JPS59182965A - 内面金属化方法及び装置 - Google Patents
内面金属化方法及び装置Info
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- JPS59182965A JPS59182965A JP59048025A JP4802584A JPS59182965A JP S59182965 A JPS59182965 A JP S59182965A JP 59048025 A JP59048025 A JP 59048025A JP 4802584 A JP4802584 A JP 4802584A JP S59182965 A JPS59182965 A JP S59182965A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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-
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- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は内面金属化方法及び装置、特に陰極線管等の壁
側内面に金属被膜を被着形成(メタライズ)する方法及
び装置に関する。
側内面に金属被膜を被着形成(メタライズ)する方法及
び装置に関する。
背景技術とその問題点
陰極線管(以下CRTという)の製造に際し、例えばア
ルミニウムの如き導電材料をCRTのフェースプレート
内面及びその近傍のファネル部に被着して、CRTのネ
ック部に配した電子銃からの電子ビームをフェースプレ
ートへ加速する電界を確立する必要がある。
ルミニウムの如き導電材料をCRTのフェースプレート
内面及びその近傍のファネル部に被着して、CRTのネ
ック部に配した電子銃からの電子ビームをフェースプレ
ートへ加速する電界を確立する必要がある。
従来、CRTの内面は1以上のアルミニウム箔で覆った
編組タングステンフィラメントをCRT内へ仲人して加
熱することによりアルミナイズしていた。即ち、このフ
ィラメントを電源に接続し、これを加熱することにより
アルミニウムを蒸発させてCRT内面をアルミナイズし
ていた。このアルミニウム蒸気はC)tT内面に果申し
て所望アルミニウム被膜を形成する。しかし、この1価
は、タングステンフィラメントを頻素に交換する必要が
あるので尚1曲となり、また溶融したアルミニウムはフ
ィラメントに沿って移動してアルミニウムが蒸発する場
所は最初のアルミニウム箔の位置とは異なるので、一定
性がない。更にまた、溶融したアルミニウムはフィラメ
ントのタングステンと合金を作り、フィラメントを腐蝕
し、またもろくする。フィラメントがもろくなると、新
らしいアルミニウム箔をフィラメントに取付ける毎にフ
ィラメントに物理的な力が加わるので、これを破損する
危険が増す。
編組タングステンフィラメントをCRT内へ仲人して加
熱することによりアルミナイズしていた。即ち、このフ
ィラメントを電源に接続し、これを加熱することにより
アルミニウムを蒸発させてCRT内面をアルミナイズし
ていた。このアルミニウム蒸気はC)tT内面に果申し
て所望アルミニウム被膜を形成する。しかし、この1価
は、タングステンフィラメントを頻素に交換する必要が
あるので尚1曲となり、また溶融したアルミニウムはフ
ィラメントに沿って移動してアルミニウムが蒸発する場
所は最初のアルミニウム箔の位置とは異なるので、一定
性がない。更にまた、溶融したアルミニウムはフィラメ
ントのタングステンと合金を作り、フィラメントを腐蝕
し、またもろくする。フィラメントがもろくなると、新
らしいアルミニウム箔をフィラメントに取付ける毎にフ
ィラメントに物理的な力が加わるので、これを破損する
危険が増す。
フィラメントの腐蝕はぜい弱化レス上に問題となる。腐
蝕はフィラメント全長にわたり均一には生じないので、
フィラメントには断面積の減少した部分が局所に生じ、
加熱時に他の部分より嶋濡となり腐蝕を加速して、フィ
ラメントのその部分に−rm <びれを生じる。もしア
ルミニウム箔が毎回児全に蒸発しなければ、残留アルミ
ニウムがフィラメントの低温部に蓄積して、その結果ア
ルミニウムを十分に蒸発するには史に大成流をフィラメ
ントに匠丁心安が生じ、高搗部の腐蝕を加速することと
なる。フィラメントは究極的にはこれら腐蝕部において
ダメになる。
蝕はフィラメント全長にわたり均一には生じないので、
フィラメントには断面積の減少した部分が局所に生じ、
