JPS59180806A - 熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法 - Google Patents
熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法Info
- Publication number
- JPS59180806A JPS59180806A JP58055653A JP5565383A JPS59180806A JP S59180806 A JPS59180806 A JP S59180806A JP 58055653 A JP58055653 A JP 58055653A JP 5565383 A JP5565383 A JP 5565383A JP S59180806 A JPS59180806 A JP S59180806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- film
- magnetic
- light
- information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
- G11C13/06—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using magneto-optical elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0833—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using magnetic domain interaction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
- G11B13/04—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties
- G11B13/045—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties combined recording by magnetic and optic means
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光磁気メモリによる情報の記録を光入射によ
って行うようにし、このようにして記録したビット情報
を他の位置に移動させる熱磁気光記録方式におけるビッ
ト移動方法に係わる。
って行うようにし、このようにして記録したビット情報
を他の位置に移動させる熱磁気光記録方式におけるビッ
ト移動方法に係わる。
背景技術とその問題点
軟磁性膜面垂直容易磁化膜を用い、これにレーザー光を
照射して、熱磁気光記録を行う方式については、本出願
人の出願に係る特開昭57−158005号公報(特願
昭56−45232号)にその開示がある。
照射して、熱磁気光記録を行う方式については、本出願
人の出願に係る特開昭57−158005号公報(特願
昭56−45232号)にその開示がある。
これに用いられる軟磁性膜面垂直容易磁化膜とは、膜面
に垂直な方向に強い一軸磁気異方性を有し膜面に垂直に
磁化容易軸を有する軟磁性の材料からなる膜であり、た
とえば(YSmCa)3(FeGe)5012などのよ
うなYSmCaPeGe系ガーネットなどが例示される
。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜の軟磁性の程度は、こ
れを磁気記録媒体に適用した場合に、書き込まれるビッ
ト径が実際上バイアス磁界のみで決定される程度である
ことが必要であって、また、その抗磁力は約3 (Oe
)以下、好ましくは約1(Os)以下であることが望ま
れる。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜は、非磁性ガドリ
ニウムガリウムガーネソト(GGG)のような希土類ガ
リウムガーネットの基板結晶上にYSmCaFeGe糸
ガーネットなどの結晶を液相エピタキシャル(L P
E)法によって成長させて形成する。そして、その書込
めは、まず、所定量のバイアス磁界を軟磁性膜面ノ1(
直容易磁化欣に印加して、その膜を全面(ここに全面と
は、情報の記録が実質的になされる部分の全域を指称す
る)にわたって単磁区でかつ磁化が膜面に対し′C垂直
方向に向いCいる状態にする。この状態のままで光パル
スを膜面に焦点を絞って入射させると、ごの光エネルキ
ーが熱エネルギーに変換されるごとによる加熱によって
ビット(磁気バブル)の形成すなわち、情報の書き込み
をすることができる。これによって書き込まれたビット
は円筒磁区であっ′C1所定の大きさの径を有し、かつ
、磁化方向が印加したバイアス磁界と逆向きのものとな
る。
に垂直な方向に強い一軸磁気異方性を有し膜面に垂直に
磁化容易軸を有する軟磁性の材料からなる膜であり、た
とえば(YSmCa)3(FeGe)5012などのよ
うなYSmCaPeGe系ガーネットなどが例示される
。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜の軟磁性の程度は、こ
れを磁気記録媒体に適用した場合に、書き込まれるビッ
ト径が実際上バイアス磁界のみで決定される程度である
ことが必要であって、また、その抗磁力は約3 (Oe
)以下、好ましくは約1(Os)以下であることが望ま
れる。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜は、非磁性ガドリ
ニウムガリウムガーネソト(GGG)のような希土類ガ
リウムガーネットの基板結晶上にYSmCaFeGe糸
ガーネットなどの結晶を液相エピタキシャル(L P
E)法によって成長させて形成する。そして、その書込
めは、まず、所定量のバイアス磁界を軟磁性膜面ノ1(
直容易磁化欣に印加して、その膜を全面(ここに全面と
