JPS59184356A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）のような電磁波に
感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写真用
像形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する
光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比［光電流（Ｉｐ
）　／　（Ｉｄ）コが高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時において人体に対して無公害であること、更には固
体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊に、事
務器としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無公害性は重要な点である。

このような観点に立脚して、最近注目されている光導電
材料にアモルファスシリコン（以後ａ−５ｉと表記する
）があり、例えば独国公開第２７４６９８７号公報、同
第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材への
応用が、また、独国公開第２９３３４１１号公報には光
電変換読取装置への応用がそれぞれ記載されている。

しかしながら、従来のａ−９ｉで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度。

光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の点にお
いて、総合的な特性向上を図る必要があるという更に改
善されるべき問題点があるのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いてはその使用時において残留電位が残る場合が度々観
測され、この種の光導電部材は長時間繰り返し使用し続
けると、繰り返し使゛］　　　　用による疲労の蓄積が
起って、残像が生ずる所謂ゴースト現象を発するように
なる等の不都合な点が少なくなかった。

また、例えば本発明者等の多くの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
５ｉは、従来のＳｅ、　ＧｄＳ　、　ＺｎＯ等の無機光
導電材料あるいはＰＶＣｚやＴＮＦ等の有機光導電材料
に較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電池用
として使用するための特性が付与されたａ−３ｉから成
る単層構成の光導電層を有する電子写真用像形成部材の
上記光導電層に対して、静電像形成のための帯電処理を
施こしても暗減衰（ｄａｒｋ　ｄｅｃａｙ）が著しく速
く、より好ましくは電子写真法が仲々適用され難いこと
、加えて多湿雰囲気下においては上記傾向が著しく、場
合によっては現象時間まで帯電電荷を殆ど保持し得ない
ことがある等、解決されるべき点が多々存在しているこ
とが判明している。

更に、ａ−Ｓｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
あるいはフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び
電気伝導型の制御のためにホウ素原子やリン原子等が、
あるいはその他の特性改良のために他の原子が、各々構
成原子として光導電層中に含有されるが、これ等の構成
原子の含有の様相いかんによっては、形成した層の電気
的、光導電的特性に問題が生ずる場合がある。

殊に、相接する層界面においては、含有原子の含有量、
分布状態等によって、製造プロセス上夕′ングリングポ
ンドができやすく、また、エネルギーバンドの複雑なベ
ンディングが生じやすｌ、Ｘ、このために種々変化する
電荷の挙動や、構造安定性の問題がとりわけ重要となり
、光導電部材に目的通りの機能を発揮させるためには、
この部分のコントロールが、成否の鍵を握っている場合
が少なくない。

また、　ａ−９ｉ光導電部材が一般に公知の手法で作ら
れた場合には１例えば形成した光導電層中に光照射によ
って発生したフォトキャリアの該層中での寿命が十分で
ないこと、あるいは支持体側力１らの電荷の注入の阻止
が十分でないこと等の問題を生ずる場合も多い。従って
、６−３ｉ材料そのものの特性の改良が計られる一方で
、光導電部材を設計する際に、上記したような所望の電
気的及び光学的特性が得られるよう工夫される必要があ
る。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−Ｓｉに
関し電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、ａ−
５ｉ、殊にケイ素原子を母体とし、水素原子（Ｈ）及び
／＼ロゲン原子（Ｘ）の少なくともそのいずれか一方を
含有するアモルファス材料、すなわち所謂水素化ａ−９
ｉ、ノ＼ロゲン化ａ−８ｉあるいはハロゲン含有水素化
ａ−９ｉ　（以後これ等を総称的にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）
と表記する）を含有する光導電層を有する光導電部材に
於いて、その層構造を特定化するように設計されて作成
された光導電部材は、実用上著しく優れた特性を示すば
かりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる
点において凌駕していること、殊に電子写真用の光導電
部材として著しく優れた特性を有していることを見出し
た点に基づくものである。

本発明は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ
解像度が高く、画像欠陥、画像流れの生じない高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電部材を
提供することを目的とする。

本発明の他の目的は、電気的、光学的、光導電的特性が
殆ど使用環境の影響を受けず常時安定している全環境型
であり、耐光疲労特性に著しく長け、繰り返し使用に際
しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、残留電位が全く
又は殆ど観測されない光導電部材を提供することを目的
とする。

本発明のもう一つの目的は、電子写真用像形成部材とし
て適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の
電荷保持能が充分あり、好ましくは電子写真法が極めて
有効に適用され得る優れた電子写真特性を有する光導電
部材を提供すること入。

である。

本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び積層された居間に良好な電気接触性を有する光
導電部材を提供することでもある。

すなわち本発明の光導電部材は、支持体と、この支持体
上に設けられ、ケイ素原子を母体とする非晶質材料を含
有する光導電性のある第１の層と、この第１の層上に設
けられ、ケイ素原子及び炭素原子を必須成分として含有
する第２の層とを有する光導電部材に於いて、前記第１
の層が、周期律表第■族から選ばれた少なくとも一種の
原子及び窒素原子を含有し、窒素原子については該層内
においてほぼ均一な濃度分布を有し、周期律表第■族原
子については層厚方向に関し前記支持体の設けられてい
る側の端面又はその近傍に最大濃度を有し、第２の層方
向に向かってその含有原子濃度が連続的に減じるような
濃度分布を有することを特徴とする。