加熱時に他の部分より嶋濡となり腐蝕を加速して、フィ
ラメントのその部分に−rm <びれを生じる。もしア
ルミニウム箔が毎回児全に蒸発しなければ、残留アルミ
ニウムがフィラメントの低温部に蓄積して、その結果ア
ルミニウムを十分に蒸発するには史に大成流をフィラメ
ントに匠丁心安が生じ、高搗部の腐蝕を加速することと
なる。フィラメントは究極的にはこれら腐蝕部において
ダメになる。
フィラメントの加熱及び冷却中のフィラメントのクラン
プ作用もまたフィラメントにストレスを生じて、それを
破損し易くする。
プ作用もまたフィラメントにストレスを生じて、それを
破損し易くする。
ハイブリッド回路、集積回路、及び薄膜素子等の製造に
際してアルミナイズするには電子ビームが使用されるこ
とがある。従来の′m子ビーム装置の1つはアルミニウ
ムを入れるグラファイトるつぼと走査電子ビーム源を可
とする電子ビーム源より成る。このるつぼをある正電圧
に偏倚し、電子ビームがるつぼ内のアルミニウムに直接
当るようにする。るつぼと、電子ビーム源とアルミナイ
ズする加工物をすべて真空容器中に入れる。電子ビーム
がるつぼ内のアルミニウムに衝突すると、アルミニウム
を加熱蒸発する。そこでアルミニウム蒸気が力a1物に
染申して希望するアルミニウムの被膜を形成する。従来
行っている電子ビームによるアルミナイズは、通常ファ
ネルを下にしてフェースプレートラ水平にしているC)
LTには適用できない。その理由は、電子ビームを管球
内に設けなければならない為である。CRT内のフェー
スプレートのすぐ下になるよう配置でき、しかも管球の
ネック部から出し入れできる程小型の電子ビーム源を作
ることは不可能ではないとしても極めて困難である。
際してアルミナイズするには電子ビームが使用されるこ
とがある。従来の′m子ビーム装置の1つはアルミニウ
ムを入れるグラファイトるつぼと走査電子ビーム源を可
とする電子ビーム源より成る。このるつぼをある正電圧
に偏倚し、電子ビームがるつぼ内のアルミニウムに直接
当るようにする。るつぼと、電子ビーム源とアルミナイ
ズする加工物をすべて真空容器中に入れる。電子ビーム
がるつぼ内のアルミニウムに衝突すると、アルミニウム
を加熱蒸発する。そこでアルミニウム蒸気が力a1物に
染申して希望するアルミニウムの被膜を形成する。従来
行っている電子ビームによるアルミナイズは、通常ファ
ネルを下にしてフェースプレートラ水平にしているC)
LTには適用できない。その理由は、電子ビームを管球
内に設けなければならない為である。CRT内のフェー
スプレートのすぐ下になるよう配置でき、しかも管球の
ネック部から出し入れできる程小型の電子ビーム源を作
ることは不可能ではないとしても極めて困難である。
発明の目的
従って、本発明の目的の1つは改良された加工物内面金
属格方法及び装置を提供することである。
属格方法及び装置を提供することである。
本発明の他の目的は、CRT内面のアルミナイズの新規
な方法及び装置を提供することである。
な方法及び装置を提供することである。
本発明の史に他の目的は、電子ビームエネルギーを用い
て金属を入れたるつぼを底面から加熱して加工物内面に
金R被膜を形成する新規な金属化方法及び装置を提供す
ることである。
て金属を入れたるつぼを底面から加熱して加工物内面に
金R被膜を形成する新規な金属化方法及び装置を提供す
ることである。
発明のイ既要
本発明の4<1の側面によると、凹部を有する物体内部
に般J!f4材料の被膜を僅涜する方法が優られる。こ
の物体は七〇P3−I11!I K連結した開口を有し
、長手部材と凹部乞有し、長手部材は開口を介して物体
内部に上方に延びており、長手部材の一端は凹部内であ
って、その他端は物体の外側である。
に般J!f4材料の被膜を僅涜する方法が優られる。こ
の物体は七〇P3−I11!I K連結した開口を有し
、長手部材と凹部乞有し、長手部材は開口を介して物体
内部に上方に延びており、長手部材の一端は凹部内であ
って、その他端は物体の外側である。
その長手部材はその一端から他端に延びる相互に電気的
に絶縁された導体と、夫々その長手部材の一端において
その導体忙接続された両端を有するフィラメントと、こ
のフィラメント上に離間して長手部材の一端に固定的に
配置した砂川内蔵るつぼとを有する。るつぼのフィラメ
ントに面する表面の少なくとも一部は導電性である。こ
の方法は更に上述の導体を介してフィラメントに電流を
供給して、そこから熱電子を放出させ、且つそのフィラ
メント及びるつぼの一部を夫々電源の正負端子間に接続
して、フィラメントから放出した電子がるつぼに向って
加速され、結果的に電子ビーム衝撃でるつぼを加熱する
ようにしている。
