層に対してエツチングを行うことによって、非磁
性基板上から除去される。Furthermore, in the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention, if the permalloy layer to be patterned is formed on a non-magnetic substrate with a conductive layer interposed therebetween, the patterned permalloy layer should be In the process of electrolytically etching the permalloy layer, the permalloy layer is
Even if it does not remain in the form of an island on the conductive layer on the nonmagnetic substrate, it is electrolytically etched, and
Even if the permalloy layer remains in an island shape on the nonmagnetic substrate and the conductive layer in the process of electrolytically etching the permalloy layer,
Etching the conductive layer removes it from the non-magnetic substrate.
このため、本発明によるパターン化されたパーマロイ層
を形成する方法によれば、パターン化されたパーマロイ
層を、明瞭、明確に形成することができる、という特徴
を有する。Therefore, the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention is characterized in that a patterned permalloy layer can be clearly and clearly formed.
さらに、本発明によるパターン化されたパーマロイ層を
形成する方法によって形成される、パターン化されたパ
ーマロイ層は、磁性層として機能する。Further, the patterned permalloy layer formed by the method of forming a patterned permalloy layer according to the present invention functions as a magnetic layer.
従って、一本発明は、これを、磁器薄膜回路装置の磁性
層を形成する場合に適用して、極めて好適である、とい
う特徴を有する。Therefore, one feature of the present invention is that it is extremely suitable for application to the case of forming a magnetic layer of a ceramic thin film circuit device.
次に、本発明の実施例を述べよう。Next, an example of the present invention will be described.
実施例１Ａ
第１図Ａで上述したと同様に、非磁性基板１を予め用意
した。Example 1A A nonmagnetic substrate 1 was prepared in advance in the same manner as described above with reference to FIG. 1A.
然して、非磁性基板１上に、第１図Ｂで上述したと同様
に、パターン化されるべきパーマロイ層３を形成した。Thus, the permalloy layer 3 to be patterned was formed on the nonmagnetic substrate 1 in the same manner as described above with reference to FIG. 1B.
但し、この場合、パーマロイ層３を、蒸着によって、４
μｍの厚さを有するＮｉ−Ｆｃ合金層（Ｎｉ ８０１ｆ
ｆｉ％、Ｆｅ２Ｏ重量％）でなるものとして形成した。However, in this case, the permalloy layer 3 is formed by vapor deposition.
Ni-Fc alloy layer (Ni 801f) with a thickness of μm
fi%, Fe2O weight%).
次に、パーマロイ層３上に、第１図Ｃで上述したと同様
に、パターン化されたマスク層５を形成した。Next, a patterned mask layer 5 was formed on the permalloy layer 3 in the same manner as described above in FIG. 1C.
但し、この場合、マスク層５を、パーマロイ層３上に、
フォトレジスト層を形成し、そのフィトレジスト層に対
するフォトマスクを用いた露光、続く現像処理をなすこ
とによって、フォトレジストでなるものとして形成した
。However, in this case, the mask layer 5 is placed on the permalloy layer 3,
A photoresist layer was formed, and the phytoresist layer was exposed to light using a photomask, and then developed, thereby forming a photoresist.
このようにして、第１図Ｃで上述したと同様に、非磁性
基板１上にパターン化されるべきパーマロイ層３が形成
され、そのパーマロイ層３Ｆに、パターン化されたマス
ク層５が形成されている、という基板体６を得た。In this way, the permalloy layer 3 to be patterned is formed on the non-magnetic substrate 1, and the patterned mask layer 5 is formed on the permalloy layer 3F, as described above with reference to FIG. 1C. A substrate body 6 was obtained.
