JPS59175047A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPS59175047A JPS59175047A JP58048100A JP4810083A JPS59175047A JP S59175047 A JPS59175047 A JP S59175047A JP 58048100 A JP58048100 A JP 58048100A JP 4810083 A JP4810083 A JP 4810083A JP S59175047 A JPS59175047 A JP S59175047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- recording medium
- disk
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光ビデオディスク、電子ファイル、光メモリ
や光音声レコード等に用いられるミクロンメータ単位の
光変調領域を多数記録するだめの光学−情報記録媒体に
関するものである。
や光音声レコード等に用いられるミクロンメータ単位の
光変調領域を多数記録するだめの光学−情報記録媒体に
関するものである。
従来の光デイスク記録媒体あるいは現在開発されている
光磁気ディスク記録媒体についてその情報記録方式を第
１図を用いて説明する。第１図は情報記録方式を模式的
に示している。光源および変調器等から成る変調レーザ
ビーム発生器１１よシ出射したビームは、コリメートレ
ンズ１２とトラッキングミラー１３などを通して、さら
にディスク盤１６の面上にスポットを結ぶ為のアクチュ
エーター１５と絞り込み用対物レンズ１４を通してディ
スク盤１６の面上に照射される。ディスク盤１６は回転
モータ１７によって情報記録と再生中は回転させられて
いる。ディスク盤１６の回転数制御方式としてはＣＡＶ
方式・・・ディスク盤を一定回転数に制御する方式とＣ
ＬＶ方式・・・集光されたビームスポットの移動速度（
線速度）が一定になる様に制御する方式が知られている
。ＣＡＶ方式については、ランダムアクセスの設計のし
やすさの長所を持つがＣＡＶ方式を用いて記録された記
録ピットの形状が記録媒体の径方向で第２図に示す様に
大きく変化するという欠点をもつ。すなわち、ＣＡＶ方
式で記録したビットは最外周部に近づくほど細長いビッ
ト２１になシ、記録媒体の感度が低い場合には最外周部
でピットを形成することができなくなるという事態を生
じている。
光磁気ディスク記録媒体についてその情報記録方式を第
１図を用いて説明する。第１図は情報記録方式を模式的
に示している。光源および変調器等から成る変調レーザ
ビーム発生器１１よシ出射したビームは、コリメートレ
ンズ１２とトラッキングミラー１３などを通して、さら
にディスク盤１６の面上にスポットを結ぶ為のアクチュ
エーター１５と絞り込み用対物レンズ１４を通してディ
スク盤１６の面上に照射される。ディスク盤１６は回転
モータ１７によって情報記録と再生中は回転させられて
いる。ディスク盤１６の回転数制御方式としてはＣＡＶ
方式・・・ディスク盤を一定回転数に制御する方式とＣ
ＬＶ方式・・・集光されたビームスポットの移動速度（
線速度）が一定になる様に制御する方式が知られている
。ＣＡＶ方式については、ランダムアクセスの設計のし
やすさの長所を持つがＣＡＶ方式を用いて記録された記
録ピットの形状が記録媒体の径方向で第２図に示す様に
大きく変化するという欠点をもつ。すなわち、ＣＡＶ方
式で記録したビットは最外周部に近づくほど細長いビッ
ト２１になシ、記録媒体の感度が低い場合には最外周部
でピットを形成することができなくなるという事態を生
じている。
また、最内周部に近づく程ピット間隔が小さくなシ、幅
広のピット２２が形成される様になる。場合によっては
、ピット間隔がなくなり、連続したピット列を形成する
ことさえある。
広のピット２２が形成される様になる。場合によっては
、ピット間隔がなくなり、連続したピット列を形成する
ことさえある。
この様に、ディスク径方向２３に従ってピット形状が変
化するために、高密度でピットを形成することが難かし
くなるという欠点を有している。
化するために、高密度でピットを形成することが難かし