に絶縁された導体と、夫々その長手部材の一端において
その導体忙接続された両端を有するフィラメントと、こ
のフィラメント上に離間して長手部材の一端に固定的に
配置した砂川内蔵るつぼとを有する。るつぼのフィラメ
ントに面する表面の少なくとも一部は導電性である。こ
の方法は更に上述の導体を介してフィラメントに電流を
供給して、そこから熱電子を放出させ、且つそのフィラ
メント及びるつぼの一部を夫々電源の正負端子間に接続
して、フィラメントから放出した電子がるつぼに向って
加速され、結果的に電子ビーム衝撃でるつぼを加熱する
ようにしている。
本発明の他の側面は物体内に連通ずる凹部な有する凹面
物体内口に金X被膜を形成す芯のに使用し得る@直であ
る。この装置は、長手部材、フィラメント、るつは支r
f−f=段及び接続手段よ’、+4911成される。黄
十郡材は加工物体の開口内へ挿入可能な一端を有し、1
′liI肩は加工物体外にとどまる。その長手部材は、
その一端から他端へ延長する相互に電気的に絶縁された
2導体を含んでいる。フィラメントの両端は、長手部材
の一端の両導体釦夫夫接続している。それによりフィラ
メントに導体を介して電流を供給して加熱し、熱電子放
射を生じさせる。るつぼは被着したい金属を入れ、その
少なくとも一部は導電性である。支持手段は長手部材の
一端にるつぼをフィラメントから離間して、且つ前記導
電性部をフィラメントに対向させて固定する。接続手段
は、るつぼの前記部分を電源の正端子に1フイラメント
を負端子に接続し、フィラメントが放射した熱電子をる
つぼに向けて加速して、るつぼを電子ビーム衝撃により
加熱する。
物体内口に金X被膜を形成す芯のに使用し得る@直であ
る。この装置は、長手部材、フィラメント、るつは支r
f−f=段及び接続手段よ’、+4911成される。黄
十郡材は加工物体の開口内へ挿入可能な一端を有し、1
′liI肩は加工物体外にとどまる。その長手部材は、
その一端から他端へ延長する相互に電気的に絶縁された
2導体を含んでいる。フィラメントの両端は、長手部材
の一端の両導体釦夫夫接続している。それによりフィラ
メントに導体を介して電流を供給して加熱し、熱電子放
射を生じさせる。るつぼは被着したい金属を入れ、その
少なくとも一部は導電性である。支持手段は長手部材の
一端にるつぼをフィラメントから離間して、且つ前記導
電性部をフィラメントに対向させて固定する。接続手段
は、るつぼの前記部分を電源の正端子に1フイラメント
を負端子に接続し、フィラメントが放射した熱電子をる
つぼに向けて加速して、るつぼを電子ビーム衝撃により
加熱する。
実施例
本発明の一層の理解の為及び本発明がどのよ5に動作す
るかを例示する為に、添付図y!′参照して本発明′1
を説明する。
るかを例示する為に、添付図y!′参照して本発明′1
を説明する。
第1図は本発明によるアルミナイズ処理装置を加工物た
る(、’LtTKJ用した揚砂のa断面図である。この
装置はCRTt27のフェースプレート(4)とその近
傍のファネル部(6)とのアルミナイズ処理に使用して
いる。CRTはフェースプレート141をファネル部(
6)の上部に略水平状態にして設電する。この装置は分
割したロッド構体(8)を有する。ロッド構体(8)は
1対の金属ロット責9)を有し、両Uツドは複数のねじ
1101 (図中には1個を示すのみ)で機械的に固定
しているが、ロッド(9)の凹部に入れたセラミックボ
ール+12と絶縁ワッシャ(14)とにより相互間を電
気的に絶縁している。ロッド(9)はT型チューブジヨ
イントのクロス部材(161により軸方向に固定し、そ
のジヨイントはクロス部材を垂直にし、中心リムa8を
真空源(図示せず)に結合する。
る(、’LtTKJ用した揚砂のa断面図である。この
装置はCRTt27のフェースプレート(4)とその近
傍のファネル部(6)とのアルミナイズ処理に使用して
いる。CRTはフェースプレート141をファネル部(
6)の上部に略水平状態にして設電する。この装置は分
割したロッド構体(8)を有する。ロッド構体(8)は
1対の金属ロット責9)を有し、両Uツドは複数のねじ
1101 (図中には1個を示すのみ)で機械的に固定
しているが、ロッド(9)の凹部に入れたセラミックボ
ール+12と絶縁ワッシャ(14)とにより相互間を電
気的に絶縁している。ロッド(9)はT型チューブジヨ
イントのクロス部材(161により軸方向に固定し、そ
のジヨイントはクロス部材を垂直にし、中心リムa8を
真空源(図示せず)に結合する。
りn2部材(161の上端は、円形開口のを有する取付
は板(イ)に固定する。この板■の上面及び開口−の回