次に、その基板体６を、第２図で上述したと同様に、３
０％〜６０％濃度の硝酸１容量部と水９容量部との硝酸
水溶液でなる電解液１１を収容している槽１２内に、パ
ーマロイ層３が、略々垂直面上に延長するように浸漬さ
せ、また、その槽１２内に、白金でなる電極１３を、基
板体６のパーマロイ層３と対向するように浸漬させ、然
して、基板体６におけるパターン化されるべきパーマロ
イ層３を、マスク層５によってマスクされていない領域
において、直流定電流源でなる直流電源１４の正極側に
接続し、また、電極１３を（直流電源１４の負極側に接
続して、パーマロイ層３に対する、上述した硝酸水溶液
でなる電解液１１を用いた電解エツチングを、パーマロ
イ層３及び電極１３間の電圧■が急激に大になる時点ま
でなし、パターン化されたパーマロイ１７を得た。Next, the substrate body 6 is attached to the 3
A permalloy layer 3 is placed in a tank 12 containing an electrolytic solution 11 consisting of an aqueous nitric acid solution of 1 part by volume of nitric acid and 9 parts by volume of water at a concentration of 0% to 60%, so that the permalloy layer 3 extends substantially on a vertical plane. Further, an electrode 13 made of platinum is immersed in the bath 12 so as to face the permalloy layer 3 of the substrate 6, and the permalloy layer 3 to be patterned on the substrate 6 is covered with a mask. In the area not masked by the layer 5, the electrode 13 is connected to the positive side of the DC power source 14, which is a constant current source, and the electrode 13 is connected to the negative side of the DC power source 14, and the above-mentioned Electrolytic etching using an electrolytic solution 11 consisting of an aqueous nitric acid solution was carried out until the voltage (2) between the permalloy layer 3 and the electrode 13 suddenly increased, and a patterned permalloy 17 was obtained.
この場合、電解液１１の温度を２１．０℃とし、また電
解液１１に通ずる電流を、パーマロイ層３に通ずる電流
の密度でみて、２．００１１１Ａ ／ ｃｍ’になる値
にした。In this case, the temperature of the electrolytic solution 11 was set to 21.0° C., and the current flowing through the electrolytic solution 11 was set to a value of 2.00111 A/cm' in terms of the density of the current flowing through the permalloy layer 3.
然るときは、第８図で上述したと同様に、パターン化さ
れたパーマロイ層７か、サイドエツチング量が略々零で
あるものとして形成された。In such a case, a patterned permalloy layer 7 was formed in the same manner as described above with reference to FIG. 8, or one in which the amount of side etching was approximately zero.
また、電解液１１の湿度を３０．０℃とし、また電解液
に通ずる電流を、パーマロイ層３に通ずる電流の密度で
みて、５．００ｍＡ ／ Ｃｍ’ になる値にした。Further, the humidity of the electrolytic solution 11 was set to 30.0° C., and the current passing through the electrolytic solution was set to a value of 5.00 mA/Cm' in terms of the density of the current passing through the permalloy layer 3.
然るときは、同様に、パターン化されたパーマ［１イ層
７が、サイド至ツチング量が略々零であるものとして形
成された。In that case, a patterned permanent [1] layer 7 was similarly formed with the amount of side toning being approximately zero.
さらに、電解液１１の温度を上述したと同じ温度２１．
０℃とし、しかしながら電解液１１に通ずる電流を、パ
ーマロイ層３に通ずる電流の密度でみて、上述した２、
００ｍＡ ／ ｃｍ’ Ｊ：り大きな２．５０ｍ Ａ
／ Ｃｌ１ｌ’ になる値とシタ。Further, the temperature of the electrolytic solution 11 is set to the same temperature 21.
0° C., and considering the current flowing through the electrolytic solution 11 in terms of the density of the current flowing through the permalloy layer 3, the above-mentioned 2.
00mA / cm' J: 2.50m A
/ Cl1l'.
また、電解液の温度を上述したと同じ温度３００℃とし
、しかしながら、電解液１１に通ずる電流を、パーマロ
イ層３に通ずる電流の密度でみて、上述した５、００ｍ
Ａ ／ ｃｎ＋’ より大きな５．５０…Ａ／ｃｍ’
になる値とした。In addition, the temperature of the electrolytic solution is set to 300° C., which is the same temperature as described above, but the current flowing through the electrolytic solution 11 is calculated from the density of the current flowing through the permalloy layer 3 to 5,000 m
A/cn+' greater than 5.50...A/cm'
The value was set to be
然るときは、何れの場合も、第８図で上述したと同様に
、パターン化されたパーマロイ層７が、サイドエツチン
グ量が略々零であるものとして形成された。In either case, the patterned permalloy layer 7 was formed with substantially zero side etching amount, as described above with reference to FIG.