は、情報の記録が実質的になされる部分の全域を指称す
る)にわたって単磁区でかつ磁化が膜面に対し′C垂直
方向に向いCいる状態にする。この状態のままで光パル
スを膜面に焦点を絞って入射させると、ごの光エネルキ
ーが熱エネルギーに変換されるごとによる加熱によって
ビット(磁気バブル)の形成すなわち、情報の書き込み
をすることができる。これによって書き込まれたビット
は円筒磁区であっ′C1所定の大きさの径を有し、かつ
、磁化方向が印加したバイアス磁界と逆向きのものとな
る。
軟磁性膜面垂直容易磁化膜を全面に亘って単磁区にする
ために印加されるバイアス磁界の強さはランアウト磁界
とコラプス磁界との間に選ばれ例えば、前述した( Y
SmCa)3 (FeGe)6012 L P B膜
の場合には、57(Oe)と73(Oe)の間である。
ために印加されるバイアス磁界の強さはランアウト磁界
とコラプス磁界との間に選ばれ例えば、前述した( Y
SmCa)3 (FeGe)6012 L P B膜
の場合には、57(Oe)と73(Oe)の間である。
また、バイアス磁界を印加する手段は、用いられる軟磁
性膜面垂直容易磁化膜の抗磁力、特に磁壁抗磁力が極め
て小さいところから、印加するバイアス磁界は小さくζ
よく、そのためバイアス磁界発生手段も小型のソレノイ
ド、ゴム磁石などを使用することができるものである。
性膜面垂直容易磁化膜の抗磁力、特に磁壁抗磁力が極め
て小さいところから、印加するバイアス磁界は小さくζ
よく、そのためバイアス磁界発生手段も小型のソレノイ
ド、ゴム磁石などを使用することができるものである。
そして、このような記録がなされた磁化膜からの情報の
読み出しは、記録情報によって変調した光、例えばレー
ザー光を偏光子によって直線偏光にして記録媒体に照射
する。このようにすれば、この光が磁化膜を透過するこ
とによってファラデー効果による回転を受けるので、こ
れを検光子を通じて光検出手段に導入すれば、情報ビッ
トに応じた出力が取り出され、その読み出しがなされる
ことになる。
読み出しは、記録情報によって変調した光、例えばレー
ザー光を偏光子によって直線偏光にして記録媒体に照射
する。このようにすれば、この光が磁化膜を透過するこ
とによってファラデー効果による回転を受けるので、こ
れを検光子を通じて光検出手段に導入すれば、情報ビッ
トに応じた出力が取り出され、その読み出しがなされる
ことになる。
このようなり、PE磁性ガーネット薄膜への光磁気記録
による場合、その磁壁抗磁力Hcが約1(Oe)以下と
いう小さい値であるので、従来一般の光磁気記録、すな
わちキューり点記縁、補償点記録等による場合には、不
可能であった情報移動がi’+J能になる。この情報移
動とは、成る位置に記録したビット、すなわち円筒磁区
を、その後他の位置に移動させることによって例えば論
理演算機能を持たしめるものである。このような情報移
動を行わしめる方法としては、本出願人の出願に係る特
開昭58−17505号公開公報に開示された方法があ
る。これに開示された情報ビットの移動方法は、情報ピ
ントとは別に新しいビットずなわぢキュー・バブルを連
続光の照射によって発生させ、このキュー・バブルと、
すでに記録されている情報ビットの磁気バブルとの反発
力によって、情報ビ・ノドの移動を行わせるものである
。すなわち、この方法では情報ビットが並んでいるトラ
・ツクから所望のビットを移動させるに、ランアウト磁
界とコラプス磁界との範囲内のバイアス磁界を印加しな
がら、実質的な連続光をそのトラックから所定距離ずら
して照射し、その連続光に伴つ”C生ずるキュー・ビッ
トが、その光入射によって形成される温度勾配によっ′
C近寄ってきた移動ずべきヒツトを反発力によってこの
トランク外にはね飛ばずことによって行なわれる。ここ
でいう実質的な連続光とは、通當の連続光の他に、光が
入射しても記録が残らない程度の断続光を包含するもの
でビームのパルス繰り返しが磁性薄lI側とビームとの
相対速度に比べて十分速ければ任意でよい。この実質的
な連続光は1個のビットを雷に伴っていることを要し、
その強度は、、その光入射によって形成される温度勾配
によって引き寄せられる移動すべきビットを引き込まず
に反発力によっ°ζ所定距離はね飛ばすことができる程
度であるのが好ましい。
による場合、その磁壁抗磁力Hcが約1(Oe)以下と
いう小さい値であるので、従来一般の光磁気記録、すな
わちキューり点記縁、補償点記録等による場合には、不
可能であった情報移動がi’+J能になる。この情報移
動とは、成る位置に記録したビット、すなわち円筒磁区
を、その後他の位置に移動させることによって例えば論
理演算機能を持たしめるものである。このような情報移
動を行わしめる方法としては、本出願人の出願に係る特
開昭58−17505号公開公報に開示された方法があ
る。これに開示された情報ビットの移動方法は、情報ピ
ントとは別に新しいビットずなわぢキュー・バブルを連
続光の照射によって発生させ、このキュー・バブルと、
すでに記録されている情報ビットの磁気バブルとの反発
力によって、情報ビ・ノドの移動を行わせるものである
。すなわち、この方法では情報ビットが並んでいるトラ
・ツクから所望のビットを移動させるに、ランアウト磁
界とコラプス磁界との範囲内のバイアス磁界を印加しな
がら、実質的な連続光をそのトラックから所定距離ずら
して照射し、その連続光に伴つ”C生ずるキュー・ビッ
トが、その光入射によって形成される温度勾配によっ′
C近寄ってきた移動ずべきヒツトを反発力によってこの
トランク外にはね飛ばずことによって行なわれる。ここ
でいう実質的な連続光とは、通當の連続光の他に、光が
入射しても記録が残らない程度の断続光を包含するもの
でビームのパルス繰り返しが磁性薄lI側とビームとの
相対速度に比べて十分速ければ任意でよい。この実質的
な連続光は1個のビットを雷に伴っていることを要し、
その強度は、、その光入射によって形成される温度勾配
によって引き寄せられる移動すべきビットを引き込まず