光導電層が上記したような層構造を取るようにして構成
された本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真様像形成部材として適用させた場合には
帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像形成への残留電
位の影響が全くなく、その電気的特性が安定しており高
感度で、高ＳＮ比を有するものであって、画像濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高
品質の可視画像を得ることができ、耐光疲労、繰り返し
使用特性、殊に多湿雰囲気下での繰り返し使用特性に長
けている。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材について詳細
に説明する６ 第１図は、本発明の光導電部材の構成の実施態様例を説
明するために、層構造を模式的に示した図である。第２
ａ乃至２ｉ図は、本発明の光導電部材の第１の層中の周
期律表第■族原子の濃度分布を模式的に示した図である
。

本発明の光導電部材１００は、第１図に示されるように
、光導電部材用の支持体１ｏｌＪ：に、ａ−８ｉ、好ま
しくはａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）を主成分として含有する光導
電性のある第１のＭ２Ｏ３が形成されて、更にこの第１
の層１０２の上にケイ素原子及び炭素原子を必須成分と
して含有する第２の層１０３が形成されて構成される。

該第１の層中にドープ（含有）される窒素原子は、該層
内において、支持体面に平行な方向並びに該層の層厚方
向に関しほぼ均一な濃度分布状態をとる。一方、該第１
の層中にドープされる周期律表第■族原子については、
該層内において、支持体面に平行な方向に関してはほぼ
均一な濃度分布状態をとるが、層厚方向に関しては第２
ａ乃至２ｉ図（周期律表第■族原子をホウ素で代表させ
て図示してあり、縦軸は支持体からの距離、横軸は原子
濃度を示す）に示されるよう前記支持体−の設けられて
いる側の端面又はその近傍に最大濃度を有し、第２の層
方向へ向かってその含有原子濃度が連続的に減じるよう
な濃度分布を有する。

すなわち、本発明にいう周期律表第■族原子の濃度が連
続的に減じるような濃度分布とは、第２ｂ図の場合のよ
うに周期律表第■族原子の濃度が、層厚の増加に対して
漸次減少する場合のみを意味するものではなく、その他
の図の場合のように層厚に対しである長さの区間その含
有濃度が一定である部分を含んでもよい。但し、周期律
表第■前原子の濃度が、層厚に対し階段状のように不連
続（断＃ｉり的に変化してはならない。また、前記支持
体の設けられている側の端面又はその近傍の最大濃度を
有する部分についても層厚方向にある長さを有していて
もよいし、ただ一点であってもさしつかえない。

このように窒素原子が一定濃度でドーピングされ、かつ
周期律表第■前原子の濃度が層厚に対し上述したような
原子含有濃度を有するよう形成されてなる第１の層を有
する本発明の光導電部材が、電子写真用の感光体として
使用された場合に画像濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て、且つ解像度の高い、高品質の可視画像を得るこ
とができる理由は、窒素原子ドープによる光導電性を有
する第１の層の高抵抗化効果と、周期律表第■前原子ド
ープによる支持体側からの電荷の注入防止効果と、光導
電性を有する第１の層内に明確な界面がないことによる
、ダングリングボンドやエネルギーバンドの複雑なベン
ディングのないことが相乗的に作用することに基づくも
のと推定される。

第１の層中にほぼ一定の濃度で均一にドープされる窒素
原子の濃度は、好ましくは０．００５〜４０ａｔｏｍｉ
ｃ％、より好ましくは０．０１〜３５ａｔｏｍｉｃ％、
最適には　０．５〜３０ａｔｏ腸ｉｃ％とされる。

また、周期律表第■前原子の含有量は、その濃度が最大
の部分、すなわち該層の支持体の設けられている側の端
面又はその近傍部分において、好ましくは８０〜ＩＸ　
１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ＋ｓ、より好ましくは１０
０〜５Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、最適には１５
０〜ＩＸ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ、一方
極小部分、すなわち光導電部材の表面側においては、通
常は　１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐ＋＊、好ましく
は５〜７００ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、最適には１０〜５
００ａｔｏｍｉｃｐｐｍとされるのが望ましい。

上記の最大含有濃度と極小含有Ｓ度とは、それぞれ窒素
原子の含有濃度にあわせて適宜上記の数値範囲において
決定されるが、窒素原子の含有濃度に従ってそれぞれの
れの含有濃度を増加させるのが本発明の目的をより効果
的に達成する上で望ましい。また、最大含有濃度は極小
含有濃度に対して、好ましくは２倍以上、より好ましく
ｔ±３倍以上とされるのが望ましｌ／）。

本発明において第１の層中に含有されてもよし１ハロゲ
ン原子（Ｘ）としては、具体的に（±フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられるが、特に塩素、とりわけフッ素
を好適なものとして挙（ヂること力（できる。

第１の層中にドープされる周期律表第■前原子としては
、ホウ素、アルミニウム、度１ノウム、インジウム、タ
リウム等が挙げられるが、特番こホウ素を好適なものと
して挙げることができる。

本発明において使用される支持体として１１、導電性で
も電気絶縁性であっても良６ｓ。導電性支持体としては
、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ１、Ｃｒ、　Ｎｏ
、Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐ
ｄ　　等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネートセルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート
、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他の層
が設けられるのが望ましい。

すなわち、例えばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣ
ｒ、ＡＩ、Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｄ、　
Ｔａ、　Ｖ、Ｔｉ、　Ｐｔ、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎ２０３　＋　５ｎＯ７）等から成る薄膜を設
けることによって導電性が付与され、或いはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、
　Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ、八ｕ、Ｃｒ
、　Ｎｏ、Ｉｔ、Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状としては、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば第１図の光導電部材１００を電子写真
用像形成部材として使用するのであれば、連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が十分発揮され
る範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら
、このような場合支持体の製造上及び取扱い上、更には
機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