りには弾性封止体(2句をeけている。クロス部材t1
t9の下端は板(4)で閉じ、この板(ハ)にロッド(
9(の下端を固定して開口■内に垂直に立てる。板四は
、その底面に設けた211Iilの端子(至)からロッ
ドt91へ電気的接続を行うように構成している。
は板(イ)に固定する。この板■の上面及び開口−の回
りには弾性封止体(2句をeけている。クロス部材t1
t9の下端は板(4)で閉じ、この板(ハ)にロッド(
9(の下端を固定して開口■内に垂直に立てる。板四は
、その底面に設けた211Iilの端子(至)からロッ
ドt91へ電気的接続を行うように構成している。
谷ロッド(9)の上面には夫々半円筒状の凹部が形成さ
れており、@2図のように組立てると略円筒状の凹部■
がロッド構体(8)上部に形成される。フィラメント0
2の両端は、各ロッド(9)の円筒穴内圧入れてロック
ねじ(図示せず)により固定する。
れており、@2図のように組立てると略円筒状の凹部■
がロッド構体(8)上部に形成される。フィラメント0
2の両端は、各ロッド(9)の円筒穴内圧入れてロック
ねじ(図示せず)により固定する。
位置ビン=)をロッドの一方の放射状孔内に入れ、アル
ミナの如きセラミックの筒(:!Aをロッド構体(8)
の上端罠取付けてピン(財)に係止する。筒(陶の上端
はロッド構体(8)の上端より僅かに上である。グラフ
アイ)IIMるつぼ關を、その周縁部を筒(361の上
端に当接させて配置する。例えばステンレス製の金属筒
62を、その内縁64)を筒(陶土に一致させ、緑6a
がるつぼの周縁に係合するようKする。金属筒6渇ばそ
の外壁部より外方に曲げ、開口(図示せず)を有するタ
ブ州が形成される。ばね(44を有する硬#(41をロ
ッド構体8)の近傍に設け、その一端にはフック(41
ヲ形成してタグ(ト)の開口に係合させ、他端を板(2
1の開口+idの内側に固定する。
ミナの如きセラミックの筒(:!Aをロッド構体(8)
の上端罠取付けてピン(財)に係止する。筒(陶の上端
はロッド構体(8)の上端より僅かに上である。グラフ
アイ)IIMるつぼ關を、その周縁部を筒(361の上
端に当接させて配置する。例えばステンレス製の金属筒
62を、その内縁64)を筒(陶土に一致させ、緑6a
がるつぼの周縁に係合するようKする。金属筒6渇ばそ
の外壁部より外方に曲げ、開口(図示せず)を有するタ
ブ州が形成される。ばね(44を有する硬#(41をロ
ッド構体8)の近傍に設け、その一端にはフック(41
ヲ形成してタグ(ト)の開口に係合させ、他端を板(2
1の開口+idの内側に固定する。
メタライズしたいCRTt27を第1図に示す如(取付
は板(2)に当直配置し、るつぼ(7)をC1(T+2
1の7アネル部内でフェースプレー) +41の下にし
て、ネックの開端を封止体(財)に係合させる。真空源
を作動して、CRT内部を一部真空忙する。
は板(2)に当直配置し、るつぼ(7)をC1(T+2
1の7アネル部内でフェースプレー) +41の下にし
て、ネックの開端を封止体(財)に係合させる。真空源
を作動して、CRT内部を一部真空忙する。
端子(至)を用いてロッド構体(8)を接続して、フィ
ラメントC(3の両端を調整した交流電源(4Gに接続
する。端子(ハ)の一端を偏倚(加速)電位源(41に
接続し、フィラメント(33にるつぼ(財)に対して一
3KV乃至−5KVの高電圧を印加する。ビーム電流セ
ンサーを電源(41に接続する。
ラメントC(3の両端を調整した交流電源(4Gに接続
する。端子(ハ)の一端を偏倚(加速)電位源(41に
接続し、フィラメント(33にるつぼ(財)に対して一
3KV乃至−5KVの高電圧を印加する。ビーム電流セ
ンサーを電源(41に接続する。
電源(4fi)の交流電流によりフイラメン) C)2
1が加熱されて熱電子を放出する。フィラメント(3つ
から放出された電子は、フィラメントEとるつぼ(諸量
の電位差圧より、るつぼ曽に吸引されて、熱電子がるつ
ぼを衝撃加熱する。その結果、るつぼ関門のアルぐニウ
ムが加熱され最終的Kg発し、アルミニウム蒸気がCR
Tの内面に堆積してフェースプレー) (41とそれt
c続<ファネルの前方部分を金属化する。
1が加熱されて熱電子を放出する。フィラメント(3つ
から放出された電子は、フィラメントEとるつぼ(諸量
の電位差圧より、るつぼ曽に吸引されて、熱電子がるつ
ぼを衝撃加熱する。その結果、るつぼ関門のアルぐニウ
ムが加熱され最終的Kg発し、アルミニウム蒸気がCR
Tの内面に堆積してフェースプレー) (41とそれt
c続<ファネルの前方部分を金属化する。
新らしいフィラメントを最初に力ロ熱すると、近傍表面
に軽い導電被膜を形成するのが普通である。