に反発力によっ°ζ所定距離はね飛ばすことができる程
度であるのが好ましい。
なお、その実質的な連続光の強度が大きくても、移動さ
せるトラックからの光入射の距離を調整することによっ
て、ビット同士の反発力を生じるように開部できるもの
である。
せるトラックからの光入射の距離を調整することによっ
て、ビット同士の反発力を生じるように開部できるもの
である。
上述した方法によれば、すでに記録されたビット情報の
位置を移動さゼるごとかできるが、この場合、情報ビッ
トの移動先は、ヒツト−ヒソ【間の反発力で決るので、
バイアス磁場により、その移動先が変り、また抗磁力H
cのゆらきによっても移動先が変化し、ピント情報の移
動先が安定し難い。
位置を移動さゼるごとかできるが、この場合、情報ビッ
トの移動先は、ヒツト−ヒソ【間の反発力で決るので、
バイアス磁場により、その移動先が変り、また抗磁力H
cのゆらきによっても移動先が変化し、ピント情報の移
動先が安定し難い。
発明のLJ的
本発明は、上述したような低硼壁抗磁力を有する軟磁性
薄膜に対して光磁気記録を光照射による加チ1!シによ
って行うようにしだ熱硼気光記録方式において、上述し
た諸欠点を解消し、ビット情報を安定して所定の位置に
移動させることができるようにするものである。
薄膜に対して光磁気記録を光照射による加チ1!シによ
って行うようにしだ熱硼気光記録方式において、上述し
た諸欠点を解消し、ビット情報を安定して所定の位置に
移動させることができるようにするものである。
発明の概要
本発明においては、前述したように全面にわたって単磁
区で、且つ磁化が膜面に対して垂直且つ一方向に向(よ
うにバイアス磁界を印加した軟磁性膜面垂直容易磁化膜
に、光を入射させて、印加されているバイアス磁界によ
る磁化方向とは逆向きに磁化された円筒磁区を形成さ・
Uてビット情報を記録するようにした熱研気光記録方式
において、その磁化膜に凹部を形成し、この凹部内にビ
ット情報となる第1の円筒磁区(磁気バブル)を保持し
た状態で、この磁化膜の異なる位置に光照射することに
よって生成した第2の円筒磁区、ずなわらキュー・磁気
バブルを光照射により形成し、これを第1の円筒磁区に
近接させてこの第1の円筒磁区を凹部の側壁に沿って移
動させる。
区で、且つ磁化が膜面に対して垂直且つ一方向に向(よ
うにバイアス磁界を印加した軟磁性膜面垂直容易磁化膜
に、光を入射させて、印加されているバイアス磁界によ
る磁化方向とは逆向きに磁化された円筒磁区を形成さ・
Uてビット情報を記録するようにした熱研気光記録方式
において、その磁化膜に凹部を形成し、この凹部内にビ
ット情報となる第1の円筒磁区(磁気バブル)を保持し
た状態で、この磁化膜の異なる位置に光照射することに
よって生成した第2の円筒磁区、ずなわらキュー・磁気
バブルを光照射により形成し、これを第1の円筒磁区に
近接させてこの第1の円筒磁区を凹部の側壁に沿って移
動させる。
すなわち、本発明においては、磁化膜に凹部を設けるご
とによって、この四部の側壁、ずなわち磁化膜の膜厚が
相違する段部を設けた場合、この段部において、磁気エ
ネルギーが膜厚が一様な部分とは異る様子を示すことを
利用する。
とによって、この四部の側壁、ずなわち磁化膜の膜厚が
相違する段部を設けた場合、この段部において、磁気エ
ネルギーが膜厚が一様な部分とは異る様子を示すことを
利用する。
実施例
第1図にその路線的拡大上面図を刀くし、第2図にその
断面図を示すように、Gd5Gas 012のガーネッ
ト基板(1a)上にLPE法によって(TmBi)3(
FeGa)5012薄膜を2.0.17 mの厚さに成
長して軟(6性腺而垂直容易磁化股(1b)を形成した
記録媒体(1)を構成する。そし′ζ、この磁化IQ(
Ib)の表面にフォトリソグラフィー技術によって正方
形凹部(21)を所定のピッチに配列形成するごとによ
って各凹部(21)の縁部におい′C段部(22)を形
成した。この場合の四部(21)は、縦、横各辺が夫々
6(μm)の正方形で、深さ500(人)に、また、
各四部(21)間の間隔を4(μm)に選定した。そし
′ζ、この磁化膜(1b)に、記録用光源としC3,7
mW以上のアルゴンイオンレーザ−(波K 488nm
)を用いて、M<lb)上でそのスポットが1,0(μ
m)となるように絞って、パルス幅5.0(pg)でそ
の記録を行って凹部(21)内に情報ピント、ずなわぢ
磁気バフルbを形成する。ここに、磁化119(lb)
は、飽和磁化が17.2 (emu/cm3) 、異方
性磁界が1100 (Oe) 、磁壁抗磁力Hcが0.
3(Oe)で、80(Oe)のバイアス磁場における磁
気バブル径は2.4(μ111)であった。一方、磁化
膜(1b)に、連続レーザー光を照射して第1図に示す
ように、上述した四部(21)内に形成した情報ビット
、すなわち情報磁気バブルbとは別に、四部(21)外
に、キュー・磁気バブルc−bを形成する。
断面図を示すように、Gd5Gas 012のガーネッ
ト基板(1a)上にLPE法によって(TmBi)3(
FeGa)5012薄膜を2.0.17 mの厚さに成
長して軟(6性腺而垂直容易磁化股(1b)を形成した
記録媒体(1)を構成する。そし′ζ、この磁化IQ(
Ib)の表面にフォトリソグラフィー技術によって正方
形凹部(21)を所定のピッチに配列形成するごとによ
って各凹部(21)の縁部におい′C段部(22)を形
成した。この場合の四部(21)は、縦、横各辺が夫々
6(μm)の正方形で、深さ500(人)に、また、
各四部(21)間の間隔を4(μm)に選定した。そし
′ζ、この磁化膜(1b)に、記録用光源としC3,7
mW以上のアルゴンイオンレーザ−(波K 488nm
)を用いて、M<lb)上でそのスポットが1,0(μ
m)となるように絞って、パルス幅5.0(pg)でそ
の記録を行って凹部(21)内に情報ピント、ずなわぢ
磁気バフルbを形成する。ここに、磁化119(lb)
は、飽和磁化が17.2 (emu/cm3) 、異方
性磁界が1100 (Oe) 、磁壁抗磁力Hcが0.