本発明において、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第１
の層を形成するには、例えばグロー放電法、スパッタリ
ング法、あるいはイオンブレーティング法等の放電現象
を利用する真空堆積法が適用される。

例えばグロー放電法によって、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で１
　　　構成される第１の層を形成するには、基本的には
ケイ素原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガス
と共に、水素原子（）ｌ）導入用の原料ガス及び／又は
ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス、並びに形成領域
の構成原子組成に応じて窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガ
ス及び周期律表第■族原子導入用の原料ガスを、所望に
よりＡｒ、　Ｈｅ等の不活性のガスと共に、その内部を
減圧にし得る堆積室内に所定の混合比とガス流量になる
ようにして導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによっ
て、予め所定位置に設置されている支持体表面上にａ−
９ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する。

また、スパッタリング法で第１の層を形成する場合には
、例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成された
ターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）及
び／又はハロゲン原子（Ｘ）導入用のガス並びに形成領
域の構成原子組成に応じて窒素原子（Ｎ）導入用の原料
ガス及び周期律表第ｍ族原子導入用の原料ガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入してやれば良い。

第１の層を形成するのに使用されるＳｉ供給用の原料ガ
スとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，５ｉ
４Ｈ，ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化ケイ素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の
点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げら
れる。

本発明において水素原子を第１の層中に導入するには、
主にＨ２、あるいは前記のＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６゜Ｓｉ
３Ｈ８，５ｉ４Ｈ＋ｏ等の水素化ケイ素のガスを堆積室
中に供給し、放電を生起させて実施される。

本発明において第１の層を形成するのに使用できるハロ
ゲン原子導入用の原料ガスとして有効なのは、多くのハ
ロゲン化物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物
が好ましく挙げられる。更には、ケイ素原子とハロゲン
原子とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、
ハロゲン原子を含むケイ素化合物も有効なものとして挙
げることができる。

本発明において第１の層を形成するのに好適に使用し得
るハロゲン化合物としては、具体的には、フッ素、塩素
、臭素、ヨウ素等のハロゲンガス：　ＢｒＦ　、　ＣＩ
Ｆ　、ＣＩＦａ、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＨＦ３．　ＩＦ
７、ＩＣＩ　、　ＩＢｒ等ハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。

ハロゲン原子を含むケイ素化合物、所謂”、ハロゲン原
子で置換されたシラン誘導体としては、具体的にはＳｉ
Ｆ４、Ｓｉ２Ｆ６．５ｉＣ１４，ＳｉＢｒ４等ノハロゲ
ン化ケイ素が好ましいものとして挙げられることができ
る。

第１の層中にハロゲン原子を導入する際の原料ガスとし
ては、上記されたハロゲン化合物あるいはハロゲンを含
むケイ素化合物が有効なものとして使用されるものであ
るが、その他にＨＦ、　ＨＣＩ、ＨＢｒ　、　Ｈ１等ノ
ハロゲン化水素、５ｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ，、Ｉ２．５ｉ
Ｈ２Ｃ１２＋　５ｉＨＣ１３，５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉ
）ＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化ケイ素、等々のガス
状態のあるいはガス化し得る、水素原子を構成要素の一
つとするハロゲン化物も有効な第１の層形成用の出発物
質として挙げることができる。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、第１の層形成
の際に層中に、電気的あるいは光電的特性の制御に極め
て有効な成分としての水素原子の導入と同時に、ハロゲ
ン原子も導入することができるので、本発明においては
好適なハロゲン原子導入用の原料として使用される。

本発明において第１の層を形成するのに使用される窒素
原子供給用の原料ガスとしては、Ｎを構成原子とする、
例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）　、　　ヒ
ドラジン（８２ＮＮＨ２）アジ化水素（ＨＮ３）、アジ
化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等のガス状の又はガス化
し得る窒素、窒化物、アジ化物等の窒素化合物を挙げる
ことができる。この他に、窒素原子の導入に加えてハロ
ゲン原子の導入もできるという点から、三フン化窒素（
Ｆ　Ｎ）四フッ化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素
化合物を挙げることができる。

：　　　　　　本発明において第１の層を形成するのに
使用される周期律表第■族原子供給用の原料ガスとして
は、　Ｂ２Ｈ６、Ｂ４　’１０　’　Ｑｓ　’９、Ｂ５
Ｈｎ、Ｂ６ＨＩｏ、ＧａＣｊ、　。

ＡＬＣＩ　　、　ＢＦ　　、　ＢＣＩ　、　ＢＢｒ３、
ＢＩ３等を挙げること３　　　　　　３　　　　　　　
　３ ができる。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）から成る第１の層を形成する
には、例えばスパッタリング法の場合にはＳｉから成る
ターゲットを使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲
気中でスパッタリングし、イオンブレーティング法の場
合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源と
して蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加
熱法、あるいはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によ
って加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰囲
気中を通過させることによって実施できる。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも、形成される第１の層中に所定の原子を
導入するには、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子
（Ｘ）導入用のガス、並びに形成領域の構成原子組成に
応じて窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガス及び周期律表第
■族原子導入用の原料ガスを、必要に応じてＨｅ、　Ａ
ｒ等の不活性ガスも含めてスパッタリング、イオンブレ
ーティング室中に導入して、該ガスのプラズマ雰囲気を
形成してやれば良いものである。

第１の層中に含有される水素原子、ハロゲン原子、窒素
原子、周期律表第■族原子の量を制御するには、例えば
水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）窒素原子（Ｎ）、
周期律表第■族原子を含有させるために使用される出発
物質の堆積装置系内へ導入する量、支持体温度、放電電
力等の一種以上を制御してやれば良い。

