JPS59180806A - 熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法 - Google Patents
熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法Info
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- JPS59180806A JPS59180806A JP58055653A JP5565383A JPS59180806A JP S59180806 A JPS59180806 A JP S59180806A JP 58055653 A JP58055653 A JP 58055653A JP 5565383 A JP5565383 A JP 5565383A JP S59180806 A JPS59180806 A JP S59180806A
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- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G—PHYSICS
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- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
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- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
- G11B13/04—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties
- G11B13/045—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties combined recording by magnetic and optic means
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光磁気メモリによる情報の記録を光入射によ
って行うようにし、このようにして記録したビット情報
を他の位置に移動させる熱磁気光記録方式におけるビッ
ト移動方法に係わる。
って行うようにし、このようにして記録したビット情報
を他の位置に移動させる熱磁気光記録方式におけるビッ
ト移動方法に係わる。
背景技術とその問題点
軟磁性膜面垂直容易磁化膜を用い、これにレーザー光を
照射して、熱磁気光記録を行う方式については、本出願
人の出願に係る特開昭５７−１５８００５号公報（特願
昭５６−４５２３２号）にその開示がある。
照射して、熱磁気光記録を行う方式については、本出願
人の出願に係る特開昭５７−１５８００５号公報（特願
昭５６−４５２３２号）にその開示がある。
これに用いられる軟磁性膜面垂直容易磁化膜とは、膜面
に垂直な方向に強い一軸磁気異方性を有し膜面に垂直に
磁化容易軸を有する軟磁性の材料からなる膜であり、た
とえば（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）５０１２などのよ
うなＹＳｍＣａＰｅＧｅ系ガーネットなどが例示される
。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜の軟磁性の程度は、こ
れを磁気記録媒体に適用した場合に、書き込まれるビッ
ト径が実際上バイアス磁界のみで決定される程度である
ことが必要であって、また、その抗磁力は約３ （Ｏｅ
）以下、好ましくは約１（Ｏｓ）以下であることが望ま
れる。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜は、非磁性ガドリ
ニウムガリウムガーネソト（ＧＧＧ）のような希土類ガ
リウムガーネットの基板結晶上にＹＳｍＣａＦｅＧｅ糸
ガーネットなどの結晶を液相エピタキシャル（Ｌ Ｐ
Ｅ）法によって成長させて形成する。そして、その書込
めは、まず、所定量のバイアス磁界を軟磁性膜面ノ１（
直容易磁化欣に印加して、その膜を全面（ここに全面と
は、情報の記録が実質的になされる部分の全域を指称す
る）にわたって単磁区でかつ磁化が膜面に対し′Ｃ垂直
方向に向いＣいる状態にする。この状態のままで光パル
スを膜面に焦点を絞って入射させると、ごの光エネルキ
ーが熱エネルギーに変換されるごとによる加熱によって
ビット（磁気バブル）の形成すなわち、情報の書き込み
をすることができる。これによって書き込まれたビット
は円筒磁区であっ′Ｃ１所定の大きさの径を有し、かつ
、磁化方向が印加したバイアス磁界と逆向きのものとな
る。
に垂直な方向に強い一軸磁気異方性を有し膜面に垂直に
磁化容易軸を有する軟磁性の材料からなる膜であり、た
とえば（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）５０１２などのよ
うなＹＳｍＣａＰｅＧｅ系ガーネットなどが例示される
。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜の軟磁性の程度は、こ
れを磁気記録媒体に適用した場合に、書き込まれるビッ
ト径が実際上バイアス磁界のみで決定される程度である
ことが必要であって、また、その抗磁力は約３ （Ｏｅ
）以下、好ましくは約１（Ｏｓ）以下であることが望ま
れる。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜は、非磁性ガドリ
ニウムガリウムガーネソト（ＧＧＧ）のような希土類ガ
リウムガーネットの基板結晶上にＹＳｍＣａＦｅＧｅ糸