3(Oe)で、80(Oe)のバイアス磁場における磁
気バブル径は2.4(μ111)であった。一方、磁化
膜(1b)に、連続レーザー光を照射して第1図に示す
ように、上述した四部(21)内に形成した情報ビット
、すなわち情報磁気バブルbとは別に、四部(21)外
に、キュー・磁気バブルc−bを形成する。
先ず、上述した情報磁気バブルbについて考察するに、
第3図は、′このような寸法形状による凹部(21)を
有する磁化膜(第3図(a))と、これに記録されるビ
ットすなわち磁気バブルbに作用する力(第3図(b)
)との関係を氷したものである。
第3図は、′このような寸法形状による凹部(21)を
有する磁化膜(第3図(a))と、これに記録されるビ
ットすなわち磁気バブルbに作用する力(第3図(b)
)との関係を氷したものである。
すなわち、第3図(a)に示すように、凹部(21)の
1側壁による段部(22a)に沿いこの側壁から磁気バ
ブルbの半径1.2(μm)に相当する直線りについて
みるに、バブルの磁気エネルギーは、この直線り上の各
位置で変化し、これに応じてバブルは力を受ける。第3
図(b)は、このL方向成分の力Fを実験的に求めた結
果を示したものである。
1側壁による段部(22a)に沿いこの側壁から磁気バ
ブルbの半径1.2(μm)に相当する直線りについて
みるに、バブルの磁気エネルギーは、この直線り上の各
位置で変化し、これに応じてバブルは力を受ける。第3
図(b)は、このL方向成分の力Fを実験的に求めた結
果を示したものである。
この場合の測定方法は、バブルを直線り上で、連続レー
ザー光で引き連れて動かし、四部(21)の、直線りが
横切る側壁における段部(22b)及び(22c )に
おいて受ける力にさからってバブルを動かせる最小レー
ザーパワーを測定したものである。すなわち、凹部(2
1)内で第3図(aiで示す直線り上で点Aから点Bへ
、バブルを動かせる最小レーザーパワーP1と、凹部(
21)内から凹部(21)外へとバブルを引き出せる最
小レーザーパワーP2と、凹部(21)外から四部(2
1)内へとバブルを引き入れる最小シー−1フ’−パワ
ーP3とを測定した。一方、段部のない場所で、磁化膜
(1b)の磁壁抗磁力Hcに対してバブルを動かずこと
のできる最小レーザーパワーPoを測定した。つまり、
パワーPoによってパ゛プルに及ぼされる力は、11c
による力F c 、 (Fc= 4dhMsllc)
と等しい。
ザー光で引き連れて動かし、四部(21)の、直線りが
横切る側壁における段部(22b)及び(22c )に
おいて受ける力にさからってバブルを動かせる最小レー
ザーパワーを測定したものである。すなわち、凹部(2
1)内で第3図(aiで示す直線り上で点Aから点Bへ
、バブルを動かせる最小レーザーパワーP1と、凹部(
21)内から凹部(21)外へとバブルを引き出せる最
小レーザーパワーP2と、凹部(21)外から四部(2
1)内へとバブルを引き入れる最小シー−1フ’−パワ
ーP3とを測定した。一方、段部のない場所で、磁化膜
(1b)の磁壁抗磁力Hcに対してバブルを動かずこと
のできる最小レーザーパワーPoを測定した。つまり、
パワーPoによってパ゛プルに及ぼされる力は、11c
による力F c 、 (Fc= 4dhMsllc)
と等しい。
レーザー光がバブルを引きつける力Fdは、でり、えら
れる。ここにdはバフル経、hは膜厚、Msは飽相磁化
、σWは磁壁エネルギー密度、CM及びCσは止の定数
、gradTはレーザー光照射によって形成される温度
勾配である。この場合、レーザー光照射によってバブル
の平均温度は高くなるが、これが、室温に比べて余り高
くない範囲でば、d、Ms、cu、CM 、Cσは、は
ぼ一定値として考えることができ、FdはgradT、
つまりレーザー光パワーに比例する。したがっζ、上述
した各パワーP1..P2.P3と、Poとの比を求め
れば、膜厚の差による段部(22)によって受ける力F
をFcを基準として求めることができる。
れる。ここにdはバフル経、hは膜厚、Msは飽相磁化
、σWは磁壁エネルギー密度、CM及びCσは止の定数
、gradTはレーザー光照射によって形成される温度
勾配である。この場合、レーザー光照射によってバブル
の平均温度は高くなるが、これが、室温に比べて余り高
くない範囲でば、d、Ms、cu、CM 、Cσは、は
ぼ一定値として考えることができ、FdはgradT、
つまりレーザー光パワーに比例する。したがっζ、上述
した各パワーP1..P2.P3と、Poとの比を求め
れば、膜厚の差による段部(22)によって受ける力F
をFcを基準として求めることができる。
このようにして求めた結果が第3図(blであり、この
図において横軸は、第3図(alにおける直線L−ヒの
各位置を第3図fa)に対応してとったものであり、縦
軸にバブルの受ける力F(Fc)をとり、この方Fは第
3図(alにおいて右方向に働く力を止とし、これとは
逆向きの力を負として示したものである。
図において横軸は、第3図(alにおける直線L−ヒの
各位置を第3図fa)に対応してとったものであり、縦
軸にバブルの受ける力F(Fc)をとり、この方Fは第
3図(alにおいて右方向に働く力を止とし、これとは
逆向きの力を負として示したものである。
これによれば、バブルば凹部(2工)の左右縁a1に1
゜なわち、段部(22b )及び(22c)より、四部
(21)外の約2(μm)以内でバブルbを凹部(21
)内に押し戻す力を受けζおり、バブルbは、この凹部
(21)内に強く束縛されていることがわかる。また、