くなるという欠点を有している。
本発明の目的は、前述の欠点を解消した新規な光学記録
媒体を提供することにある。
媒体を提供することにある。
本発明の別の目的は、高密度及び大容量記録に適した光
学記録媒体を提供することにある。
学記録媒体を提供することにある。
本発明の別の目的は、ディスクの最内周部と最外周部で
形成されるピットの形状をほぼ同一の形状で形成できる
光学記録媒体を提供することにある。
形成されるピットの形状をほぼ同一の形状で形成できる
光学記録媒体を提供することにある。
本発明のかかる目的は、記録感度を径（半径）方向に沿
って変化させた記録層を有する光学記録媒体によって達
成される。
って変化させた記録層を有する光学記録媒体によって達
成される。
以下、本発明を図面と実施例に従って説明する。
第３図（ａ）および第３図（ｂ）は、本発明の光学記録
媒体の断面図である。図中、３１はガラスあるいはプラ
スチックの基板、３２は基板３１と感光層３３の間に形
成した中間層で、断熱効果あるいは密着性の向上などの
効果を期待することができる。感光層３３は、ＧｄＣｏ
膜やＴｂＦｅ膜などの光磁気薄膜あるーいはテルル膜や
色素薄膜などで代表される光吸収があシ、同時に加熱に
よシ光学的特性変化あるいは形状変化などが期待される
感熱吸光層である。３４は、反射防止層で感光層３３で
の光吸収の効率を上げることができる。３５は、保護層
でディスク記録媒体の保存性を向上させることができる
。又、この他に層構成を例えば感光層３３を第３図（ｃ
）に示す様に感光層３３と６に示すレーザー光を透過し
、且つ金属に比べて熱伝導率の小さい層（スペーサ一層
）と７に示す反射層（金属層）の様な３層構成にするこ
とも可能である。あるいは第３図（ｃ）に示す層構成の
ものを第３図（ａ）又は（ｂ）に積層することも可能で
ある。また、各構成要素の層は必要に応じて感光層３３
以外は省略することも可能である。
媒体の断面図である。図中、３１はガラスあるいはプラ
スチックの基板、３２は基板３１と感光層３３の間に形
成した中間層で、断熱効果あるいは密着性の向上などの
効果を期待することができる。感光層３３は、ＧｄＣｏ
膜やＴｂＦｅ膜などの光磁気薄膜あるーいはテルル膜や
色素薄膜などで代表される光吸収があシ、同時に加熱に
よシ光学的特性変化あるいは形状変化などが期待される
感熱吸光層である。３４は、反射防止層で感光層３３で
の光吸収の効率を上げることができる。３５は、保護層
でディスク記録媒体の保存性を向上させることができる
。又、この他に層構成を例えば感光層３３を第３図（ｃ
）に示す様に感光層３３と６に示すレーザー光を透過し
、且つ金属に比べて熱伝導率の小さい層（スペーサ一層
）と７に示す反射層（金属層）の様な３層構成にするこ
とも可能である。あるいは第３図（ｃ）に示す層構成の
ものを第３図（ａ）又は（ｂ）に積層することも可能で
ある。また、各構成要素の層は必要に応じて感光層３３
以外は省略することも可能である。
本発明の光学記録媒体は、記録層３０を構成している中
間層３２、感光層３３、反射防止層３４あるいは保護層
３５のうち少なくとも１つの層を選択し、その層の膜厚
を記録媒体の半径方向に沿って連続的に変化させた記録
層３０を用いることにより、その記録層３０の感度を半
径方向に沿って変化させることができる。第３図（ａ）
は、記録媒体の最外周部の感光層３３の膜厚を肉厚に形
成し、最内周部の感光層３３の膜厚を肉薄に形成した態
様を示している。又、第３図（ｂ）は、記録媒体の最外
周部の保護層３５の又、本発明の光学記録媒体では、前
述の態様に示すもののほかに、反射防止層３４め反射率
が記録媒体の半径方向に沿って変化する様にその膜厚を
変化させて形成することもできる。さらに、２層以上の
構成層ともにその最外周部の膜厚を最内周部の膜厚よシ
肉薄に形成することもできる。
間層３２、感光層３３、反射防止層３４あるいは保護層
３５のうち少なくとも１つの層を選択し、その層の膜厚
を記録媒体の半径方向に沿って連続的に変化させた記録
層３０を用いることにより、その記録層３０の感度を半
径方向に沿って変化させることができる。第３図（ａ）
は、記録媒体の最外周部の感光層３３の膜厚を肉厚に形
成し、最内周部の感光層３３の膜厚を肉薄に形成した態
様を示している。又、第３図（ｂ）は、記録媒体の最外