に軽い導電被膜を形成するのが普通である。
ロッド構体(8)の上端の凹部は筒(至)の内面をフイ
ラメント(32から遮蔽する作用をし、その智11!被
)漠が筒(7)K推噴形成されて、その絶縁性を劣化す
るのを防止する。更に、筒(幻はフィラメントによる直
熱放射がその近傍から生じるのを阻止する。ロッド構体
(8)の上端凹部は放出した電子を集束して、大半の電
子がるつぼ(ト)へ向うよ5にする作用もする。
ラメント(32から遮蔽する作用をし、その智11!被
)漠が筒(7)K推噴形成されて、その絶縁性を劣化す
るのを防止する。更に、筒(幻はフィラメントによる直
熱放射がその近傍から生じるのを阻止する。ロッド構体
(8)の上端凹部は放出した電子を集束して、大半の電
子がるつぼ(ト)へ向うよ5にする作用もする。
第2図から、筒(361はその側壁に複数の孔(ト)を
有することが判る。これら孔端はフィラメント空間の迅
速な排気の為である。フィラメント(32を加熱すると
、フィラメント空間の気体が膨侵する。孔(ト)がなけ
ればフイラメン)2間の気体圧により導電部材間の耐圧
不良を生じ、又は高圧電源を短絡する。
有することが判る。これら孔端はフィラメント空間の迅
速な排気の為である。フィラメント(32を加熱すると
、フィラメント空間の気体が膨侵する。孔(ト)がなけ
ればフイラメン)2間の気体圧により導電部材間の耐圧
不良を生じ、又は高圧電源を短絡する。
金側121は曲縁φa上に延びる出張り一を有する。
この出張りt6LllO尚さ及び直径は、メタライズす
るCRTの領域の大きさを決める。その理由は、出張り
−によりるつぼ關の内部からかげとなったCRT内面部
分・には殆んどアルミニウム被膜が形成されないからで
ある。よって、別のmh’aを使用すると、異なる大き
さ及び形状のCRTに所望のメタライズを行うことがで
きる。
るCRTの領域の大きさを決める。その理由は、出張り
−によりるつぼ關の内部からかげとなったCRT内面部
分・には殆んどアルミニウム被膜が形成されないからで
ある。よって、別のmh’aを使用すると、異なる大き
さ及び形状のCRTに所望のメタライズを行うことがで
きる。
上述のアルミナイズ技法によると、アルミニウムの蒸着
に電子ビーム衝撃を用いることにより、従来技法の欠点
を解消する。グラファイトのるつほは、従来のアルミナ
イズ装置に使用するタングステン製フィラメントよりも
アルミニウムとの反応が少ないので、従来装置の欠点が
解消できる。
に電子ビーム衝撃を用いることにより、従来技法の欠点
を解消する。グラファイトのるつほは、従来のアルミナ
イズ装置に使用するタングステン製フィラメントよりも
アルミニウムとの反応が少ないので、従来装置の欠点が
解消できる。
るつぼにはアルミナ又はシリコンカーバイトを塗布して
溶融アルミニウムとの反応性を更に低減することも可能
である。溶融アルミニウムは大半の金属と反応するので
、一般に金属性るつぼは使用しない方がよい。しかし、
るつぼのフィラメントに面する少な(とも一部分は導電
性であるを要し、これにより衝突した電子ビームを逃が
し、フィラメントとるつぼ間に一定電圧差を維持する。
溶融アルミニウムとの反応性を更に低減することも可能
である。溶融アルミニウムは大半の金属と反応するので
、一般に金属性るつぼは使用しない方がよい。しかし、
るつぼのフィラメントに面する少な(とも一部分は導電
性であるを要し、これにより衝突した電子ビームを逃が
し、フィラメントとるつぼ間に一定電圧差を維持する。
るつぼの材料は耐熱性を有すると共に急激な温度変化に
耐えるものを選択する必要がある。
耐えるものを選択する必要がある。
本発明は何らここに説明した特定の実施例に限定するも
のではなく、本発明の要旨を逸脱することなく種々の変
更変形をなし得ること当業者には容易に理解できよう。
のではなく、本発明の要旨を逸脱することなく種々の変
更変形をなし得ること当業者には容易に理解できよう。
発明の効果
本発明によると、細長いロッド先端にフィラメントを設
け、熱電子を加速してるつぼ内のアルミニウム等の金属
を蒸発させて、狭い開口の奥に設けたCRTのフェース
プレート及びファネルの一部等の奥まった場所の加工物
表面に所望形状のメタライズ処理、即ち金属被膜の形成
が可能であるまた電子ビーム衝撃加熱を用いるので、装
置全体が小型化でき、フィラメントと金属蒸気との反応
による劣化が少なく長寿命となり、メタライズ被膜の厚
さの制御が容易であるという従来技法にない種々の顕著
な効果が優られる。
け、熱電子を加速してるつぼ内のアルミニウム等の金属
を蒸発させて、狭い開口の奥に設けたCRTのフェース