ガーネットなどの結晶を液相エピタキシャル（Ｌ Ｐ
Ｅ）法によって成長させて形成する。そして、その書込
めは、まず、所定量のバイアス磁界を軟磁性膜面ノ１（
直容易磁化欣に印加して、その膜を全面（ここに全面と
は、情報の記録が実質的になされる部分の全域を指称す
る）にわたって単磁区でかつ磁化が膜面に対し′Ｃ垂直
方向に向いＣいる状態にする。この状態のままで光パル
スを膜面に焦点を絞って入射させると、ごの光エネルキ
ーが熱エネルギーに変換されるごとによる加熱によって
ビット（磁気バブル）の形成すなわち、情報の書き込み
をすることができる。これによって書き込まれたビット
は円筒磁区であっ′Ｃ１所定の大きさの径を有し、かつ
、磁化方向が印加したバイアス磁界と逆向きのものとな
る。
軟磁性膜面垂直容易磁化膜を全面に亘って単磁区にする
ために印加されるバイアス磁界の強さはランアウト磁界
とコラプス磁界との間に選ばれ例えば、前述した（ Ｙ
ＳｍＣａ）３ （ＦｅＧｅ）６０１２ Ｌ Ｐ Ｂ膜
の場合には、５７（Ｏｅ）と７３（Ｏｅ）の間である。
ために印加されるバイアス磁界の強さはランアウト磁界
とコラプス磁界との間に選ばれ例えば、前述した（ Ｙ
ＳｍＣａ）３ （ＦｅＧｅ）６０１２ Ｌ Ｐ Ｂ膜
の場合には、５７（Ｏｅ）と７３（Ｏｅ）の間である。
また、バイアス磁界を印加する手段は、用いられる軟磁
性膜面垂直容易磁化膜の抗磁力、特に磁壁抗磁力が極め
て小さいところから、印加するバイアス磁界は小さくζ
よく、そのためバイアス磁界発生手段も小型のソレノイ
ド、ゴム磁石などを使用することができるものである。
性膜面垂直容易磁化膜の抗磁力、特に磁壁抗磁力が極め
て小さいところから、印加するバイアス磁界は小さくζ
よく、そのためバイアス磁界発生手段も小型のソレノイ
ド、ゴム磁石などを使用することができるものである。
そして、このような記録がなされた磁化膜からの情報の
読み出しは、記録情報によって変調した光、例えばレー
ザー光を偏光子によって直線偏光にして記録媒体に照射
する。このようにすれば、この光が磁化膜を透過するこ
とによってファラデー効果による回転を受けるので、こ
れを検光子を通じて光検出手段に導入すれば、情報ビッ
トに応じた出力が取り出され、その読み出しがなされる
ことになる。
読み出しは、記録情報によって変調した光、例えばレー
ザー光を偏光子によって直線偏光にして記録媒体に照射
する。このようにすれば、この光が磁化膜を透過するこ
とによってファラデー効果による回転を受けるので、こ
れを検光子を通じて光検出手段に導入すれば、情報ビッ
トに応じた出力が取り出され、その読み出しがなされる
ことになる。
このようなり、ＰＥ磁性ガーネット薄膜への光磁気記録
による場合、その磁壁抗磁力Ｈｃが約１（Ｏｅ）以下と
いう小さい値であるので、従来一般の光磁気記録、すな
わちキューり点記縁、補償点記録等による場合には、不
可能であった情報移動がｉ’＋Ｊ能になる。この情報移
動とは、成る位置に記録したビット、すなわち円筒磁区
を、その後他の位置に移動させることによって例えば論
理演算機能を持たしめるものである。このような情報移
動を行わしめる方法としては、本出願人の出願に係る特
開昭５８−１７５０５号公開公報に開示された方法があ
る。これに開示された情報ビットの移動方法は、情報ピ
ントとは別に新しいビットずなわぢキュー・バブルを連
続光の照射によって発生させ、このキュー・バブルと、
すでに記録されている情報ビットの磁気バブルとの反発
力によって、情報ビ・ノドの移動を行わせるものである
。すなわち、この方法では情報ビットが並んでいるトラ
・ツクから所望のビットを移動させるに、ランアウト磁
界とコラプス磁界との範囲内のバイアス磁界を印加しな
がら、実質的な連続光をそのトラックから所定距離ずら
して照射し、その連続光に伴つ”Ｃ生ずるキュー・ビッ
トが、その光入射によって形成される温度勾配によっ′
Ｃ近寄ってきた移動ずべきヒツトを反発力によってこの
トランク外にはね飛ばずことによって行なわれる。ここ
でいう実質的な連続光とは、通當の連続光の他に、光が
入射しても記録が残らない程度の断続光を包含するもの
でビームのパルス繰り返しが磁性薄ｌＩ側とビームとの
相対速度に比べて十分速ければ任意でよい。この実質的
な連続光は１個のビットを雷に伴っていることを要し、
その強度は、、その光入射によって形成される温度勾配
によって引き寄せられる移動すべきビットを引き込まず
に反発力によっ°ζ所定距離はね飛ばすことができる程
度であるのが好ましい。
による場合、その磁壁抗磁力Ｈｃが約１（Ｏｅ）以下と
いう小さい値であるので、従来一般の光磁気記録、すな
わちキューり点記縁、補償点記録等による場合には、不
可能であった情報移動がｉ’＋Ｊ能になる。この情報移
動とは、成る位置に記録したビット、すなわち円筒磁区
を、その後他の位置に移動させることによって例えば論
理演算機能を持たしめるものである。このような情報移
動を行わしめる方法としては、本出願人の出願に係る特
開昭５８−１７５０５号公開公報に開示された方法があ
る。これに開示された情報ビットの移動方法は、情報ピ
ントとは別に新しいビットずなわぢキュー・バブルを連
続光の照射によって発生させ、このキュー・バブルと、
すでに記録されている情報ビットの磁気バブルとの反発
力によって、情報ビ・ノドの移動を行わせるものである
。すなわち、この方法では情報ビットが並んでいるトラ
・ツクから所望のビットを移動させるに、ランアウト磁
界とコラプス磁界との範囲内のバイアス磁界を印加しな
がら、実質的な連続光をそのトラックから所定距離ずら
して照射し、その連続光に伴つ”Ｃ生ずるキュー・ビッ
トが、その光入射によって形成される温度勾配によっ′
Ｃ近寄ってきた移動ずべきヒツトを反発力によってこの
トランク外にはね飛ばずことによって行なわれる。ここ