実際上、上述の例において例えば第3図ta+に斜線を
付してその範囲を不ずように、点Aすなわち凹部(21
)の隣り合う側壁(段部(22a )及び(22b )
)から、バブルbの半径の1.2(μm)の距離にあ
る点Aから半径的3.2(μm)で描く円において四部
(21)の点Aを通る対角線を中心とする十の円内に書
き込みパルス光を照射するように選定するときは、バブ
ルbは点への位置に安定に発生ずることが確められた。
゜なわち、段部(22b )及び(22c)より、四部
(21)外の約2(μm)以内でバブルbを凹部(21
)内に押し戻す力を受けζおり、バブルbは、この凹部
(21)内に強く束縛されていることがわかる。また、
実際上、上述の例において例えば第3図ta+に斜線を
付してその範囲を不ずように、点Aすなわち凹部(21
)の隣り合う側壁(段部(22a )及び(22b )
)から、バブルbの半径の1.2(μm)の距離にあ
る点Aから半径的3.2(μm)で描く円において四部
(21)の点Aを通る対角線を中心とする十の円内に書
き込みパルス光を照射するように選定するときは、バブ
ルbは点への位置に安定に発生ずることが確められた。
このことは、四部(21)の形状の対称性から、凹部(
21)の4つの角部のいずれに関しても同様の性状を示
す。
21)の4つの角部のいずれに関しても同様の性状を示
す。
面、この場合、バイアス磁場、すなわちノくプルの径を
変えて同様の記録を行ったところ凹部(21)内の各角
部におい°ζバブルが凹部(21)の隣り合う側壁に内
接する位置がバブルの安定位置となることが確められた
。そし°Cバブルの径が1.8(μm)である場合、こ
の安定位置における中心点を中心とし°ζ半径が約2.
6(μm)の円で、上述したと同様に、この中心を通る
対角線を中心とする+の範囲内に書き込みパルス光を照
射するように選定するときは、これによって発生ずる磁
気ノ\プルは、1−述した安定位置、ずなわぢ、凹部(
21)の角部に内接する位置に発生ずる。
変えて同様の記録を行ったところ凹部(21)内の各角
部におい°ζバブルが凹部(21)の隣り合う側壁に内
接する位置がバブルの安定位置となることが確められた
。そし°Cバブルの径が1.8(μm)である場合、こ
の安定位置における中心点を中心とし°ζ半径が約2.
6(μm)の円で、上述したと同様に、この中心を通る
対角線を中心とする+の範囲内に書き込みパルス光を照
射するように選定するときは、これによって発生ずる磁
気ノ\プルは、1−述した安定位置、ずなわぢ、凹部(
21)の角部に内接する位置に発生ずる。
面、四部(21)内では、膜厚の差による影響は小さく
磁気バブルbは点AからBへと移行し易い状態にある。
磁気バブルbは点AからBへと移行し易い状態にある。
そして、このようにして凹部(21)内に形成した情報
磁気バブルを、キュー・磁気ノーフルc−bによゲで、
ずなわち両バブルC−bとbとの間に作用する反発力に
よって他の位置に移動させる。
磁気バブルを、キュー・磁気ノーフルc−bによゲで、
ずなわち両バブルC−bとbとの間に作用する反発力に
よって他の位置に移動させる。
この反発力Fiは、
でり、えられる。ここに、Dは両バフルC−bとbとの
間の距離である。
間の距離である。
今、第4図B−Cに示すように、凹部(21)外で、こ
の凹部(21)のバブルbが形成された側縁(段部(2
2b ) ’)から、0.5μm隔てた位置に、連続レ
ーザー光のスポットの中心があるように照射して、これ
を第4図において凹部(21)に対して左から右に、段
部(22b )に沿って相対的に動かした場合、情報バ
ブルbは、段部(22a)に沿っ゛ζ点Aから点Bへ移
動した。この移動は、連続レーザー光(CW光)のパワ
ーが0.5〜1.21で安定に行うことができた。
の凹部(21)のバブルbが形成された側縁(段部(2
2b ) ’)から、0.5μm隔てた位置に、連続レ
ーザー光のスポットの中心があるように照射して、これ
を第4図において凹部(21)に対して左から右に、段
部(22b )に沿って相対的に動かした場合、情報バ
ブルbは、段部(22a)に沿っ゛ζ点Aから点Bへ移
動した。この移動は、連続レーザー光(CW光)のパワ
ーが0.5〜1.21で安定に行うことができた。
第5図は、この場合のバイアス磁場と、CW光のパワー
の関係をみたもので、このようにパイアス磁場を変化さ
せた場合、云い換えればバブル径を変化さ・ヒた場合の
、バブルbを点Aから点Bへの移動を安定に行うことの
できるCW光の範囲は同し1中斜線を付した領域であっ
た。
の関係をみたもので、このようにパイアス磁場を変化さ
せた場合、云い換えればバブル径を変化さ・ヒた場合の
、バブルbを点Aから点Bへの移動を安定に行うことの
できるCW光の範囲は同し1中斜線を付した領域であっ
た。
このような情報磁気バブルbを、段部(22a )に沿
っ”ζ点Aから点Bに移動させ得るのは、上述した段部
におりる磁気バブルに対する束縛力によるものであって
、今、第1図で説明したように、−直線上に凹91((
21)が配列されたものにおいて、各四部(21)にお
ける各点Aを第1のトランクTrxとし、各点Bを第2
のトラックTr2とすると、第6図に示すようにトラッ
ク−Trlに沿って、このトラックTr1から所要の距
離だけ隔てた直線a沿ってCW光、ずなわちキュー・バ
ブルc−bを移動させることによって各四部(21)の
各点A(A1゜A2.A3 ・・・A2n)上ずなわ
ちトラックTrz」二の情報バブルb (b+、b2.