実施例１Ｂ
上述した本発明の実施例１Ａの場合における、パーマロ
イ層３に対して電解エツチングを行う工程で用いる直流
電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エツ
チングを、直流定電圧源から、パーマロイ層３を通って
流れる電流Ｉが、急激に小になる時点までなしたことを
除いては、上述した本発明の実施例１Ａの場合と同様の
工程をとって、パターン化されたパーマロイＭ７を得た
。Example 1B In the case of Example 1A of the present invention described above, the DC power supply 14 used in the step of electrolytically etching the permalloy layer 3 is a DC constant voltage source, and accordingly, the electrolytic etching is performed at a DC constant voltage. The patterned material was patterned using the same steps as in Example 1A of the present invention described above, except that the current I flowing from the source through the permalloy layer 3 suddenly decreased. Permalloy M7 was obtained.
この場合も、電解液１１の温度、及び電解液１１に通ず
る電流を、実施例１Ａの場合と同様にした。Also in this case, the temperature of the electrolytic solution 11 and the current flowing through the electrolytic solution 11 were the same as in Example 1A.
然るときは、上述した本発明の実施例１Ａの場合と同様
に、パターン化されたパーマロイ層７が、サイドエツチ
ング量が略々零であるものとして形成された。In this case, as in the case of Example 1A of the present invention described above, the patterned permalloy layer 7 was formed so that the amount of side etching was approximately zero.
実施例２Ａ
第９図Ａで上述したと同様に、非磁性基板１を予め用意
した。Example 2A The nonmagnetic substrate 1 was prepared in advance in the same manner as described above with reference to FIG. 9A.
然して、非磁性基板１上に、第９図Ｂで上述したと同様
に、パターン化されるべきパーマロイ層３を、それは異
なる材料でなる導電性層４を介して形成した。但し、こ
の場合、パーマロイ層３を、蒸着によって、４μｍの厚
さを有すルＮ ｔ−Ｆｃ層（Ｎｉ ８０重母％、Ｆｅ
２０重Ｍ％）でなるものとして形成した。Thus, a permalloy layer 3 to be patterned was formed on the non-magnetic substrate 1 via a conductive layer 4 made of a different material, in the same manner as described above with reference to FIG. 9B. However, in this case, the permalloy layer 3 is formed by vapor deposition into a 4 μm thick Nt-Fc layer (Ni 80%, Fe
20% by weight).
また、導電性層４を、それ自体は公知の種々の方法にＪ
：って、パーマロイ層３に比し十分薄い、３００人の厚
さを有する］１層として形成し Ｉこ ９゜
次に、パーマロイ層３上に、第９図Ｃで上述したと同様
に、パターン化されたマスク層５を形成した。The conductive layer 4 can also be formed by various methods known per se.
9° Next, on the permalloy layer 3, in the same manner as described above in FIG. 9C, A patterned mask layer 5 was formed.
このよろにして、第９図Ｃで上述したと同様に、非磁性
基板１上に、パターン化されるべきパーマロイ層３が、
導電性層４を介して形成され、そのパーマロイ層３上に
、パターン化されたマスク層５が形成されている、とい
う基板体６を得た。With this rotation, the permalloy layer 3 to be patterned is placed on the non-magnetic substrate 1 in the same manner as described above with reference to FIG. 9C.
A substrate body 6 was obtained in which a patterned mask layer 5 was formed on the permalloy layer 3 via a conductive layer 4.