本発明において、第１の層をグロー放電法又はスパッタ
リング法で形成する際に使用される稀釈用ガスとしては
、所謂稀ガス、例えばＨｅ、Ｈｅ、　Ａｔ等を好適なも
のとして挙げることができる。

本発明に於ける光導電性のある第１の層１０２上に形成
される第２の層１０３は、自由表面を有し、主に耐湿性
、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性
、耐久性において本発明の１」的を達成するために設け
られる。

本発明に於ける光導電性のある第１の層と第２の層の各
々がケイ素原子という共通の構成原子を有しているので
、積層界面において化学的な安定性が十分確保されてい
る。

本発明に於ける第２の層１０３は、ケイ素原子と炭素原
子と、必要に応じて水素原子及び／又はハロゲン原子を
含有する非晶質を主成分とする材料（以後、ａ−（Ｓｉ
ｘｃｌ　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｙと記す、但し
、Ｏ＜　　ｘ、　　ｙ＜　　１）で構成される。

ａ−（ＳＩＸ　Ｃ１−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋−ｙで
構成される第２の層の形成は、グロー放電法、スパッタ
リング法、イオンインプランテーション法、イオンブレ
ーティング法、エレクトロンビーム法等によって実施さ
れる。これらの製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望する特性を有する光導電部材を製造するための条件の
制御が比較的容易であり、かつケイ素原子と共に炭素原
子やハロゲン原子を作製する第２の層中に導入するのが
容易に行える等の利点から、グロー放電法あるいはスパ
ックリング法が好適に採用される。また、グロー放電法
とスパッタリング法とを同一装置系内で併用して第２の
層を形成してもよい。

グロー放電法によって第２の層を形成するには、ａ−、
（ＳｘＸｃ、−ｘ）ｙ　（”、ＸＬ−ｙ形成用の原料ガ
スを、必要に応じて希釈ガスと所定の混合比で混合し、
光導電性のある第１の層が形成された支持体の設置しで
ある真空堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスをグ
ロー放電を生起させることによりガスプラズマ化して、
前記支持体上の光導電性のある第１の層上にａ−（Ｓｌ
ｘ　ＣＩ　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋−ｙを堆積させ
ればよい。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｔｘ　ＣＩ　−ｘ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙ形成用の原料ガスとしては、ケイ素原
子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）及びハロ
ゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも−・つをその構成原子
として含有するガス状の物質又はガス化し得る物質をガ
ス化したものの内の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、　Ｃ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子と
する原料ガスを使用する場合には、例えば、Ｓｉを構成
原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと
、必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス及び／又は
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、あるいは、Ｓｉを構成原子とする原料ガ
スと、Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス及び／又はＣ
及びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、あるいはまた、Ｓｉを構成原子とす
る原料ガスと、Ｓｉ、　Ｃ及びＨの三つを構成原子とす
る原料ガス又はＳｉ、　Ｃ及びＸの三つを構成原子とす
る原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する例が挙
げられる。

あるいは他法として、ＳｉとＨとを構成原子とする原料
ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスとを混合して使用
してもよいし、あるいはＳｉとＸとを構成原子とする原
料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスとを混合して使
用してもよい。

本発明に於いて、第２の層中に含有されてもよいハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ、Ｃ１，Ｂｒ、■
であり、殊にＦ　、　ＣＩをか望ましいものである。

本発明に於いて、第２の層形成用の原料ガスとして有効
に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とするＳｉＨ
４、Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，５ｉ４Ｈ，ｏ等の水素化
ケイ素ガス：ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素原
子数　１〜４の飽和炭化水素、炭素原子数２〜４のエチ
レン系炭化水素、炭素原子数２〜４のアセチレン系炭化
水素；ハロゲン単体；ハロゲン化水素；ハロゲン間化合
物；ハロゲン化ケイ素；ハロゲン置換水素化ケイ素等を
挙げることができる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン、エタン、
プロパン、ｎ−ブタン、ペンタン；エチレン系炭化水素
としては、エチレン、プロピレン、フテンーｌ、ブテン
−２、ｉ−ブチレン、ペンテン；アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン、メチノヒアセチレン、ブチン：
ハロゲン単体＼ としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス
；ハロゲン化水素としては、ＨＦ、旧、ＨＣｌＨＢｒ；
ハロゲン間化合物としては、ＣＩＦ　、　ＣＩＦ、ＣＩ
Ｆ、　　ＢｒＦ、　　ＢｒＦ、　　ＢｒＦ、　　ＩＦ　
　　、　　ＩＦ　　　、　　ＩＣＩ　　。

３　　　　　　５　　　　　　５　　　　　　７ＩＢｒ
　　；ハロゲン化ケイ素としては、ＳｉＦ４、Ｓｉ、、
Ｆ６゜５ｉｌ１４．５ｉｌ１３Ｂｒ　、　５ｉＣ１２Ｂ
ｒ２．５ｉＣＩＢｒ３．　ｔｉ＝ｅ＝ｔ＝ｔ＝Ｓｉｌ１
３１．　ＳｉＢｒ４；ハロゲン置換水素化ケイ素として
は、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ２ＣＩ２．５ｉＨＣ’１３、
Ｓ鳴Ｃ１，９ＳｊＪＩ３Ｂｒ、　５ｉ１２　Ｂｒ２　　
、５ｉＨＢｒ等を挙げることができる。