b3 ・・・b2n)を、各四部(2I)内の各対応す
る点B(B1゜B2.B3 ・・・B、n)にずなわ
ぢトランクTr2上に移動させることができる。面、こ
の場合、そルc−bの移動軌跡をその移動を回避すべき
情報バブルbを有する凹部(21)から充分隔てた直線
a′上に移行させるようにすれば良いことが確められた
。
っ”ζ点Aから点Bに移動させ得るのは、上述した段部
におりる磁気バブルに対する束縛力によるものであって
、今、第1図で説明したように、−直線上に凹91((
21)が配列されたものにおいて、各四部(21)にお
ける各点Aを第1のトランクTrxとし、各点Bを第2
のトラックTr2とすると、第6図に示すようにトラッ
ク−Trlに沿って、このトラックTr1から所要の距
離だけ隔てた直線a沿ってCW光、ずなわちキュー・バ
ブルc−bを移動させることによって各四部(21)の
各点A(A1゜A2.A3 ・・・A2n)上ずなわ
ちトラックTrz」二の情報バブルb (b+、b2.
b3 ・・・b2n)を、各四部(2I)内の各対応す
る点B(B1゜B2.B3 ・・・B、n)にずなわ
ぢトランクTr2上に移動させることができる。面、こ
の場合、そルc−bの移動軌跡をその移動を回避すべき
情報バブルbを有する凹部(21)から充分隔てた直線
a′上に移行させるようにすれば良いことが確められた
。
そして、このように情報バブルbのトラックTr1から
トランクTr2への移動によって、例えば論理演算を行
うことができる。先ず、本発明方法によってANDR能
を行わしめる場合について説明する。この場合、例えば
第7図(a)及び(b)に示ずように、“0”・及び°
1”の論理レベルを有する2つの人力信号に対する場合
につい′ζ説明すると、例えば一方の第7図fatに示
す入力に基づいてその論理レベル“l”によって、これ
に対応する位;〃に第1のトラックTriに情報の記録
ビットを前述した方法によって形成する。すなわち、第
7図(alで示すレベル“l”によるパルス光によって
その情報ビットbを第8図に不すように形成する。一方
、第7図(b)に示す第2の入力信号における論理レベ
ル“1°゛によって移動用のCW光を一上述の直線a1
−にもちきたす。
トランクTr2への移動によって、例えば論理演算を行
うことができる。先ず、本発明方法によってANDR能
を行わしめる場合について説明する。この場合、例えば
第7図(a)及び(b)に示ずように、“0”・及び°
1”の論理レベルを有する2つの人力信号に対する場合
につい′ζ説明すると、例えば一方の第7図fatに示
す入力に基づいてその論理レベル“l”によって、これ
に対応する位;〃に第1のトラックTriに情報の記録
ビットを前述した方法によって形成する。すなわち、第
7図(alで示すレベル“l”によるパルス光によって
その情報ビットbを第8図に不すように形成する。一方
、第7図(b)に示す第2の入力信号における論理レベ
ル“1°゛によって移動用のCW光を一上述の直線a1
−にもちきたす。
、二のように1−れは、第9図に不ずように第7図(a
l、 (blの論理レベル“1”が一致する時点に対応
゛4“る位置におい′(トランクTrx上の記録ビット
がトラックTr2に移動するごとになるので、トラック
Tr2..l=、の移動された情報ピントを読み出せば
AND演旅による出力を得ることができるごとになる。
l、 (blの論理レベル“1”が一致する時点に対応
゛4“る位置におい′(トランクTrx上の記録ビット
がトラックTr2に移動するごとになるので、トラック
Tr2..l=、の移動された情報ピントを読み出せば
AND演旅による出力を得ることができるごとになる。
面、」−述した各側では、磁気バブルの経より大きい四
部(21)を設けた場合であるが、凹部(21)は−上
述した例のように、磁気バブルの径より大きい大きさと
する場合を始めとして磁気バブルの径に対応する大きさ
或いはこれより小さい大きさの幅、辺、若しくは径を有
する正方形、長方形、円形等種々の形状を採り得るもの
であり、その位置規制を膜面に沿う2方向に関して規制
するようにすることができる。
部(21)を設けた場合であるが、凹部(21)は−上
述した例のように、磁気バブルの径より大きい大きさと
する場合を始めとして磁気バブルの径に対応する大きさ
或いはこれより小さい大きさの幅、辺、若しくは径を有
する正方形、長方形、円形等種々の形状を採り得るもの
であり、その位置規制を膜面に沿う2方向に関して規制
するようにすることができる。
尚、」二連したように本発明による場合、例えばガーネ
ット基板(1a)に軟磁性膜面垂直容易磁化1IA(l
b)を形成するものであるが、必要に応じて例えば第5
図に示すように、基板(1a)の磁化膜(1b)が形成
された側とは反対側の面に無反射コーチインク層を被着
し磁化膜(1b)上にA6蒸着膜等の反射膜を形成し、
更にこれの上に5i02膜等の保護膜を形成し得る。
ット基板(1a)に軟磁性膜面垂直容易磁化1IA(l
b)を形成するものであるが、必要に応じて例えば第5
図に示すように、基板(1a)の磁化膜(1b)が形成
された側とは反対側の面に無反射コーチインク層を被着
し磁化膜(1b)上にA6蒸着膜等の反射膜を形成し、
更にこれの上に5i02膜等の保護膜を形成し得る。
発明の効果
上述したように本発明によれは、磁化膜の膜厚が相違す
る部分における磁気エネルギーの変化に伴う磁気バブル
に働く力を利用してその記録バブルの移動位置を設定す
るようにしたので、その移動のための光の照射位置に多
少のほらつき、振動等のゆらぎがあっても安定した移動
を行うことができるので、装置の設計、製作が簡便化さ
れるなどの利益をもたらす。
る部分における磁気エネルギーの変化に伴う磁気バブル
に働く力を利用してその記録バブルの移動位置を設定す
るようにしたので、その移動のための光の照射位置に多
少のほらつき、振動等のゆらぎがあっても安定した移動
を行うことができるので、装置の設計、製作が簡便化さ
れるなどの利益をもたらす。
第1図は本発明による熱磁気光記録方法の一例の記録媒
体の一例を示す路線的拡大上面図、第2図はそのWi面