次に、ぞの基板体６を、実施例１Ａの場合と同様に、３
０％〜６０％濃度の硝酸１容量部と、水９容量部との硝
酸水溶液でなる電解液１１を収容している槽１２内に、
パーマロイ層３が、略々垂直面上に延長するように浸漬
させ、また、その槽１２内に、白金でなる電極１３を、
基板体６のパーマロイ層３と対向するように浸漬させ、
然して、基板体６におけるパターン化されるべきパーマ
ロイ層３を、マスク層５によってマスクされていない領
域において、直流定電流源でなる直流電源１４の正極側
に接続し、また、電極１３を、直流電源１４の負極側に
接続して、パーマロイ層３に対する、上述した硝酸水溶
液でなる電解液１１を用いた電解エツチングを、パーマ
ロイ層３及び電極１３間の電圧Ｖが急激に大になる時点
までなし、パターン化されたパーマロイ層３／を得た。Next, as in the case of Example 1A, the next substrate body 6 is
In a tank 12 containing an electrolytic solution 11 made of an aqueous nitric acid solution of 1 part by volume of nitric acid with a concentration of 0% to 60% and 9 parts by volume of water,
The permalloy layer 3 is immersed so as to extend substantially vertically, and an electrode 13 made of platinum is placed in the bath 12.
It is immersed so as to face the permalloy layer 3 of the substrate body 6,
Thus, the permalloy layer 3 to be patterned on the substrate body 6 is connected to the positive electrode side of a DC power source 14 which is a DC constant current source in an area not masked by the mask layer 5, and the electrode 13 is Connected to the negative electrode side of the power source 14, the permalloy layer 3 is not electrolytically etched using the electrolytic solution 11 made of the above-mentioned nitric acid aqueous solution until the voltage V between the permalloy layer 3 and the electrode 13 suddenly increases. , a patterned permalloy layer 3/ was obtained.
この場合、電解液１１の温度、及び電解液１１に通ずる
電流を、上述した本発明の実施例１Ａの場合と同様とし
た。In this case, the temperature of the electrolyte 11 and the current flowing through the electrolyte 11 were the same as in Example 1A of the present invention described above.
然るどきは、上述した本発明の実施例１△の場合と同様
に、パターン化されたパーマロイ層７が、サイドエツチ
ング量が略々零Ｃあるものとして形成された。As in the case of Example 1Δ of the present invention described above, the patterned permalloy layer 7 was formed with a side etching amount of approximately zero C.
次に、導電性層４に対する、上述したマスク層５または
パターン化されたパーマロイ層７をマスクとする、導電
性層４の面に対して垂直な方向からのドライエツチング
をなし、パターン化された導電性層１ｏを得た。Next, dry etching is performed on the conductive layer 4 in a direction perpendicular to the surface of the conductive layer 4 using the above-mentioned mask layer 5 or patterned permalloy layer 7 as a mask. A conductive layer 1o was obtained.
然るどぎは、第１２図及び第１３図で上述したと同様に
、パターン化された導電性層１ｏが、殆んど４ノ゛イド
エツチングされていないものとして得られた。Thus, the patterned conductive layer 1o was obtained with almost no 4-node etching, as described above in FIGS. 12 and 13.
よって、非磁性基板１上に、第１２図及び第１３図で上
述したと同様に、パターン化されたパーマロイ層７と、
バタニン化された導電性層１０とがそれらの順とは逆の
順に積層さ（している積層体が形成された。Therefore, the patterned permalloy layer 7 is formed on the nonmagnetic substrate 1 in the same manner as described above with reference to FIGS. 12 and 13.
A laminate was formed in which the batanized conductive layers 10 were laminated in the reverse order.
実施例２Ｂ
上述した本発明の実施例２Ａの場合、における、パーマ
ロイ層３に対して電解エツチングを行う工程で用いる直
流電源１４を、直流定電圧源とし、これに応じて電解エ
ツチングを、直流定電圧源から、パーマロイ層３を通っ
て流れる電流Ｉが、急激に小になる時点までなしたこと
を除いては、上述した本発明の実施例２Ａの場合と同様
の工程をとって、パターン化されたパーマロイ層７を得
た。Example 2B In the case of Example 2A of the present invention described above, the DC power supply 14 used in the step of electrolytically etching the permalloy layer 3 is a constant DC voltage source, and the electrolytic etching is performed at a constant DC voltage source accordingly. The patterning process was carried out in the same manner as in Example 2A of the present invention described above, except that the current I flowing from the voltage source through the permalloy layer 3 suddenly decreased. A permalloy layer 7 was obtained.