これ等の他に、ＣＦ　　、　ＣＣｌ２、ＣＢ　ｒ４、Ｃ
ＨＦ３．０Ｈ２Ｆ２．　ＣＨ３Ｆ、　０Ｈ３Ｃ１、ＣＨ
３Ｂｒ　、　ＣＨ−１Ｃ２Ｈ５Ｃ１等のハロゲン置換パ
ラフィン系炭化水素、ＳＦ４　　、ＳＦ　　等のフッ素
化値数化合物；　５ｉ（Ｃ［）、４ Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４、等のケイ化アルキル；　５ｉｌｌ
（ＣＨ３）３、！３ｉＣＩ２（ＣＨ）　　、　５ｉＣ１
３ＣＨ３等のハロゲン含有ケイ　　２ 化アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙げる
ことができる。

これ等の第２の層形成物質は、形成される第２の層中に
、所定の組成比でケイ素原子、炭素原子及び必要に応じ
てハロゲン原子及び／又は水素原子が含有されるように
、第２の層の形成の際に所望に従って選択されて使用さ
れる。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易になし得てかつ所望の特性の層が形成され得る５ｉ
（Ｃ）＋３）４と、ハロゲン原子を含有させるものとし
ての５ｉＨｔｌ：ｌｌ、　５ｉ）Ｉ２ＣＩ２　、５ｉＣ
１４又はＳｉＨ３Ｃｌ等を所定の混合比にしてガス状態
で第２の層形成用の装置内に導入してグロー放電を生起
させることによってａ−（ＳｉｘＣｓ−ｘ、）ｙ（Ｈ，
ｘＬ−ｙから成る第２の層を形成することができる。

スパッタリング法によって第２の層を形成するには、単
結晶若しくは多結晶のＳｉウェーハー及び／又はＣウェ
ーハーあるいはＳｉとＣが混合されて含有されているウ
ェーハーをターゲットとして、これ等を必要に応じてハ
ロゲン原子及び／又は水素原子を構成要素として含む種
々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行
えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、Ｃと、Ｈ及び／又はＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパッタ用の堆積室
中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前
記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすればよい。

また、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、
あるいはＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用す
ることによって、必要に応じて水素原子又は／及びハロ
ゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリングする
ことになって成される。

Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質としては、
先述したグロー放電の例で示した第２の層形成用の物質
がスパッタリング法の場合にも有効な物質として使用さ
れ得る。

本発明において、第２の層をグロー放電法又はスパッタ
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂希ガス、例えばＨｅ、　Ｎｅ、　Ａｒ等が好適なも
のとして挙げることができる。

本発明における第２の層は、その要求される特性が所望
通りに与えられるように注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、　Ｃ、必要に応じてＨ及び／又はＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気的性質とし
ては、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、
また光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を
各々示すので、本発明においては、目的に応じた所望の
特性を有するａ−（ＳｔｘＣｌ−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）
　＋−ｙが形成されるように、所望に従ってその作成条
件の選択が厳密に成される。例えば、第２の層を電気的
耐圧性の向上を主な目的として設ける場合には、ａ−（
ＳｔＸｃ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙは使用環
境において電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として
作成される。

また、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第２の層が設けられる場合には上記の電気
絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対し
である程度の感度を有する非晶質材料としてａ−（Ｓｔ
ｘ　Ｃｓ　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙが作成され
る。

第１の層の表面上にａ−（Ｓｉｘ　ｃ、　−Ｘ　）ｙ　
（’Ｈ，Ｘ）　＋−ｙから成る第２の層を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性
を左右する重要な因子の一つであって、本発明において
は、目的とする特性を有するａ−（Ｓｉｘ　Ｃｓ　−ｘ
　）ｙ　（Ｈ，ＸＬ−ｙが所望通りに作成され得るよう
に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。

本発明における、所望の目的が効果的に達成されるため
の第２の層の形成法に合わせて適宜最適範囲が選択され
て、第２の層の形成が実行されるが、好ましくは、２０
〜４００℃、より好適には５０〜３５０℃、最適には　
１００〜３００℃とされるのが望ましいものである。第
２の層の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な
制御が他の方法に比べて比較的容易であること等のため
に、グロー放電法やスパッタリング法の採用が有、利で
あるが、これ等の層形成法で第２の層を形成する場合に
は、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワー
が作成されるａ−（ＳｉｘＣｓ−ｘ）ｙ（Ｈ，ｘＬ−ｙ
の特性を左右する重要な因子の一つとして挙げることが
できる。

本発明における目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（！３ｘＸｃ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　
ｒ−ｙが生産性よく効果的に作成されるための放電パワ
ー条件としては、好ましくは１０〜３００Ｗ、より好適
には２０〜２５０Ｗ、最適には５０〜２００Ｗとされる
のが望ましいものである。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．０１〜Ｉ　
Ｔｏｒｒ、好適には、　　０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度
とされるのが望ましい。

本発明においては第２の層を作成するための支持体温度
、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した範囲の
値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは、独立
的に別々に決められるものでなく、所望特性のａ−（Ｓ
ｉｘ　Ｃ，−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　、−ｙから成る第
２の層が形成されるように相互的有機的関連性に基づい
て各層作成ファクターの最適値が決められるのが望まし
い。本発明の光導電部材における第２の層に含有される
炭素原子の量は、第２゛の層の作成条件と同様、本発明
の目的を達成される所望の特性が得られる第２の層が形
成されるための重要な因子の一つである。

本発明における第２の層に含有される炭素原子の量は、
第２の層を構成する非晶質材料の特性に応じて適宜所望
に応じて決められるものである。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓｆｘ　Ｃ＋　−ｘ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙで示される非晶質材料は、大別すると
、ケイ素原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、ａ−ＳｉｌＣＨ−＠と記す。但し、Ｏ＜　ａ＜　１
）　、ケイ素原子と炭素原子と水素原子とで構成される
非晶質材料（以後、ａ−（Ｓｉｂ　Ｃ＋　−ｂ　）ｃ　
Ｈ＋−ｅと記す。但し、０　＜　ｂ、　ｃ　＜　　１）
　、ケイ素原子と炭素原子とハロゲン原子と必要に応じ
て水素原子とで構成される非晶質材料（以後、ａ−（Ｓ
ｉｎ　ｃｌ　−ｄ）ａ　（Ｈ，Ｘ）　ｌ−ａと記す。但
し、Ｏ＜ｄ、ｅ＜１）に分類される。