周部の保護層３５の又、本発明の光学記録媒体では、前
述の態様に示すもののほかに、反射防止層３４め反射率
が記録媒体の半径方向に沿って変化する様にその膜厚を
変化させて形成することもできる。さらに、２層以上の
構成層ともにその最外周部の膜厚を最内周部の膜厚よシ
肉薄に形成することもできる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１
真空蒸着法によシ第３図（ａ）に示される構成の光デイ
スク記録媒体を下記の方法で作成した。
スク記録媒体を下記の方法で作成した。
１
基被亨′シて厚さ３ ｔｒｒｘｒ 、直径３００ｔｍφ
のガラス円板を用意した。この基板３１の上にポリスチ
レンの塗工膜をスピナーによ４１５０００人の厚さに均
一に塗工して中間層３２として形成した。
のガラス円板を用意した。この基板３１の上にポリスチ
レンの塗工膜をスピナーによ４１５０００人の厚さに均
一に塗工して中間層３２として形成した。
次いで、この中間層３２の上に最外周部（２９０Ｉ＋Ｏ
ＩＩφ）での膜厚が２００人で、最内周部（３０聾φ）
での膜厚が３００人となる様にテルル（Ｔｅ）膜を蒸着
法で形成し、感光層３３とした。この際、蒸発源（Ｔｅ
）の位置を第４図に示す４２の位置に配置することによ
って、最内周部での膜厚を最外周部での膜厚より肉厚に
形成することができた。尚、第４図中の４４は回転軸を
、４５は被蒸着体（本例では中間層３２を設けた基板３
１）を表わしている。又、蒸発源の位置を図中の４３に
配置すると被蒸着体４５の外周部での膜厚が犬きくなシ
、図中の４１に配置すると被蒸着体４５の表面全体に亘
って均一な蒸着膜を形成することができる。
ＩＩφ）での膜厚が２００人で、最内周部（３０聾φ）
での膜厚が３００人となる様にテルル（Ｔｅ）膜を蒸着
法で形成し、感光層３３とした。この際、蒸発源（Ｔｅ
）の位置を第４図に示す４２の位置に配置することによ
って、最内周部での膜厚を最外周部での膜厚より肉厚に
形成することができた。尚、第４図中の４４は回転軸を
、４５は被蒸着体（本例では中間層３２を設けた基板３
１）を表わしている。又、蒸発源の位置を図中の４３に
配置すると被蒸着体４５の外周部での膜厚が犬きくなシ
、図中の４１に配置すると被蒸着体４５の表面全体に亘
って均一な蒸着膜を形成することができる。
しかる後に、前述の感光層３３の上に蒸着法によ、９Ｓ
ｉＯ，膜を７０人の膜厚で反射防止層３４として形成し
て、光記録媒体（サンプル■）を作成した。
ｉＯ，膜を７０人の膜厚で反射防止層３４として形成し
て、光記録媒体（サンプル■）を作成した。
一方、比較サンプル（サンプルＩ）として前述の感光層
３３を形成する際、テルル（Ｔｅ）膜を中間層３２の上
に２００人の膜厚で均一に形成させたほかは、前述のサ
ンプル■を作成した際の方法と同様の方法で作成した。
３３を形成する際、テルル（Ｔｅ）膜を中間層３２の上
に２００人の膜厚で均一に形成させたほかは、前述のサ
ンプル■を作成した際の方法と同様の方法で作成した。
こうして作成したサンプル■とＨの記録感度を測定する
ために、各サンプルについて第１図に示す方式の装置に
装填した。
ために、各サンプルについて第１図に示す方式の装置に
装填した。
ディスクの回転数は１０００ ｒｐｍ ｓ レーザー
ビーム発生器にはＨｅ −Ｎｅレーザーを用い、５０％
デユーティのレーザーパルスの記録周波数と媒体面上で
のレーザーのパワーを変えながら記録実験を行った。そ
の結果を表−１に示す。ここで○印は光学顕微鏡で観察
の結果良好なピットが記録されているもの、Ｘ印は記録
されていないもの、△印はピット間かくがせばまシピッ
トが連続しているものを示す。
ビーム発生器にはＨｅ −Ｎｅレーザーを用い、５０％
デユーティのレーザーパルスの記録周波数と媒体面上で
のレーザーのパワーを変えながら記録実験を行った。そ
の結果を表−１に示す。ここで○印は光学顕微鏡で観察
の結果良好なピットが記録されているもの、Ｘ印は記録
されていないもの、△印はピット間かくがせばまシピッ
トが連続しているものを示す。
表−１
（但し、ピットを形成した最外周部はディスク直径２９
０甥φの部分で、ピットを形成した最内周部はディスク
直径１５０＋ＩＩ＋１φの部分である。）表−１の結果