この場合も、電解液１１の温度、及び電解液１１に流れ
る電流を、実施例２Ａの場合と同様とした。Also in this case, the temperature of the electrolytic solution 11 and the current flowing through the electrolytic solution 11 were the same as in Example 2A.
然るときは、上述した本発明の実施例２Ａの場合と同様
に、パターン化されたパーマロイ層７が、サイドエツチ
ング量が略々零であるものとして形成された。In this case, as in the case of Example 2A of the present invention described above, the patterned permalloy layer 7 was formed so that the amount of side etching was approximately zero.
次に、導電性層４に対して、上述した本発明の実施例２
Ａの場合と同様のエツチングを行い、上述した本発明の
実施例２Ａの場合と同様のパターン化された導電性層１
０を得た。Next, Example 2 of the present invention described above is applied to the conductive layer 4.
The same etching as in case A was performed to form a patterned conductive layer 1 similar to that in Example 2A of the present invention described above.
I got 0.
然るときは、実施例２Ａの場合と同様に、パターン化さ
れた導電性層１０が、殆んどサイド、［ツヂングされな
いものとして得られた。In that case, as in Example 2A, a patterned conductive layer 10 was obtained with almost no side tucking.
Ｊ：って、実施例２Ａの場合と同様に、非磁性基板１」
二に、パターン化されたパーマロイ層７とパターン化さ
れた導電性層１０どがそれらの順とは逆の順に積層され
ている積層体が形成され１こ。J: So, as in the case of Example 2A, non-magnetic substrate 1.
Second, a laminate is formed in which the patterned permalloy layer 7 and the patterned conductive layer 10 are stacked in the reverse order.
第１図△、１３及びＣは、本発明にＪ、るパターン化さ
れたパーマロイ層を形成刀る方法の一例の説明に供りる
、パターン化されるべきパーマロイ層上に、パターン化
されたマスク層を形成りる順次の１稈にａ３ ＃二ｊる
、路線的断面図である。
第２図は、Ｉ′ｉｉ［様に、本発明によるパターン化さ
れたバー７１」イ層を形成覆る方法の一例の説明に供す
る、パターン化されるべきパーマロイ層に対する電解エ
ツチングによって、パターン化されたパーマロイ層を形
成する工程を示づ路線図である。
第３図は、同様に、本発明によるパ、ターン化されたパ
ーマロイ層を形成する方法の一例の説明に供する、パタ
ーン化されるべきパーマロイ層に対する電解エツチング
によって、パターン化されたパーマロイ層を形成する工
程における、路線的断面図である。
第４図は、同様−に、本発明によるパター１化されたパ
ーマロイ層を形成する方法の一例の説明に供する、直流
定電流源でなる直流電源を用いたパターン化されるべき
パーマロイ層に対する電解エツチングによって、パター
ン化されたパーマ［１１層を形成する工程における、時
間【（分）に対する、基板体にお（プる陽極としてのパ
ーマロイ層と、これに対する陰極電極との間の電圧Ｖ−
（／７１Ｃル１〜）の関係を示す図である１゜第５図は
、同様に、本発明によるパターン化されたパーマロイ層
を形成する方法の一例の説明に供づ−る、直流定電１１
源でなる直流電源を用いたパターン化されるべきパーマ
ロイ層に対する電解エツチングによって、パターン化さ
れたパー７１」イ層を形成する工程にお（プる、時間ｔ
（分）に対する、直流定電圧源から、基板体にＪ３ける
陽極としてのパーマロイ層を通って流れる電流１ （ｍ
Δ）の関係を示す図である。
第６図は、同様に、本発明によるパターン化されたパー
マロイ層を形成する方法の一例の説明に供りる、パター
ン化されるべきパーマロイ層に対づる電解エツチングに
よ・）で、パターン化されたパーマロイ層を形成り−る
工程にお（′Ｊる、ｆｆ［８（ｕ７）Ｘｌ＋ｉｌ哀１−
（°Ｃ） ’ａハ’；ｌ−タトＬＪＩ、：、電流密１
ｉＪ （ｍＡ／ｃｍ’ ）に対り゛る、本発明によって
形成されるパターン化されたパーマロイ層のりイド」−
ツヂングｆｆ１Ｙ＜μｍ）の関係を示づ図である。
第７図は、同様に、本発明によるパターン化されたパー
マロイ層を形成する方法の；−例の説明に供する、パタ
ーン化されるべきパーマロイ層に対する電解エツチング
によって、パターン化されたパーマロイ層を形成する工
程におりる一１本発明によって形成されるパターン化さ
れたパーマロイ層のり′イドエツチング量Ｙが零となる
ときの、電解液の温度Ｔ（’Ｃ）に対する、電流密度Ｊ
（ｍ Ａ／ｃｍ’ ）の関係を示す図である。
第８図は、本発明によるパターン化されたパーマロイ層
を形成する方法の一例の説明に供する、パターン化され
るべきパーマロイ層に対する電解エツチングによって形
成された、パターン化されたパーマロイ層の一例を示ず
路線的断面図である。
第９図Ａ、Ｂ及びＣは、本発明によるパターン化された