でいう実質的な連続光とは、通當の連続光の他に、光が
入射しても記録が残らない程度の断続光を包含するもの
でビームのパルス繰り返しが磁性薄ｌＩ側とビームとの
相対速度に比べて十分速ければ任意でよい。この実質的
な連続光は１個のビットを雷に伴っていることを要し、
その強度は、、その光入射によって形成される温度勾配
によって引き寄せられる移動すべきビットを引き込まず
に反発力によっ°ζ所定距離はね飛ばすことができる程
度であるのが好ましい。
なお、その実質的な連続光の強度が大きくても、移動さ
せるトラックからの光入射の距離を調整することによっ
て、ビット同士の反発力を生じるように開部できるもの
である。
せるトラックからの光入射の距離を調整することによっ
て、ビット同士の反発力を生じるように開部できるもの
である。
上述した方法によれば、すでに記録されたビット情報の
位置を移動さゼるごとかできるが、この場合、情報ビッ
トの移動先は、ヒツト−ヒソ【間の反発力で決るので、
バイアス磁場により、その移動先が変り、また抗磁力Ｈ
ｃのゆらきによっても移動先が変化し、ピント情報の移
動先が安定し難い。
位置を移動さゼるごとかできるが、この場合、情報ビッ
トの移動先は、ヒツト−ヒソ【間の反発力で決るので、
バイアス磁場により、その移動先が変り、また抗磁力Ｈ
ｃのゆらきによっても移動先が変化し、ピント情報の移
動先が安定し難い。
発明のＬＪ的
本発明は、上述したような低硼壁抗磁力を有する軟磁性
薄膜に対して光磁気記録を光照射による加チ１！シによ
って行うようにしだ熱硼気光記録方式において、上述し
た諸欠点を解消し、ビット情報を安定して所定の位置に
移動させることができるようにするものである。
薄膜に対して光磁気記録を光照射による加チ１！シによ
って行うようにしだ熱硼気光記録方式において、上述し
た諸欠点を解消し、ビット情報を安定して所定の位置に
移動させることができるようにするものである。
発明の概要
本発明においては、前述したように全面にわたって単磁
区で、且つ磁化が膜面に対して垂直且つ一方向に向（よ
うにバイアス磁界を印加した軟磁性膜面垂直容易磁化膜
に、光を入射させて、印加されているバイアス磁界によ
る磁化方向とは逆向きに磁化された円筒磁区を形成さ・
Ｕてビット情報を記録するようにした熱研気光記録方式
において、その磁化膜に凹部を形成し、この凹部内にビ
ット情報となる第１の円筒磁区（磁気バブル）を保持し
た状態で、この磁化膜の異なる位置に光照射することに
よって生成した第２の円筒磁区、ずなわらキュー・磁気
バブルを光照射により形成し、これを第１の円筒磁区に
近接させてこの第１の円筒磁区を凹部の側壁に沿って移
動させる。
区で、且つ磁化が膜面に対して垂直且つ一方向に向（よ
うにバイアス磁界を印加した軟磁性膜面垂直容易磁化膜
に、光を入射させて、印加されているバイアス磁界によ
る磁化方向とは逆向きに磁化された円筒磁区を形成さ・
Ｕてビット情報を記録するようにした熱研気光記録方式
において、その磁化膜に凹部を形成し、この凹部内にビ
ット情報となる第１の円筒磁区（磁気バブル）を保持し
た状態で、この磁化膜の異なる位置に光照射することに
よって生成した第２の円筒磁区、ずなわらキュー・磁気
バブルを光照射により形成し、これを第１の円筒磁区に
近接させてこの第１の円筒磁区を凹部の側壁に沿って移
動させる。
すなわち、本発明においては、磁化膜に凹部を設けるご
とによって、この四部の側壁、ずなわち磁化膜の膜厚が
相違する段部を設けた場合、この段部において、磁気エ
ネルギーが膜厚が一様な部分とは異る様子を示すことを
利用する。
とによって、この四部の側壁、ずなわち磁化膜の膜厚が
相違する段部を設けた場合、この段部において、磁気エ
ネルギーが膜厚が一様な部分とは異る様子を示すことを
利用する。
実施例
第１図にその路線的拡大上面図を刀くし、第２図にその
断面図を示すように、Ｇｄ５Ｇａｓ ０１２のガーネッ
ト基板（１ａ）上にＬＰＥ法によって（ＴｍＢｉ）３（
ＦｅＧａ）５０１２薄膜を２．０．１７ ｍの厚さに成
長して軟（６性腺而垂直容易磁化股（１ｂ）を形成した
記録媒体（１）を構成する。そし′ζ、この磁化ＩＱ（
Ｉｂ）の表面にフォトリソグラフィー技術によって正方
形凹部（２１）を所定のピッチに配列形成するごとによ
って各凹部（２１）の縁部におい′Ｃ段部（２２）を形
成した。この場合の四部（２１）は、縦、横各辺が夫々
６（μｍ）の正方形で、深さ５００（人）に、また、
各四部（２１）間の間隔を４（μｍ）に選定した。そし
′ζ、この磁化膜（１ｂ）に、記録用光源としＣ３，７
ｍＷ以上のアルゴンイオンレーザ−（波Ｋ ４８８ｎｍ
）を用いて、Ｍ＜ｌｂ）上でそのスポットが１，０（μ
ｍ）となるように絞って、パルス幅５．０（ｐｇ）でそ
の記録を行って凹部（２１）内に情報ピント、ずなわぢ
磁気バフルｂを形成する。ここに、磁化１１９（ｌｂ）
は、飽和磁化が１７．２ （ｅｍｕ／ｃｍ３） 、異方
性磁界が１１００ （Ｏｅ） 、磁壁抗磁力Ｈｃが０．
３（Ｏｅ）で、８０（Ｏｅ）のバイアス磁場における磁
気バブル径は２．４（μ１１１）であった。一方、磁化
膜（１ｂ）に、連続レーザー光を照射して第１図に示す
ように、上述した四部（２１）内に形成した情報ビット
、すなわち情報磁気バブルｂとは別に、四部（２１）外
に、キュー・磁気バブルｃ−ｂを形成する。
断面図を示すように、Ｇｄ５Ｇａｓ ０１２のガーネッ
ト基板（１ａ）上にＬＰＥ法によって（ＴｍＢｉ）３（
ＦｅＧａ）５０１２薄膜を２．０．１７ ｍの厚さに成
長して軟（６性腺而垂直容易磁化股（１ｂ）を形成した
記録媒体（１）を構成する。そし′ζ、この磁化ＩＱ（
Ｉｂ）の表面にフォトリソグラフィー技術によって正方
形凹部（２１）を所定のピッチに配列形成するごとによ
って各凹部（２１）の縁部におい′Ｃ段部（２２）を形
成した。この場合の四部（２１）は、縦、横各辺が夫々