よりディスクの径方向に感度の分布をつくることで最外
周部より最内周部までピットが連続することなく高密度
に記録できたことが分った。
０甥φの部分で、ピットを形成した最内周部はディスク
直径１５０＋ＩＩ＋１φの部分である。）表−１の結果
よりディスクの径方向に感度の分布をつくることで最外
周部より最内周部までピットが連続することなく高密度
に記録できたことが分った。
実施例２
真空蒸着法やスパッタ法を用いて第３図（ｂ）に示され
る構成の紫−気ディ〜り記録媒体を作成した。基板３１
として厚さ、１．２ｍ、直径３００咽φのプラスチック
円板を用意した。この上に中間層３２としてＳｉ０層を
約１０００人で均一に蒸着形成した。さらに反射防止層
３４として帽、を約１．０ ＯＯＡの厚さに均一に電子
ビーム蒸着法により設けた後にＡｒガス中のスパッタ法
ニヨリＧｄＣｏ 膜を感光層（光磁気記録層）３３と
して約１５０ＯＡの厚さに均一に設はノこ。
る構成の紫−気ディ〜り記録媒体を作成した。基板３１
として厚さ、１．２ｍ、直径３００咽φのプラスチック
円板を用意した。この上に中間層３２としてＳｉ０層を
約１０００人で均一に蒸着形成した。さらに反射防止層
３４として帽、を約１．０ ＯＯＡの厚さに均一に電子
ビーム蒸着法により設けた後にＡｒガス中のスパッタ法
ニヨリＧｄＣｏ 膜を感光層（光磁気記録層）３３と
して約１５０ＯＡの厚さに均一に設はノこ。
次いで、保護層３５としてアルミニウム膜を最外周部（
２９０ｔｍφ）で１００Ｏ人の膜厚に、最内周部（１５
０ｍφ）で５０００人の膜厚に、このアルミニウム膜の
厚みがほぼ直線的に変化する様に形成させた。感光層３
３と保護層３５は金属であるため熱伝導が大きく、感光
層３３と保護層３５の厚みの和が大きくなる程、記録感
度は低下することになる。この様にして作成した光−磁
気ディスク記録媒体をサンプル■とした。
２９０ｔｍφ）で１００Ｏ人の膜厚に、最内周部（１５
０ｍφ）で５０００人の膜厚に、このアルミニウム膜の
厚みがほぼ直線的に変化する様に形成させた。感光層３
３と保護層３５は金属であるため熱伝導が大きく、感光
層３３と保護層３５の厚みの和が大きくなる程、記録感
度は低下することになる。この様にして作成した光−磁
気ディスク記録媒体をサンプル■とした。
一方、比較サンプル（サンプル■）として、前述の保護
層３５を形成する際、アルミニウム膜を１０００人の膜
厚で均一に形成させたほかは、前述のサンプル■を作成
した際の方法と同様の方法で作成した。
層３５を形成する際、アルミニウム膜を１０００人の膜
厚で均一に形成させたほかは、前述のサンプル■を作成
した際の方法と同様の方法で作成した。
このサンプル■と■をそれぞれディスク回転１０００
ｒ％ ”９．ｍで５０チデユーテイーのＨｅ−Ｎｅレー
ザーパルスの記録周波数とレーザーパワーを変えながら
記録を行なったところ、サンプル■（本発明）では１０
ＭＨｚ （レーザーパワー１０ｍＷ；記録媒体上）！
で可能であったがサンプルＩＩＩ （比較用）で・は４
ＭＨｚ （レーザーパワー７ｍＷ；記録媒体上）であ
った。
ｒ％ ”９．ｍで５０チデユーテイーのＨｅ−Ｎｅレー
ザーパルスの記録周波数とレーザーパワーを変えながら
記録を行なったところ、サンプル■（本発明）では１０
ＭＨｚ （レーザーパワー１０ｍＷ；記録媒体上）！
で可能であったがサンプルＩＩＩ （比較用）で・は４
ＭＨｚ （レーザーパワー７ｍＷ；記録媒体上）であ
った。
実施例３
真空蒸着法とスパッタ法を用いて第３図（ａ）に示され
る構成の光磁気ディスク媒体を作成した。
る構成の光磁気ディスク媒体を作成した。
基板３１として厚さ１．２ ｒｕｎ 、直径３００關φ
のプラスチック円板を用意した。この上に中間層３２と
してＳｉ０層を約１５００人厚で均一に蒸着形成した。
のプラスチック円板を用意した。この上に中間層３２と
してＳｉ０層を約１５００人厚で均一に蒸着形成した。
さらに、この上にＡｒガス中のスパッタ法により感光層
（光磁気記録層）３３としてＴｂＦｃ 膜を約１５０
０人の厚さに均一に設けた。
（光磁気記録層）３３としてＴｂＦｃ 膜を約１５０
０人の厚さに均一に設けた。
サンプル■（比較用サンプル）は反射防止層３４として
Ｚｒ０ｔを径方向に均一に約６５０人の厚さに蒸着した
。サンプル■（本発明品）はＺｒＯ２層を最外周部（２