図、第3図A及びBは凹部と磁気バブルに働く力の関係
を示す図、第4図a〜Cは情報バブルの移動を説明する
図、第5図はバイアス磁場と移動用レーザー光の関係の
説明し1、第6図は本発明の説明に供するパターン図、
第7図及び第8図は論理演算の説明図である。 +11は記録媒体、(1a)は基板、(1b)は軟磁性
股部垂直容易磁化膜、(21)はその凹部、(22)は
段部である。 第1図 第2図 第8凶 第7図 第8図 手続補正書 昭和58年 7月 1日 1、“IY作の表示 昭和58年特許願第 55653 号′1′I件との
関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用6丁目7番35−号名称(2
]8) ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典雄 6、浦」1により増加する発明の数 (1)明細書中、特許請求の範囲を別紙のように補止す
る。 (2)同、第7頁、トから2行、1月部を形成し、”6
月部内に」を[凹部を形成するなどによっ気エネルギー
の異る領域を形成し、この領易門に」と訂正する。 (3)同、第8頁、5行、「四部」を[上述の領域」と
訂正する。 以 」二 特許請求の範囲 全面にわたって単磁区で、且つ磁化が膜面に対して垂直
且つ一方向に向くようにバイアス磁界を印加した軟磁性
膜面垂直容易磁化膜に、光を入射さ・u−で、印加され
ているバイアス磁界による磁化方向とは逆向きに磁化さ
れた円筒磁区を形成させ゛ζビット情報を記録するよう
にした熱磁気光記録方式において、上記磁化膜は、磁気
エネルギーの異る領域を有し、該領域内にピント情報を
示す第1の円筒磁区を保持した状態で、該磁化膜の異る
位置に光照射することによって生成した第2の円筒磁区
を光照射により上記第1の円筒磁区に近接さ・ヒ、該第
1の円筒磁区を上記領域に沿って移動させるようにした
熱磁気光記録方式におけるビット移動方法。 手続補正書 (特許庁審判長 殿)1、事件の
表示 昭和58年特許願第 55653 号2− 発明ノ名
称 熱磁気光記録方式におけるビット移動方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(21
8) ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代 理 人 東京都新宿区西新宿1丁目8番1号(
桐?iヒル)5、補正命令の日付 昭和 年
月 I+6、補正により増加する発明の数 8、補正の内容 (1) 明細書中、第18頁、18行「第3図A及び
B」を1第3図a及びb」と訂正する。 (2)同、第19頁、2〜3行「第7図及び第8図」を
「第7図ないし第9図」と訂正する。 (3) 図面中に添付図面第9図を迫力口する。 以上 第9図
体の一例を示す路線的拡大上面図、第2図はそのWi面
図、第3図A及びBは凹部と磁気バブルに働く力の関係
を示す図、第4図a〜Cは情報バブルの移動を説明する
図、第5図はバイアス磁場と移動用レーザー光の関係の
説明し1、第6図は本発明の説明に供するパターン図、
第7図及び第8図は論理演算の説明図である。 +11は記録媒体、(1a)は基板、(1b)は軟磁性
股部垂直容易磁化膜、(21)はその凹部、(22)は
段部である。 第1図 第2図 第8凶 第7図 第8図 手続補正書 昭和58年 7月 1日 1、“IY作の表示 昭和58年特許願第 55653 号′1′I件との
関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用6丁目7番35−号名称(2
]8) ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典雄 6、浦」1により増加する発明の数 (1)明細書中、特許請求の範囲を別紙のように補止す
る。 (2)同、第7頁、トから2行、1月部を形成し、”6
月部内に」を[凹部を形成するなどによっ気エネルギー
の異る領域を形成し、この領易門に」と訂正する。 (3)同、第8頁、5行、「四部」を[上述の領域」と
訂正する。 以 」二 特許請求の範囲 全面にわたって単磁区で、且つ磁化が膜面に対して垂直
且つ一方向に向くようにバイアス磁界を印加した軟磁性
膜面垂直容易磁化膜に、光を入射さ・u−で、印加され
ているバイアス磁界による磁化方向とは逆向きに磁化さ
れた円筒磁区を形成させ゛ζビット情報を記録するよう
にした熱磁気光記録方式において、上記磁化膜は、磁気
エネルギーの異る領域を有し、該領域内にピント情報を
示す第1の円筒磁区を保持した状態で、該磁化膜の異る
位置に光照射することによって生成した第2の円筒磁区
を光照射により上記第1の円筒磁区に近接さ・ヒ、該第
1の円筒磁区を上記領域に沿って移動させるようにした
熱磁気光記録方式におけるビット移動方法。 手続補正書 (特許庁審判長 殿)1、事件の
表示 昭和58年特許願第 55653 号2− 発明ノ名
称 熱磁気光記録方式におけるビット移動方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用6丁目7番35号名称(21
8) ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代 理 人 東京都新宿区西新宿1丁目8番1号(
桐?iヒル)5、補正命令の日付 昭和 年
月 I+6、補正により増加する発明の数 8、補正の内容 (1) 明細書中、第18頁、18行「第3図A及び
B」を1第3図a及びb」と訂正する。 (2)同、第19頁、2〜3行「第7図及び第8図」を
「第7図ないし第9図」と訂正する。 (3) 図面中に添付図面第9図を迫力口する。 以上 第9図
Claims (1)
- 全面にねたっ°ζ単磁区で、且つ磁化がI+411Ji
iに対し°ζ垂直且つ一方向に向くようにバイアス磁界
を印加した軟磁性膜面垂直容易磁化膜に、光を入射さ一
ヒて、印加されているバイアス磁界による磁化方向とは
逆向きに磁化された円筒ゼラ区を形成させ′ζビット情
報を記録するようにした熱磁気光記録方式において1.