６（μｍ）の正方形で、深さ５００（人）に、また、
各四部（２１）間の間隔を４（μｍ）に選定した。そし
′ζ、この磁化膜（１ｂ）に、記録用光源としＣ３，７
ｍＷ以上のアルゴンイオンレーザ−（波Ｋ ４８８ｎｍ
）を用いて、Ｍ＜ｌｂ）上でそのスポットが１，０（μ
ｍ）となるように絞って、パルス幅５．０（ｐｇ）でそ
の記録を行って凹部（２１）内に情報ピント、ずなわぢ
磁気バフルｂを形成する。ここに、磁化１１９（ｌｂ）
は、飽和磁化が１７．２ （ｅｍｕ／ｃｍ３） 、異方
性磁界が１１００ （Ｏｅ） 、磁壁抗磁力Ｈｃが０．
３（Ｏｅ）で、８０（Ｏｅ）のバイアス磁場における磁
気バブル径は２．４（μ１１１）であった。一方、磁化
膜（１ｂ）に、連続レーザー光を照射して第１図に示す
ように、上述した四部（２１）内に形成した情報ビット
、すなわち情報磁気バブルｂとは別に、四部（２１）外
に、キュー・磁気バブルｃ−ｂを形成する。
先ず、上述した情報磁気バブルｂについて考察するに、
第３図は、′このような寸法形状による凹部（２１）を
有する磁化膜（第３図（ａ））と、これに記録されるビ
ットすなわち磁気バブルｂに作用する力（第３図（ｂ）
）との関係を氷したものである。
第３図は、′このような寸法形状による凹部（２１）を
有する磁化膜（第３図（ａ））と、これに記録されるビ
ットすなわち磁気バブルｂに作用する力（第３図（ｂ）
）との関係を氷したものである。
すなわち、第３図（ａ）に示すように、凹部（２１）の
１側壁による段部（２２ａ）に沿いこの側壁から磁気バ
ブルｂの半径１．２（μｍ）に相当する直線りについて
みるに、バブルの磁気エネルギーは、この直線り上の各
位置で変化し、これに応じてバブルは力を受ける。第３
図（ｂ）は、このＬ方向成分の力Ｆを実験的に求めた結
果を示したものである。
１側壁による段部（２２ａ）に沿いこの側壁から磁気バ
ブルｂの半径１．２（μｍ）に相当する直線りについて
みるに、バブルの磁気エネルギーは、この直線り上の各
位置で変化し、これに応じてバブルは力を受ける。第３
図（ｂ）は、このＬ方向成分の力Ｆを実験的に求めた結
果を示したものである。
この場合の測定方法は、バブルを直線り上で、連続レー
ザー光で引き連れて動かし、四部（２１）の、直線りが
横切る側壁における段部（２２ｂ）及び（２２ｃ ）に
おいて受ける力にさからってバブルを動かせる最小レー
ザーパワーを測定したものである。すなわち、凹部（２
１）内で第３図（ａｉで示す直線り上で点Ａから点Ｂへ
、バブルを動かせる最小レーザーパワーＰ１と、凹部（
２１）内から凹部（２１）外へとバブルを引き出せる最
小レーザーパワーＰ２と、凹部（２１）外から四部（２
１）内へとバブルを引き入れる最小シー−１フ’−パワ
ーＰ３とを測定した。一方、段部のない場所で、磁化膜
（１ｂ）の磁壁抗磁力Ｈｃに対してバブルを動かずこと
のできる最小レーザーパワーＰｏを測定した。つまり、
パワーＰｏによってパ゛プルに及ぼされる力は、１１ｃ
による力Ｆ ｃ 、 （Ｆｃ＝ ４ｄｈＭｓｌｌｃ）
と等しい。
ザー光で引き連れて動かし、四部（２１）の、直線りが
横切る側壁における段部（２２ｂ）及び（２２ｃ ）に
おいて受ける力にさからってバブルを動かせる最小レー
ザーパワーを測定したものである。すなわち、凹部（２
１）内で第３図（ａｉで示す直線り上で点Ａから点Ｂへ
、バブルを動かせる最小レーザーパワーＰ１と、凹部（
２１）内から凹部（２１）外へとバブルを引き出せる最
小レーザーパワーＰ２と、凹部（２１）外から四部（２
１）内へとバブルを引き入れる最小シー−１フ’−パワ
ーＰ３とを測定した。一方、段部のない場所で、磁化膜
（１ｂ）の磁壁抗磁力Ｈｃに対してバブルを動かずこと
のできる最小レーザーパワーＰｏを測定した。つまり、
パワーＰｏによってパ゛プルに及ぼされる力は、１１ｃ
による力Ｆ ｃ 、 （Ｆｃ＝ ４ｄｈＭｓｌｌｃ）
と等しい。
レーザー光がバブルを引きつける力Ｆｄは、でり、えら
れる。ここにｄはバフル経、ｈは膜厚、Ｍｓは飽相磁化
、σＷは磁壁エネルギー密度、ＣＭ及びＣσは止の定数
、ｇｒａｄＴはレーザー光照射によって形成される温度
勾配である。この場合、レーザー光照射によってバブル
の平均温度は高くなるが、これが、室温に比べて余り高
くない範囲でば、ｄ、Ｍｓ、ｃｕ、ＣＭ 、Ｃσは、は
ぼ一定値として考えることができ、ＦｄはｇｒａｄＴ、
つまりレーザー光パワーに比例する。したがっζ、上述
した各パワーＰ１．．Ｐ２．Ｐ３と、Ｐｏとの比を求め
れば、膜厚の差による段部（２２）によって受ける力Ｆ
をＦｃを基準として求めることができる。
れる。ここにｄはバフル経、ｈは膜厚、Ｍｓは飽相磁化
、σＷは磁壁エネルギー密度、ＣＭ及びＣσは止の定数
、ｇｒａｄＴはレーザー光照射によって形成される温度
勾配である。この場合、レーザー光照射によってバブル
の平均温度は高くなるが、これが、室温に比べて余り高
くない範囲でば、ｄ、Ｍｓ、ｃｕ、ＣＭ 、Ｃσは、は
ぼ一定値として考えることができ、ＦｄはｇｒａｄＴ、
つまりレーザー光パワーに比例する。したがっζ、上述
した各パワーＰ１．．Ｐ２．Ｐ３と、Ｐｏとの比を求め
れば、膜厚の差による段部（２２）によって受ける力Ｆ
をＦｃを基準として求めることができる。
このようにして求めた結果が第３図（ｂｌであり、この
図において横軸は、第３図（ａｌにおける直線Ｌ−ヒの
各位置を第３図ｆａ）に対応してとったものであり、縦
軸にバブルの受ける力Ｆ（Ｆｃ）をとり、この方Ｆは第
３図（ａｌにおいて右方向に働く力を止とし、これとは
逆向きの力を負として示したものである。
図において横軸は、第３図（ａｌにおける直線Ｌ−ヒの
各位置を第３図ｆａ）に対応してとったものであり、縦
軸にバブルの受ける力Ｆ（Ｆｃ）をとり、この方Ｆは第
３図（ａｌにおいて右方向に働く力を止とし、これとは
逆向きの力を負として示したものである。