９０＋ｍｎφ）で６５０人の厚さに最内周部（１５０−
φ）で７３０人の厚さにＺ ｒＯ２層の厚みがほぼ直線
的に変化する様にして反射防止層３４を設けた。サンプ
ル■とサンプル■の両方について、反射防止層３４の上
に０．１μのポリアリノート樹脂層を均一にスブンナー
コートして保護層３５とした。サンプル■とサンプル■
において、照射されるレーザーのエネルギーは感光層３
３で吸収される。反射防止層３４は、吸収効率の向上を
計るもので、ＺｒＯ２層の厚さ６５０人プラスボリアリ
レート樹脂層の厚み０．１μは使用される半導体レーザ
ーの記録媒体面での反射率が極小値をとる様に設計され
たものである。したがって、反射防止層３４と保護層３
５の厚さがわずかに変化すると媒体のレーザー波長での
反射率は大きくなる。
Ｚｒ０ｔを径方向に均一に約６５０人の厚さに蒸着した
。サンプル■（本発明品）はＺｒＯ２層を最外周部（２
９０＋ｍｎφ）で６５０人の厚さに最内周部（１５０−
φ）で７３０人の厚さにＺ ｒＯ２層の厚みがほぼ直線
的に変化する様にして反射防止層３４を設けた。サンプ
ル■とサンプル■の両方について、反射防止層３４の上
に０．１μのポリアリノート樹脂層を均一にスブンナー
コートして保護層３５とした。サンプル■とサンプル■
において、照射されるレーザーのエネルギーは感光層３
３で吸収される。反射防止層３４は、吸収効率の向上を
計るもので、ＺｒＯ２層の厚さ６５０人プラスボリアリ
レート樹脂層の厚み０．１μは使用される半導体レーザ
ーの記録媒体面での反射率が極小値をとる様に設計され
たものである。したがって、反射防止層３４と保護層３
５の厚さがわずかに変化すると媒体のレーザー波長での
反射率は大きくなる。
次に、実施例１と同じ方法でサンプル■とサンプル■に
ついて記録実験を行った。ディスク回転１１０００ｒｐ
で５０％デユーティのレーザーパルス変調記録でサンプ
ル■では４ ＭＨｚ （レーザーパワー６ｆｉＷ；記録
媒体面上）Ｘまでであったのに対し、サンプル■では１
０ ＭＨｚ （レーザーパワー１０ｍＷ；記録媒体面上
）までが可能であった。
ついて記録実験を行った。ディスク回転１１０００ｒｐ
で５０％デユーティのレーザーパルス変調記録でサンプ
ル■では４ ＭＨｚ （レーザーパワー６ｆｉＷ；記録
媒体面上）Ｘまでであったのに対し、サンプル■では１
０ ＭＨｚ （レーザーパワー１０ｍＷ；記録媒体面上
）までが可能であった。
本発明は、上述の（ＡＶ方式では、記録時にディスク記
録媒体の径方向で１つのビットの単位面積当シに照射さ
れるエネルギーが変化する為、それに相応して記録ビッ
トの形状が変化するだめに、高密度記録が難しいという
これまでの欠点を除去することができ、例えばレーザー
ビーム発生器の出力を連続的に変化させるなどの複雑な
手段を用いる必要がなく、１つのビットを記録する為の
レーザーのパルス巾を小さくしかも同じ直径のディスク
記録媒体でもよシ内周側まで使用出来ることになり、こ
のため高密度で大容量の記録を行なうことができる利点
を有している。
録媒体の径方向で１つのビットの単位面積当シに照射さ
れるエネルギーが変化する為、それに相応して記録ビッ
トの形状が変化するだめに、高密度記録が難しいという
これまでの欠点を除去することができ、例えばレーザー
ビーム発生器の出力を連続的に変化させるなどの複雑な
手段を用いる必要がなく、１つのビットを記録する為の
レーザーのパルス巾を小さくしかも同じ直径のディスク
記録媒体でもよシ内周側まで使用出来ることになり、こ
のため高密度で大容量の記録を行なうことができる利点
を有している。
第１図は、光学記録媒体の記録方式を模式的形成したビ
ットの形状を模式的に示す平面図である。第３図（ａ）
、第３図（ｂ）および第３図（ｃ）は、本発明の光学記
録媒体の断面図である。第４図は、本発明の光学記録媒
体を製造する際に用いる装置の模式的説明図である。 ３１；基板 ３２：中間層 ３３；感光層 ３４；反射防止層 ３５；保護層 ３６；スペーサ一層 ３７；反射層 ３０；記録層 ２Ｃ
ットの形状を模式的に示す平面図である。第３図（ａ）
、第３図（ｂ）および第３図（ｃ）は、本発明の光学記
録媒体の断面図である。第４図は、本発明の光学記録媒