プレート及びファネルの一部等の奥まった場所の加工物
表面に所望形状のメタライズ処理、即ち金属被膜の形成
が可能であるまた電子ビーム衝撃加熱を用いるので、装
置全体が小型化でき、フィラメントと金属蒸気との反応
による劣化が少なく長寿命となり、メタライズ被膜の厚
さの制御が容易であるという従来技法にない種々の顕著
な効果が優られる。
第1図を1本発明のアルミクイズ装置の一例tCRTに
適用した場合の簡略縦断面図、第2図は本発明装置の一
実施例の要部拡大図を示す。 (2)はC)tT、t41はフェースグレート、16+
は7アネル部、(8)はロッド構体、(9jはロッド、
64はフィラメント、(至)はるつぼ、(40はフィラ
メント電源、(48は加速電源である。 第1頁の続き 0発 明 者 アール・アール・ヘルダーマンアメリカ
合衆国オレゴン州9712 3ヒルスポロ・サウスイースト ・キャムウオール3077
適用した場合の簡略縦断面図、第2図は本発明装置の一
実施例の要部拡大図を示す。 (2)はC)tT、t41はフェースグレート、16+
は7アネル部、(8)はロッド構体、(9jはロッド、
64はフィラメント、(至)はるつぼ、(40はフィラ
メント電源、(48は加速電源である。 第1頁の続き 0発 明 者 アール・アール・ヘルダーマンアメリカ
合衆国オレゴン州9712 3ヒルスポロ・サウスイースト ・キャムウオール3077
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、加工物体内面処対向して金属を入れたるつぼを配置
し、該るつぼの底面導電部を加速電子ビームで衝撃加熱
し、上記るつぼ内の上記金属を溶wIJ&#発させ、上
記加工物体の略水平の内面に金属被膜を形成することを
特徴とする内面金属化方法。 2、 1対の導゛ル性ロッドと、該ロッドの一端に接続
した電子放射手段と、#電子放射手段に底面を対向させ
て上記ロッドに固定したるつぼと、上記電子放射手段に
上記ロッドの他端から作動電流を供給すると共に上記電
子放射手段及び上記るつぼ底面間に加速電界を生じる電
源とを具え、加工物体内面に上記ロッドの上記−喝を挿
入して上記力n工物体内聞に上記るつぼに入れた金属の
被膜を形成する内面金属化装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/474,753 US4490408A (en) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | Method and device for metallizing the internal surface of a hollow object |
US474753 | 1983-03-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59182965A true JPS59182965A (ja) | 1984-10-17 |
Family
ID=23884802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59048025A Pending JPS59182965A (ja) | 1983-03-14 | 1984-03-13 | 内面金属化方法及び装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4490408A (ja) |
EP (1) | EP0121818A1 (ja) |
JP (1) | JPS59182965A (ja) |
KR (1) | KR840007905A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62260051A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-12 | Hitachi Ltd | 蒸気発生装置 |
FR2612203A1 (fr) * | 1987-03-13 | 1988-09-16 | Avitaya Francois D | Dispositif pour l'evaporation sous vide de materiaux |
FR2623819A1 (fr) * | 1987-11-26 | 1989-06-02 | Thomson Csf | Four a bombardement electronique pour evaporation sous vide |