パーマロイ層を形成する方法の他の例の説明に供する、
パターン化されるぺさパーマロイ層上に、パターン化さ
れたマスク層を形成する順次の工程における、路線的断
面図である。
第１０図は、同様に、本発明によるパターン化されたパ
ーマロイ層を形成する方法の他の例の説明に供する、パ
ターン化されるべきパーマロイ層に対する電解エツチン
グによって、パターン化されたパーマロイ層を形成する
工程にお番プる、路線的断面図である。
第１１図は、本発明によるパターン化されたパーマロイ
層を形成する方法の他の例の説明に供づる、パターン化
されるべきパーマロイ層に対する電解エツチングによっ
て形成された、パターン化され１ζパ一マロイ層の一例
を示す路線的断面図である。
第１２図は、本発明によるパターン化されたパーマロイ
層を形成する方法の他の例の説明に供する、パターン化
されたパーマロイ層を形成する工程後にお（プる、導電
性層に対するエツチングにＪ、って、パターン化された
導電性層を形成する工程を示す、路線的断面図である。
第１３図は、同様に、本発明によるパターン化されたパ
ーマロイ層を形成する方法の他の例の説明に供する、パ
ターン化されたパーマロイ層を形成りる工程後におりる
、導電性層に対するエツチングによって、パターン化さ
れた導電性層を形成する工程を示す、路線的断面図であ
る。
１・・・・・・・・・・・・非磁性基板３・・・・・・
・・・・・・パターン化されるべきパーマロイ層
４・・・・・・・・・・・・導電性層
５・・・・・・・・・・・・パターン化されたマスク層
６・・・・・・・・・・・・基板体
７・・・・・・・・・・・・パターン化されたパーマロ
イ層
１０・・・・・・・・・・・・パタ−ン化された導電性
層１１・・・・・・・・・・・・電解液
１２・・・・・・・・・・・・槽
１３・・・・・・・・・・・・電極
１４・・・・・・・・・・・・直流電源１５・・・・・
・・・・・・−電圧計
１６・・・・・・・・・・・・電流計
第ｉ図
第８図
第４図
一一→」（分）
第５図
−１（伽
第６図
Ｊ（ｍＡ／ｃ耐）
第９図
第」Ｏ図FIGS. 1A, 13, and C illustrate an example of a method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of a line in one culm in which a mask layer is formed. FIG. 2 shows a patterned bar 71 according to the present invention by electrolytic etching on a permalloy layer to be patterned, illustrating an example of a method of forming and overlaying a patterned bar 71'' layer according to the present invention, as shown in FIG. FIG. 3 is a route map showing the process of forming a permalloy layer. FIG. 3 similarly illustrates the formation of a patterned permalloy layer by electrolytic etching of the permalloy layer to be patterned, illustrating an example of a method of forming a patterned permalloy layer according to the present invention. It is a line sectional view in the process of doing. FIG. 4 similarly shows the electrolysis of the permalloy layer to be patterned using a DC power supply consisting of a DC constant current source, for explaining an example of the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention. In the step of forming a patterned permalloy layer by etching, the voltage V- between the permalloy layer as an anode and the cathode electrode applied to the substrate body (with respect to time (minutes))
1°, which is a diagram showing the relationship between 11
The process of forming a patterned permalloy layer by electrolytic etching of the permalloy layer to be patterned using a direct current power source (time t)
(min), a current 1 (m
It is a figure showing the relationship of (DELTA). FIG. 6 similarly illustrates an example of a method of forming a patterned permalloy layer according to the present invention by electrolytically etching the permalloy layer to be patterned. In the process of forming a permalloy layer ('Jru, ff[8(u7)