本発明において、第２の層がａ−８ｉａＣ、−ａで構成
される場合、第２の層に含有される炭素原子の量は、好
ましくは、Ｉ　Ｘ　１０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好適には１〜８０ａｔｏ＋ｓｉｃ％、最適には１０〜
７５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。

即ち、先のａ−９＋ａＣ＋−ａのａの表示で行えば、ａ
が好ましくは０．１〜０．９１］９Ｈ１より好適には０
．２〜０．１１１９、最適には０．２５〜０．９である
。

一方、本発明において、第２の層が ａ−（Ｓ、ｉｂ　ｃｌ　−ｂ　）ｅ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−
ｃ　”ｔ’構成される場合、第２の層に含有される炭素
原子の量は、好ましくはＩＸ　１０’　〜９０ａｔｏｍ
ｉｃ％とされ、より好ましくは１〜９０ａｔｏｓ＋ｉｃ
％とされるのが望ましいものである。

水素原子の含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最
適には５〜３０ａｔｏ＋ｉｉｃ％とされるのが望ましく
、これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成される光
導電部材は、実際面において優れたものとして・充分適
用させ得るものである。

即ち、先のａ−（Ｓｉｂ　Ｃ＋　−ｂ）ｅ　（Ｈ，Ｘ）
ｔ−ｃの表示で行えば、ｂが好ましくは０．１〜０．９
９９９９、より好適には０．１〜０．９９、最適には０
．１５〜０．９、Ｃが好ましくは０．６〜０．９８、よ
り好適には０．６５〜０．９８、最適には０．７〜０．
９５であるのが望ましい。

第２の層が、ａ−Ｃ３ｉａ　Ｃ＋　−ａ　）＋　（Ｈ，
Ｘ）　＋−８で構成される場合には、第２の層中に含有
される炭素原子の含有量としては、好ましくは、ｌＸｌ
０−３〜θＯａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜９０ａ
’ｔｏ＋＊ｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％
とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含有
量としては、好ましくは、　１〜２０ａｔｏｍｉｃ％、
より好適には１〜１８ａｔｏｍｉｃ％、最適には２〜１
５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲
にハロゲン原子含有量がある場合に作成される光導電部
材を実際面に充分適用させ得るものである。必要に応じ
て含有される水素原子の含有量としては、′好ましくは
１９ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適には１３ａｔｏｍｉ
ｃ％以下とされるのが望ましいものである。

即ち、先ノａ−（ＳｉｉＣ＋−＋）ｅ（Ｈ，Ｘ）＋−ｅ
のｄ、ｅノ表示で行えば、ｄが好ましくは、０．１〜０
．９９９９９より好適には０．１〜０．８８、最適には
０．１５〜０．θ、ｅが好ましくは０．８〜０．８９．
より好適には０．８２〜０．８８、最適には０．８５〜
０．８８であるのが望ましい。

本発明における第２の層の層厚の数値範囲は、本発明の
目的を効果的に達成するように所期の目的に応じて適宜
所望に従って決められる。

また、第２４７）層の層厚は、該第２の層中に含有され
る炭素原子の量や第１の層の層厚との関係においても、
各々の層に要求される特性に応じた有機的な関す性の下
に所望に従って適宜決定される必要がある。更に加え得
るに、生産性や置土産を加味した経済性の点においても
考慮されるのが望ましい。

本発明における第２の層の層厚としては、好ましくは０
．００３〜３０鱗、より好適には０．００４〜２０騨、
最適には０．００５〜１０騨とされるのが望ましいもの
である。

第２の層中に含有される炭素原子の量は、グロー放電法
による場合には、例えば炭素原子導入用のカスの堆積室
内に導入するガス流量を調整することにより制御でき、
またスパッタリング法で層形成を実施する場合には、タ
ーゲットを形成する際にシリコンウェハーとグラファイ
トウェハーのスパンタ面積比率を変えるか、又はシリコ
ン粉末とグラファイト粉末の混合比率を変えてターゲッ
トを成型することによって、所望に応じて制御すること
ができる。