これによれば、バブルば凹部（２工）の左右縁ａ１に１
゜なわち、段部（２２ｂ ）及び（２２ｃ）より、四部
（２１）外の約２（μｍ）以内でバブルｂを凹部（２１
）内に押し戻す力を受けζおり、バブルｂは、この凹部
（２１）内に強く束縛されていることがわかる。また、
実際上、上述の例において例えば第３図ｔａ＋に斜線を
付してその範囲を不ずように、点Ａすなわち凹部（２１
）の隣り合う側壁（段部（２２ａ ）及び（２２ｂ ）
）から、バブルｂの半径の１．２（μｍ）の距離にあ
る点Ａから半径的３．２（μｍ）で描く円において四部
（２１）の点Ａを通る対角線を中心とする十の円内に書
き込みパルス光を照射するように選定するときは、バブ
ルｂは点への位置に安定に発生ずることが確められた。
゜なわち、段部（２２ｂ ）及び（２２ｃ）より、四部
（２１）外の約２（μｍ）以内でバブルｂを凹部（２１
）内に押し戻す力を受けζおり、バブルｂは、この凹部
（２１）内に強く束縛されていることがわかる。また、
実際上、上述の例において例えば第３図ｔａ＋に斜線を
付してその範囲を不ずように、点Ａすなわち凹部（２１
）の隣り合う側壁（段部（２２ａ ）及び（２２ｂ ）
）から、バブルｂの半径の１．２（μｍ）の距離にあ
る点Ａから半径的３．２（μｍ）で描く円において四部
（２１）の点Ａを通る対角線を中心とする十の円内に書
き込みパルス光を照射するように選定するときは、バブ
ルｂは点への位置に安定に発生ずることが確められた。
このことは、四部（２１）の形状の対称性から、凹部（
２１）の４つの角部のいずれに関しても同様の性状を示
す。
２１）の４つの角部のいずれに関しても同様の性状を示
す。
面、この場合、バイアス磁場、すなわちノくプルの径を
変えて同様の記録を行ったところ凹部（２１）内の各角
部におい°ζバブルが凹部（２１）の隣り合う側壁に内
接する位置がバブルの安定位置となることが確められた
。そし°Ｃバブルの径が１．８（μｍ）である場合、こ
の安定位置における中心点を中心とし°ζ半径が約２．
６（μｍ）の円で、上述したと同様に、この中心を通る
対角線を中心とする＋の範囲内に書き込みパルス光を照
射するように選定するときは、これによって発生ずる磁
気ノ＼プルは、１−述した安定位置、ずなわぢ、凹部（
２１）の角部に内接する位置に発生ずる。
変えて同様の記録を行ったところ凹部（２１）内の各角
部におい°ζバブルが凹部（２１）の隣り合う側壁に内
接する位置がバブルの安定位置となることが確められた
。そし°Ｃバブルの径が１．８（μｍ）である場合、こ
の安定位置における中心点を中心とし°ζ半径が約２．
６（μｍ）の円で、上述したと同様に、この中心を通る
対角線を中心とする＋の範囲内に書き込みパルス光を照
射するように選定するときは、これによって発生ずる磁
気ノ＼プルは、１−述した安定位置、ずなわぢ、凹部（
２１）の角部に内接する位置に発生ずる。
面、四部（２１）内では、膜厚の差による影響は小さく
磁気バブルｂは点ＡからＢへと移行し易い状態にある。
磁気バブルｂは点ＡからＢへと移行し易い状態にある。
そして、このようにして凹部（２１）内に形成した情報
磁気バブルを、キュー・磁気ノーフルｃ−ｂによゲで、
ずなわち両バブルＣ−ｂとｂとの間に作用する反発力に
よって他の位置に移動させる。
磁気バブルを、キュー・磁気ノーフルｃ−ｂによゲで、
ずなわち両バブルＣ−ｂとｂとの間に作用する反発力に
よって他の位置に移動させる。
この反発力Ｆｉは、
でり、えられる。ここに、Ｄは両バフルＣ−ｂとｂとの
間の距離である。
間の距離である。
今、第４図Ｂ−Ｃに示すように、凹部（２１）外で、こ
の凹部（２１）のバブルｂが形成された側縁（段部（２
２ｂ ） ’）から、０．５μｍ隔てた位置に、連続レ
ーザー光のスポットの中心があるように照射して、これ
を第４図において凹部（２１）に対して左から右に、段
部（２２ｂ ）に沿って相対的に動かした場合、情報バ
ブルｂは、段部（２２ａ）に沿っ゛ζ点Ａから点Ｂへ移
動した。この移動は、連続レーザー光（ＣＷ光）のパワ
ーが０．５〜１．２１で安定に行うことができた。
の凹部（２１）のバブルｂが形成された側縁（段部（２
２ｂ ） ’）から、０．５μｍ隔てた位置に、連続レ
ーザー光のスポットの中心があるように照射して、これ
を第４図において凹部（２１）に対して左から右に、段
部（２２ｂ ）に沿って相対的に動かした場合、情報バ
ブルｂは、段部（２２ａ）に沿っ゛ζ点Ａから点Ｂへ移
動した。この移動は、連続レーザー光（ＣＷ光）のパワ
ーが０．５〜１．２１で安定に行うことができた。
第５図は、この場合のバイアス磁場と、ＣＷ光のパワー
の関係をみたもので、このようにパイアス磁場を変化さ
せた場合、云い換えればバブル径を変化さ・ヒた場合の
、バブルｂを点Ａから点Ｂへの移動を安定に行うことの
できるＣＷ光の範囲は同し１中斜線を付した領域であっ
た。
の関係をみたもので、このようにパイアス磁場を変化さ
せた場合、云い換えればバブル径を変化さ・ヒた場合の
、バブルｂを点Ａから点Ｂへの移動を安定に行うことの
できるＣＷ光の範囲は同し１中斜線を付した領域であっ
た。
このような情報磁気バブルｂを、段部（２２ａ ）に沿
っ”ζ点Ａから点Ｂに移動させ得るのは、上述した段部
におりる磁気バブルに対する束縛力によるものであって
、今、第１図で説明したように、−直線上に凹９１（（
２１）が配列されたものにおいて、各四部（２１）にお
ける各点Ａを第１のトランクＴｒｘとし、各点Ｂを第２
のトラックＴｒ２とすると、第６図に示すようにトラッ
ク−Ｔｒｌに沿って、このトラックＴｒ１から所要の距
離だけ隔てた直線ａ沿ってＣＷ光、ずなわちキュー・バ
ブルｃ−ｂを移動させることによって各四部（２１）の
各点Ａ（Ａ１゜Ａ２．Ａ３ ・・・Ａ２ｎ）上ずなわ
ちトラックＴｒｚ」二の情報バブルｂ （ｂ＋、ｂ２．