(°C) 'aha'; l-tato LJI, :, current density 1
Patterned Permalloy Layer Glue Formed According to the Invention with respect to iJ (mA/cm')
FIG. 3 is a diagram showing the relationship of tzinging ff1Y<μm). FIG. 7 also shows the formation of a patterned permalloy layer by electrolytic etching on the permalloy layer to be patterned, illustrating an example of the method of forming a patterned permalloy layer according to the invention. 11 Current density J with respect to temperature T ('C) of the electrolytic solution when the etching amount Y of the patterned permalloy layer formed according to the present invention becomes zero.
It is a figure showing the relationship of (mA/cm'). FIG. 8 shows an example of a patterned permalloy layer formed by electrolytic etching of a permalloy layer to be patterned, illustrating an example of a method of forming a patterned permalloy layer according to the present invention. FIG. 9A, B, and C provide an illustration of another example of a method of forming a patterned permalloy layer according to the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the sequential steps of forming a patterned mask layer on a patterned permalloy layer. FIG. 10 also illustrates forming a patterned permalloy layer by electrolytic etching of the permalloy layer to be patterned, illustrating another example of a method of forming a patterned permalloy layer according to the present invention. This is a cross-sectional view of the route, showing the process. FIG. 11 shows a patterned 1ζ permalloy layer formed by electrolytic etching on a permalloy layer to be patterned, illustrating another example of a method of forming a patterned permalloy layer according to the present invention. It is a line cross-sectional view showing an example of a layer. FIG. 12 is a diagram illustrating another example of the method for forming a patterned permalloy layer according to the present invention. FIG. 13 is a cross-sectional view showing the process of forming a patterned conductive layer. FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a patterned conductive layer by etching the conductive layer after the step of forming a patterned permalloy layer. ......Nonmagnetic substrate 3...
...Permalloy layer 4 to be patterned... Conductive layer 5 ... Patterned mask layer 6.・・・・・・・・・・・・Substrate body 7・・・・・・・・・Patterned permalloy layer 10・・・・・・・・・・・・Patterned Conductive layer 11... Electrolyte 12 Tank 13 Electrode 14 ......DC power supply 15...