KR101680258B1 (ko) * | 2015-08-10 | 2016-11-29 | 한국에너지기술연구원 | 전자빔 증발증착 장치용 도가니 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5016120B1 (ja) * | 1970-12-31 | 1975-06-10 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1076297A (en) * | 1964-09-11 | 1967-07-19 | Gen Electric | Vaporizer filament |
US3839990A (en) * | 1972-02-02 | 1974-10-08 | Zenith Radio Corp | Apparatus for applying an internal coating to a cathode ray tube |
US4039699A (en) * | 1974-02-22 | 1977-08-02 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Method for making phosphors |
GB1577728A (en) * | 1976-09-18 | 1980-10-29 | Hunt C J L | Vacuum metallising the interior of hollow articles |
DE2718518C3 (de) * | 1977-04-26 | 1984-04-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf der Innenseite von Hohlräumen eines Werkstückes |
DE2829568C2 (de) * | 1978-07-05 | 1982-12-02 | Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur Abscheidung von gleichmäßigen, festhaftenden Schichten hochschmelzender Metalle auf induktiv erhitzten Metallrohr-Innenflächen durch Gasphasenreduktion sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE3010314C2 (de) * | 1980-03-18 | 1982-01-07 | Beerwald, Hans, Dr.Rer.Nat., 5370 Kall | Verfahren zur innenbeschichtung von elektrisch nicht leitfähigen Rohren mittels Gasentladungen |
US4293594A (en) * | 1980-08-22 | 1981-10-06 | Westinghouse Electric Corp. | Method for forming conductive, transparent coating on a substrate |
-
1983
- 1983-03-14 US US06/474,753 patent/US4490408A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-01-31 KR KR1019840000433A patent/KR840007905A/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-03-13 JP JP59048025A patent/JPS59182965A/ja active Pending
- 1984-03-14 EP EP84102809A patent/EP0121818A1/en not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5016120B1 (ja) * | 1970-12-31 | 1975-06-10 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0121818A1 (en) | 1984-10-17 |
US4490408A (en) | 1984-12-25 |
KR840007905A (ko) | 1984-12-11 |
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