ｂ３ ・・・ｂ２ｎ）を、各四部（２Ｉ）内の各対応す
る点Ｂ（Ｂ１゜Ｂ２．Ｂ３ ・・・Ｂ、ｎ）にずなわ
ぢトランクＴｒ２上に移動させることができる。面、こ
の場合、そルｃ−ｂの移動軌跡をその移動を回避すべき
情報バブルｂを有する凹部（２１）から充分隔てた直線
ａ′上に移行させるようにすれば良いことが確められた
。
っ”ζ点Ａから点Ｂに移動させ得るのは、上述した段部
におりる磁気バブルに対する束縛力によるものであって
、今、第１図で説明したように、−直線上に凹９１（（
２１）が配列されたものにおいて、各四部（２１）にお
ける各点Ａを第１のトランクＴｒｘとし、各点Ｂを第２
のトラックＴｒ２とすると、第６図に示すようにトラッ
ク−Ｔｒｌに沿って、このトラックＴｒ１から所要の距
離だけ隔てた直線ａ沿ってＣＷ光、ずなわちキュー・バ
ブルｃ−ｂを移動させることによって各四部（２１）の
各点Ａ（Ａ１゜Ａ２．Ａ３ ・・・Ａ２ｎ）上ずなわ
ちトラックＴｒｚ」二の情報バブルｂ （ｂ＋、ｂ２．
ｂ３ ・・・ｂ２ｎ）を、各四部（２Ｉ）内の各対応す
る点Ｂ（Ｂ１゜Ｂ２．Ｂ３ ・・・Ｂ、ｎ）にずなわ
ぢトランクＴｒ２上に移動させることができる。面、こ
の場合、そルｃ−ｂの移動軌跡をその移動を回避すべき
情報バブルｂを有する凹部（２１）から充分隔てた直線
ａ′上に移行させるようにすれば良いことが確められた
。
そして、このように情報バブルｂのトラックＴｒ１から
トランクＴｒ２への移動によって、例えば論理演算を行
うことができる。先ず、本発明方法によってＡＮＤＲ能
を行わしめる場合について説明する。この場合、例えば
第７図（ａ）及び（ｂ）に示ずように、“０”・及び°
１”の論理レベルを有する２つの人力信号に対する場合
につい′ζ説明すると、例えば一方の第７図ｆａｔに示
す入力に基づいてその論理レベル“ｌ”によって、これ
に対応する位；〃に第１のトラックＴｒｉに情報の記録
ビットを前述した方法によって形成する。すなわち、第
７図（ａｌで示すレベル“ｌ”によるパルス光によって
その情報ビットｂを第８図に不すように形成する。一方
、第７図（ｂ）に示す第２の入力信号における論理レベ
ル“１°゛によって移動用のＣＷ光を一上述の直線ａ１
−にもちきたす。
トランクＴｒ２への移動によって、例えば論理演算を行
うことができる。先ず、本発明方法によってＡＮＤＲ能
を行わしめる場合について説明する。この場合、例えば
第７図（ａ）及び（ｂ）に示ずように、“０”・及び°
１”の論理レベルを有する２つの人力信号に対する場合
につい′ζ説明すると、例えば一方の第７図ｆａｔに示
す入力に基づいてその論理レベル“ｌ”によって、これ
に対応する位；〃に第１のトラックＴｒｉに情報の記録
ビットを前述した方法によって形成する。すなわち、第
７図（ａｌで示すレベル“ｌ”によるパルス光によって
その情報ビットｂを第８図に不すように形成する。一方
、第７図（ｂ）に示す第２の入力信号における論理レベ
ル“１°゛によって移動用のＣＷ光を一上述の直線ａ１
−にもちきたす。
、二のように１−れは、第９図に不ずように第７図（ａ
ｌ、 （ｂｌの論理レベル“１”が一致する時点に対応
゛４“る位置におい′（トランクＴｒｘ上の記録ビット
がトラックＴｒ２に移動するごとになるので、トラック
Ｔｒ２．．ｌ＝、の移動された情報ピントを読み出せば
ＡＮＤ演旅による出力を得ることができるごとになる。
ｌ、 （ｂｌの論理レベル“１”が一致する時点に対応
゛４“る位置におい′（トランクＴｒｘ上の記録ビット
がトラックＴｒ２に移動するごとになるので、トラック
Ｔｒ２．．ｌ＝、の移動された情報ピントを読み出せば
ＡＮＤ演旅による出力を得ることができるごとになる。
面、」−述した各側では、磁気バブルの経より大きい四
部（２１）を設けた場合であるが、凹部（２１）は−上
述した例のように、磁気バブルの径より大きい大きさと
する場合を始めとして磁気バブルの径に対応する大きさ
或いはこれより小さい大きさの幅、辺、若しくは径を有
する正方形、長方形、円形等種々の形状を採り得るもの
であり、その位置規制を膜面に沿う２方向に関して規制
するようにすることができる。
部（２１）を設けた場合であるが、凹部（２１）は−上
述した例のように、磁気バブルの径より大きい大きさと
する場合を始めとして磁気バブルの径に対応する大きさ
或いはこれより小さい大きさの幅、辺、若しくは径を有
する正方形、長方形、円形等種々の形状を採り得るもの
であり、その位置規制を膜面に沿う２方向に関して規制
するようにすることができる。
尚、」二連したように本発明による場合、例えばガーネ
ット基板（１ａ）に軟磁性膜面垂直容易磁化１ＩＡ（ｌ
ｂ）を形成するものであるが、必要に応じて例えば第５
図に示すように、基板（１ａ）の磁化膜（１ｂ）が形成
された側とは反対側の面に無反射コーチインク層を被着
し磁化膜（１ｂ）上にＡ６蒸着膜等の反射膜を形成し、
更にこれの上に５ｉ０２膜等の保護膜を形成し得る。
ット基板（１ａ）に軟磁性膜面垂直容易磁化１ＩＡ（ｌ
ｂ）を形成するものであるが、必要に応じて例えば第５
図に示すように、基板（１ａ）の磁化膜（１ｂ）が形成
された側とは反対側の面に無反射コーチインク層を被着
し磁化膜（１ｂ）上にＡ６蒸着膜等の反射膜を形成し、
更にこれの上に５ｉ０２膜等の保護膜を形成し得る。
発明の効果
上述したように本発明によれは、磁化膜の膜厚が相違す
る部分における磁気エネルギーの変化に伴う磁気バブル
に働く力を利用してその記録バブルの移動位置を設定す
るようにしたので、その移動のための光の照射位置に多
少のほらつき、振動等のゆらぎがあっても安定した移動
を行うことができるので、装置の設計、製作が簡便化さ
れるなどの利益をもたらす。
る部分における磁気エネルギーの変化に伴う磁気バブル
に働く力を利用してその記録バブルの移動位置を設定す
るようにしたので、その移動のための光の照射位置に多