第２の層中に含有されるハロゲン原子の量は、ハロゲン
原子導入用の原料ガスの堆積室内に導入するガス流量を
調整することにより制御できる。

次にグロー放電分解法によって生成される光導電部材の
製造方法の例について説明する。

第３図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す。

図中の１１０２〜１１０８のガスポンベには、本発明の
光導電部材の非晶質層を形成するための原料ガスが密封
されており、その−例として、例えば１１０２は、Ｓｉ
Ｈ４ガス（純度Ｈ，９９％）ボンベ、１１０３はＢ２で
希釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９％、以下８２
　Ｈ６／Ｂ２ガスと略す）ボンベ、　１１０４はＮＨ３
ガス（純度９９．８９％）ボンベ、１１０５はＣＨ４ガ
ス（純度８９．９９％）ボンベ、１１０６はＳｉＦ４ガ
ス（純度９９．９９％）ボンベである。図示されていな
いがこれら以外に、必要に応じて所望のガス種を増設す
ることがｏｆ能である。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるには、ガス
ポンベ１１０２〜１１０６の各バルブ１１２２〜１１２
６及びリークバルブ１１３５が閉じられていることを確
認し、また、流入バルブ１１１２〜１１１Ｂ、流出バル
ブ１１１７〜１１２１及び補助バルブ１１３２．１１３
３が開かれていることを確認して、先づメインバルブ１
１３４を開いて反応室１１０１及びガス配管内を排気す
る０次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ　１０４ｔｏｒ
ｒになった時点で補助バルブ１１３２．１１３３及び流
出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。続いてガスボン
ベ１１０２より５ｉ）ｌ、ガス、ガスポンベ１１０３よ
りＢ２Ｈ６／Ｂ２ガス、ガスポンベ１１０４よりＮＨ３
ガス、ガスポンベ１１０５よりＯＨ４ガス、ガスポンベ
１１０６よりＳｉＦカスをそれぞれバルブ１１２２〜１
１２６を開いて出口圧ゲージ１１２７〜１１３１の圧を
ＩＫｇ　／　ｃｍ２に調整し、流入バルブ１１１２〜１
１１Ｂヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０７
〜１１１１内に流入させる。引き続いて流出バルブ１１
１７〜１１２１及び補助バルブ１１３２．１１３３を徐
々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流出させる。

このときのこれら各ガス流量の比が所望の値になるよう
に流出バルブ１１１７〜１１２１を調整し、また、反応
室内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読
みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整する。

そして気体シリンダー１１３７の温度が加熱ヒーター１
１３８により５０〜４００℃の温度に設定されているこ
とを確認した後、電源１１４０を所望の電力に設定して
反応室１１０１内にグロー放電を生起させる。

同時にあらかじめ設計されたホウ素原子含有量曲線が得
られるようにＢ２Ｈ６／Ｂ２ガス流量を適宜変化させ、
それに応じて変化するプラズマ状態を補正する意味で放
電パワー、基板温度等を制御して第１の層を形成する。

また、層形成を行っている間は、層形成の均一化を計る
ために基体シリンダー１１３７をモータ１１３８により
一定速度で回転させる。

次に使用した全てのガス操作系バルブを閉じ、反応室１
１０１を一旦高真空まで排気する。真空計１１３６の読
みが約５×ｌＯ″Ｂｔｏｒｒになったら上記の場合と同
様な操作の繰り返しを行い、５ｉＨＪ４．　ＣＨ４及び
必要に応じＨｅ等の局釈ガスの操作系バルブを開け、各
原料ガスの流量が所望の値となるようコントロールし、
第１の層の場合と同様にしてグロー放電を生起させ第２
の層が形成される。第２の層中にハロゲン原子を含有さ
せる場合には、ＳｉＦの操作系バルブを同時に開け、グ
ロー放電を生起させればよい。

以下、実施例について説明する。

実施例１ 第３図に示した光導電部材の製造装置を用い、先に詳述
したグロー放電分解法によりＡＩ製のシリンダー上に第
１表にした製造条件に従い非晶質層を形成した。得られ
たドラム状の光導電部材の一部を切り取り、二次イオン
質量分析装置を使用して層厚方向のホウ素原子及び窒素
原子濃度の定量を実施し、第４図に示した濃度分布結果
を得た。

また、ドラム状の光導電部材の残りの部分を電子写真装
置にセ・ントして帯電コロナ電圧＋６ＫＶ、画像露光０
．８〜１．５１ｕｘ・ｓｅｃにより潜像を形成し、引き
続き現像、転写、定着の各プロ士スを周知の゛方法で実
施し、画像評価を行なった。画像評価は通常の環境下で
Ａ４サイズの用紙を用い、通算ｉｏ万枚相当の画像出し
を実施し、高温高湿環境下で更に１０万枚相当の画像出
しを実施し、−万枚毎のサンプルにつき各画像の［濃度
］　［解像性コ　［階調再現性］　［画像欠陥］等の優
劣をもって評価したが、環境条件、耐久枚数によらず、
上記全ての項目について極めて良好な評価が得られた。

特に。

［濃度］の項目については特筆すべきものがあり、極め
て高濃度のものが得られることが確認された。これは電
位測定の結果からも裏付けられており、例えば窒素無添
加のものと比較すると、１．５〜２倍程度受容電位が向
上していることが判明している。この電荷受容能の向上
は単に画像濃度のみにとどまらず、広いコロナ条件のラ
ティチュードが得られ、画質の選択範囲が拡大されると
いう大きな利点を有する。

また、［画像欠陥］についても極めて良好な結果が得ら
れたが、これは非晶質層の支持体近傍に極大部分がある
第４図のようなホウ素原子濃度分布をもたせた効果とみ
られ、このようなホウ素原子濃度分布をもたないものと
の差は歴然であった。

実施例２ 窒素原子の濃度並びにホウ素原子の濃度度分布形態を変
えたことを除いては実施例１と同様な方法でドラム状の
光導電部材を作製した。製造条件の詳細については第１
表に示す。このドラム状の光導電部材について実施例１
と全く同様な構成原子濃度の分析、画像評価を実施した
。その結果、Ｍ２Ｓ図に示した窒素原子及びホウ素原子
濃度分布結果を得た。また、画像評価についても実施例
１とほぼ同等の良好な結果を得た。

比較例１及び実施例３〜５ 窒素原子の濃度並びにホウ素原子の濃度度分布形態を、
第６図（比較何重）及び第７〜９図（実施例３〜５）の
ように変えたことを除いては実施例１と同様な方法でド
ラム状の光導電部材を作製した。これらのドラム状の光
導電部材について実施例１と全く同様な画像評価を実施
した。その結果、比較例１のドラム状の光導電部材につ
いては画像欠陥が比較的多く、高温高湿条件下では画像
流れが生じた。一方、実施例３〜５のドラム状の光導電
部材については、初期、耐久後共に画像欠に優れたコン
トラスト画像が得られ、高温高湿条件下においても画像
流れは生じなかった。