体を製造する際に用いる装置の模式的説明図である。 ３１；基板 ３２：中間層 ３３；感光層 ３４；反射防止層 ３５；保護層 ３６；スペーサ一層 ３７；反射層 ３０；記録層 ２Ｃ
Claims (1)
- 記録感度を径方向に沿って変化させた記録層を有するこ
とを特徴とする光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048100A JPH0675301B2 (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 光ディスク媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048100A JPH0675301B2 (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 光ディスク媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175047A true JPS59175047A (ja) | 1984-10-03 |
| JPH0675301B2 JPH0675301B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=12793893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048100A Expired - Lifetime JPH0675301B2 (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 光ディスク媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675301B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243966A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報担体デイスク |
| JPS62298947A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報担体デイスク |
| JPH0388148A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-12 | Nec Corp | 相変化型光ディスク |
| JPH03183038A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-09 | Nec Corp | 相変化型光ディスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5473003A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Information carrier disc |
-
1983
- 1983-03-22 JP JP58048100A patent/JPH0675301B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243966A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報担体デイスク |
| JPS62298947A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報担体デイスク |
| JPH0388148A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-12 | Nec Corp | 相変化型光ディスク |
| JPH03183038A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-09 | Nec Corp | 相変化型光ディスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0675301B2 (ja) | 1994-09-21 |
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