少のほらつき、振動等のゆらぎがあっても安定した移動
を行うことができるので、装置の設計、製作が簡便化さ
れるなどの利益をもたらす。
第１図は本発明による熱磁気光記録方法の一例の記録媒
体の一例を示す路線的拡大上面図、第２図はそのＷｉ面
図、第３図Ａ及びＢは凹部と磁気バブルに働く力の関係
を示す図、第４図ａ〜Ｃは情報バブルの移動を説明する
図、第５図はバイアス磁場と移動用レーザー光の関係の
説明し１、第６図は本発明の説明に供するパターン図、
第７図及び第８図は論理演算の説明図である。 ＋１１は記録媒体、（１ａ）は基板、（１ｂ）は軟磁性
股部垂直容易磁化膜、（２１）はその凹部、（２２）は
段部である。 第１図 第２図 第８凶 第７図 第８図 手続補正書 昭和５８年 ７月 １日 １、“ＩＹ作の表示 昭和５８年特許願第 ５５６５３ 号′１′Ｉ件との
関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５−号名称（２
］８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典雄 ６、浦」１により増加する発明の数 （１）明細書中、特許請求の範囲を別紙のように補止す
る。 （２）同、第７頁、トから２行、１月部を形成し、”６
月部内に」を［凹部を形成するなどによっ気エネルギー
の異る領域を形成し、この領易門に」と訂正する。 （３）同、第８頁、５行、「四部」を［上述の領域」と
訂正する。 以 」二 特許請求の範囲 全面にわたって単磁区で、且つ磁化が膜面に対して垂直
且つ一方向に向くようにバイアス磁界を印加した軟磁性
膜面垂直容易磁化膜に、光を入射さ・ｕ−で、印加され
ているバイアス磁界による磁化方向とは逆向きに磁化さ
れた円筒磁区を形成させ゛ζビット情報を記録するよう
にした熱磁気光記録方式において、上記磁化膜は、磁気
エネルギーの異る領域を有し、該領域内にピント情報を
示す第１の円筒磁区を保持した状態で、該磁化膜の異る
位置に光照射することによって生成した第２の円筒磁区
を光照射により上記第１の円筒磁区に近接さ・ヒ、該第
１の円筒磁区を上記領域に沿って移動させるようにした
熱磁気光記録方式におけるビット移動方法。 手続補正書 （特許庁審判長 殿）１、事件の
表示 昭和５８年特許願第 ５５６５３ 号２− 発明ノ名
称 熱磁気光記録方式におけるビット移動方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代 理 人 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号（
桐？ｉヒル）５、補正命令の日付 昭和 年
月 Ｉ＋６、補正により増加する発明の数 ８、補正の内容 （１） 明細書中、第１８頁、１８行「第３図Ａ及び
Ｂ」を１第３図ａ及びｂ」と訂正する。 （２）同、第１９頁、２〜３行「第７図及び第８図」を
「第７図ないし第９図」と訂正する。 （３） 図面中に添付図面第９図を迫力口する。 以上 第９図
体の一例を示す路線的拡大上面図、第２図はそのＷｉ面
図、第３図Ａ及びＢは凹部と磁気バブルに働く力の関係
を示す図、第４図ａ〜Ｃは情報バブルの移動を説明する
図、第５図はバイアス磁場と移動用レーザー光の関係の
説明し１、第６図は本発明の説明に供するパターン図、
第７図及び第８図は論理演算の説明図である。 ＋１１は記録媒体、（１ａ）は基板、（１ｂ）は軟磁性
股部垂直容易磁化膜、（２１）はその凹部、（２２）は
段部である。 第１図 第２図 第８凶 第７図 第８図 手続補正書 昭和５８年 ７月 １日 １、“ＩＹ作の表示 昭和５８年特許願第 ５５６５３ 号′１′Ｉ件との
関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５−号名称（２
］８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典雄 ６、浦」１により増加する発明の数 （１）明細書中、特許請求の範囲を別紙のように補止す
る。 （２）同、第７頁、トから２行、１月部を形成し、”６
月部内に」を［凹部を形成するなどによっ気エネルギー
の異る領域を形成し、この領易門に」と訂正する。 （３）同、第８頁、５行、「四部」を［上述の領域」と
訂正する。 以 」二 特許請求の範囲 全面にわたって単磁区で、且つ磁化が膜面に対して垂直
且つ一方向に向くようにバイアス磁界を印加した軟磁性
膜面垂直容易磁化膜に、光を入射さ・ｕ−で、印加され
ているバイアス磁界による磁化方向とは逆向きに磁化さ
れた円筒磁区を形成させ゛ζビット情報を記録するよう
にした熱磁気光記録方式において、上記磁化膜は、磁気
エネルギーの異る領域を有し、該領域内にピント情報を
示す第１の円筒磁区を保持した状態で、該磁化膜の異る
位置に光照射することによって生成した第２の円筒磁区
を光照射により上記第１の円筒磁区に近接さ・ヒ、該第
１の円筒磁区を上記領域に沿って移動させるようにした
熱磁気光記録方式におけるビット移動方法。 手続補正書 （特許庁審判長 殿）１、事件の
表示 昭和５８年特許願第 ５５６５３ 号２− 発明ノ名
称 熱磁気光記録方式におけるビット移動方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代 理 人 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号（
桐？ｉヒル）５、補正命令の日付 昭和 年
月 Ｉ＋６、補正により増加する発明の数 ８、補正の内容 （１） 明細書中、第１８頁、１８行「第３図Ａ及び
Ｂ」を１第３図ａ及びｂ」と訂正する。 （２）同、第１９頁、２〜３行「第７図及び第８図」を
「第７図ないし第９図」と訂正する。 （３） 図面中に添付図面第９図を迫力口する。 以上 第９図
Claims (1)