・・・・・・－Voltmeter 16・・・・・・・・・Ammeter Figure i Figure 8 Figure 4 Figure 11 → (minutes) Figure 5-1 (Figure 6) J (mA/c resistance) Fig. 9 “O”
Claims (1)
層を、該パーマロイ層とは異なる材料でなる導電性層を
介して、または介することなしに形成する工程と、 上記パーマロイ層上にパターン化されたマスク層を形成
する工程と、 」−記パーマロイ層に対する、に記マスク層をマスクと
した電解エツチングを行うことによって、上記パーマロ
イ層から、パターン化されたパーマロイ層を形成する工
程とを含むことを特徴とηるパターン化されたパーマロ
イ層を形成づる方法。 ２、非磁性基板上に、パターン化されるべきパーマロイ
層を、該パーマロイ層とは異なる材料でなる導電性層を
介して、または介することなしに形成する工程と、 上記パーマロイ層上にパターン化されたマスク層を形成
する工程と、 上記パーマロイ層に対する、上記マスク層をマスクとし
た電解エツチングを、上記パーマロイ層を陽極とし、該
陽極としてのパーマロイ層とこれに対する陰極電極との
間に直流定電流源を接続して、上記陽極としてのパーマ
ロイ層と上記陰極電極との間の電圧が、急激に大になる
時点まで行うことによって、上記パーマロイ層から、パ
ターン化されたパーマロイ層を形成する工程とを含むこ
とを特徴とするパターン化されたパーマロイ層を形成す
る方法。 ３、非磁性基板上に、パターン化されるべきパーマロイ
層を、該パーマロイ層とは異なる材料でなる導電性層を
介して、または介することなしに形成する工程と、 上記パーマロイ層上にパターン化されたマスク層を形成
する工程と、 上記パーマロイ層に対する、上記マスク層をマスクとし
た電解エツチングを、上記パーマロイ層を陽極とし、該
陽極としてのパーマロイ層とこれに対する陰極電極との
間に直流定電圧源を接続して、上記直流定電圧源から上
記陽極としてのパーマロイ層を通って流れる電流が、急
激に小になる詩点まで行うことによって、上記パーマロ
イ層から、パターン化されたパーマロイ層を形成する工
程とを含むことを特徴とするパターン化されたパーマロ
イ層を形成する方法。[Claims] 1. A step of forming a permalloy layer to be patterned on a non-magnetic substrate with or without a conductive layer made of a material different from the permalloy layer; forming a patterned mask layer on the permalloy layer, and electrolytically etching the permalloy layer using the mask layer as a mask, thereby forming a patterned permalloy layer from the permalloy layer. A method of forming a patterned permalloy layer, the method comprising: forming a patterned permalloy layer. 2. Forming a permalloy layer to be patterned on a non-magnetic substrate with or without a conductive layer made of a material different from the permalloy layer; and patterning on the permalloy layer. and electrolytic etching of the permalloy layer using the mask layer as a mask. forming a patterned permalloy layer from the permalloy layer by connecting a current source until the voltage between the permalloy layer as an anode and the cathode electrode suddenly increases; A method of forming a patterned permalloy layer, the method comprising: 3. Forming a permalloy layer to be patterned on a non-magnetic substrate with or without a conductive layer made of a material different from the permalloy layer; and patterning on the permalloy layer. and electrolytic etching of the permalloy layer using the mask layer as a mask. A patterned permalloy layer is formed from the permalloy layer by connecting a voltage source and conducting the current flowing from the DC constant voltage source through the permalloy layer as an anode until a point where it suddenly becomes small. A method of forming a patterned permalloy layer, the method comprising: forming a patterned permalloy layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6622883A JPS59191315A (en) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | Formation of patterned permalloy layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6622883A JPS59191315A (en) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | Formation of patterned permalloy layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59191315A true JPS59191315A (en) | 1984-10-30 |
Family
ID=13309775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6622883A Pending JPS59191315A (en) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | Formation of patterned permalloy layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59191315A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451299A (en) * | 1992-12-23 | 1995-09-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for reducing hydrogen absorption during chemical milling |
| US5863411A (en) * | 1995-09-13 | 1999-01-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming a minute pattern in a metal workpiece |
| JP2020537360A (en) * | 2017-10-16 | 2020-12-17 | クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. | Electrochemical removal of aluminum nitride substrates for electronic and optoelectronic devices |
-
1983
- 1983-04-14 JP JP6622883A patent/JPS59191315A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451299A (en) * | 1992-12-23 | 1995-09-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for reducing hydrogen absorption during chemical milling |
| US5863411A (en) * | 1995-09-13 | 1999-01-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming a minute pattern in a metal workpiece |
| JP2020537360A (en) * | 2017-10-16 | 2020-12-17 | クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. | Electrochemical removal of aluminum nitride substrates for electronic and optoelectronic devices |
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