実施例６ 第１の層については、それぞれ実施例１、？、３と同様
な条件と手順に従って形成したドラム状光導電部材上に
、特開昭５７−５２１７８、同５７−５２１７９に詳細
に開示されているスパッリング法により、第２の層を第
３−１表に示す各条件によりそれぞれ形成した試料９種
と、第３−２表に示す各条件に変えた以外は実施例１と
同様なグロー放電法により第２の層を前記と同じドラム
状光導電部材上にそれぞれ形成した試料１５種（試料Ｎ
ｆＬ８−１−１〜Ｂ−１８、Ｂ−２−１〜Ｂ−２−８，
６−３−１〜Ｂ−３−８の合計２４個の試料）を作成し
た。

こうして得られた各電子写真用像形成部材のそれぞれを
個別に複写装置に設置し、−５，ＯＫＶで０．２ｓｅｃ
間コロナ帯電を行い、光像を照射した。

光源はタングステンランプを用い、光量は１．０１ｕｘ
　ｍ　ｓｅａとした。潜像は十荷電性の現像剤（トナー
とキャリアーを含む）によって現像され、通常の紙に転
写された。転写画像は、極めて良好なものであった。転
写されないで電子写真用像形成部材」二に残ったトナー
は、ゴムブレードによってクリーニングされた。このよ
うな工程を繰り返し１０万回以上行っても、いずれの場
合も画像の劣化は見られなかった。

各試料の転写画像の総合画質評価と繰り返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第４表に示した。

実施例８ スパッリング法により形成する第２の層の形成時に、シ
リコンウェーハーとグラファイトのターゲツト面積比を
変えて、第２の層におけるケイ素原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な方法に
よって像形成部材のそれぞれを作成した。こうして得ら
れた像形成部゛）　　　　材のそれぞれにつき、実施例
１と同様な、作像、１　　　　　現像、クリーニングの
工程を１０万回繰り返した後画像評価を行ったところ、
第５表に示した結果を得た。

実施例８ 第２の層の形成時、ＳｉＨガスとＣ２Ｈ４ガスの流量比
を変えて、第２の層におけるケイ素原子と炭素原子の含
有量比を変化させる以外は実施例１と全く同様な方法に
よって像形成部材のそれぞれを作成した。こうして得ら
れた像形成部材のそれぞれにつき、実施例１と同様な、
作像、現像、クリーニングの工程をｌＯ万回繰り返した
後画像評価を行ったところ、第６表に示した結果を得た
。

実施例９ 第２の層の形成時、ＳｉＨ４ガス、５ＩＩ４ガス、Ｃ２
Ｈ４ガスの流量比を変えて、第２の層におけるケイ素原
子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例１
と全く同様な方法によって像形成部材のそれぞれを作成
した。こうして得られた像形成部材のそれぞれにつき、
実施例１−と同様な、作像、現像、クリーニングの工程
を１０万回繰り返した後画像評価を行ったところ、第７
表に示した結果を得た。

第３−１表 スパッタリング中、Ａｒを　２０Ｏ５ＣＣに供給筒３−
２表 ｘ＋５ｉＨ４／Ｈｅ＝　　１．　ＨｔｓｉＨ４／Ｈｅ＝
０．５　、　　ｘｓｉＦ４／Ｈｅ＝０．５−第４表

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の構成の実施態様例を説
明するために層構造を模式的に示した図である。第２ａ
〜２ｄ図は、本発明の光導電部材の第１の層中の周期律
表第■族原子の濃度分布を模式的に示した図である。第
３図は、グロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示した図である。第４．５．７〜９図は、本発明の実
施例に於ける光導電部材の構成原子濃度分布の分析結果
を示した図である。第６図は比較例の光導電部材の構成
原子濃度分布の分析結果を示した図である。 １００：光導電部材　　１０１：支持体１０２：第１の
層　　　１０３：第２の層１１０１　：反応室 １１０２〜１１０８：ガスボンベ １１０７〜ｔｉｌｌ　：マスフロコントローラ１１１２
〜１１１６：流入バルブ １１１７〜１１２１　：流出バルブ １１２２〜１１２８：バルブ １１２７〜１１３１　：圧力調整器 １１３２　：補助バルブ　　１１３３：メインバルブ１
１３４　：ゲート／ヘルプ　１１３５：リークバルブ１
１３Ｂ　：真空計　　　　１１３７　：基体シリンダー
１１３８　：加熱ヒーター　１１３９：モータ１１４０
：高周波電源（マツチングボックス）特許出願人　　キ
ャノン株式会社 第　　４　　図 第　　５　　図 第　　６　　図 第　　７　　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）、支持体と、この支持体上に設けられ、ケイ素原子
   を母体とする非晶質材料を含有する光導電性のある第１
   の層と、この第１の層上に設けられ、ケイ素原子及び炭
   素原子を必須成分として含有する第２の層とを有する光
   導電部材に於いて、前記第１の層が、周期律表第■族か
   ら選ばれた少なくとも一種の原子及び窒素原子を含有し
   、窒素原子については該層内においてほぼ均一な濃度分
   布を有し、周期律表第■族原子については層厚方向に関
   し前記支持体の設けられている側の端面又はその近傍に
   最大濃度を有し、第２の層方向に向かってその含有原子
   濃度が連続的に減じるような濃度分布を有することを特
   徴とする光導電部材。