- 全面にねたっ°ζ単磁区で、且つ磁化がＩ＋４１１Ｊｉ
ｉに対し°ζ垂直且つ一方向に向くようにバイアス磁界
を印加した軟磁性膜面垂直容易磁化膜に、光を入射さ一
ヒて、印加されているバイアス磁界による磁化方向とは
逆向きに磁化された円筒ゼラ区を形成させ′ζビット情
報を記録するようにした熱磁気光記録方式において１．
上記磁化膜は、四部を有し、該凹部内にビット情報を示
す第１の円筒磁区を保持した状態で、該磁化膜の異る位
置に光照射することによって生成した第２の円筒磁区を
光）；６射により上記第１の円筒磁区に近接させ、該第
１の円筒磁区を上記凹部の側壁に沿って移動させるよう
にした熱磁気光記録方式におりるビット移動方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055653A JPS59180806A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法 |
| US06/643,975 US4642795A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetic recording system |
| EP19840901402 EP0139021B1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetic optical recording method |
| PCT/JP1984/000152 WO1984003991A1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetic optical recording method |
| DE8484901402T DE3483671D1 (de) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetisches optisches aufzeichnungsverfahren. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055653A JPS59180806A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59180806A true JPS59180806A (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=13004793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58055653A Pending JPS59180806A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4642795A (ja) |
| JP (1) | JPS59180806A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3542279A1 (de) * | 1984-11-30 | 1986-06-05 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Aufzeichnungs- und/oder wiedergabeverfahren fuer blochlinienspeicher |
| WO1992002931A1 (en) * | 1990-08-10 | 1992-02-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermomagnetic recording system having high storage density and direct-overwrite capability |
| US9397287B1 (en) * | 2015-12-29 | 2016-07-19 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction with post-deposition hydrogenation |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE791239A (fr) * | 1971-11-12 | 1973-05-10 | Philips Nv | Memoire magnetique |
| US4012724A (en) * | 1975-11-28 | 1977-03-15 | Sperry Rand Corporation | Method of improving the operation of a single wall domain memory system |
| US4149265A (en) * | 1977-04-11 | 1979-04-10 | Sperry Rand Corporation | Method of improving the operation of a single wall domain memory system |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58055653A patent/JPS59180806A/ja active Pending
-
1984
- 1984-03-30 US US06/643,975 patent/US4642795A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4642795A (en) | 1987-02-10 |
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