上記磁化膜は、四部を有し、該凹部内にビット情報を示
す第1の円筒磁区を保持した状態で、該磁化膜の異る位
置に光照射することによって生成した第2の円筒磁区を
光);6射により上記第1の円筒磁区に近接させ、該第
1の円筒磁区を上記凹部の側壁に沿って移動させるよう
にした熱磁気光記録方式におりるビット移動方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58055653A JPS59180806A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法 |
US06/643,975 US4642795A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetic recording system |
EP19840901402 EP0139021B1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetic optical recording method |
PCT/JP1984/000152 WO1984003991A1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetic optical recording method |
DE8484901402T DE3483671D1 (de) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetisches optisches aufzeichnungsverfahren. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58055653A JPS59180806A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59180806A true JPS59180806A (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=13004793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58055653A Pending JPS59180806A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4642795A (ja) |
JP (1) | JPS59180806A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3542279A1 (de) * | 1984-11-30 | 1986-06-05 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Aufzeichnungs- und/oder wiedergabeverfahren fuer blochlinienspeicher |
WO1992002931A1 (en) * | 1990-08-10 | 1992-02-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermomagnetic recording system having high storage density and direct-overwrite capability |
US9397287B1 (en) * | 2015-12-29 | 2016-07-19 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction with post-deposition hydrogenation |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE791239A (fr) * | 1971-11-12 | 1973-05-10 | Philips Nv | Memoire magnetique |
US4012724A (en) * | 1975-11-28 | 1977-03-15 | Sperry Rand Corporation | Method of improving the operation of a single wall domain memory system |
US4149265A (en) * | 1977-04-11 | 1979-04-10 | Sperry Rand Corporation | Method of improving the operation of a single wall domain memory system |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58055653A patent/JPS59180806A/ja active Pending
-
1984
- 1984-03-30 US US06/643,975 patent/US4642795A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4642795A (en) | 1987-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS60236137A (ja) | 同時消録型光磁気記録方式並びにそれに使用する記録装置及び記録媒体 | |
JP3445023B2 (ja) | 光磁気記録媒体およびその再生方法並びに記録方法 | |
WO1999039341A1 (fr) | Support d'enregistrement optomagnetique, procede de reproduction associe et dispositif de reproduction associe | |
JPS59180806A (ja) | 熱磁気光記録方式におけるビツト移動方法 | |
US5293359A (en) | Magnetic recording and reproducing apparatus having a ferrimagnetic recording medium, a magnetic head and first and second light sources | |
JP3519304B2 (ja) | 光磁気ヘッド、光磁気装置及び光磁気記録再生方法 | |
US5398219A (en) | Magneto-optical recording medium with amorphous alloy film layers | |
JP2703587B2 (ja) | 光磁気記録媒体および記録方法 | |
JPH0395745A (ja) | 光磁気記録方法及び記録装置 | |
JPS5816276B2 (ja) | ヒカリジキキロクホウシキ | |
KR940007797A (ko) | 오버라이트가능한 광기록 매체 및 그의 기록 방법 | |
JPS59180805A (ja) | 熱磁気光記録方法 | |
Nishida et al. | Hybrid recording on bit-patterned media using a near-field optical head | |
JP4998894B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置及び磁気情報記録方法 | |
JPH04255941A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
US20010024740A1 (en) | Magneto-optical recording medium | |
JPH04105236A (ja) | 磁気記録方式及び消去方式及び読出方式 | |
JPS6038783A (ja) | 熱磁気光記録方法 | |
JPS59180807A (ja) | 熱磁気光記録方式におけるビツト情報移動方法 | |
JPH04313833A (ja) | 光磁気記録媒体およびそれを用いた光磁気記録再生方法 | |
JPH0440761B2 (ja) | ||
WO1984003991A1 (en) | Thermomagnetic optical recording method | |
JP3542155B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録再生装置 | |
JPS6029955A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
JPH02210637A (ja) | 光磁気記録媒体 |